JPS62159319A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS62159319A JPS62159319A JP164086A JP164086A JPS62159319A JP S62159319 A JPS62159319 A JP S62159319A JP 164086 A JP164086 A JP 164086A JP 164086 A JP164086 A JP 164086A JP S62159319 A JPS62159319 A JP S62159319A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以+:MR型磁気
ヘッドという)に係わる。
ヘッドという)に係わる。
本発明は、夫々非磁性1旧1旧−を介して少くとも一方
が磁気抵抗効果(以上MR効果という)を有する磁性層
(以−ドM R磁性j→という)が積j−された対の感
磁部を設け、これに対するセンス電流と信号磁界との関
係を特定し、更にこれらから差動的に出力をとり出すこ
とによってバルクハウゼンノイズの解消をはかると共に
、再生出力の対称性の向上と更に磁気記録媒体との摺動
による熱雑音の減少化をはかる。
が磁気抵抗効果(以上MR効果という)を有する磁性層
(以−ドM R磁性j→という)が積j−された対の感
磁部を設け、これに対するセンス電流と信号磁界との関
係を特定し、更にこれらから差動的に出力をとり出すこ
とによってバルクハウゼンノイズの解消をはかると共に
、再生出力の対称性の向上と更に磁気記録媒体との摺動
による熱雑音の減少化をはかる。
従来一般のMR型磁気ヘッドは、その感磁部が単層のM
R磁性層によって構成され、このMR磁磁性に与えられ
る信号磁界に基づく抵抗変化を例えば電圧変化として検
出するためのセンス電流を、MR磁性層の面方向に沿い
且つ磁気媒体との対接ないしは対向面のトラック幅方向
に沿う方向に通ずるようにしている。つまり、M RM
E磁性層対し、センス電流が、磁気媒体からあたえられ
る信号磁界と直交する方向に流される。
R磁性層によって構成され、このMR磁磁性に与えられ
る信号磁界に基づく抵抗変化を例えば電圧変化として検
出するためのセンス電流を、MR磁性層の面方向に沿い
且つ磁気媒体との対接ないしは対向面のトラック幅方向
に沿う方向に通ずるようにしている。つまり、M RM
E磁性層対し、センス電流が、磁気媒体からあたえられ
る信号磁界と直交する方向に流される。
本発明はMR型磁気ヘッドにおいて、バルクハウゼンノ
イズ、すなわち磁壁の移動に基づくノイズの発生を確実
に回避すると共に、出力の対称性、磁気記録媒体との摺
動による熱雑音の減少化をはかる。
イズ、すなわち磁壁の移動に基づくノイズの発生を確実
に回避すると共に、出力の対称性、磁気記録媒体との摺
動による熱雑音の減少化をはかる。
本発明は、第1図にその平面図的構成図を示すように基
板S上に少くとも第1及び第20) M R感磁部(1
)及び(2)を設ける。
板S上に少くとも第1及び第20) M R感磁部(1
)及び(2)を設ける。
第1図においζ(6)は磁気記録媒体(7)との対接な
いしはえ1凹面をボし、媒体(7)は、第1図において
紙面と直交する方向に移行するように、すなわち、その
トラック幅Wt方向が第り図において紙面に沿う上手方
向とされζいる。
いしはえ1凹面をボし、媒体(7)は、第1図において
紙面と直交する方向に移行するように、すなわち、その
トラック幅Wt方向が第り図において紙面に沿う上手方
向とされζいる。
肉感磁部(1)及び(2)は、磁気記録媒体との対接な
いしは対向面(6)から後方にこの面(6)と直交する
ように所要のトラック幅W丁内において平行に配列形成
される。
いしは対向面(6)から後方にこの面(6)と直交する
ように所要のトラック幅W丁内において平行に配列形成
される。
感磁部(1)及び(2)は、非磁性中間層(3)を介し
てその上トに少くとも一方が、MRR性層より成り、夫
々軟磁性体より成る磁性層(4)及び(5)の積層構造
とする。非磁性中間Jiff (31の厚さは、内磁性
層(4)及び(5)間に、交換相11作用に比し静磁同
相114作用が支配的に作用するような厚さの5人を超
え 10000人未満の例えば5〜5000人に選定す
る。また、内磁性層(4)及び(5)は、その飽和磁束
密度、厚さ等の選定によって内磁性層(4)及び(5)
の磁束量が一致するようにして磁束が内磁性層(4)及
び(5)に関して全体的に閉じるように選定される。
てその上トに少くとも一方が、MRR性層より成り、夫
々軟磁性体より成る磁性層(4)及び(5)の積層構造
とする。非磁性中間Jiff (31の厚さは、内磁性
層(4)及び(5)間に、交換相11作用に比し静磁同
相114作用が支配的に作用するような厚さの5人を超
