JPS62144326A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造装置

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JPS62144326A
JPS62144326A JP60286367A JP28636785A JPS62144326A JP S62144326 A JPS62144326 A JP S62144326A JP 60286367 A JP60286367 A JP 60286367A JP 28636785 A JP28636785 A JP 28636785A JP S62144326 A JPS62144326 A JP S62144326A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
base
horizontal plane
height adjusting
attitude
Prior art date
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Pending
Application number
JP60286367A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomio Yamamoto
山本 冨男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS62144326A publication Critical patent/JPS62144326A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、半導体装置の製造装置、特に光の照射によりレチ
クルのパターンを該レチクルの真下位置の半導体基板上
に投影露光する縮小投影露光装置において、レチクルを
セットする台は本体にネジで固定されており、台の傾き
を修正して該台を水平姿勢に調整するには、ネジの締め
付けによる高さ位置を調整するか又は台の上面を削り直
して水平度出しを行うなどの方法にておこなわれていた
〔発明が解決しようとする問題点〕
縮小投影露光装置において、レチ′クルをセントする台
が傾いていると、像画傾斜が発生する。また、台の傾き
の調整が完全であっても、レチクルと台との間に異物等
が入ったまま、レチクルが固定されてしまうと、台が頌
いていることと同様の状態となり、像画傾斜が発生する
。この状態はレチクルの交換ごとに生ずる可能性があり
、かつ傾きの方向も一定ではない。したがって、台の傾
きの調整はレチクルの交換ごとに1 しがもレチクルセ
ットの後におこなう必要がある。
微細パターンを形成する念めには、縮小投影露光装置の
レンズの開口数を大きくする必要があるが、レンズの開
口数が大きくなると、フォーカスマージンが小さくなり
、1象画傾斜の影響は増大する。
上述した従来の縮小投影露光装置のレチクルをセットす
る台では傾きの調整に長い時間がかかること、及びレチ
クルをセットした状態では調整が困難なことからレチク
ルの水平面妃対するずれを完全になくすることはできな
いという欠点があった。
本発明はレチクルをセットする台の傾きを水平姿勢に矯
正できる半導体装置の製造装置を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はレチクルに光を透過して該レチクルのパターン
を半導体基板に投影露光する装置において、レチクルの
載置台を少なくとも3点支持により水平姿勢に支持する
複数台の高さ調整機構と、前記各高さ調整機構を個々に
駆動し載置台の各支持点の高さ位置を調整し、載置台上
のレチクルの姿勢を制御する制御部とを有することを特
徴とする半導体装置の製造装置である。
〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図において、本発明に係る装置はレチクル1の載置
台2を3台の高さ調整機構4,4.4により3点支持し
てこれを水平姿勢に保ち、かつ各高さ調整機構4の真上
位置に距離測定用センサ3をそれぞれ設置し、さらに載
置台2上のレチクル1の水平面に対する傾き姿勢に応じ
た駆動制御量に基づいて各高さ調整機構4を個々に駆動
し、センサ3からの測定信号を監視しつつ載置台2の各
支持台の高さ位置を調整し、載置台上のレチクルの姿勢
を制御する制御部8を有するものである。
実施例において、レチクルの水平面に対する傾き姿勢を
修正するには、まず、製品露光を行う前にテスト用半導
体基板への投影露光を実行し、レチクル1の取り付は姿
勢を把握する。ft、(わち、まず、台2上にレチクル
1を乗せ、前後、左右及び回転方向の位置出しをした後
、真空チャック等でレチクル]を台2上に固定する。次
に、このレチクル1を通して、フォトレジストを塗布し
たステージ7上のテスト用半導体基板6に、縮小投影レ
ンズ5に通した光によってテスト露光を行い、レチクル
1の水平面に対する取り付は姿勢を調べる。その測定値
に基づき高さ調整機構4を使って修正する。この場合、
修正精度を0.5Rn程度以上にするため、距離測定用
センサ3を使用する。すなわち、制御部8によりレチク
ルの水平面に対する傾き姿勢に応じた駆動制御量に基づ
い、て高さ調整機構4を個々に駆動し、台2の各支持点
の高さ位置を調整しその移動量を距離測定用センサ3に
より測定し、その測定値で高さ調整機構4の駆動制御を
行いつつレチクルの水平面に対する姿勢を修正する。
以上の様にしてレチクルの水平面に対する姿勢を修正し
た後、製品露光をおこなう。
尚、レチクルと台との間に異物が入ることによリレチク
ルの水平面に対するずれが生じた場合も同様に操作して
レチクルの水平面に対する姿勢を修正する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は製品露光をする前段階で縮
小投影露光装置本体にレチクルをセットする場合の取り
付は姿勢を修正するようにしたので、レチクル上のパタ
ーンを半導体基板上に正確に転写することができる効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の縮小投影露光装置の縦断面図である。 1・・・レチクル     2・・・載置台3・・・距
離測定用センサー 4・・・高さ調整機構5・・・縮小
投影レンズ  6・・・半導体基板7・・・ステージ 
    8・・・制御部特許出願人  日本電気株式会
社 ・′5ご\ 代 理 人   弁理士 菅 野  中11、  亨)
−゛−二J:′

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レチクルに光を透過して該レチクルのパターンを
    半導体基板に投影露光する装置において、レチクルの載
    置台を少なくとも3点支持により水平姿勢に支持する複
    数台の高さ調整機構と、前記各高さ調整機構を個々に駆
    動し載置台の各支持点の高さ位置を調整し、載置台上の
    レチクルの姿勢を制御する制御部とを有することを特徴
    とする半導体装置の製造装置。
JP60286367A 1985-12-19 1985-12-19 半導体装置の製造装置 Pending JPS62144326A (ja)

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JP60286367A JPS62144326A (ja) 1985-12-19 1985-12-19 半導体装置の製造装置

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JP (1) JPS62144326A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63255916A (ja) * 1987-04-13 1988-10-24 Nikon Corp 投影光学装置
EP0948059A1 (fr) * 1998-02-05 1999-10-06 Asulab S.A. Moyens de positionnement pour un dispositif microélectronique et appareil de prise de vues muni d'un tel dispositif
WO2006068288A1 (ja) * 2004-12-22 2006-06-29 Nikon Corporation マスク表面の高さ方向位置測定方法、露光装置及び露光方法

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JPWO2006068288A1 (ja) * 2004-12-22 2008-06-12 株式会社ニコン マスク表面の高さ方向位置測定方法、露光装置及び露光方法
JP4556954B2 (ja) * 2004-12-22 2010-10-06 株式会社ニコン マスク表面の高さ方向位置測定方法、露光装置及び露光方法

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