JPS62129247A - 粗テレフタル酸の精製法 - Google Patents
粗テレフタル酸の精製法Info
- Publication number
- JPS62129247A JPS62129247A JP61238987A JP23898786A JPS62129247A JP S62129247 A JPS62129247 A JP S62129247A JP 61238987 A JP61238987 A JP 61238987A JP 23898786 A JP23898786 A JP 23898786A JP S62129247 A JPS62129247 A JP S62129247A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- catalyst
- catalyst layer
- catalyst bed
- bed
- rhodium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C63/00—Compounds having carboxyl groups bound to a carbon atoms of six-membered aromatic rings
- C07C63/14—Monocyclic dicarboxylic acids
- C07C63/15—Monocyclic dicarboxylic acids all carboxyl groups bound to carbon atoms of the six-membered aromatic ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C51/00—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
- C07C51/42—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
- C07C51/487—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by treatment giving rise to chemical modification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C63/00—Compounds having carboxyl groups bound to a carbon atoms of six-membered aromatic rings
- C07C63/14—Monocyclic dicarboxylic acids
- C07C63/15—Monocyclic dicarboxylic acids all carboxyl groups bound to carbon atoms of the six-membered aromatic ring
- C07C63/26—1,4 - Benzenedicarboxylic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C67/00—Preparation of carboxylic acid esters
- C07C67/48—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
- C07C67/60—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by treatment giving rise to chemical modification
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、比較的低水準の４−カルボキシベンズアルデ
ヒド水準へのテレフタル酸の精製法、並びにこのような
精製を行なう手段に関する。
ヒド水準へのテレフタル酸の精製法、並びにこのような
