JPS6215868A - 集積回路用コンタクトの製造方法 - Google Patents
集積回路用コンタクトの製造方法Info
- Publication number
- JPS6215868A JPS6215868A JP60154505A JP15450585A JPS6215868A JP S6215868 A JPS6215868 A JP S6215868A JP 60154505 A JP60154505 A JP 60154505A JP 15450585 A JP15450585 A JP 15450585A JP S6215868 A JPS6215868 A JP S6215868A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- resist pattern
- layer
- insulating layer
- wiring layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、集積回路、たとえば超伝導集積回路において
完全に平担な構造を有するコンタクトを形成する方法に
関するものである。
完全に平担な構造を有するコンタクトを形成する方法に
関するものである。
Ｕ従来の技術Ｊ
近年、超伝導現像を利用した論理回路は、低消費電力で
あり、高密度集積化に適し、しかも非常に高速の論理動
作が期待されることから注目されている。とりわけ、超
伝導現象を利用した論理素子としてのジョセフソン接合
は、超高速コンピューターへの応用を目毒して盛に研究
が進められている。
あり、高密度集積化に適し、しかも非常に高速の論理動
作が期待されることから注目されている。とりわけ、超
伝導現象を利用した論理素子としてのジョセフソン接合
は、超高速コンピューターへの応用を目毒して盛に研究
が進められている。
従来の超伝導集積回路では、超伝導配線層の間での超伝
導コンタクトすなわち、超伝導状態を保って、２つの配
線層を接続するためのコンタクトは、配線層をへだでて
いる絶縁層に微小な穴をあけて形成されていた。例えば
、Ｋ、ｏｓａｋａ ｅｔ ａｌ。
導コンタクトすなわち、超伝導状態を保って、２つの配
線層を接続するためのコンタクトは、配線層をへだでて
いる絶縁層に微小な穴をあけて形成されていた。例えば
、Ｋ、ｏｓａｋａ ｅｔ ａｌ。
によるＩＥＥＥ Ｔｒａｎｇ−Ｍａｇｎ−ＮＡＧ−２１
（１９８５）ｐ、ＩＯ２に示されている。その場合に、
絶縁層の穴をリフトオフにより形成する従来の方法を第
２図（Ａ）〜（Ｅ）に示し、絶縁層の穴をエッチングに
より形成する従来の方法を第３図（Ａ）〜（Ｆ）に示す
。
（１９８５）ｐ、ＩＯ２に示されている。その場合に、
絶縁層の穴をリフトオフにより形成する従来の方法を第
２図（Ａ）〜（Ｅ）に示し、絶縁層の穴をエッチングに
より形成する従来の方法を第３図（Ａ）〜（Ｆ）に示す
。
第２図（Ａ）〜（Ｅ）のリフトオフの例では、第２図（
Ａ）において、まず、基板１１上に超伝導配線層１２を
配置する。第２図（Ｂ）では、超伝導配線層１２上に超
伝導コンタクト用のレジストパターン１３をリングラフ
ィ技術により形成する０次に、第２図（Ｃ）に示すよう
に、超伝導配線層１２およびレジストパターン１３の全
面に絶縁層１４を被着する。第２図ＣＤ）では、得られ
た中間体の全体を有機溶媒に浸して、不要な絶縁層１４
をレジストパターン１３と共にリフトオフにより除去す
る。次に、第２図（Ｅ）では、絶縁層１４の上に第２の
超伝導配線層１５を形成する。
Ａ）において、まず、基板１１上に超伝導配線層１２を
配置する。第２図（Ｂ）では、超伝導配線層１２上に超
伝導コンタクト用のレジストパターン１３をリングラフ
ィ技術により形成する０次に、第２図（Ｃ）に示すよう
に、超伝導配線層１２およびレジストパターン１３の全
面に絶縁層１４を被着する。第２図ＣＤ）では、得られ
た中間体の全体を有機溶媒に浸して、不要な絶縁層１４
をレジストパターン１３と共にリフトオフにより除去す
る。次に、第２図（Ｅ）では、絶縁層１４の上に第２の
超伝導配線層１５を形成する。
第３図（Ａ）〜（Ｆ）のエッチングの例では、第３図（
Ａ）において、基板２１上に超伝導配線層２２を配−置
し、次に第３図（Ｂ）に示すように超伝導配線層２２上
に絶縁層２４を全面に被着する。この絶縁層２４上に、
第３図（Ｃ）に示すように、超伝導コンタクトＩ１１の
レジストパターン２３をリングラフィ技術により形成す
る０次に、第３図（Ｄ）に示すように。
Ａ）において、基板２１上に超伝導配線層２２を配−置
し、次に第３図（Ｂ）に示すように超伝導配線層２２上
に絶縁層２４を全面に被着する。この絶縁層２４上に、
第３図（Ｃ）に示すように、超伝導コンタクトＩ１１の
レジストパターン２３をリングラフィ技術により形成す
る０次に、第３図（Ｄ）に示すように。
レジストパターン２３をマスクとして絶縁層２４の一部
分をエッチングにより除去する。ついで、第３図（Ｅ）
のようにレジストパターン２３を除去し、その絶縁層２
４上に第２の超伝導配線層２５を形成する。
