JPS62158311A - 薄いフイルム コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
薄いフイルム コンデンサおよびその製造方法Info
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- JPS62158311A JPS62158311A JP61304033A JP30403386A JPS62158311A JP S62158311 A JPS62158311 A JP S62158311A JP 61304033 A JP61304033 A JP 61304033A JP 30403386 A JP30403386 A JP 30403386A JP S62158311 A JPS62158311 A JP S62158311A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
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- H01G4/018—Dielectrics
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- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は薄いフィルム コンデンサおよびその製造方法
に関する。
に関する。
(従来の技術)
キャパシタンスの大きい容量密度および低い温度係数を
有する薄いフィルム コンデンサはミクロ電子光学の種
々の分野において著しく要求されている。
有する薄いフィルム コンデンサはミクロ電子光学の種
々の分野において著しく要求されている。
一般に、ミクロ電子工学において利用されている薄いフ
ィルム コンデンサは二酸化珪素、酸化アルミニウムお
よび五酸化タンタルの如き誘電体が使用されている。む
しろ、これらの誘電体は低い誘電率(約4〜20)を有
しており、このために製造されたコンデンサを極めてや
わらげられた容量密度(capacitance de
nsities)だけが得られる。
ィルム コンデンサは二酸化珪素、酸化アルミニウムお
よび五酸化タンタルの如き誘電体が使用されている。む
しろ、これらの誘電体は低い誘電率(約4〜20)を有
しており、このために製造されたコンデンサを極めてや
わらげられた容量密度(capacitance de
nsities)だけが得られる。
この結果、かかるコンデンサを用いるミクロ電子工学回
路の複合密度(component density)
に望ましくない制限が生ずる。
路の複合密度(component density)
に望ましくない制限が生ずる。
式: Sr t−xBaxNl]20g (ここにXは
0.25〜0.75の数を示す)のニオブ酸バリウム
ストロンチウムは知られている材料である。これらの材
料を以後SONで示すことにする。SONの結晶構造は
従来の多くの文献、例えば、0. F、 Dudnik
氏らのrSoviet Phy−sics−Crysl
allograpbyJ voL、15. No、2
、ページ330〜332.1970年9〜10月)に
記載されている。
0.25〜0.75の数を示す)のニオブ酸バリウム
ストロンチウムは知られている材料である。これらの材
料を以後SONで示すことにする。SONの結晶構造は
従来の多くの文献、例えば、0. F、 Dudnik
氏らのrSoviet Phy−sics−Crysl
allograpbyJ voL、15. No、2
、ページ330〜332.1970年9〜10月)に
記載されている。
SBN結晶は赤外線のピロ電気検出器として良く使用さ
れている(例えば、A、 M、Glass氏、r−JH
rnalof Applied Physics J
vol、4Q、 ページ4699〜4713.196
9年11月)。これらの検出器には分極ベクトル(po
larization vector) (C−軸)に
対して直角の電極面(electrodrd 5urf
aces)をもって配向したSBN結晶の薄いウェハー
