JPH011112A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH011112A JPH011112A JP62-155449A JP15544987A JPH011112A JP H011112 A JPH011112 A JP H011112A JP 15544987 A JP15544987 A JP 15544987A JP H011112 A JPH011112 A JP H011112A
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- head
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- magnetic
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録再生装置用の再生専用ヘッドに係り、
特にトクラック両端から発生しやすい微細磁区の発生を
防止し、バルクハウゼンノイズの発生しない磁気抵抗効
果型ヘッドに関する。
特にトクラック両端から発生しやすい微細磁区の発生を
防止し、バルクハウゼンノイズの発生しない磁気抵抗効
果型ヘッドに関する。
第5図は典型的な磁気抵抗効果型ヘッドの一例でシャン
トバイアス型ヘッドである。(a)はヘッドの概略図、
(b)はヘッド先端感磁部の磁区構造a察結果である。
トバイアス型ヘッドである。(a)はヘッドの概略図、
(b)はヘッド先端感磁部の磁区構造a察結果である。
ヘッドはシールド膜を兼ねた磁性基板10上に絶、9層
3を形成した後、電子ビーム蒸着法あるいはスパッタ法
を用いて、磁気抵抗効果膜1およびバイアス膜2を連続
的に形成した後、パターニングを行ない作製する。磁気
抵抗効果膜1としては1通常、磁歪定数λ8が0に近い
組成の膜であることが望ましい。これは、磁歪定数が大
きな膜ではパターニングした際に数多くの磁壁が発生し
、これがバルクハウゼンノイズの原因となるためである
。しかし、一般には磁歪定数が0に近い膜を用いた場合
でも、第5図(b)に示されるようにパターン端部に磁
区が発生することが多く、バルクハウゼンノイズが発生
し易かった・ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術はバルクハウゼンノイズの原因となる感磁
部での磁区の発生という問題があった。
3を形成した後、電子ビーム蒸着法あるいはスパッタ法
を用いて、磁気抵抗効果膜1およびバイアス膜2を連続
的に形成した後、パターニングを行ない作製する。磁気
抵抗効果膜1としては1通常、磁歪定数λ8が0に近い
組成の膜であることが望ましい。これは、磁歪定数が大
きな膜ではパターニングした際に数多くの磁壁が発生し
、これがバルクハウゼンノイズの原因となるためである
。しかし、一般には磁歪定数が0に近い膜を用いた場合
でも、第5図(b)に示されるようにパターン端部に磁
区が発生することが多く、バルクハウゼンノイズが発生
し易かった・ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術はバルクハウゼンノイズの原因となる感磁
部での磁区の発生という問題があった。
本発明の目的は感磁部トラック幅方向の両端から発生し
易い微細磁区の発生を防止することにある。
易い微細磁区の発生を防止することにある。
上記目的は、感磁部トラックの幅方向の両端の近傍ある
いは両端に接するように硬磁性材料を設けることにより
、達成される。
いは両端に接するように硬磁性材料を設けることにより
、達成される。
感磁部トラック幅方向の両端に設けた硬磁性材料からの
漏れ磁界によって、トラック両端近傍での反磁界が減少
し、微細磁区の発生を防止出来る。
漏れ磁界によって、トラック両端近傍での反磁界が減少
し、微細磁区の発生を防止出来る。
そのため、ヘッド特性としてバルクハウゼンノイズの無
い、良好な特性を示す。また、素子長手方向に磁化容易
軸が向き易くなるため、異方性のばらつきが原因のヘッ
ド特性のばらつきも小さくなる。
い、良好な特性を示す。また、素子長手方向に磁化容易
軸が向き易くなるため、異方性のばらつきが原因のヘッ
ド特性のばらつきも小さくなる。
第・1図は、本発明による一実施例である。シールド膜
を兼ねた磁性基板10上に下部絶縁層3を形成(膜厚:
0.6μm)した後、磁気抵抗効果”膜1(例えば、N
i−Fe合金膜やCo −N i合金膜など、膜厚:5
0.nm、バイアス膜2(例えば、T”ilMo、AQ
、Cr、Taなど、膜厚:150nm)を連続的に形成
し、パターニングを行なう。その後、硬磁性膜4(例え
ば、Co−Pt、Go−Ni、Sm−Goなど、膜厚:
10100nを形成し、パターニングする。ここで、6
膜の膜厚は典型的な値を示したもので、ヘッド出力、バ
イアス磁界強度など、ヘッド特性に応じて最適な膜厚を
選ぶことは言うまでもない。
を兼ねた磁性基板10上に下部絶縁層3を形成(膜厚:
0.6μm)した後、磁気抵抗効果”膜1(例えば、N
i−Fe合金膜やCo −N i合金膜など、膜厚:5
0.nm、バイアス膜2(例えば、T”ilMo、AQ
、Cr、Taなど、膜厚:150nm)を連続的に形成
し、パターニングを行なう。その後、硬磁性膜4(例え
ば、Co−Pt、Go−Ni、Sm−Goなど、膜厚:
10100nを形成し、パターニングする。ここで、6
膜の膜厚は典型的な値を示したもので、ヘッド出力、バ
イアス磁界強度など、ヘッド特性に応じて最適な膜厚を
選ぶことは言うまでもない。
例えば、硬磁性膜4の膜厚は、膜の自己エネルギーの大
きさや、ヘッド形状により異なるが、およそ20〜20