分をエッチングにより除去する。ついで、第３図（Ｅ）
のようにレジストパターン２３を除去し、その絶縁層２
４上に第２の超伝導配線層２５を形成する。
これらの方法で形成した超伝導コンタクトは、第２図（
Ｅ）または第３図（Ｆ）に示すように、」二側の配線層
１５．２５にくぼみができるため、その配線層１５．２
５に別の層を重ねていく場合に、かかるくぼみに起因す
る断線や段切れを避けるべく、重ねる層を厚くしなけれ
ばならない、したがって、コンタクト−Ｆに積重ねられ
る層の層数には限界があった。さらにまた、従来のコン
タクト上にはジョセフソン接合またはそれを含む素子構
造を配置させることができず、これが集積密度を高める
際の障害となっていた。
Ｅ）または第３図（Ｆ）に示すように、」二側の配線層
１５．２５にくぼみができるため、その配線層１５．２
５に別の層を重ねていく場合に、かかるくぼみに起因す
る断線や段切れを避けるべく、重ねる層を厚くしなけれ
ばならない、したがって、コンタクト−Ｆに積重ねられ
る層の層数には限界があった。さらにまた、従来のコン
タクト上にはジョセフソン接合またはそれを含む素子構
造を配置させることができず、これが集積密度を高める
際の障害となっていた。
しかもまた、超伝導集積回路で用いる抵抗は、通常、１
０００人ぐらいの厚さなので、従来のコンタクト上には
配置できなかった。それは、段差の部分で抵抗値が変わ
ったり、断線したりするためである。
０００人ぐらいの厚さなので、従来のコンタクト上には
配置できなかった。それは、段差の部分で抵抗値が変わ
ったり、断線したりするためである。
さらにまた、３次元集積回路を構成するにあたっても、
集積密度を高めるために、配線層の厚さを可及的薄くす
ることが要望される。
集積密度を高めるために、配線層の厚さを可及的薄くす
ることが要望される。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、これらの点に鑑みて、超伝導集積回路
などの集積回路における配線へのコンタクトの上に、く
ぼみがないようにして平担な構造を持つコンタクトを形
成することのできる集積回路用コンタクトの製造方法を
提供することにある。
などの集積回路における配線へのコンタクトの上に、く
ぼみがないようにして平担な構造を持つコンタクトを形
成することのできる集積回路用コンタクトの製造方法を
提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
かかる目的を達成するために本発明では、基板上に第１
の超伝導配線層を配置し、超伝導配線層の上に超伝導コ
ンタクトを形成するためのレジストパターンを形成し、
レジストパターンを介してエッチングを行ってコンタク
ト領域を形成し、レジストパターンおよび第１の超伝導
配線層を覆って絶縁層を配置し、レジストパターンおよ
びレジストパターンの上の絶縁層を除去し、絶縁層およ
び露出した第１の超伝導配線層の表面−Ｌに、第２の超
伝導配線層を形成する工程を具えたことを特徴とする。
の超伝導配線層を配置し、超伝導配線層の上に超伝導コ
ンタクトを形成するためのレジストパターンを形成し、
レジストパターンを介してエッチングを行ってコンタク
ト領域を形成し、レジストパターンおよび第１の超伝導
配線層を覆って絶縁層を配置し、レジストパターンおよ
びレジストパターンの上の絶縁層を除去し、絶縁層およ
び露出した第１の超伝導配線層の表面−Ｌに、第２の超
伝導配線層を形成する工程を具えたことを特徴とする。
［作 用］
本発明によれば、くぼみのない平担な構造をもつコンタ
、クトを形成することができるので、その平担なコンタ
クトの上に層を重ねた場合、特に層の厚さを厚くするこ
となく、積重ねられる層の層数も増やすことができ、し
かもまた、その上にジョセフソン接合あるいはそれを含
んだ素子構造を配置できるので、この種集積回路の集積
密度を大きく向上させることができる。
、クトを形成することができるので、その平担なコンタ
クトの上に層を重ねた場合、特に層の厚さを厚くするこ
となく、積重ねられる層の層数も増やすことができ、し
かもまた、その上にジョセフソン接合あるいはそれを含
んだ素子構造を配置できるので、この種集積回路の集積
密度を大きく向上させることができる。
［実施例］
以下に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図（Ａ）〜（Ｈ）は本発明の一実施例における順次
の工程を示す、ここで、ｌは基板、２は基板１上に配置
した超伝導配線層、３は超伝導コンタクト用のレジスト
パターン、４は絶縁層、５は平担化層である。
の工程を示す、ここで、ｌは基板、２は基板１上に配置
した超伝導配線層、３は超伝導コンタクト用のレジスト
パターン、４は絶縁層、５は平担化層である。
まず、第１図（Ａ）に示すように、基板ｌ上に超伝導配
線層２を堆積させ、続いて第１図（Ｂ）のように、超伝
導配線層２上に、超伝導コンタクト用のレジストパター
ン３をリングラフィ技術により形成する６次に、第１図
（Ｃ）に示すように、レジストパターン３をマスクに用