え 10000人未満の例えば5〜5000人に選定す
る。また、内磁性層(4)及び(5)は、その飽和磁束
密度、厚さ等の選定によって内磁性層(4)及び(5)
の磁束量が一致するようにして磁束が内磁性層(4)及
び(5)に関して全体的に閉じるように選定される。
感磁部(1)及び(2)の内磁性層(4)及び(5)を
MRR性層とするときは、内磁性+= +41及び(5
)は同一の材料、寸法形状とすることが望ましいが、一
方をMR効果がないか殆んどない材料によって構成する
ときは、この磁性層は、MR効果のある磁性層に比し充
分大なる抵抗となるようにその材料及び厚さ等の選定を
行う。しかしながらこの場合において上述した内磁性層
の磁束量が一致するような条件を満たず必要がある。
MRR性層とするときは、内磁性+= +41及び(5
)は同一の材料、寸法形状とすることが望ましいが、一
方をMR効果がないか殆んどない材料によって構成する
ときは、この磁性層は、MR効果のある磁性層に比し充
分大なる抵抗となるようにその材料及び厚さ等の選定を
行う。しかしながらこの場合において上述した内磁性層
の磁束量が一致するような条件を満たず必要がある。
そして、本発明においては、感磁部(11及び(2)に
磁気媒体に対するトラック幅W、方向と直交する方向に
センス電流lI及びilを通ずる。すなわち、磁気記録
媒体(7)から感磁部t1)及び(2)に与えられる信
号磁界と同方向に感磁部(1)及び(2)に通ずるセン
ス電流i!及びiHの方向を選定する。
磁気媒体に対するトラック幅W、方向と直交する方向に
センス電流lI及びilを通ずる。すなわち、磁気記録
媒体(7)から感磁部t1)及び(2)に与えられる信
号磁界と同方向に感磁部(1)及び(2)に通ずるセン
ス電流i!及びiHの方向を選定する。
そして、これら感磁部(11及び(2)を構成する磁性
層は信号磁界HSとほぼ直交する方向に磁化容易軸c、
aを有するか、あるいは磁性層の主面内に異方性を有し
ない等方向な磁性層により構成する。
層は信号磁界HSとほぼ直交する方向に磁化容易軸c、
aを有するか、あるいは磁性層の主面内に異方性を有し
ない等方向な磁性層により構成する。
また、感磁部(1)及び(2)には、信号磁界が与えら
れない状態でセンス電流i!及びilの方向に対し所要
の角度、例えばほぼ45゛に磁化が向くように所要のバ
イアス磁界Hst及びHBx’c”j、えるか、特に本
発明においては、このバイアス磁界HBI及びHB、を
JLいに逆向きとする。
れない状態でセンス電流i!及びilの方向に対し所要
の角度、例えばほぼ45゛に磁化が向くように所要のバ
イアス磁界Hst及びHBx’c”j、えるか、特に本
発明においては、このバイアス磁界HBI及びHB、を
JLいに逆向きとする。
そして、両感磁部(1)及び(2)における磁気記録媒
体からの信号磁界■4sによる各抵抗変化に基く出力を
差動的にとり出す。同図におい°ζ、(20)はその差
動出力をとり出ず差動アンプを示す。
体からの信号磁界■4sによる各抵抗変化に基く出力を
差動的にとり出す。同図におい°ζ、(20)はその差
動出力をとり出ず差動アンプを示す。
−E述の本発明構成によれば、先ずバルクハウゼンノイ
ズが効果的に除去される。これについて説明する。
ズが効果的に除去される。これについて説明する。
その説明に先立ってバルクハウゼンノイズの発生原因に
ついて説明すると、従来一般のMRR磁気ヘッドのよう
に、その感磁部がliMのMRR性層によって構成され
ている場合、このMR磁磁性画−、磁気異方性エネルギ
ー、形状異方性等に起因する静磁エネルギー等の和が層
全体として最小となるような状態を保持すべく第14図
に不ずような磁区構造をとる。すなわち、この単層磁性
)@が、長方形の薄II!4磁性層(51)であり短辺
方向に磁気異方性を有−4°る場合、その面内において
、短辺方向に沿って磁化方向が交lLに逆向きの磁区(
52)が生じると共に、これら隣り合う磁区(52)に
関して閉ループを形成するようにその両端間に、磁性層
の長辺方向に沿って順次逆向きの磁区(53)が生じて
いる。し赳がって、このような磁性Jf!Jに外部磁界
が与えられると磁壁(54) 、 (55)が移動し
、これによりバルクハウゼンノイズが発生ずる。
ついて説明すると、従来一般のMRR磁気ヘッドのよう
に、その感磁部がliMのMRR性層によって構成され
ている場合、このMR磁磁性画−、磁気異方性エネルギ
ー、形状異方性等に起因する静磁エネルギー等の和が層
全体として最小となるような状態を保持すべく第14図
に不ずような磁区構造をとる。すなわち、この単層磁性
)@が、長方形の薄II!4磁性層(51)であり短辺
方向に磁気異方性を有−4°る場合、その面内において
、短辺方向に沿って磁化方向が交lLに逆向きの磁区(
52)が生じると共に、これら隣り合う磁区(52)に