0nmの範囲内が一般的である。本実施例では、磁気抵
抗効果膜1、バイアス膜2を形成した後、硬磁性膜4を
形成したが、順番は特に問題でなく、硬磁性膜4を先に
形成してももちろん良い。また、本実施例ではヘッドト
ラック両端から距@Uだけ離、して硬磁性膜4を形成し
た。
きさや、ヘッド形状により異なるが、およそ20〜20
0nmの範囲内が一般的である。本実施例では、磁気抵
抗効果膜1、バイアス膜2を形成した後、硬磁性膜4を
形成したが、順番は特に問題でなく、硬磁性膜4を先に
形成してももちろん良い。また、本実施例ではヘッドト
ラック両端から距@Uだけ離、して硬磁性膜4を形成し
た。
この距MQは先はど述べた硬磁性膜4の膜Hと同様に膜
の自己エネルギーの大きさやヘッド形状により最適な値
が異なるが1通常は10μm以内であることが望ましい
。但し、次の実施例にもあるように接していても特に問
題はない。(0≦悲≦10μm)このようなヘッド構成
にすると、トラック両端近傍での反磁界が減少し、微細
磁区の発生を防止出来る。また、素子長手方向(図中右
下に示したX軸方向)の異方性が強まるために磁化容易
軸が素子長手方向を向き易くなり、異方性のばらつきが
原因のヘッド特性のばらづきも小さくなる。本実施例で
は、基板に磁性基板10を用いたが、非磁性基板を用い
て、パーマロイ係脱などの簿膜シールド構造にしても良
いことは言うまでもない。上部シールドについても同様
である。
の自己エネルギーの大きさやヘッド形状により最適な値
が異なるが1通常は10μm以内であることが望ましい
。但し、次の実施例にもあるように接していても特に問
題はない。(0≦悲≦10μm)このようなヘッド構成
にすると、トラック両端近傍での反磁界が減少し、微細
磁区の発生を防止出来る。また、素子長手方向(図中右
下に示したX軸方向)の異方性が強まるために磁化容易
軸が素子長手方向を向き易くなり、異方性のばらつきが
原因のヘッド特性のばらづきも小さくなる。本実施例で
は、基板に磁性基板10を用いたが、非磁性基板を用い
て、パーマロイ係脱などの簿膜シールド構造にしても良
いことは言うまでもない。上部シールドについても同様
である。
第2図は、本発明による他の実施例である。本実施例で
は、硬磁性膜4が直接、磁気抵抗効果膜1と接している
。全体の構成および動作は第1図の実施例と同様である
。
は、硬磁性膜4が直接、磁気抵抗効果膜1と接している
。全体の構成および動作は第1図の実施例と同様である
。
第3図は、さらに他の実施例である。第1図の実施例と
同様に硬磁性膜4をトラック両端から離した構成である
。但し、硬磁性膜4はヘッド先端摺動面から深さ方向の
距離d (図中右下に示したY 1lil11方向)離
れた所が先端となるような構成で、摺動面上には硬磁性
膜4は現われない。全体の構成および動作も第1図およ
び第2図の実施例とほぼ同等であるが、硬磁性膜4が摺
動面上に現われないため、硬磁性膜4からの漏れ磁界に
よる記録媒体への影響(減磁など)が少ないヘッド構造
である。深さ方向の距#idは硬磁性膜の自己エネルギ
ーの大きさ、ヘッド形状さらには媒体の保磁力などによ
り最適な位置が異なるが、通常はdが0.5〜5μmで
ある。
同様に硬磁性膜4をトラック両端から離した構成である
。但し、硬磁性膜4はヘッド先端摺動面から深さ方向の
距離d (図中右下に示したY 1lil11方向)離
れた所が先端となるような構成で、摺動面上には硬磁性
膜4は現われない。全体の構成および動作も第1図およ
び第2図の実施例とほぼ同等であるが、硬磁性膜4が摺
動面上に現われないため、硬磁性膜4からの漏れ磁界に
よる記録媒体への影響(減磁など)が少ないヘッド構造
である。深さ方向の距#idは硬磁性膜の自己エネルギ
ーの大きさ、ヘッド形状さらには媒体の保磁力などによ
り最適な位置が異なるが、通常はdが0.5〜5μmで
ある。
第1図から第3図に示したような、本発明のヘッド構造
にすると、磁区構造は第4図に示すようにヘッドトラッ
ク先端近傍では弔磁区となった。
にすると、磁区構造は第4図に示すようにヘッドトラッ
ク先端近傍では弔磁区となった。
このように、本発明を用いることによりバルクハウゼン
ノイズの無い良好な再生特性を示すヘッドが得られるこ
とが、明らかとなった。
ノイズの無い良好な再生特性を示すヘッドが得られるこ
とが、明らかとなった。
以上述べた実施例でき、硬磁性膜が磁気抵抗効果膜と同
一面上の場合について示したが、もちろん硬磁性膜が磁
気抵抗効果膜の下、絶縁層の下。
一面上の場合について示したが、もちろん硬磁性膜が磁
気抵抗効果膜の下、絶縁層の下。
さらにはバイアス膜の上などいろいろな場合について本
発明を適用することが出来ることは言うまでもない。ま
た、バイアス方式についても本実施例ではシャントバイ
アス方式についてだけ述べたが、電流バイアス、バーバ
ーポールバイアス、ソフトフィルムバイアスなど各種バ
イアス方式に本発明には適用出来ることも言うまでもな
い。さらに、実施例中では特に触れなかったが、あらか
じめ素子長手方向(X軸方向)に着磁を行なうと、硬磁
性膜の特性は安定し、良好な再生特性を示す。
発明を適用することが出来ることは言うまでもない。ま
た、バイアス方式についても本実施例ではシャントバイ
アス方式についてだけ述べたが、電流バイアス、バーバ
ーポールバイアス、ソフトフィルムバイアスなど各種バ
イアス方式に本発明には適用出来ることも言うまでもな
い。さらに、実施例中では特に触れなかったが、あらか
じめ素子長手方向(X軸方向)に着磁を行なうと、硬磁
性膜の特性は安定し、良好な再生特性を示す。
本発明によれば、感磁膜トラック幅方向両端に発生し易
い微細磁区の発生を防止し、バルクハウゼンノイズを低