が用いられている。この形態において、38N素子は熱
変換器およびコンデンサとして作用している。吸収輻射
力による結晶温度における変化はその温度を変え、ピロ
電気効果を介して平行なプレート コンデンサを横切っ
て展開する電圧を生ずる。この用途の場合には、SBN
ウェハーを分極ベクトルに対し直角にカットしてピロ電
気効果を最大にする。しかしながら、この配向において
、SONのキャパシタンスは温度によって著しく変化す
る。ウェハーはキャパシタンスの弱い温度依存性を示す
C−軸に平行にカットするが、しかしながらこれらのウ
ェハーはピロ電気効果を示さないために赤外検出器とし
て利用できない。
れている(例えば、A、 M、Glass氏、r−JH
rnalof Applied Physics J
vol、4Q、 ページ4699〜4713.196
9年11月)。これらの検出器には分極ベクトル(po
larization vector) (C−軸)に
対して直角の電極面(electrodrd 5urf
aces)をもって配向したSBN結晶の薄いウェハー
が用いられている。この形態において、38N素子は熱
変換器およびコンデンサとして作用している。吸収輻射
力による結晶温度における変化はその温度を変え、ピロ
電気効果を介して平行なプレート コンデンサを横切っ
て展開する電圧を生ずる。この用途の場合には、SBN
ウェハーを分極ベクトルに対し直角にカットしてピロ電
気効果を最大にする。しかしながら、この配向において
、SONのキャパシタンスは温度によって著しく変化す
る。ウェハーはキャパシタンスの弱い温度依存性を示す
C−軸に平行にカットするが、しかしながらこれらのウ
ェハーはピロ電気効果を示さないために赤外検出器とし
て利用できない。
酸素雰囲気においてRFスバッタイングによって生ずる
SBNフィルムの誘電特性のある特徴についてはV、
J、 Zhdanov氏ら丁Ferroelectri
cs J vol。
SBNフィルムの誘電特性のある特徴についてはV、
J、 Zhdanov氏ら丁Ferroelectri
cs J vol。
29、ページ219〜220 (1980)に記載され
ている。
ている。
この文献の219ページにはSBNフィルムを形成する
6〜9 Xl0−’ )ルの酸素圧でRFスパッタイン
グにより、製造直後ε値が広い範囲にわたって温度変化
に感じなくなることが報告されている。また、この文献
にはスパッタイング中に用いる温度(700〜900℃
)から冷却する際に、SONフィルムの誘電体εは温度
の増加につれて減少することが報告されている。
6〜9 Xl0−’ )ルの酸素圧でRFスパッタイン
グにより、製造直後ε値が広い範囲にわたって温度変化
に感じなくなることが報告されている。また、この文献
にはスパッタイング中に用いる温度(700〜900℃
)から冷却する際に、SONフィルムの誘電体εは温度
の増加につれて減少することが報告されている。
米国特許第3.823.998号明細書には光学活性材
料としてSONの単結晶プレートからなり、その主表面
を導電性ス) IJツブの列に平行に支持する光弁(l
ight valce)が記載されており、この場合1
つの面上のストリップは他の面上のス) IJツブを横
切っている。結晶および透明電極ス) IJツブの組合
せにより形成された構造は高いキャパシタンス密度およ
び低いキャパシタンス温度係数を有す′るコンデンサを
形成する。
料としてSONの単結晶プレートからなり、その主表面
を導電性ス) IJツブの列に平行に支持する光弁(l
ight valce)が記載されており、この場合1
つの面上のストリップは他の面上のス) IJツブを横
切っている。結晶および透明電極ス) IJツブの組合
せにより形成された構造は高いキャパシタンス密度およ
び低いキャパシタンス温度係数を有す′るコンデンサを
形成する。
英国特許第905.253号明細書には高い誘電率を有
する半結晶質セラミック誘電体からなる積層コンデンサ
が記載されている。この誘電体め1例としては二酸化珪
素のほかにニオブ酸バリウムおよびニオブ酸ストロンチ
ウムを含む半結晶質ガラスが挙げられている。例えばこ
の英国特許明細書の6ページの表6にガラス組成物88
が示されている。
する半結晶質セラミック誘電体からなる積層コンデンサ
が記載されている。この誘電体め1例としては二酸化珪
素のほかにニオブ酸バリウムおよびニオブ酸ストロンチ
ウムを含む半結晶質ガラスが挙げられている。例えばこ
の英国特許明細書の6ページの表6にガラス組成物88
が示されている。
この英国特許明細書の第6図には、この材料88につい
ての誘電率の温度係数が全く高いことを示している。
ての誘電率の温度係数が全く高いことを示している。
発明の開示
本発明の主な目的は低い温度係数と共に高い容量からな
る薄いフィルム コンデンサを提供することである。
る薄いフィルム コンデンサを提供することである。
本発明によれば、低いキャパシタンス温度係数と共に高
いキャパシタンス密度を有する新規なフィルム コンデ
ンサを形成することである。
いキャパシタンス密度を有する新規なフィルム コンデ
ンサを形成することである。
更に、この新規なコンデンサにおける本発明の1つの観
点によれば、薄い結晶性電気的絶縁基体を伝導性金属の
薄い結晶フィルムで1つの面に設けている。更に、式S
r +−XBaXNb2Og (ここに0.25≦x<
Q。75の要件を満たす)を有し、および薄い結晶性基
体の表面に非垂直手段で配向した2、77人離間原子平
面を有する結晶SBNの薄いフィルムは導電性金属の薄
いフィルムの他の面上に設け、導電性金属の追加フィル
ムを結晶SBNの薄いフィルムの他の表面上に設ける。
点によれば、薄い結晶性電気的絶縁基体を伝導性金属の
薄い結晶フィルムで1つの面に設けている。更に、式S
r +−XBaXNb2Og (ここに0.25≦x<
Q。75の要件を満たす)を有し、および薄い結晶性基
体の表面に非垂直手段で配向した2、77人離間原子平
面を有する結晶SBNの薄いフィルムは導電性金属の薄
いフィルムの他の面上に設け、導電性金属の追加フィル
ムを結晶SBNの薄いフィルムの他の表面上に設ける。
新規なコンデンサにおける本発明の他の観点によれば、
薄い結晶半導体基体を上述する結晶SONの薄いフィル
ムで1つの表面上に設け、導電性金属のフィルムを結晶
SBNの薄いフィルムの他の表面上に設ける。
薄い結晶半導体基体を上述する結晶SONの薄いフィル
ムで1つの表面上に設け、導電性金属のフィルムを結晶
SBNの薄いフィルムの他の表面上に設ける。
新規なコンデンサにおける本発明の他の観点によれば、
薄い結晶半導体基体を上述する結晶SONの薄いフィル
ムで1つの表面上に設け、導電性金属のフィルムを結晶
SBNの薄いフィルムの他の表面に設ける。
薄い結晶半導体基体を上述する結晶SONの薄いフィル
ムで1つの表面上に設け、導電性金属のフィルムを結晶
SBNの薄いフィルムの他の表面に設ける。
本発明の新規なコンデンサは、キャパシタンスの低い温
度係数、および特にl0KI(Zおよびこれ以上の周波
数で誘電正接の低い温度係数と共にキャパシタンスの高
い密度を示すことを見出した。
度係数、および特にl0KI(Zおよびこれ以上の周波
数で誘電正接の低い温度係数と共にキャパシタンスの高
い密度を示すことを見出した。
本発明の更に他の観点によれば、本発明の新規な薄いフ
ィルム コンデンサは工程の新規な組合せにより作るこ
とができる。使用する基体を電気的絶縁基体とする場合
には、方法は、先づ不活性雰囲気においてRFスパッタ
イングにより導電性金属の薄い結晶フィルムを薄い結晶
性電気的絶縁基体の表面上に形成し、約50%の酸素お
よび約50%の不活性ガスの混合物の雰囲気においてR
Fスパックイングにより導電性金属のフィルム上に上記
基体の表面に非垂直手段で配向した2、77人離間金属
平面を有するSBNの薄い結晶フィルムを堆積し、阿い
て不活性雰囲気においてRPスパックイングによりSB
Nの生成結晶フィルムの自由表面上に導電性金属の薄い
フィルムを堆積することを包含する。
ィルム コンデンサは工程の新規な組合せにより作るこ
とができる。使用する基体を電気的絶縁基体とする場合
には、方法は、先づ不活性雰囲気においてRFスパッタ
イングにより導電性金属の薄い結晶フィルムを薄い結晶
性電気的絶縁基体の表面上に形成し、約50%の酸素お
よび約50%の不活性ガスの混合物の雰囲気においてR
Fスパックイングにより導電性金属のフィルム上に上記
基体の表面に非垂直手段で配向した2、77人離間金属
平面を有するSBNの薄い結晶フィルムを堆積し、阿い
て不活性雰囲気においてRPスパックイングによりSB
Nの生成結晶フィルムの自由表面上に導電性金属の薄い
フィルムを堆積することを包含する。
半導体基体を用いる場合には、方法は50%の酸素およ
び約50%の不活性ガスの混合物の雰囲気中・でRFス
パッタイングによって薄い結晶性半導体基体の表面上に
SONの薄い結晶フィルムで上記表面に対して非垂直手
段で配向した2、77人離間原子平面を有するSONフ
ィルムを形成し、次いで不活性ガス雰囲気においてRF
スバッタイングによってSONの生成フィルムの自由表
面上に導電性金属の薄いフィルムを堆積することを包含
する。
び約50%の不活性ガスの混合物の雰囲気中・でRFス
パッタイングによって薄い結晶性半導体基体の表面上に
SONの薄い結晶フィルムで上記表面に対して非垂直手
段で配向した2、77人離間原子平面を有するSONフ
ィルムを形成し、次いで不活性ガス雰囲気においてRF
スバッタイングによってSONの生成フィルムの自由表
面上に導電性金属の薄いフィルムを堆積することを包含
する。
実施例1
1102配向サファイア円盤(直径25mmおよび厚さ
l mm)を常温で王水に浸して清浄にし、蒸留水でゆ
すぎ、次いでイソプロパツール中でゆすぎ、UHP窒素
流中で乾燥した。次いで、薄い白金結晶フィルムの第1
電極を、約4 X10−’ )ルの圧力で真空システム
においてUHPアルゴン中でRFスパッタイングによっ
て堆積した。次いで堆積した白金フィルムを真空中で冷
却させた。
l mm)を常温で王水に浸して清浄にし、蒸留水でゆ
すぎ、次いでイソプロパツール中でゆすぎ、UHP窒素
流中で乾燥した。次いで、薄い白金結晶フィルムの第1
電極を、約4 X10−’ )ルの圧力で真空システム
においてUHPアルゴン中でRFスパッタイングによっ
て堆積した。次いで堆積した白金フィルムを真空中で冷
却させた。
3ro、tsBao、 zsNb206 (SBN)の
薄い結晶フィルムを次の4工程でRFスパッタイングし
て堆積した。
薄い結晶フィルムを次の4工程でRFスパッタイングし
て堆積した。
各工程において、背圧を約4 Xl0−3)ルにした。
金属化円盤を真空巾約700℃に加熱し、次いで011
Pアルゴンおよび酸素の50150混合物を1.4×1
0−’)ルの圧力にした。次いで、SBNターゲットを
初めの2工程のそれぞれにおいて1時間のスパッタイン
グ時間でRFスパッタイングし、ついでそれぞれ1.5
時間の後の2工程前に円盤を90°回転した。各スパン
タイング工程後、円盤を純粋アルゴン中で常温近くに徐
々に冷却し、次いで・真空中に放置した。スパッタイン
グの後の各3工程前に、前に堆積したSBNを純粋アル
ゴン中常温でスパッター腐食し、界面をきれいにし、し
かる後に円盤を700℃に加熱し、アルゴン/酸素ガス
混合物を導入した。SON堆積の全時間は5時間にした
。
Pアルゴンおよび酸素の50150混合物を1.4×1
0−’)ルの圧力にした。次いで、SBNターゲットを
初めの2工程のそれぞれにおいて1時間のスパッタイン
グ時間でRFスパッタイングし、ついでそれぞれ1.5
時間の後の2工程前に円盤を90°回転した。各スパン
タイング工程後、円盤を純粋アルゴン中で常温近くに徐
々に冷却し、次いで・真空中に放置した。スパッタイン
グの後の各3工程前に、前に堆積したSBNを純粋アル
ゴン中常温でスパッター腐食し、界面をきれいにし、し
かる後に円盤を700℃に加熱し、アルゴン/酸素ガス
混合物を導入した。SON堆積の全時間は5時間にした
。
また、白金の薄いフィルムからなる対極を1.588m
m (1/16thインチ)ホールを有するサファイア
マスクを介してRFスパッターした。このフィルムを、
白金を堆積する前にSBN表面を純粋アルゴン中でスパ
ッター腐食する以外は、第1電極と同様に堆積した。
m (1/16thインチ)ホールを有するサファイア
マスクを介してRFスパッターした。このフィルムを、
白金を堆積する前にSBN表面を純粋アルゴン中でスパ
ッター腐食する以外は、第1電極と同様に堆積した。
第1A図に示すように、この例により製造された薄いフ
ィルム コンデンサは、−表面に厚さ4500人の薄い
結晶性白金フィルム電極2を有する厚さ約2mmの薄い
サファイア円盤lからなる。この薄いフィルム白金電極
2の表面上に、厚さ5500への薄いSBNフィルム3
を存在させ、この薄いSONフィルム3の表面上に薄い
結晶性白金フィルム電極2から離して厚さ6200人の
薄い対向フィルム白金電極4を存在させた。
ィルム コンデンサは、−表面に厚さ4500人の薄い
結晶性白金フィルム電極2を有する厚さ約2mmの薄い
サファイア円盤lからなる。この薄いフィルム白金電極
2の表面上に、厚さ5500への薄いSBNフィルム3
を存在させ、この薄いSONフィルム3の表面上に薄い
結晶性白金フィルム電極2から離して厚さ6200人の
薄い対向フィルム白金電極4を存在させた。
SBNフィルムのX−線回折分析の結果、このフィルム
は約2.77八で互いに離間した原子平面を有している
こと、およびこの平面がサファイア円盤の表面の平面に
対して非・垂直に配向することを確かめた。
は約2.77八で互いに離間した原子平面を有している
こと、およびこの平面がサファイア円盤の表面の平面に
対して非・垂直に配向することを確かめた。
コンデンサのキャパシタンスおよび散逸(損失)は周波
数および温度の関数として測定した。
数および温度の関数として測定した。
この例により製造したコンデンサについての25℃にお
けるキャパシタンスおよび散逸(損失)の値を表1に示
す; 表 1 1 22.3 13.6 10 19.1 18.6 100 16.1 11.4 1000 13.5 12.4 表1から明らかなように、このコンデンサは周波数とは
逆に増加する大きいキャパシタンスおよび25℃で約1
1.4〜約18.6の比較的に低い散逸ファクターを有
することがわかる。
けるキャパシタンスおよび散逸(損失)の値を表1に示
す; 表 1 1 22.3 13.6 10 19.1 18.6 100 16.1 11.4 1000 13.5 12.4 表1から明らかなように、このコンデンサは周波数とは
逆に増加する大きいキャパシタンスおよび25℃で約1
1.4〜約18.6の比較的に低い散逸ファクターを有
することがわかる。
種々の周波数にふけるこの例により得られたコンデンサ
の温度に対するキャパシタンスの関係を第2図に示す。
の温度に対するキャパシタンスの関係を第2図に示す。
この第2図から明らかなように、10および100kH
zの周波数におてい、このコンデンサは極めて低いキャ
パシタンスの温度係数を有すると共に1 kHzの周波
数において約20〜70℃においてキャパシタンスは僅
かに漸増し、約105℃においてキャパシタンスは急速
に増加し、幾分高いキャパシタンス温度係数を示してい
る。
zの周波数におてい、このコンデンサは極めて低いキャ
パシタンスの温度係数を有すると共に1 kHzの周波
数において約20〜70℃においてキャパシタンスは僅
かに漸増し、約105℃においてキャパシタンスは急速
に増加し、幾分高いキャパシタンス温度係数を示してい
る。
また、散逸ファクターを同じコンデンサについて、同じ
周波数および同じ温度範囲(20〜120℃)において
測定し、この関係を第3図に示している。
周波数および同じ温度範囲(20〜120℃)において
測定し、この関係を第3図に示している。
第3図に示すように、散逸ファクターは100kHzの
周波数で約11〜約20%にわたって変化し、20℃の
温度において約18%から120℃の温度で約23%に
変化し、10kHzの周波数で約80℃の範囲において
約15%のチップを有している。しかしながら、1 k
jlzの周波数において、散逸ファクターは20℃で約
13%から約110℃で約50%にわたって変化してい
る。
周波数で約11〜約20%にわたって変化し、20℃の
温度において約18%から120℃の温度で約23%に
変化し、10kHzの周波数で約80℃の範囲において
約15%のチップを有している。しかしながら、1 k
jlzの周波数において、散逸ファクターは20℃で約
13%から約110℃で約50%にわたって変化してい
る。
この例において、薄いフィルム電極は白金から形成した
が、しかし金またはニッケル−クロムの如き他の導電性
金属を用いることができる。
が、しかし金またはニッケル−クロムの如き他の導電性
金属を用いることができる。
これらの電極は約500八−1マイクロメーターの厚さ
が好ましい。
が好ましい。
実施例2
この例ではサファイア円盤の代わりにホウ素でドープし
た半導体111配向シリコン基体を用いた。
た半導体111配向シリコン基体を用いた。
このシリコン基体の表面に、SONの薄い結晶フィルム
を堆積した。この堆積を実施例1に記載すると同様に行
った。次いで、実施例1に記載すると同様にして生成し
たSBNの結晶フィルムの自由表面上に白金の薄いフィ
ルムを堆積した。
を堆積した。この堆積を実施例1に記載すると同様に行
った。次いで、実施例1に記載すると同様にして生成し
たSBNの結晶フィルムの自由表面上に白金の薄いフィ
ルムを堆積した。
第1B図に示すように、この例で得た薄いフィルム コ
ンデンサは一表面上に厚さ5500人の薄いSBN層6
を有する厚さ約2mmの半導体ホウ素ドープしたシリコ
ン基体5およびSBN層の表面上に基体から離れて厚さ
6200人の薄い白金対極7を堆積して構成した。
ンデンサは一表面上に厚さ5500人の薄いSBN層6
を有する厚さ約2mmの半導体ホウ素ドープしたシリコ
ン基体5およびSBN層の表面上に基体から離れて厚さ
6200人の薄い白金対極7を堆積して構成した。
得られたコンデンサは実施例1のコンデンサと比較して
幾分高い温度依存性および同様のキャパシタンス値を示
した。
幾分高い温度依存性および同様のキャパシタンス値を示
した。
SBNの薄いフィルムの厚さは約0.5〜10ミクロン
が好ましく、基体の厚さは0.3〜3mmが好ましい。
が好ましく、基体の厚さは0.3〜3mmが好ましい。
第1A図は本発明の薄いフィルム コンデンサの断面図
、 第1B図は第1A図のコンデンサの他の変形構造の薄い
フィルム コンデンサの断面図、第2図は本発明のコン
デンサについての種々の周波数での温度に対するキャパ
シタンスの変化を示す曲線図、および 第3図は本発明のコンデンサについての温度に対する透
電正接の変化を示す曲線図である。 1・・・サファイア円盤 2・・・薄いフィルム白金電極 3.6・・・薄いSBN フィルム 4.7・・・フィルム白金対極 5・・・半導体ホウ素ドープドシリコン基体Cつ μ5
、 第1B図は第1A図のコンデンサの他の変形構造の薄い
フィルム コンデンサの断面図、第2図は本発明のコン
デンサについての種々の周波数での温度に対するキャパ
シタンスの変化を示す曲線図、および 第3図は本発明のコンデンサについての温度に対する透
電正接の変化を示す曲線図である。 1・・・サファイア円盤 2・・・薄いフィルム白金電極 3.6・・・薄いSBN フィルム 4.7・・・フィルム白金対極 5・・・半導体ホウ素ドープドシリコン基体Cつ μ5
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、低いキャパシタンス温度係数および高いキ ャパシタンス密度を有する薄いフィルム コンデンサに
おいて、前記コンデンサは主として薄い結晶性電気的絶
縁性基体、前記薄い基体の表面上に位置する導電性金属
の第1の薄い結晶フィルム、式:Sr_1_−_XBa
_XNb_2O_6(ここに0.25<X<0.75の
要件を満す)を有し、および導電性金属の前記第1の結
晶フィルム上に位置する前記薄い基体の前記表面に対し
て非垂直に配向した2.77Å離間原子平面を有する組
成を有する結晶ニオブ酸バリウム ストロンチウムの薄
いフィルム、およびニオブ酸バリウム ストロンチウム
の前記結晶フィルムの表面上に位置する導電性金属の第
2の薄いフィルムからなることを特徴とする薄いフィル
ムコンデンサ。 2、低いキャパシタンス温度係数および高いキャパシタ
ンス密度を有する薄いフィルム コンデンサにおいて、
前記コンデンサは主として薄い結晶性半導体基体、式:
Sr_1_−_XBa_XNb_2O_6(ここに0.
25<X<0.75の要件を満す)を有し、および前記
薄い基体の前記表面に対して非垂直に配向した2.77
Å離間原子平面を有する結晶ニオブ酸バリウムストロン
チウムの 薄いフィルム、および結晶ニオブ酸バリウムストロンチ
ウムの前記薄いフィルムの表面上に位置する導電性金属
の薄いフィルムからなることを特徴とする薄いフィルム
コンデンサ。 3、薄い結晶基体を薄い結晶酸化アルミニウム基体とし
た特許請求の範囲第1項記載のコンデンサ。 4、導電性金属の前記第1および第2のフィルムを白金
、金またはニッケル−クロムのフィルムとした特許請求
の範囲第1項記載のコンデンサ。 5、導電性金属の前記第1および第2のフィルムを白金
、金またはニッケル−クロムとした特許請求の範囲第3
項記載のコンデンサ。 6、基体を薄いサファイアプレートとした特許請求の範
囲第5項記載のコンデンサ。 7、酸化アルミニウム基体の厚さを約0.3〜3mmと
した特許請求の範囲第3項記載のコンデンサ。 8、ニオブ酸バリウムストロンチウムフィ ルムの厚さを約0.05〜10ミクロンとした特許請求
の範囲第7項記載のコンデンサ。 9、前記半導体基体を半導体結晶シリコンとした特許請
求の範囲第2項記載のコンデンサ。 10、低いキャパシタンス温度係数および高いキャパシ
タンス密度を有する薄いフィルムコ ンデンサの製造方法において、第1の薄い導電性の結晶
性金属フィルムを薄い無機質結晶性の電気的絶縁基体の
表面の上に不活性ガス雰囲気中でRFスパッタイングに
よって堆積し、この第1の金属フィルムの表面の上に式
: Sr_1_−_XBa_XNb_2O_6(ここに0.
25≦X≦0.75の要件を満す)を有しおよび前記基
体の表面に対して非垂直状態に配向した2.77Å離間
原子平面を有するニオブ酸バリウムストロンチウ ムの薄い結晶フィルムを酸素および不活性ガスの約50
/50混合物の雰囲気中でRFスパッタイングによって
堆積し、および前記ニオブ酸バリウムストロンチウムフ
ィルムの表面 の上に第2の薄い導電性の結晶性金属フィルムを不活性
ガス雰囲気中でRFスパッタイングによって堆積するこ
とを特徴とする薄いフィルムコンデンサの製造方法。 11、低いキャパシタンス温度係数および高いキャパシ
タンス密度を有する薄いフィルムコンデンサの製造方法
において、式:Sr_1_−_XBa_XNb_2O_
6(ここに0.25<X<0.75の要件を満たす)を
有しおよび前記基体の表面に対して非垂直状態に配向し
た2.77Å離間原子平面を有するニオブ酸バリウムス
トロンチウムの薄い結晶 フィルムを酸素および不活性ガスの約50/50混合物
の雰囲気中でRFスパッタイングによって堆積し、この
ニオブ酸バリウムストロン チウムフィルムの表面上に第2の薄い導電 性の結晶性金属フィルムを不活性ガス雰囲気中でRFス
パッタイングによって堆積することを特徴とする薄いフ
ィルム コンデンサの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US812158 | 1985-12-23 | ||
US06/812,158 US4631633A (en) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | Thin film capacitors and method of making the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62158311A true JPS62158311A (ja) | 1987-07-14 |
Family
ID=25208698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61304033A Pending JPS62158311A (ja) | 1985-12-23 | 1986-12-22 | 薄いフイルム コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4631633A (ja) |
EP (1) | EP0227183B1 (ja) |
JP (1) | JPS62158311A (ja) |
AU (1) | AU6685786A (ja) |
DE (1) | DE3684261D1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0175988A2 (en) * | 1984-09-24 | 1986-04-02 | Allied Corporation | Process of manufacturing capacitive devices and capacitive devices manufactured by the process |
US4853659A (en) * | 1988-03-17 | 1989-08-01 | Amp Incorporated | Planar pi-network filter assembly having capacitors formed on opposing surfaces of an inductive member |
CH676523A5 (ja) * | 1988-06-01 | 1991-01-31 | Cerberus Ag | |
KR930003790B1 (ko) * | 1990-07-02 | 1993-05-10 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치의 캐패시터용 유전체 |
US5262920A (en) * | 1991-05-16 | 1993-11-16 | Nec Corporation | Thin film capacitor |
US5383088A (en) * | 1993-08-09 | 1995-01-17 | International Business Machines Corporation | Storage capacitor with a conducting oxide electrode for metal-oxide dielectrics |
US5414588A (en) * | 1993-09-20 | 1995-05-09 | The Regents Of The University Of California | High performance capacitors using nano-structure multilayer materials fabrication |
KR100359721B1 (ko) * | 1999-05-07 | 2002-11-04 | (주)세렉트론 | 저온에서 금속전극과 동시 소성가능한 유전체 세라믹 조성물 |
US7327582B2 (en) * | 2000-09-21 | 2008-02-05 | Ultrasource, Inc. | Integrated thin film capacitor/inductor/interconnect system and method |
AU2001296281A1 (en) | 2000-09-21 | 2002-04-02 | Michaeld. Casper | Integrated thin film capacitor/inductor/interconnect system and method |
US6890629B2 (en) * | 2001-09-21 | 2005-05-10 | Michael D. Casper | Integrated thin film capacitor/inductor/interconnect system and method |
US7425877B2 (en) * | 2001-09-21 | 2008-09-16 | Ultrasource, Inc. | Lange coupler system and method |
US6998696B2 (en) * | 2001-09-21 | 2006-02-14 | Casper Michael D | Integrated thin film capacitor/inductor/interconnect system and method |
SG107103A1 (en) * | 2002-05-24 | 2004-11-29 | Ntu Ventures Private Ltd | Process for producing nanocrystalline composites |
JP4429346B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2010-03-10 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US8813325B2 (en) * | 2011-04-12 | 2014-08-26 | Intermolecular, Inc. | Method for fabricating a DRAM capacitor |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3279947A (en) * | 1966-10-18 | High capacitance device | ||
NL253240A (ja) * | 1959-07-01 | |||
NL259884A (ja) * | 1960-01-14 | |||
US3326718A (en) * | 1963-12-30 | 1967-06-20 | Hughes Aircraft Co | Method for making an electrical capacitor |
US3470018A (en) * | 1964-08-24 | 1969-09-30 | Melpar Inc | Thin film capacitor |
US3394290A (en) * | 1966-08-24 | 1968-07-23 | Otis F. Boykin | Thin film capacitor |
JPS4870855A (ja) * | 1971-12-29 | 1973-09-26 | ||
US4038167A (en) * | 1976-02-09 | 1977-07-26 | Corning Glass Works | Method of forming a thin film capacitor |
JPS56147424A (en) * | 1980-04-17 | 1981-11-16 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of manufacturing laminated composite part |
WO1983004339A1 (en) * | 1982-05-28 | 1983-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film electric field light-emitting device |
-
1985
- 1985-12-23 US US06/812,158 patent/US4631633A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-12-16 EP EP86202286A patent/EP0227183B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-16 DE DE8686202286T patent/DE3684261D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-22 JP JP61304033A patent/JPS62158311A/ja active Pending
- 1986-12-22 AU AU66857/86A patent/AU6685786A/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0227183B1 (en) | 1992-03-11 |
EP0227183A2 (en) | 1987-07-01 |
EP0227183A3 (en) | 1989-04-19 |
US4631633A (en) | 1986-12-23 |
AU6685786A (en) | 1987-06-25 |
DE3684261D1 (de) | 1992-04-16 |
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