関して閉ループを形成するようにその両端間に、磁性層
の長辺方向に沿って順次逆向きの磁区(53)が生じて
いる。し赳がって、このような磁性Jf!Jに外部磁界
が与えられると磁壁(54) 、 (55)が移動し
、これによりバルクハウゼンノイズが発生ずる。
これに比し、本発明構成においては、その感磁部(11
及び(2)が、夫々非磁性中間jf# (3)を介して
磁性層(4)及び(5)が積1繭された構造とされてい
ることによって、外部磁界が与えられていない状態では
、第2図に示すように、磁性層(4)及び(5)は、矢
印M1及びM2で示ずように夫々磁化容易軸方向に互い
に反平行の磁化状態にあり、磁壁が生じていない。
及び(2)が、夫々非磁性中間jf# (3)を介して
磁性層(4)及び(5)が積1繭された構造とされてい
ることによって、外部磁界が与えられていない状態では
、第2図に示すように、磁性層(4)及び(5)は、矢
印M1及びM2で示ずように夫々磁化容易軸方向に互い
に反平行の磁化状態にあり、磁壁が生じていない。
尚、このように磁壁が存在しないごとについては磁性流
体を用いたビック−(8jtter)法による磁区観察
によって確認したところである。そして、このような感
磁部(11及び(2)に対し、その磁化困難軸方向に外
部磁界Hを強めζいくと、第3図A〜Cにその磁化状態
を、磁性層(5)に関し°ζは実線矢印で、磁性)@
14)に関しては破線矢印で模式的にボずように、第3
図Aに不ず第2図で説明した反平行の磁化状態から外部
磁界Hにより第3図Bに示すように回転磁化過程により
磁化が回転し、更に強い外部磁界により、第3図Cにボ
ずように、陶磁性jl (41及び(5)が同方向に磁
化される。この場合両磁性+= (/11及び(5)に
おい°ζその面内で磁化が回転するので、磁壁は生ずる
ことがなく、バルクハウゼンノイズの発生が回避される
。つまり、内磁性態(4)及び(5)の磁化困難軸方向
を磁束の伝搬方向とすることによって磁壁移動に起因す
るバルクハウゼンノイズが回避される。
体を用いたビック−(8jtter)法による磁区観察
によって確認したところである。そして、このような感
磁部(11及び(2)に対し、その磁化困難軸方向に外
部磁界Hを強めζいくと、第3図A〜Cにその磁化状態
を、磁性層(5)に関し°ζは実線矢印で、磁性)@
14)に関しては破線矢印で模式的にボずように、第3
図Aに不ず第2図で説明した反平行の磁化状態から外部
磁界Hにより第3図Bに示すように回転磁化過程により
磁化が回転し、更に強い外部磁界により、第3図Cにボ
ずように、陶磁性jl (41及び(5)が同方向に磁
化される。この場合両磁性+= (/11及び(5)に
おい°ζその面内で磁化が回転するので、磁壁は生ずる
ことがなく、バルクハウゼンノイズの発生が回避される
。つまり、内磁性態(4)及び(5)の磁化困難軸方向
を磁束の伝搬方向とすることによって磁壁移動に起因す
るバルクハウゼンノイズが回避される。
更に本発明による磁気ヘッドの動作を第4図〜第6図を
参照し゛ζ説明する。第4図〜第6図は、感磁部(1)
及び(2)の陶磁性tilt(41及び(5)のみを模
式的に示したもので、これら磁性j# 14)及び(5
)は第4図中にc、aで示す方向に初期状態で磁化容易
軸を有する。そしてこれら磁性層(4)および(5)に
センス電流iずなわちilまたはiyを通ずる。この通
電によって非値性中間層(図承せず)を挟んで対向する
陶磁性m(41及び(5)には電流iと直交する互いに
逆向きの磁界が発生し、これによって磁性層(4)及び
(5)は同図に実線及び破線矢印M1及びM2で示ずよ
うに磁化される。一方、この感磁部(2)には電流1に
沿う方向に外部からバイアス磁界H[1ずなわちHBI
または)’1stかり、えられると、このバイアス磁界
H日によって、磁性1m (4)及び(5)の磁化の向
きは、第5図に矢印MBI及びMB2でボずように所要
の角度だけ回転される。このバイアス磁界Heによって
与えられる磁化の方向は、電流iの方向に対してほば4
5°となるように、そのバイアス磁界Haの大きさが選
ばれるものである。尚、このようにバイアス磁界H11
12によってセンス電流iに対してはば45°の磁化を
与えることによって高い感度と直線性を得ることができ
ることについζは、通常のMR型磁気ヘッドにおいて行
われζいると同様である。そして、この状態で第6図に
ボずように、信号磁界H3がセンス電流iに沿う方向、
すなわち磁化困難軸方向に与えられると磁化が回転し夫
々その磁化の方向が矢印MS□及びMB2に示すように
時計及び反時計方向に角度01及び−01回転する。こ
れによって各磁性)F4 (4)及び(5)がMR磁性
層である場合は、夫々抵抗変化が生じることになるが、
このMR磁性層の抵抗の変化は角度の変化をθとすると
きcos’θに比例するので、今、第5図における内磁
性態(4)及び(5)の磁化MBj及びMB2が互いに
90°ずれているとすると、θ1及び−01の変化で、
陶磁性m(41及び(5)に関して抵抗の変化の増減が
一致する。つまり、一方の磁性層(4)の抵抗が増加す
れば、他方の磁性j@ (5)もその抵抗は増加する方
向に変化する。そしζ、これら磁性層(4)及び(5)
の抵抗変化、すなわち感磁部(2)の両端の端子t1及
び12間に抵抗変化を生じ、この抵抗変化を端子t1及
び12間の電圧変化として検出することができることに
なる。
参照し゛ζ説明する。第4図〜第6図は、感磁部(1)
及び(2)の陶磁性tilt(41及び(5)のみを模
式的に示したもので、これら磁性j# 14)及び(5
)は第4図中にc、aで示す方向に初期状態で磁化容易
軸を有する。そしてこれら磁性層(4)および(5)に
センス電流iずなわちilまたはiyを通ずる。この通
電によって非値性中間層(図承せず)を挟んで対向する
陶磁性m(41及び(5)には電流iと直交する互いに
逆向きの磁界が発生し、これによって磁性層(4)及び
(5)は同図に実線及び破線矢印M1及びM2で示ずよ
うに磁化される。一方、この感磁部(2)には電流1に
沿う方向に外部からバイアス磁界H[1ずなわちHBI
または)’1stかり、えられると、このバイアス磁界
H日によって、磁性1m (4)及び(5)の磁化の向
きは、第5図に矢印MBI及びMB2でボずように所要
の角度だけ回転される。このバイアス磁界Heによって
与えられる磁化の方向は、電流iの方向に対してほば4
5°となるように、そのバイアス磁界Haの大きさが選
ばれるものである。尚、このようにバイアス磁界H11
12によってセンス電流iに対してはば45°の磁化を
与えることによって高い感度と直線性を得ることができ
ることについζは、通常のMR型磁気ヘッドにおいて行
われζいると同様である。そして、この状態で第6図に
ボずように、信号磁界H3がセンス電流iに沿う方向、
すなわち磁化困難軸方向に与えられると磁化が回転し夫
々その磁化の方向が矢印MS□及びMB2に示すように
時計及び反時計方向に角度01及び−01回転する。こ
れによって各磁性)F4 (4)及び(5)がMR磁性
層である場合は、夫々抵抗変化が生じることになるが、
このMR磁性層の抵抗の変化は角度の変化をθとすると
きcos’θに比例するので、今、第5図における内磁
性態(4)及び(5)の磁化MBj及びMB2が互いに
90°ずれているとすると、θ1及び−01の変化で、
陶磁性m(41及び(5)に関して抵抗の変化の増減が
一致する。つまり、一方の磁性層(4)の抵抗が増加す
れば、他方の磁性j@ (5)もその抵抗は増加する方
向に変化する。そしζ、これら磁性層(4)及び(5)
の抵抗変化、すなわち感磁部(2)の両端の端子t1及
び12間に抵抗変化を生じ、この抵抗変化を端子t1及
び12間の電圧変化として検出することができることに
なる。
このように、所定の磁気異方性を有する磁性膜に対して
センス電流iの方向を信号磁界H,の5えられる方向と
同方向に選定するものであるが、このような構成とする
ことによる作用上の特徴は上述したような本発明におけ
ると同様に感磁部(1)、(2)を、非磁性中間1sf
(31を介して磁性+= (41及び(5)を積層し
た構造とするものの、センス塩IN、1の方向を4g号
磁界H5の方向と直交する方向に選定する場合と比較す
ることによって、より明確となる。
センス電流iの方向を信号磁界H,の5えられる方向と
同方向に選定するものであるが、このような構成とする
ことによる作用上の特徴は上述したような本発明におけ
ると同様に感磁部(1)、(2)を、非磁性中間1sf
(31を介して磁性+= (41及び(5)を積層し
た構造とするものの、センス塩IN、1の方向を4g号
磁界H5の方向と直交する方向に選定する場合と比較す
ることによって、より明確となる。
すなわち、今、第15図にボすように、第4図で説明し
たと同様に内磁性態(4)及び(5)に磁性層の異方性
磁界1(Kを考慮した上での大ti流iを通じた状態で
は、これによって発生する磁界によって、内磁性r=
(41及び(5)は電流iと直交する方向に夫々実線及
び破線矢印で示す様に磁化される。この状態で、電流i
と直交する方向に信号磁界Hsが与えられると、これは
磁性層(4)及び(5)の電流iによる磁化に沿う方向
となり、この磁界HSが磁化容易軸方向に与えられたと
同様の挙動をボす。つまり、磁壁の発生と、移動が生じ
バルクハウゼンノイズが発生ずる。ここで磁性層の磁化
容易軸方向にセンス電流1が流され、センス電流と同方
向に信号磁界HSがL−5,えられる構成を考えた場合
、センス電流iが比較的小さい場合には、磁性層の磁化
は、センス電流iの方向に対して直角に向かず、信号磁