減することができる。また、素子長手方向の異方性が強
くなるため、異方性のばらつきが原因のヘッド特性のば
らつきも小さくなる。
い微細磁区の発生を防止し、バルクハウゼンノイズを低
減することができる。また、素子長手方向の異方性が強
くなるため、異方性のばらつきが原因のヘッド特性のば
らつきも小さくなる。
第1図、第2図および第3図は、それぞれ本発明の実施
例のヘッド概略図、第4図は本発明によるヘッドの先端
部近傍の磁区構造観察結果を示す図、第5図は従来から
知られている典型的なヘッドを示す図で、(a)はその
概略図(b)はヘッド先端近傍の磁区構造観察結果であ
る。 1・・・・・・磁気抵抗効果膜、2・・・・・・バイア
ス膜、3・・・・・・絶縁層、4・・・・・・硬磁性膜
、10・・・・・・基板茗31¥1 筈4圓 槃
例のヘッド概略図、第4図は本発明によるヘッドの先端
部近傍の磁区構造観察結果を示す図、第5図は従来から
知られている典型的なヘッドを示す図で、(a)はその
概略図(b)はヘッド先端近傍の磁区構造観察結果であ
る。 1・・・・・・磁気抵抗効果膜、2・・・・・・バイア
ス膜、3・・・・・・絶縁層、4・・・・・・硬磁性膜
、10・・・・・・基板茗31¥1 筈4圓 槃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、感磁膜のトラック幅方向の両端の近傍あるいは両端
に接するように硬磁性材料を設けたことを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッド。 2、自己エネルギー(1/2・(BH)_m_a_x)
が1KJ/m^3以上の硬磁性材料を用いたことを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 3、当該硬磁性材料を磁気抵抗効果型素子のトラック幅
方向に平行に着磁したことを特徴とする特許請求の範囲
第1項または第2項記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15544987A JPS641112A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Magneto-resistance effect type head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15544987A JPS641112A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Magneto-resistance effect type head |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH011112A true JPH011112A (ja) | 1989-01-05 |
JPS641112A JPS641112A (en) | 1989-01-05 |
Family
ID=15606286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15544987A Pending JPS641112A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Magneto-resistance effect type head |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS641112A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5018037A (en) * | 1989-10-10 | 1991-05-21 | Krounbi Mohamad T | Magnetoresistive read transducer having hard magnetic bias |
DE69332530T2 (de) * | 1992-08-25 | 2003-07-03 | Seagate Technology Llc, Scotts Valley | Magneto-resistiver Sensor und Herstellungsverfahren dafür |
EP0634740B1 (en) * | 1993-07-13 | 1999-09-22 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read transducer |
US5664316A (en) * | 1995-01-17 | 1997-09-09 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing magnetoresistive read transducer having a contiguous longitudinal bias layer |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5597021A (en) * | 1979-01-16 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-film magnetic head and its manufacture |
-
1987
- 1987-06-24 JP JP15544987A patent/JPS641112A/ja active Pending
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