いて、超伝導配線層２の一部をエッチングにより除去し
てコンタクト領域２Ａを形成する。さらに、第１図（＋
１）の工程では、このようにして得られた中間体の全面
に、絶縁層４を堆積させ、超伝導配線層２のうち先にエ
ッチングにより除去された部分に堆積された絶縁層４の
表面を超伝導配線層２のうちエッチングにより除去され
ずに残っている部分２Ａの表面と面一にする。次に、第
１図（Ｅ）の工程では、得られた中間体の全体を有機溶
媒に浸して、不要な絶縁 １層４をレジストパ
ターン３とともにリフトオフにより除去する。この状態
で、絶縁層４とコンタクト領域２Ａとは面一である。但
し、両者の間には溝６が形成されている。続いて、第１
図（Ｆ）の工程では、絶縁層４およびコンタクト領域２
Ａの全面にスピンオングラス（ＳＯＧ）や有機シリコン
などの平担化層５を堆積させる。さらに、第１図（Ｇ）
に示すように、平担化層５のうち、絶縁層４とコンタク
ト領域２Ａとの間に形成される溝６に侵入した部分５Ａ
を除いて、平担化層５を絶縁層４の上まで、エッチング
により除去する。これにより、露出表面は平担化される
。最後に、第１図（旧に示すように、露出表面をエッチ
ングにより清浄にした後、絶縁層４、露出したコンタク
ト領域２Ａおよび溝６に充填された平担化層５Ａの表面
上に全面にわたって第２の超伝導配線層７を堆積させて
、超伝導コンタクトを形成する。
線層２を堆積させ、続いて第１図（Ｂ）のように、超伝
導配線層２上に、超伝導コンタクト用のレジストパター
ン３をリングラフィ技術により形成する６次に、第１図
（Ｃ）に示すように、レジストパターン３をマスクに用
いて、超伝導配線層２の一部をエッチングにより除去し
てコンタクト領域２Ａを形成する。さらに、第１図（＋
１）の工程では、このようにして得られた中間体の全面
に、絶縁層４を堆積させ、超伝導配線層２のうち先にエ
ッチングにより除去された部分に堆積された絶縁層４の
表面を超伝導配線層２のうちエッチングにより除去され
ずに残っている部分２Ａの表面と面一にする。次に、第
１図（Ｅ）の工程では、得られた中間体の全体を有機溶
媒に浸して、不要な絶縁 １層４をレジストパ
ターン３とともにリフトオフにより除去する。この状態
で、絶縁層４とコンタクト領域２Ａとは面一である。但
し、両者の間には溝６が形成されている。続いて、第１
図（Ｆ）の工程では、絶縁層４およびコンタクト領域２
Ａの全面にスピンオングラス（ＳＯＧ）や有機シリコン
などの平担化層５を堆積させる。さらに、第１図（Ｇ）
に示すように、平担化層５のうち、絶縁層４とコンタク
ト領域２Ａとの間に形成される溝６に侵入した部分５Ａ
を除いて、平担化層５を絶縁層４の上まで、エッチング
により除去する。これにより、露出表面は平担化される
。最後に、第１図（旧に示すように、露出表面をエッチ
ングにより清浄にした後、絶縁層４、露出したコンタク
ト領域２Ａおよび溝６に充填された平担化層５Ａの表面
上に全面にわたって第２の超伝導配線層７を堆積させて
、超伝導コンタクトを形成する。
［発明の効果］
以−ヒ説明したように、本発明によれば、完全に平担な
構造の超伝導コンタクトを形成できるので、コンタクト
の上に配線層を配置した場合に、その配線層の厚さを従
来よりも薄くでき、配線層を多層に重ねることができる
。しかもまた、コンタクトの上にジョセフソン接合また
はそれを含む素子構造を配置することができるため、従
来よりも集積密度を高めることができる。
構造の超伝導コンタクトを形成できるので、コンタクト
の上に配線層を配置した場合に、その配線層の厚さを従
来よりも薄くでき、配線層を多層に重ねることができる
。しかもまた、コンタクトの上にジョセフソン接合また
はそれを含む素子構造を配置することができるため、従
来よりも集積密度を高めることができる。
第１図（Ａ）〜（Ｈ）は本発明の一実施例の製造工程を
示す断面図、 第２図（Ａ）〜（Ｅ）はリフトオフ法を用いた従来の方
法を示す断面図。 第３図（Ａ）〜（Ｆ）はエッチングを用いた従来の方法
を示す断面図である。 ｌ・・・基板、 ２．７・・・超伝導配線層、 ２Ａ・・・コンタクト領域、 ３・・・レジストパターン。 ４・・・絶縁層、 ５．５Ａ・・・平担化層。 ６・・・溝。 指定代理人 工業技術院電子技術総合研り佐藤老 ２ 超伏＃＃配線層 ２Ａ コンタクト４負ド賢 Ａ 第１図 ２．７ 、ｌイ云１−μ配青げ１層 ２Ａ コンタクト々負−（ 第１図 １２．１５ 超イムＳ配達Ｌ１）１ 第２図 ２３ レジストＪｌｌ”ターン ２４ 絶稀層 第３図 第３図 ２１ 基４反 ２２．２５超仏鼻−υ車重 ２３ レシストハブーン ２４ 絶特眉 ！
示す断面図、 第２図（Ａ）〜（Ｅ）はリフトオフ法を用いた従来の方
法を示す断面図。 第３図（Ａ）〜（Ｆ）はエッチングを用いた従来の方法
を示す断面図である。 ｌ・・・基板、 ２．７・・・超伝導配線層、 ２Ａ・・・コンタクト領域、 ３・・・レジストパターン。 ４・・・絶縁層、 ５．５Ａ・・・平担化層。 ６・・・溝。 指定代理人 工業技術院電子技術総合研り佐藤老 ２ 超伏＃＃配線層 ２Ａ コンタクト４負ド賢 Ａ 第１図 ２．７ 、ｌイ云１−μ配青げ１層 ２Ａ コンタクト々負−（ 第１図 １２．１５ 超イムＳ配達Ｌ１）１ 第２図 ２３ レジストＪｌｌ”ターン ２４ 絶稀層 第３図 第３図 ２１ 基４反 ２２．２５超仏鼻−υ車重 ２３ レシストハブーン ２４ 絶特眉 ！