精製を行なう手段に関する。
ポリマーグレードのテレフタルｌ（Ｔ八）は、ポリエヂ
レンテレフタレット（ＰＥＴ）の出発物質でありそれは
、ポリエステルフィルム、ポリエステルフィルム、並び
にびんなどの容器用樹脂のための主要ポリマーである。
レンテレフタレット（ＰＥＴ）の出発物質でありそれは
、ポリエステルフィルム、ポリエステルフィルム、並び
にびんなどの容器用樹脂のための主要ポリマーである。
ポリエステルＩＩ維は、織物並びにタイヤコードのよう
な工業的応用において使用される。接着剤及びエマルジ
ョンによって被覆されたポリエステルフィルムは、包装
用テープ、写真フィルム、記録用テープなどとして有用
である。
な工業的応用において使用される。接着剤及びエマルジ
ョンによって被覆されたポリエステルフィルムは、包装
用テープ、写真フィルム、記録用テープなどとして有用
である。
ポリマーグレードのテレフタル酸は、マイヤーへの米国
特許第３．５８４．０３９号中記載されているような貴
金属触媒および水素を利用する、比較的純粋でない、テ
クニカルグレードのテレフタル酸の′Ｍ製によって得ら
れる。この精製法においては、不純なテレフタル酸は、
高温において水に溶解さ、 れ、得られる溶液は、ボ
ールマンへの米国特許第３．７２６，９１５号中記載さ
れているように、水素添加触媒、例えばカーボン支持体
上パラジウムの存在下に水素添加される。この水素添加
工程は、比較的不純なテレフタル酸中に存在する種々の
着色体を無色の生成物に変換する。主な原料の不純物１
、 ４−カルボキシベンズアルデヒド（４−Ｃ３Ａ）は
ｐ−トルイル酸（ＴＯＬ）に変換される。不純物中に存
在する色形成性プレカーサー及び着色体は、ベンジル、
フルオレノン及び（又は）アン２ト、ラキノン型である
と考えられる。
特許第３．５８４．０３９号中記載されているような貴
金属触媒および水素を利用する、比較的純粋でない、テ
クニカルグレードのテレフタル酸の′Ｍ製によって得ら
れる。この精製法においては、不純なテレフタル酸は、
高温において水に溶解さ、 れ、得られる溶液は、ボ
ールマンへの米国特許第３．７２６，９１５号中記載さ
れているように、水素添加触媒、例えばカーボン支持体
上パラジウムの存在下に水素添加される。この水素添加
工程は、比較的不純なテレフタル酸中に存在する種々の
着色体を無色の生成物に変換する。主な原料の不純物１
、 ４−カルボキシベンズアルデヒド（４−Ｃ３Ａ）は
ｐ−トルイル酸（ＴＯＬ）に変換される。不純物中に存
在する色形成性プレカーサー及び着色体は、ベンジル、
フルオレノン及び（又は）アン２ト、ラキノン型である
と考えられる。
得られる精製された生成物、ポリマーグレードのテレフ
タル酸は、結晶化、遠心分離、並びに乾燥によって回収
される。ボ゛リアルキル芳香族炭化水素の液相接触酸化
によって得られる芳香族ポリカルボン酸の、他の関連し
た水添による精製法は、ステツらへの米国特許第４，４
０５，８０９号に記載されている。
タル酸は、結晶化、遠心分離、並びに乾燥によって回収
される。ボ゛リアルキル芳香族炭化水素の液相接触酸化
によって得られる芳香族ポリカルボン酸の、他の関連し
た水添による精製法は、ステツらへの米国特許第４，４
０５，８０９号に記載されている。
シカシ、丁ＡノＷ ｆｉ ｒ、約１００ｐ１００ｐｐ
４− ＣＢＡ ａｍにおいては、４−ＣＢへのＴＯＬへ
の還元速度はかなりおそくなる。還元速度は成る反応条
件下では全く停止することもありうる。加えて非還元又
は部分還元４−ＣＢＡが次にＴＡと共結晶化されるので
、望ましくない不純物を含有するＴＡＡ成物を得られる
。
４− ＣＢＡ ａｍにおいては、４−ＣＢへのＴＯＬへ
の還元速度はかなりおそくなる。還元速度は成る反応条
件下では全く停止することもありうる。加えて非還元又
は部分還元４−ＣＢＡが次にＴＡと共結晶化されるので
、望ましくない不純物を含有するＴＡＡ成物を得られる
。
その上、Ｐｄ ／Ｃ触媒床は、それらが使用されるに従
って、活性が小さくなる。最終的にこのような床は、精
製■＾に対する製品規格からはずれるのでその使用を解
除しなければならない。
って、活性が小さくなる。最終的にこのような床は、精
製■＾に対する製品規格からはずれるのでその使用を解
除しなければならない。
従って、規格低水準４− ＣＢＡ誘導不純物を有する精
製ＴＡを得るためには、精製ＩＡ中全全４−ＣＢ＾水準
低下させ、かつＰｄ ／Ｃ触媒床の有用寿命を延長する
ことが望ましい。本発明は、前述した要件を両方共満足
する。
製ＴＡを得るためには、精製ＩＡ中全全４−ＣＢ＾水準
低下させ、かつＰｄ ／Ｃ触媒床の有用寿命を延長する
ことが望ましい。本発明は、前述した要件を両方共満足
する。
本発明は４−カルボキシベンズアルデヒドの含。
有水準が比較的低いものをうるための積層（ｌａｙｅｒ
ｅｄ）粒子状触媒床中での水素添加による比較的不純な
テレフタル酸水溶液の精製を意図する。
ｅｄ）粒子状触媒床中での水素添加による比較的不純な
テレフタル酸水溶液の精製を意図する。
積層粒子状触媒床は、活性炭担体上支持されたパラジウ
ムにより構成される一次層及び、一次層から下流に、活
性炭担体上に支持されたロジウムにより構成される二次
層を含む。
ムにより構成される一次層及び、一次層から下流に、活
性炭担体上に支持されたロジウムにより構成される二次
層を含む。
本発明によれば、重量で、１０．０００ｐｐｍまでの４
−カルボキシベンズアルデヒドを含有する比較的不純な
テレフタル酸水溶液は、Ｐｄ ／Ｃ触媒層を離れる水素
添加されたテレフタル酸水溶液が次にＲｈ／Ｃ触媒層に
はいるように配置された液で満された積層触媒層中で水
素添加される。
−カルボキシベンズアルデヒドを含有する比較的不純な
テレフタル酸水溶液は、Ｐｄ ／Ｃ触媒層を離れる水素
添加されたテレフタル酸水溶液が次にＲｈ／Ｃ触媒層に
はいるように配置された液で満された積層触媒層中で水
素添加される。
Ｐｄ ／Ｃ触媒層中水素添加は、約１００℃〜約３５０
℃の温度において、かつ溶液を液相に保つのに十分な圧
力、通常的２００ ｐｓｉｇ〜約１，５００ ｐｓｉｇ
の圧力において実施される。水素添加され更に精製され
た水溶液、即ち、触媒床からの液体流出分は、その後冷
却されて、結晶化によって溶液から比較的高純度のテレ
フタル酸の分離が行なわれる。
℃の温度において、かつ溶液を液相に保つのに十分な圧
力、通常的２００ ｐｓｉｇ〜約１，５００ ｐｓｉｇ
の圧力において実施される。水素添加され更に精製され
た水溶液、即ち、触媒床からの液体流出分は、その後冷
却されて、結晶化によって溶液から比較的高純度のテレ
フタル酸の分離が行なわれる。
比較的不純、即ち、粗製テレフタル酸（ＴＡ）は、ｐ−
キシレンのようなパラジアルキルベンゼンの液相酸化に
よって得られる。得られる生成物は、比較的大量の４−
カルボキシベンズアルデヒド（４−ＣＢＡ）のような不
純物−これらは、重Ｍで、テレフタル酸の約１０．００
０１）ｌ）＋１までの伍で存在する可能性がある−を含
む■＾水溶液である。これらの不純物は、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）を得るテレフタル酸重合反応
に悪影響を及ぼし、また得られるＰＵＴポリマーの望ま
しくない着色をおこす。従来、生産量中水素添加によっ
て精製された丁Ａ水溶液の４−ＣＢＡ含争についての実
際的な限度は、ＴＡを基にして、約１１００ｐｐであっ
た。
キシレンのようなパラジアルキルベンゼンの液相酸化に
よって得られる。得られる生成物は、比較的大量の４−
カルボキシベンズアルデヒド（４−ＣＢＡ）のような不
純物−これらは、重Ｍで、テレフタル酸の約１０．００
０１）ｌ）＋１までの伍で存在する可能性がある−を含
む■＾水溶液である。これらの不純物は、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）を得るテレフタル酸重合反応
に悪影響を及ぼし、また得られるＰＵＴポリマーの望ま
しくない着色をおこす。従来、生産量中水素添加によっ
て精製された丁Ａ水溶液の４−ＣＢＡ含争についての実
際的な限度は、ＴＡを基にして、約１１００ｐｐであっ
た。
本発明を具体化した方法は、積層された固定触媒床中高
い温度及び圧力において行なわれる。下降流及び上昇流
反応器を共に使用することができる。精製されるべきテ
レフタル酸は、水または同様の極性溶媒に溶解される。
い温度及び圧力において行なわれる。下降流及び上昇流
反応器を共に使用することができる。精製されるべきテ
レフタル酸は、水または同様の極性溶媒に溶解される。
水が好適な溶媒である；しかじ、他の適省な極性溶媒は
、比較的低分子量のアルキルカルボン酸で、単独又は水
と混合したものである。
、比較的低分子量のアルキルカルボン酸で、単独又は水
と混合したものである。
精製の間反応器、従ってＴへ溶液の、温度は約ｉｏｏ℃
（約２１２下）〜約３５０℃（約６６０下）の範囲であ
ることができる。好適にはこの温度は、約２７５℃（約
５０３下）〜約３００℃（約５７２下）の範囲である。
（約２１２下）〜約３５０℃（約６６０下）の範囲であ
ることができる。好適にはこの温度は、約２７５℃（約
５０３下）〜約３００℃（約５７２下）の範囲である。
反応器の圧力は、主として精製が実施される温度によっ
てきまる。不純なテレフタル酸の実際的な聞を溶解する
ことができる温度が、極性溶媒の正常沸点より実質的に
上であるかぎり、処理圧力は、溶液を液相に保つために
必然的に大気圧のかなり上である。反応器が液体で充た
されている場合には、反応器の圧力は、供給ポンプ速度
によって制御することができる。反応器がヘッドスペー
スを持っている場合には、反応器の圧力は、ヘッドスペ
ース中ガス状水素単独によるか又は水蒸気及びく又は）
窒素のような不活性ガスと混合して保つことができる。
てきまる。不純なテレフタル酸の実際的な聞を溶解する
ことができる温度が、極性溶媒の正常沸点より実質的に
上であるかぎり、処理圧力は、溶液を液相に保つために
必然的に大気圧のかなり上である。反応器が液体で充た
されている場合には、反応器の圧力は、供給ポンプ速度
によって制御することができる。反応器がヘッドスペー
スを持っている場合には、反応器の圧力は、ヘッドスペ
ース中ガス状水素単独によるか又は水蒸気及びく又は）
窒素のような不活性ガスと混合して保つことができる。
水素と混合状態の不活性ガスの使用は又、特に比較的低
い水素分圧において、反応器の水素分圧を変調させるた
めの有利な手段どなる。この目的のためには、不活性ガ
スは、好適には反応器中に導入する前に水素と混合され
る。
い水素分圧において、反応器の水素分圧を変調させるた
めの有利な手段どなる。この目的のためには、不活性ガ
スは、好適には反応器中に導入する前に水素と混合され
る。
一般に、水素添加の間の反応器の圧力は、約２００〜約
１，５００ ｐｓｉｇの範囲であることができ、通常約
９００〜約１，２００ ＤＳｉｇの範囲である。
１，５００ ｐｓｉｇの範囲であることができ、通常約
９００〜約１，２００ ＤＳｉｇの範囲である。
水添反応器は、数種の様態で操作することができる。例
えば、反応器中子室された液の水準を保ち、ある任意の
反応器圧力において、予定された液の水準を保つのに十
分な速度で水素を注入することができる。実際の反応器
の圧力と存在するテレフタル酸溶液の蒸気圧との差が、
反応器の蒸気スペース中の水素分圧である。別法として
、水素が窒素のような不活性ガスと混合状態で注入され
る場合には、実際の反応器の圧力と存在するテレフタル
酸溶液との差は、水素及びそれと混合されている不活性
ガスの合わされた分圧である。この場合には水素分圧は
、混合状態で存在する水素及び不活性ガスの既知の相対
φから計算することができる。
えば、反応器中子室された液の水準を保ち、ある任意の
反応器圧力において、予定された液の水準を保つのに十
分な速度で水素を注入することができる。実際の反応器
の圧力と存在するテレフタル酸溶液の蒸気圧との差が、
反応器の蒸気スペース中の水素分圧である。別法として
、水素が窒素のような不活性ガスと混合状態で注入され
る場合には、実際の反応器の圧力と存在するテレフタル