界HSは第15図にボずと同様に概略磁化容易軸方向に
与えられる結果となりバルクハウゼンノイズが発生し好
ましくない。第4図から第6図の例では信号磁界Hsに
対して略々直交する方向に磁化容易軸を有する磁性層に
ついて述べたが、磁性層の主曲内に磁気異方性を有しな
い等方向磁性層を用いても同様である。この場合には、
比較的小さなセンス電流を流せば、磁化方向がセンス電
流と直交し、つまり(4号磁界の方向と直交するため、
バルクハウゼン雑音は発生しない。
たと同様に内磁性態(4)及び(5)に磁性層の異方性
磁界1(Kを考慮した上での大ti流iを通じた状態で
は、これによって発生する磁界によって、内磁性r=
(41及び(5)は電流iと直交する方向に夫々実線及
び破線矢印で示す様に磁化される。この状態で、電流i
と直交する方向に信号磁界Hsが与えられると、これは
磁性層(4)及び(5)の電流iによる磁化に沿う方向
となり、この磁界HSが磁化容易軸方向に与えられたと
同様の挙動をボす。つまり、磁壁の発生と、移動が生じ
バルクハウゼンノイズが発生ずる。ここで磁性層の磁化
容易軸方向にセンス電流1が流され、センス電流と同方
向に信号磁界HSがL−5,えられる構成を考えた場合
、センス電流iが比較的小さい場合には、磁性層の磁化
は、センス電流iの方向に対して直角に向かず、信号磁
界HSは第15図にボずと同様に概略磁化容易軸方向に
与えられる結果となりバルクハウゼンノイズが発生し好
ましくない。第4図から第6図の例では信号磁界Hsに
対して略々直交する方向に磁化容易軸を有する磁性層に
ついて述べたが、磁性層の主曲内に磁気異方性を有しな
い等方向磁性層を用いても同様である。この場合には、
比較的小さなセンス電流を流せば、磁化方向がセンス電
流と直交し、つまり(4号磁界の方向と直交するため、
バルクハウゼン雑音は発生しない。
に述したように、本発明構成においては、MR感磁部(
11f21を、磁性層(4)及び(5)が非磁性中間層
(3)の介在によって、静磁的結合状態にあるように、
つまり、交換相互作用は無視することができ、クーロン
の法則に従う相互作用による結合が充分強い状態にある
積jH構造とされ、しかも信号磁界HSとセンス電流i
の方向を同方向としたことによってバルクハウゼンノイ
ズが確実に排除される。
11f21を、磁性層(4)及び(5)が非磁性中間層
(3)の介在によって、静磁的結合状態にあるように、
つまり、交換相互作用は無視することができ、クーロン
の法則に従う相互作用による結合が充分強い状態にある
積jH構造とされ、しかも信号磁界HSとセンス電流i
の方向を同方向としたことによってバルクハウゼンノイ
ズが確実に排除される。
そして、本発明においては、両感磁部(1)及び(2)
に対するバイアス磁界Hs+及びHR[をhlいに逆向
きにとしたことにより、第5図及び第6図にボした各磁
化MOL及びMB2、M St及びMS2、は、第7図
に丞ずように、第1の感磁部(11と第2の感磁部(2
)とでは、各感磁部(1)及び(2)が同一形状、寸法
、組成であるとすれば、互いに90°異る向きとなり、
同一信号磁界Hsに関して一方の感磁部(1)において
抵抗が増加すれば、他方の感磁部ではその抵抗が減少す
ることになる。そして、これら感磁部(1)及び(2)
において信号磁界HSによって生じた抵抗変化による各
出力を差動的にとり出したことにより、大きな出力とし
て、更に各感磁部(1)及び(2)における各抵抗−磁
界特性におけるバイアス磁界を中心とする正負磁界の非
直線や、温度特性を相殺する作用が生じる。
に対するバイアス磁界Hs+及びHR[をhlいに逆向
きにとしたことにより、第5図及び第6図にボした各磁
化MOL及びMB2、M St及びMS2、は、第7図
に丞ずように、第1の感磁部(11と第2の感磁部(2
)とでは、各感磁部(1)及び(2)が同一形状、寸法
、組成であるとすれば、互いに90°異る向きとなり、
同一信号磁界Hsに関して一方の感磁部(1)において
抵抗が増加すれば、他方の感磁部ではその抵抗が減少す
ることになる。そして、これら感磁部(1)及び(2)
において信号磁界HSによって生じた抵抗変化による各
出力を差動的にとり出したことにより、大きな出力とし
て、更に各感磁部(1)及び(2)における各抵抗−磁
界特性におけるバイアス磁界を中心とする正負磁界の非
直線や、温度特性を相殺する作用が生じる。
本発明は、種々の構造によるMR型磁気ヘッドに通用す
ることができる。例えば、ノンシールド型磁気ヘッド、
若しくはシールド型磁気ヘッド、更に磁気媒体との対接
ないしは対向面から磁束を拾い、その信号磁束を磁気ヨ
ークで書き、その磁気ヨークの一部に設けられた切除部
にMR感磁部を配置するヨーク型磁気ヘッドに通用する
ことができる。
ることができる。例えば、ノンシールド型磁気ヘッド、
若しくはシールド型磁気ヘッド、更に磁気媒体との対接
ないしは対向面から磁束を拾い、その信号磁束を磁気ヨ
ークで書き、その磁気ヨークの一部に設けられた切除部
にMR感磁部を配置するヨーク型磁気ヘッドに通用する
ことができる。
第1図の例は、Ni−Zn系フェライト、Mn−7,n
糸フェライト等の磁性基板より成る基板S上に、この基
板Sが導電性を有する場合は、絶縁性をも有する5i0
2等の非磁性層を形成し、これの上に帯状の第1及び第
2の感磁部(11及び(2)を、磁気記録媒体(7)と
の対接ないしは対向面(6)に一端が臨むように平行配
列し、これら前方端間を非磁性の導電層(11)によっ
て電気的に接続し、その接続中点から例えば一体に形成
した端子導電層(12a)を導出した場合である。一方
、各感磁部(1)及び(2)の各他端からも夫々端子導
電層(12b1)及び(12b2)を導出し1.各感磁
部(1)及び(2)に、端子導′di層(12a)を共
通端子としで、これと各端子導電1@(12bt)及び
(12b2)に夫々定電流源Scz及びSC2を接続す
ると共に差動アンプ(2o)の入力端子に接続する。
糸フェライト等の磁性基板より成る基板S上に、この基
板Sが導電性を有する場合は、絶縁性をも有する5i0
2等の非磁性層を形成し、これの上に帯状の第1及び第
2の感磁部(11及び(2)を、磁気記録媒体(7)と
の対接ないしは対向面(6)に一端が臨むように平行配
列し、これら前方端間を非磁性の導電層(11)によっ
て電気的に接続し、その接続中点から例えば一体に形成
した端子導電層(12a)を導出した場合である。一方
、各感磁部(1)及び(2)の各他端からも夫々端子導
電層(12b1)及び(12b2)を導出し1.各感磁
部(1)及び(2)に、端子導′di層(12a)を共
通端子としで、これと各端子導電1@(12bt)及び
(12b2)に夫々定電流源Scz及びSC2を接続す
ると共に差動アンプ(2o)の入力端子に接続する。
また、省筆1及び第2の感磁■1〜<11及び(2)を
横切ってこれらの上には、絶縁層を介して共通のバイア
ス導電J@(13)を設け、その中点から導出した端子
導電層(13a)と両端から導出した端子導電層(13
b1)及び(13b2)との間にバイアス磁界を発生さ
せるための通電をなし、各感磁部(1)及び(2)に、
互いに逆向きのバイアス磁界T(RI及びHRIを与え
る。
横切ってこれらの上には、絶縁層を介して共通のバイア
ス導電J@(13)を設け、その中点から導出した端子
導電層(13a)と両端から導出した端子導電層(13
b1)及び(13b2)との間にバイアス磁界を発生さ
せるための通電をなし、各感磁部(1)及び(2)に、
互いに逆向きのバイアス磁界T(RI及びHRIを与え
る。
第1及び第2の感磁部(11及び(2)は、その磁性1
−(4)及び(5)のうちの少くとも一方のMR効果の
ある磁性j→とじては、例えばF e % Co 、N
sのいずれか或いはその2種以上の合金層によって構
成し得る。また、磁性Jol+ (41または(5)の
いずれか一方をMR効果のない磁性層によって構成する
場合は、AiJ磁率の例えばセンダスト、Moパーマロ
イ、Co系アモルファス合金膜等によって構成し得る。
−(4)及び(5)のうちの少くとも一方のMR効果の
ある磁性j→とじては、例えばF e % Co 、N
sのいずれか或いはその2種以上の合金層によって構
成し得る。また、磁性Jol+ (41または(5)の
いずれか一方をMR効果のない磁性層によって構成する
場合は、AiJ磁率の例えばセンダスト、Moパーマロ
イ、Co系アモルファス合金膜等によって構成し得る。
また非磁性中間1ti (31としては、5i02、旧
203、T I %Mo等の非磁性膜によって構成し得
るものであり、各ri +31、(4)及び(5)は、
夫々スパッタリング等によって形成し得る。
203、T I %Mo等の非磁性膜によって構成し得
るものであり、各ri +31、(4)及び(5)は、
夫々スパッタリング等によって形成し得る。
尚、第1図に示した例では、1組の第1及び第2の感磁
部(1)及び(2)によって磁気ヘッドを構成した場合
であるが、第8図に不すように第1及び第2の感磁部(
1)及び(2)に夫々並んでバイアス磁界が逆向きに与
えられる同様構造の感磁部(ビ)及び(2′)を設けて
、中心から各片側が2・ (2n) IFM(但しn−
1,2,3・・・)の感磁部を設けた構造とすることも
できるし、第9図に不ずように、感磁部(11、(2)
、(1′)、(2′)、(1”)、(2”)を設けて中
心から各片側から2・ (2n+1)個(但しn=1.
2.3・・・)の感磁部を設けた構造とするごともでき
る。尚、第8図及び第9図1において、第1図の各部と
対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する
。
部(1)及び(2)によって磁気ヘッドを構成した場合
であるが、第8図に不すように第1及び第2の感磁部(
1)及び(2)に夫々並んでバイアス磁界が逆向きに与
えられる同様構造の感磁部(ビ)及び(2′)を設けて
、中心から各片側が2・ (2n) IFM(但しn−
1,2,3・・・)の感磁部を設けた構造とすることも
できるし、第9図に不ずように、感磁部(11、(2)
、(1′)、(2′)、(1”)、(2”)を設けて中
心から各片側から2・ (2n+1)個(但しn=1.
2.3・・・)の感磁部を設けた構造とするごともでき
る。尚、第8図及び第9図1において、第1図の各部と
対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する
。
また、第10図にボすように、磁気記録媒体との対接な
いしは対向面(6)より後退した位置に感磁部(1)(
2ト・・を設け、これら感磁部(1) (2)・・・の
前号端を横切って全トラック幅WTに亘って共通の前方
磁性層(31)を設け、更に各感磁部(11(21・・
・の各後方端を横切って共通の後方磁性層を設けたヨー
ク型のMR型磁気ヘッドとすることもできる。第10図
において第1図の各部と対応するils分には同一符号
を付して重複説明を省略するが、図において(33)は
絶縁層を示す。
いしは対向面(6)より後退した位置に感磁部(1)(
2ト・・を設け、これら感磁部(1) (2)・・・の
前号端を横切って全トラック幅WTに亘って共通の前方
磁性層(31)を設け、更に各感磁部(11(21・・
・の各後方端を横切って共通の後方磁性層を設けたヨー
ク型のMR型磁気ヘッドとすることもできる。第10図
において第1図の各部と対応するils分には同一符号
を付して重複説明を省略するが、図において(33)は
絶縁層を示す。
また、図承した各側においては、単一トラックの磁ネヘ
ッド構成とした場合であるが、共通の基iS上に共通の
磁気記録媒体との対接ないしは対向面に臨んで複数のト
ラック、すなわち複数のMR感磁部を配列した多トラツ
クないしは多チヤンネル磁気ヘツド構成とすることもで
きるなど種々の変形変更をなし得る。
ッド構成とした場合であるが、共通の基iS上に共通の
磁気記録媒体との対接ないしは対向面に臨んで複数のト
ラック、すなわち複数のMR感磁部を配列した多トラツ
クないしは多チヤンネル磁気ヘツド構成とすることもで
きるなど種々の変形変更をなし得る。
本発明による磁気ヘッドにおい”ζは、そのMR感磁部
(2)を、非磁性中間層(3)を介在させた2層の磁性
+= (41及び(5)としたごとと相俟つ”ζ、M
R感磁部(2)への(i<号磁界II Sの方向とセン
ス電流iの方向とを開方向に選定し、」二記磁性1i1
(41および(5)の異方性を特定の方向に向けるか
等方向に形成することによって、バルクハウゼンノイズ
の発生を効果的に解消したので、S/Nの篩い再生磁気
ヘッドを実現できる。また差動型構成をとったことによ
って直線性、すなわち対称性にすぐれた出力をとり出す
ことができるものであるが、これは、本発明において同
一トラック幅WT内に複数の感磁部を配列した構成をと
ることによって大きな出力がとり出せるが故に差動型構
成とずべく複数の感磁部の配列中心部から端子導線(1
2a)及び(13a)のとり出しを行っても充分大きな
出力が得られるものである。
(2)を、非磁性中間層(3)を介在させた2層の磁性
+= (41及び(5)としたごとと相俟つ”ζ、M
R感磁部(2)への(i<号磁界II Sの方向とセン
ス電流iの方向とを開方向に選定し、」二記磁性1i1
(41および(5)の異方性を特定の方向に向けるか
等方向に形成することによって、バルクハウゼンノイズ
の発生を効果的に解消したので、S/Nの篩い再生磁気
ヘッドを実現できる。また差動型構成をとったことによ
って直線性、すなわち対称性にすぐれた出力をとり出す
ことができるものであるが、これは、本発明において同
一トラック幅WT内に複数の感磁部を配列した構成をと
ることによって大きな出力がとり出せるが故に差動型構
成とずべく複数の感磁部の配列中心部から端子導線(1
2a)及び(13a)のとり出しを行っても充分大きな
出力が得られるものである。
第1図は本発明によるMR型磁気ヘッドの一例の拡大平
面図的構成図、第2図はその感磁部の磁化状態を示ずν
1、第3図A−Bは同様の感磁部に外部磁界をり、えた
場合の磁化状態の説明図、第4図〜第6図は本発明によ
る磁気ヘッドの動作説明に供する図、第7図は本発明に
よる磁気ヘッドの動作説明図、第8図及び第9図は夫々
本発明による他の例のMR感磁部の構成図、第10図は
本発明による磁気ヘッドの更に他の例の拡大断面図、第
11図は従来のM R感磁部の磁区の説明図、第12図
はMR感磁部の動作の説明図である。 Sは基数、111(2) (1’) (2’)は感磁部