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板上に第１の超伝導配線層を配置し、該超伝導配
線層の上に超伝導コンタクトを形成するためのレジスト
パターンを形成し、該レジストパターンを介してエッチ
ングを行ってコンタクト領域を形成し、前記レジストパ
ターンおよび前記第１の超伝導配線層を覆って絶縁層を
配置し、前記レジストパターンおよび該レジストパター
ンの上の絶縁層を除去し、前記絶縁層および露出した第
１の超伝導配線層の表面上に、第２の超伝導配線層を形
成する工程を具えたことを特徴とする集積回路用コンタ
クトの製造方法。 ２）基板上に第１の超伝導配線層を配置し、該超伝導配
線層の上に超伝導コンタクトを形成するためのレジスト
パターンを形成し、該レジストパターンを介してエッチ
ングを行ってコンタクト領域を形成し、前記レジストパ
ターンおよび前記第１の超伝導配線層を覆って絶縁層を
配置し、前記レジストパターンおよび該レジストパター
ンの上の絶縁層を除去し、残余の絶縁層と露出した第１
の前記超伝導配線層との間の溝に平担化剤を注入し、前
記絶縁層および露出した第１の超伝導配線層の表面上に
、第２の超伝導配線層を形成する工程を具えたことを特
徴とする集積回路用コンタクトの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60154505A JPS6215868A (ja) | 1985-07-13 | 1985-07-13 | 集積回路用コンタクトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60154505A JPS6215868A (ja) | 1985-07-13 | 1985-07-13 | 集積回路用コンタクトの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6215868A true JPS6215868A (ja) | 1987-01-24 |
| JPH0511433B2 JPH0511433B2 (ja) | 1993-02-15 |
Family
ID=15585707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60154505A Granted JPS6215868A (ja) | 1985-07-13 | 1985-07-13 | 集積回路用コンタクトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6215868A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63205975A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
| JPH04314370A (ja) * | 1991-04-11 | 1992-11-05 | Nec Corp | 超伝導積層素子とその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58209181A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-06 | Nec Corp | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
-
1985
- 1985-07-13 JP JP60154505A patent/JPS6215868A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58209181A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-06 | Nec Corp | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63205975A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
| JPH0556030B2 (ja) * | 1987-02-23 | 1993-08-18 | Kogyo Gijutsuin | |
| JPH04314370A (ja) * | 1991-04-11 | 1992-11-05 | Nec Corp | 超伝導積層素子とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0511433B2 (ja) | 1993-02-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |