JPS62133789A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS62133789A JPS62133789A JP27453985A JP27453985A JPS62133789A JP S62133789 A JPS62133789 A JP S62133789A JP 27453985 A JP27453985 A JP 27453985A JP 27453985 A JP27453985 A JP 27453985A JP S62133789 A JPS62133789 A JP S62133789A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光情報処理用半導体レーザに関するものである
。
。
（従来の技術）
光情報処理用半導体レーザの中でも、ビデオディスクや
光デイスク上の読み取）用光源として使用する場合には
、雑音特性、特に戻シ光によシ誘起される雑音の特性が
問題となる。半導体レーザの戻シ光誘起雑音を低減する
ために、種々の方法が試みられているが中でも出力コヒ
ーレンスの低減は特に有効である。
光デイスク上の読み取）用光源として使用する場合には
、雑音特性、特に戻シ光によシ誘起される雑音の特性が
問題となる。半導体レーザの戻シ光誘起雑音を低減する
ために、種々の方法が試みられているが中でも出力コヒ
ーレンスの低減は特に有効である。
この方法のひとつとして高周波重畳による半導体レーザ
の低雑音化が大面、茅根、中村１尾島によ、９１９８３
年秋季応用物理学関係連合講演会予稿集１０２頁、２６
ａ−Ｐ−６「高周波重畳による半導体レーザの低雑音化
と縦モード特性ｊにおいて提案され有効であることが示
されている。
の低雑音化が大面、茅根、中村１尾島によ、９１９８３
年秋季応用物理学関係連合講演会予稿集１０２頁、２６
ａ−Ｐ−６「高周波重畳による半導体レーザの低雑音化
と縦モード特性ｊにおいて提案され有効であることが示
されている。
これに対して自励振動を生じさせ縦モードをマルチ化し
て低雑音化する方法が、銘木、松本、田村、渡辺、栗原
によシミ子通信学会技術報告、光量子エレクトロニクス
ＯＱＥ ８４−８５．３９頁「■ＳＳＳレーザの雑音特
性と自己パルス変調の機構」において提案されている。
て低雑音化する方法が、銘木、松本、田村、渡辺、栗原
によシミ子通信学会技術報告、光量子エレクトロニクス
ＯＱＥ ８４−８５．３９頁「■ＳＳＳレーザの雑音特
性と自己パルス変調の機構」において提案されている。
この自励振動を生ぜしめる半導体レーザの構造は第５図
に示されている。すなわち、ｐ−ＱａＡｓ基板５１上に
ｎ −ＧａＡｓ層５２゜ｋＬｏ、４ｓ Ｇａｏ、５５Ａ
ｓ層５３．ｎ−ＧａＡｓ層５４ 、 Ａｔｏ、４５ Ｇ
ａｏ、ｓｓ Ａｓｓｓ５．ｎ−ＧａＡｓ層５６を順次成
長させた後、ｐ−ＧａＡｓ基板５１に達するＴ字状の溝
を形成し、次テコノ溝をｐ−Ａｔｏ、３５Ｑａ ｏ、ｓ
ｓ Ａｓクラッド層５７で平坦ニ埋め、ソノ上にｐ−Ａ
ｔｏ、５３Ｇａｏ、３７Ａｓ活性層５８、 ｎ−Ａｊ
ｏｘｓＧａｏ、５ｓＡｓクラッド層５９およびｎ−Ｇａ
Ａ ｓギヤ１層６０を成長させた構造を有している。
に示されている。すなわち、ｐ−ＱａＡｓ基板５１上に
ｎ −ＧａＡｓ層５２゜ｋＬｏ、４ｓ Ｇａｏ、５５Ａ
ｓ層５３．ｎ−ＧａＡｓ層５４ 、 Ａｔｏ、４５ Ｇ
ａｏ、ｓｓ Ａｓｓｓ５．ｎ−ＧａＡｓ層５６を順次成
長させた後、ｐ−ＧａＡｓ基板５１に達するＴ字状の溝
を形成し、次テコノ溝をｐ−Ａｔｏ、３５Ｑａ ｏ、ｓ
ｓ Ａｓクラッド層５７で平坦ニ埋め、ソノ上にｐ−Ａ
ｔｏ、５３Ｇａｏ、３７Ａｓ活性層５８、 ｎ−Ａｊ
ｏｘｓＧａｏ、５ｓＡｓクラッド層５９およびｎ−Ｇａ
Ａ ｓギヤ１層６０を成長させた構造を有している。
（発明が解決しようとする問題点）
上記自励振動を生ぜしめる半導体レーザの構造は、電流
注入口が光吸収効果で形成される屈折率分布領域よ）も
活性層から離れているため、電流は屈折率分布の幅と同
等以上に広がって活性層内に注入されるので、活性層内
に形成されるキャリア分布は屈折率分布と同程度の幅に
なって活性層水平横方向で生じる光吸収効果が著しく低
減され自励振動が生じにくい傾向がある。このように自
励振動を生じさせ低雑音化を図る方法では、レーザ構造
に対して自励振動の特性が極めて敏感に依存して安定な
自励振動を示すデバイスの収率が低くなるという欠点を
有している。
注入口が光吸収効果で形成される屈折率分布領域よ）も
活性層から離れているため、電流は屈折率分布の幅と同
等以上に広がって活性層内に注入されるので、活性層内
に形成されるキャリア分布は屈折率分布と同程度の幅に
なって活性層水平横方向で生じる光吸収効果が著しく低
減され自励振動が生じにくい傾向がある。このように自
励振動を生じさせ低雑音化を図る方法では、レーザ構造
に対して自励振動の特性が極めて敏感に依存して安定な
自励振動を示すデバイスの収率が低くなるという欠点を
有している。
また、高周波重畳を用いる方法では、高周波駆動回路の
付加が必要であるばかりでなく、外部機構へ高周波が漏
れる等の弊害がある。
付加が必要であるばかりでなく、外部機構へ高周波が漏
れる等の弊害がある。
本発明の目的は、上記諸欠点を除去し安定な自励振動を
生じ低雑音特性を持つと共に基本横モード発振を維持す
る制御性および再現性のすぐれた半導体レーザを提供す
ることである。
生じ低雑音特性を持つと共に基本横モード発振を維持す
る制御性および再現性のすぐれた半導体レーザを提供す
ることである。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明は、共振器の長手方向において両反射面近傍に接
しないように設けたストライプ領域と、する電流ブロッ
ク領域とからなる半導体基板上に活性層とこの活性層に
隣接して活性層よりも屈折率の小さいガイド層とを、活
性層およびガイド層よりもバンドギャップが広くかつ屈
折率が小さい材質からなる第１および第２のクラッド層
で挾みこんだダブルヘテロ構造を有し、ガイド層の半導
体基板のストライプ領域上に位置する部分には半導体基
板のストライプ領域の幅よりも広い幅をもつ凸状領域が
共振器全長にわたって設けられており、かつ活性層のド
ーピング濃度は注入キャリアの拡散長がガイド層の凸状
領域の幅と半導体基板のストライプ領域の幅との差の半
分よりも短かくなるように選ばれていることを特徴とす
る。
しないように設けたストライプ領域と、する電流ブロッ
ク領域とからなる半導体基板上に活性層とこの活性層に
隣接して活性層よりも屈折率の小さいガイド層とを、活
性層およびガイド層よりもバンドギャップが広くかつ屈
折率が小さい材質からなる第１および第２のクラッド層
で挾みこんだダブルヘテロ構造を有し、ガイド層の半導
体基板のストライプ領域上に位置する部分には半導体基
板のストライプ領域の幅よりも広い幅をもつ凸状領域が
共振器全長にわたって設けられており、かつ活性層のド
ーピング濃度は注入キャリアの拡散長がガイド層の凸状
領域の幅と半導体基板のストライプ領域の幅との差の半
分よりも短かくなるように選ばれていることを特徴とす
る。
（実施例）
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ′断面図、第３図、第４図は本発明の製作過程を
示す断面図である。
Ａ−Ａ′断面図、第３図、第４図は本発明の製作過程を
示す断面図である。
第３図に示すように、ｐ形ＧａＡｓ基板１０上にＳｉＯ
□膜１１全１１、フォトレジスト法を用いて共振器の長
手方向に両反射面から各々２５μｍ離れるような幅３μ
ｍ長さ２５０μｍのストライプ状領域１２のＳｉｎ、膜
１１を残し他の部分を除去する。これに硫黄Ｓを拡散し
ストライプ状領域を除いてｎ形に変換しｎ形拡散領域１
３を形成する。
□膜１１全１１、フォトレジスト法を用いて共振器の長
手方向に両反射面から各々２５μｍ離れるような幅３μ
ｍ長さ２５０μｍのストライプ状領域１２のＳｉｎ、膜
１１を残し他の部分を除去する。これに硫黄Ｓを拡散し
ストライプ状領域を除いてｎ形に変換しｎ形拡散領域１
３を形成する。
次にＳ ｉｏ、膜１１を除去し、低濃度ｎ形Ａｌ ｏ、
ｓ Ｇａ ＯＪ Ａｓ第１クラッド層１４を１．０１ｔ
ｍ、 ｎ形Ａｌ ０．１ ｓ Ｇａ ｏ、ｓ ｓ Ａｓ
活性層（ｎ形濃度、ｎ＝１．５Ｘ１０”ｃｍ−３）１５
を０．０８μｍ。
ｓ Ｇａ ＯＪ Ａｓ第１クラッド層１４を１．０１ｔ
ｍ、 ｎ形Ａｌ ０．１ ｓ Ｇａ ｏ、ｓ ｓ Ａｓ
活性層（ｎ形濃度、ｎ＝１．５Ｘ１０”ｃｍ−３）１５
を０．０８μｍ。
ｎ形Ａｌ ｏ、３ｓ Ｇａ ｏ、ｓ ｓ Ａｓガイド層
１６を１．０ μｎ、ＭＯＣＶＤ法で連続成長する。Ｍ
ＯＣＶＤ法は薄膜成長が可能であシ、かつ精密な膜厚制
御性を兼ね備えているので上記の如き層構造を制御よく
成長させることができる。
１６を１．０ μｎ、ＭＯＣＶＤ法で連続成長する。Ｍ
ＯＣＶＤ法は薄膜成長が可能であシ、かつ精密な膜厚制
御性を兼ね備えているので上記の如き層構造を制御よく
成長させることができる。
また、上記の如く活性層１５のｎ形濃度を約１．５Ｘ１
０”ｃｍ−’にしておくと、キャリアの拡散長は１μｍ
以下になシ、この時発光効率も最も高くなることが同時
に明らかになった。
０”ｃｍ−’にしておくと、キャリアの拡散長は１μｍ
以下になシ、この時発光効率も最も高くなることが同時
に明らかになった。
次にＳ ｉｏ、膜１７で全体を被膜した後、フォトレジ
スト法によ）基板１０のストライプ状領域１２の中心線
に一致させ幅６μｍのストライプ状に共振器の長手方向
全長にわたって５ｉｎｔ膜１７を残し他の８ｉ０．膜は
除去する。次にこのＳｉｎ、膜１７をマスクにして深さ
０．５μｍガイド層１６をエツチングし、ガイド層１６
内に共振器全長にわたったストライプ状の凸状領域１８
を形成する（第４図）。
スト法によ）基板１０のストライプ状領域１２の中心線
に一致させ幅６μｍのストライプ状に共振器の長手方向
全長にわたって５ｉｎｔ膜１７を残し他の８ｉ０．膜は
除去する。次にこのＳｉｎ、膜１７をマスクにして深さ
０．５μｍガイド層１６をエツチングし、ガイド層１６
内に共振器全長にわたったストライプ状の凸状領域１８
を形成する（第４図）。
Ｓｉｏ、膜１７を除去した後、ｎ形Ａｌ ａｓ Ｇａ
Ｏ，５Ａｓ第２クラッド層１９を１．５μ謂、高濃度の
ｎ１形ＧａＡｓキャップ層２０を１．０μｎＬＭＯＣＶ
Ｄで連続成長する。
Ｏ，５Ａｓ第２クラッド層１９を１．５μ謂、高濃度の
ｎ１形ＧａＡｓキャップ層２０を１．０μｎＬＭＯＣＶ
Ｄで連続成長する。
この成長の場合、従来から行われている液相成長法では
ＡＪメ： Ｇａ、−、、Ａｓ層であるＡＩｏ、３５ Ｇ
ａｏ、６５Ａｓガイド層１６の上にはいかなる液相層も
成長しないが、ＭＯＣＶＤ法では容易に成長させること
ができる。
ＡＪメ： Ｇａ、−、、Ａｓ層であるＡＩｏ、３５ Ｇ
ａｏ、６５Ａｓガイド層１６の上にはいかなる液相層も
成長しないが、ＭＯＣＶＤ法では容易に成長させること
ができる。
特にこのＭＯＣＶＤ法において第２クラッド層１９を成
長する直前にＨＣｔ等のガスで成長する面の表面を微量
のガスエツチングをすると成長素子の再現性、信頼性を
一段と向上させることができる。
長する直前にＨＣｔ等のガスで成長する面の表面を微量
のガスエツチングをすると成長素子の再現性、信頼性を
一段と向上させることができる。
この後、成長表面全面にｎ形オートミックコンタクト２
１．基板側にｐ形オートミックコンタクト２２をつけて
半導体レーザができ上る（第１図。
１．基板側にｐ形オートミックコンタクト２２をつけて
半導体レーザができ上る（第１図。
次に本発明の半導体レーザの動作について述べる。
ＧａＡｓ基板１０のストライプ状領域１２から注入され
た電流は、第１クラッド層１４を通って活性層１５に注
入される。第１クラッド層１４は低濃度のｐ−形Ａｌ
ｏ、ｓ Ｑａｏｓ Ａｓ層にしてあシ比抵抗が高いので
電流は広がることなく第１クラッド層１４を通）ストラ
イプ状に活性層１５に注入される。活性層１５に注入さ
れたキャリアは活性層を水平横方向に拡散していき利得
分布を形成しレーザ発振を開始する。このとき前記した
様に活性層内のキャリア拡散長が１μｍと短かいため、
利得分布は主にＧａＡｓ基板１０にあけたストライプ状
領域１２に対応する活性層の部分に形成され、またその
形状は急峻になシ、その結果ストライプ状領域の部分の
み利得が高くなシその外部は損失領域になる。
た電流は、第１クラッド層１４を通って活性層１５に注
入される。第１クラッド層１４は低濃度のｐ−形Ａｌ
ｏ、ｓ Ｑａｏｓ Ａｓ層にしてあシ比抵抗が高いので
電流は広がることなく第１クラッド層１４を通）ストラ
イプ状に活性層１５に注入される。活性層１５に注入さ
れたキャリアは活性層を水平横方向に拡散していき利得
分布を形成しレーザ発振を開始する。このとき前記した
様に活性層内のキャリア拡散長が１μｍと短かいため、
利得分布は主にＧａＡｓ基板１０にあけたストライプ状
領域１２に対応する活性層の部分に形成され、またその
形状は急峻になシ、その結果ストライプ状領域の部分の
み利得が高くなシその外部は損失領域になる。
一方、光は活性層１５からしみ出し垂直方向に広がる。
光は主に屈折率の高いガイド層１６にしみ出す。本実施
例の構造ではガイド層１６は凸状領域１８を有し、この
領域は等価的に屈折率が高くなるので正の屈折率差Δη
Ｂが生じる。その値は本実施例ではΔηＢ二〜５Ｘ１（
ｒ”程度になる。
例の構造ではガイド層１６は凸状領域１８を有し、この
領域は等価的に屈折率が高くなるので正の屈折率差Δη
Ｂが生じる。その値は本実施例ではΔηＢ二〜５Ｘ１（
ｒ”程度になる。
以上のように本実施例の構造においては、基板１０上の
ストライプ状領域の幅程度の利得分布に対し、それよシ
幅の広いガイド層凸状領域１８の幅にわたって光が広が
り、そこでは正の屈折率ガイディング機構が形成されて
いることになる。
ストライプ状領域の幅程度の利得分布に対し、それよシ
幅の広いガイド層凸状領域１８の幅にわたって光が広が
り、そこでは正の屈折率ガイディング機構が形成されて
いることになる。
ところで、キャリアが活性層に注入され利得分布が形成
されると、屈折率のキャリア密度に対する負の依存性の
ため屈折率は減少する。しかし、その値は３〜４Ｘ１０
−”程度であるので本実施例においてはレーザ発振時で
は１〜２Ｘ１０−”の屈折率差が作られており、この正
の屈折率ガイディングと上に述べた第２ブロック層によ
る光の急激な吸収との相乗効果によシ基本横モード発振
を維持することができる。
されると、屈折率のキャリア密度に対する負の依存性の
ため屈折率は減少する。しかし、その値は３〜４Ｘ１０
−”程度であるので本実施例においてはレーザ発振時で
は１〜２Ｘ１０−”の屈折率差が作られており、この正
の屈折率ガイディングと上に述べた第２ブロック層によ
る光の急激な吸収との相乗効果によシ基本横モード発振
を維持することができる。
本実施例の構造では、光の広がシの幅が利得分布の幅に
くらべて広いので光は利得領域からその外部の損失領域
まで広がってお夛、これは等価的には可飽和吸収体をも
っていることになシ自励振動が生じやすくなる。
くらべて広いので光は利得領域からその外部の損失領域
まで広がってお夛、これは等価的には可飽和吸収体をも
っていることになシ自励振動が生じやすくなる。
本実施例の構造では、更にキャリア拡散長が屈折率分布
の幅と利得分布幅を決定するキャリア注入領域幅の半分
以下であシ、またレーザ発振時での屈折率が比較的小さ
いため自励振動を助長する効果をもつ。すなわち、まず
キャリア拡散長が短かいため、注入キャリア密度分布の
変動がはげしくな夛、これに伴なって基本横モードの幅
が大きく変動しその収縮と拡大が生じその結果自励振動
の大きさが助長される。本発明者の解析結果によれば、
本実施例の構造において、キャリア拡散長１μ扉と２μ
ｍとを用いて計算した結果、キャリア拡散長１μｍの自
励振動は２μｍの５．５〜６倍になることが明らかにな
った。
の幅と利得分布幅を決定するキャリア注入領域幅の半分
以下であシ、またレーザ発振時での屈折率が比較的小さ
いため自励振動を助長する効果をもつ。すなわち、まず
キャリア拡散長が短かいため、注入キャリア密度分布の
変動がはげしくな夛、これに伴なって基本横モードの幅
が大きく変動しその収縮と拡大が生じその結果自励振動
の大きさが助長される。本発明者の解析結果によれば、
本実施例の構造において、キャリア拡散長１μ扉と２μ
ｍとを用いて計算した結果、キャリア拡散長１μｍの自
励振動は２μｍの５．５〜６倍になることが明らかにな
った。
さらにレーザ発振時の屈折率の大きさが比較的小さいこ
とも基本横モードの幅の変動を助長する。
とも基本横モードの幅の変動を助長する。
本発明者の解析結果によれば、本実施例の構造において
キャリア拡散長１μｍを用いて計算した結果、自励振動
の第１ピーク強度と第１の谷での強度との比率がηＢ
＝ １．ＯＸ １０−”では１６０に対し、ηＢ−５×
１０４では１９５になることがわかった。
キャリア拡散長１μｍを用いて計算した結果、自励振動
の第１ピーク強度と第１の谷での強度との比率がηＢ
＝ １．ＯＸ １０−”では１６０に対し、ηＢ−５×
１０４では１９５になることがわかった。
本実施例の構造では、上記の如く活性層の水平横方向の
みならず両反射面近傍にも吸収領域を有している。すな
わち、この両反射面近傍に対して垂直方向に位置する基
板は注入電流をブロックする極性になっている。両反射
面近傍は電流注入口にあたる基板のストライプ状領域か
らはなれていると共に、第１クラッド層１４は抵抗が高
いので電流の広がりが抑圧されるため両反射面近傍の活
性層にはキャリアが注入されない。従ってこの活性層領
域はレーザ発振光に対して等測的にバンドギャップが狭
くなっておシー１５０ｃｍ−’から一２００ｃｍ ’の
吸収損失領域になっている。そしてこの領域はレーザ発
振光を吸収することによってキャリアが励起されると、
その結果バンドギャップが広がシ損失が小さくなるとい
う現象が生じ、いわゆる可飽和吸収体になっている。こ
のように、本発明の構造では活性領域の水平横方向のみ
ならず共振器の長手方向にも可飽和吸収体をもち自励振
動を可能にする。
みならず両反射面近傍にも吸収領域を有している。すな
わち、この両反射面近傍に対して垂直方向に位置する基
板は注入電流をブロックする極性になっている。両反射
面近傍は電流注入口にあたる基板のストライプ状領域か
らはなれていると共に、第１クラッド層１４は抵抗が高
いので電流の広がりが抑圧されるため両反射面近傍の活
性層にはキャリアが注入されない。従ってこの活性層領
域はレーザ発振光に対して等測的にバンドギャップが狭
くなっておシー１５０ｃｍ−’から一２００ｃｍ ’の
吸収損失領域になっている。そしてこの領域はレーザ発
振光を吸収することによってキャリアが励起されると、
その結果バンドギャップが広がシ損失が小さくなるとい
う現象が生じ、いわゆる可飽和吸収体になっている。こ
のように、本発明の構造では活性領域の水平横方向のみ
ならず共振器の長手方向にも可飽和吸収体をもち自励振
動を可能にする。
以上のすべての相乗効果の結果、本発明の構造では容易
に自励振動が生じ、その結果軸モードが多モード化し軸
モードのコヒーレントが低減ｆるために反射光に対する
雑音もきわめて低く低雑音特性が得られる。従って本発
明のレーザ素子は光読み取シに必要な低雑音レーザにな
る。
に自励振動が生じ、その結果軸モードが多モード化し軸
モードのコヒーレントが低減ｆるために反射光に対する
雑音もきわめて低く低雑音特性が得られる。従って本発
明のレーザ素子は光読み取シに必要な低雑音レーザにな
る。
以上の如く本発明の半導体レーザは、前記した銘木等の
電子通信学会技術報告、光量子エレクトロニクス０ＱＥ
８４−５７．３９頁「ｌ５ｓｓレーザの雑音特性と自己
パルス変調の機構」において提案された半導体レーザと
本質的に異なっている。銘木等の半導体レーザは、前記
のとおり第５図に示した構造になっている。この構造と
本発明との相違は以下の通シである。まず、第１に第５
図の構造では、電流注入口が光吸収効果で形成される屈
折率分布領域よ）も活性層から離れているため、電流は
屈折率分布の幅と同等以上に広がって活性層内に注入さ
れるので活性層内に形成されるキャリア分布は屈折率分
布と同程度の幅になり、本発明の如き活性層の水平横方
向で生じる光吸収効果は著しく低減され自励振動は生じ
にくい傾向にある。
電子通信学会技術報告、光量子エレクトロニクス０ＱＥ
８４−５７．３９頁「ｌ５ｓｓレーザの雑音特性と自己
パルス変調の機構」において提案された半導体レーザと
本質的に異なっている。銘木等の半導体レーザは、前記
のとおり第５図に示した構造になっている。この構造と
本発明との相違は以下の通シである。まず、第１に第５
図の構造では、電流注入口が光吸収効果で形成される屈
折率分布領域よ）も活性層から離れているため、電流は
屈折率分布の幅と同等以上に広がって活性層内に注入さ
れるので活性層内に形成されるキャリア分布は屈折率分
布と同程度の幅になり、本発明の如き活性層の水平横方
向で生じる光吸収効果は著しく低減され自励振動は生じ
にくい傾向にある。
第２に本発明において詳細に記載した様Ｋ、キャリア拡
散長が実効的な屈折率分布の幅とキャリア注入領域の幅
との差の半分以下に短かくすることが本質的に重要であ
シ、このことが自励振動を生じさせかつ助長する効果を
もたらし、その結果低雑音レーザ特性が生じる。しかる
に銘木等の提案した構造では、このような効果を考慮し
ておらずそのため自励振動の生じる許容範囲がきわめて
狭くなる。
散長が実効的な屈折率分布の幅とキャリア注入領域の幅
との差の半分以下に短かくすることが本質的に重要であ
シ、このことが自励振動を生じさせかつ助長する効果を
もたらし、その結果低雑音レーザ特性が生じる。しかる
に銘木等の提案した構造では、このような効果を考慮し
ておらずそのため自励振動の生じる許容範囲がきわめて
狭くなる。
第３に本発明では、活性層の水平横方向ばかシでなく共
振器の長手方向にも可飽和吸収体を有しているので、よ
シ自励振動を助長する構造になっている。
振器の長手方向にも可飽和吸収体を有しているので、よ
シ自励振動を助長する構造になっている。
なお、上記実施例ではｐ形ＧａＡｓ基板を用いたがｐｎ
を反転させてもよい。また実施例はＡＩ Ｇ、ａ ！ｕ
／ＧａＡｓダブルヘテロ接合結晶材料について説明し
たが、その他の結晶材料、例えば工れＧａＰ／ＡＩＩれ
・ＰＩ＋ｗＧａＡｓＰ ／ Ｉ＋ｎＧａＰ、 Ｉ＋ｈＧ
ａＡｓＰ ／ ＩｔｎＪ’、ＡｌＧａＡｓＳｂ１３ｗ ／ＧａＡｓＳｂ等数多くの結晶材料に適用することがで
きる。
を反転させてもよい。また実施例はＡＩ Ｇ、ａ ！ｕ
／ＧａＡｓダブルヘテロ接合結晶材料について説明し
たが、その他の結晶材料、例えば工れＧａＰ／ＡＩＩれ
・ＰＩ＋ｗＧａＡｓＰ ／ Ｉ＋ｎＧａＰ、 Ｉ＋ｈＧ
ａＡｓＰ ／ ＩｔｎＪ’、ＡｌＧａＡｓＳｂ１３ｗ ／ＧａＡｓＳｂ等数多くの結晶材料に適用することがで
きる。
（発明の効果）
以上のとおり、本発明の半導体レーザは、（ａ）基本横
モード発振を維持することができる、（ｂ拍動振動を生
じその条件の許容範囲が広いので再現性よく得ることが
できる、（Ｃ）構造が比較的簡単であるので再現性よく
高歩留）につくることができるなどの効果を有している
。
モード発振を維持することができる、（ｂ拍動振動を生
じその条件の許容範囲が広いので再現性よく得ることが
できる、（Ｃ）構造が比較的簡単であるので再現性よく
高歩留）につくることができるなどの効果を有している
。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は第１図の
Ａ −Ａ／断面図、第３図はこの実施例の作製の過程に
おいて基板にストライプ状電流注入領域を形成した時の
側面図、第４図はこの実施例の作製の過程においてガイ
ド層に凸状領域を形成した時の断面図、第５図は従来例
の断面図である。 １０−−・・−・１）形ＧａＡｓ基板、１１−−−−・
−Ｓｉｎ、膜、１２・・・・・・ストライプ状領域、１
３・・・・・・ｎ形拡散領域、１４−−−−・・Ｐ−形
Ａｌｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓＡｓ第１クラッド層、１５−−
−−−−ｎ形Ａｌ ｏ、ｔ ｓ Ｇａ ｏ、ｓ ｓ Ａ
ｓ活性層、１６−−−−−−ｒｌ形ＡＩ Ｏ，３５Ｇａ
ｏ、５５Ａｓガイド層、１７−−−−−− Ｓｉｎ、膜
、１８−曲凸状領域、１９−−−−・−ｎ形Ａｌ ｏ５
Ｑａ ｏ、ｓ Ａｓ第２クラッド層、２０・・・・・・
ｎ＋形ＧａＡｓキャップ層、２１・・・・・・ｎ形オー
ミックコンタクト、２２・・・・・・ｐ形オーミックコ
ンタクト。 １２ ズトライフ゛ン１プ（、べ寡陰士鉛記４着４ ２
ｕゴ 第３ 図 第４ 図 第５ 図
Ａ −Ａ／断面図、第３図はこの実施例の作製の過程に
おいて基板にストライプ状電流注入領域を形成した時の
側面図、第４図はこの実施例の作製の過程においてガイ
ド層に凸状領域を形成した時の断面図、第５図は従来例
の断面図である。 １０−−・・−・１）形ＧａＡｓ基板、１１−−−−・
−Ｓｉｎ、膜、１２・・・・・・ストライプ状領域、１
３・・・・・・ｎ形拡散領域、１４−−−−・・Ｐ−形
Ａｌｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓＡｓ第１クラッド層、１５−−
−−−−ｎ形Ａｌ ｏ、ｔ ｓ Ｇａ ｏ、ｓ ｓ Ａ
ｓ活性層、１６−−−−−−ｒｌ形ＡＩ Ｏ，３５Ｇａ
ｏ、５５Ａｓガイド層、１７−−−−−− Ｓｉｎ、膜
、１８−曲凸状領域、１９−−−−・−ｎ形Ａｌ ｏ５
Ｑａ ｏ、ｓ Ａｓ第２クラッド層、２０・・・・・・
ｎ＋形ＧａＡｓキャップ層、２１・・・・・・ｎ形オー
ミックコンタクト、２２・・・・・・ｐ形オーミックコ
ンタクト。 １２ ズトライフ゛ン１プ（、べ寡陰士鉛記４着４ ２
ｕゴ 第３ 図 第４ 図 第５ 図
Claims (1)
- 共振器の長手方向に両反射面に接しないように設けたス
トライプ領域と、該ストライプ領域と反対の電気的特性
を有する電流ブロック領域とからなる半導体基板上に活
性層と該活性層に隣接し、活性層よりも屈折率の小さい
ガイド層とを前記活性層およびガイド層よりもハンドキ
ャップが広く、かつ屈折率が小さい材質からなる第１お
よび第２のクラッド層で挾みこんだダブルヘテロ構造を
有し、前記ガイド層の前記半導体基板のストライプ領域
上に位置する部分には半導体基板のストライプ領域の幅
よりも広い幅をもつ凸状領域が共振器全長にわたって設
けられており、前記活性層のドーピング濃度は注入キャ
リアの拡散長が前記ガイド層の凸状領域の幅と前記半導
体基板のストライプ領域の幅との差の半分よりも短かく
なるように選ばれていることを特徴とする半導体レーザ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27453985A JPS62133789A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27453985A JPS62133789A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62133789A true JPS62133789A (ja) | 1987-06-16 |
Family
ID=17543117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27453985A Pending JPS62133789A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62133789A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02394A (ja) * | 1987-12-28 | 1990-01-05 | Canon Inc | 半導体レーザー |
| JP2009002082A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Omtec:Kk | 基礎杭用掘削装置 |
-
1985
- 1985-12-05 JP JP27453985A patent/JPS62133789A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02394A (ja) * | 1987-12-28 | 1990-01-05 | Canon Inc | 半導体レーザー |
| JP2009002082A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Omtec:Kk | 基礎杭用掘削装置 |
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