、(4)及び(5)はその磁性層、(3)は非磁性中間
1m、(61は磁気記録媒体との対接ないしは対向面、
(7)は磁気記録媒体である。 55altで創114本明刈り参与いしは大り箱面A[
lG 第4図 第17コ 第12図 手続補正書彷式) %式% 1、事件の表示 昭和61年特許願第 1640号 2°’fa ll (7)名4′1′ 磁気抵抗
効果型磁気へ・・ド3、補LEをする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用図化品用6丁目7番35号名称(2
18)ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 4、代理人
面図的構成図、第2図はその感磁部の磁化状態を示ずν
1、第3図A−Bは同様の感磁部に外部磁界をり、えた
場合の磁化状態の説明図、第4図〜第6図は本発明によ
る磁気ヘッドの動作説明に供する図、第7図は本発明に
よる磁気ヘッドの動作説明図、第8図及び第9図は夫々
本発明による他の例のMR感磁部の構成図、第10図は
本発明による磁気ヘッドの更に他の例の拡大断面図、第
11図は従来のM R感磁部の磁区の説明図、第12図
はMR感磁部の動作の説明図である。 Sは基数、111(2) (1’) (2’)は感磁部
、(4)及び(5)はその磁性層、(3)は非磁性中間
1m、(61は磁気記録媒体との対接ないしは対向面、
(7)は磁気記録媒体である。 55altで創114本明刈り参与いしは大り箱面A[
lG 第4図 第17コ 第12図 手続補正書彷式) %式% 1、事件の表示 昭和61年特許願第 1640号 2°’fa ll (7)名4′1′ 磁気抵抗
効果型磁気へ・・ド3、補LEをする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用図化品用6丁目7番35号名称(2
18)ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 4、代理人
Claims (1)
- 少なくとも一方が磁気抵抗効果を有する磁性薄膜を非磁
性中間層を介して積層した第1及び第2の感磁部を有し
、これら第1及び第2の感磁部には磁気記録媒体とのト
ラック幅方向に直交する方向にセンス電流を通ずると共
に、互いに逆向きのバイアス磁場を印加し、上記第1及
び第2の感磁部の出力を差動的にとり出すようにした磁
気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP164086A JPS62159319A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP164086A JPS62159319A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62159319A true JPS62159319A (ja) | 1987-07-15 |
Family
ID=11507122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP164086A Pending JPS62159319A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62159319A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5084794A (en) * | 1990-03-29 | 1992-01-28 | Eastman Kodak Company | Shorted dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification |
-
1986
- 1986-01-08 JP JP164086A patent/JPS62159319A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5084794A (en) * | 1990-03-29 | 1992-01-28 | Eastman Kodak Company | Shorted dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification |
US5193038A (en) * | 1990-03-29 | 1993-03-09 | Eastman Kodak Company | Shorted dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification |
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