酸溶液との差は、水素及びそれと混合されている不活性
ガスの合わされた分圧である。この場合には水素分圧は
、混合状態で存在する水素及び不活性ガスの既知の相対
φから計算することができる。
更に他の操作様態においては反応器は、反応器の蒸気ス
ペースをなくするようにテレフタル酸溶液で満たすこと
ができる。即ら、反応器は、液体で満たされている系と
して操作されることができ、溶解水素がフローコントロ
ールによって反応器に供給される。このような場合には
、溶液水素濃度は、反応器への水素の流入速度を調節す
ることによって変節することができる。
ペースをなくするようにテレフタル酸溶液で満たすこと
ができる。即ら、反応器は、液体で満たされている系と
して操作されることができ、溶解水素がフローコントロ
ールによって反応器に供給される。このような場合には
、溶液水素濃度は、反応器への水素の流入速度を調節す
ることによって変節することができる。
処理のコントロールが水素分圧を調整することによって
行なわれる場合には、反応器中の水素分圧は、反応器の
使用圧力級別値、不純なテレフタル酸の汚染の程度及び
用いられる粒子状触媒の使用時間などの操作条件を考慮
してきめられるが、好適には約１０ｐｓｉ〜２００ｐｓ
ｉの範囲である。
行なわれる場合には、反応器中の水素分圧は、反応器の
使用圧力級別値、不純なテレフタル酸の汚染の程度及び
用いられる粒子状触媒の使用時間などの操作条件を考慮
してきめられるが、好適には約１０ｐｓｉ〜２００ｐｓ
ｉの範囲である。
プロセスコントロールが、供給原料溶液中水素濃度を直
接調節することによって行なわれる場合には、原料溶液
は、水素について飽和されてはお溶液中の水素濃度の所
望のコントロールが得られる。
接調節することによって行なわれる場合には、原料溶液
は、水素について飽和されてはお溶液中の水素濃度の所
望のコントロールが得られる。
本発明による４ −ＣＢＡを含有するＴＡ水溶液の精製
に際しては、溶液は、最初Ｐ（１／Ｃ触媒層、次にＲｈ
／Ｃ触媒層を通される。次の主な反応がおこると考えら
れる。Ｐｄ ／Ｃ触媒層においては、４− ＣＢＡは、
次のとおりＴＯＬに変換されると考えられる。
に際しては、溶液は、最初Ｐ（１／Ｃ触媒層、次にＲｈ
／Ｃ触媒層を通される。次の主な反応がおこると考えら
れる。Ｐｄ ／Ｃ触媒層においては、４− ＣＢＡは、
次のとおりＴＯＬに変換されると考えられる。
ＴＯし
次に、一次ＩＰｄ ／Ｃ触媒層から下流の二次Ｒｈ ／
Ｃ触媒層において、残留４−ＣＢＡの大部分（全部でな
くとも）は、次のようにして脱カルボニル化され安患香
酸になると考えられる。
Ｃ触媒層において、残留４−ＣＢＡの大部分（全部でな
くとも）は、次のようにして脱カルボニル化され安患香
酸になると考えられる。
例えば、メタン
及びＨ２０
ＢＡへのＴＡの若干の分解及び４− ＣＢＡへの■＾の
若干の水素添加もおこることがある；しかじ、これらは
共にマイナーな反応であると考えられる。かくして、粗
ＴＡ中に存在する実質的な量の４− ＣＢＡは、一次Ｐ
ｄ ／Ｃ触媒層中水素添加される■叶となり、一方残り
の大部分は、一次Ｐｄ ／Ｃ触１１１から下流の二次Ｒ
ｈ ／Ｃ触媒層中脱炭酸されてＢＡとなる。ＢＡは、水
によく溶ける副生物であり、結晶化及び得られた■＾結
晶の収得の間に容易に分離することができる。
若干の水素添加もおこることがある；しかじ、これらは
共にマイナーな反応であると考えられる。かくして、粗
ＴＡ中に存在する実質的な量の４− ＣＢＡは、一次Ｐ
ｄ ／Ｃ触媒層中水素添加される■叶となり、一方残り
の大部分は、一次Ｐｄ ／Ｃ触１１１から下流の二次Ｒ
ｈ ／Ｃ触媒層中脱炭酸されてＢＡとなる。ＢＡは、水
によく溶ける副生物であり、結晶化及び得られた■＾結
晶の収得の間に容易に分離することができる。
４− ＣＢＡ水素添加反応器中の一卵化炭素の存在は、
先行技術において問題であると認識されている（例えば
、キム２らの米国特許第４，２０１，８７２号参照）。
先行技術において問題であると認識されている（例えば
、キム２らの米国特許第４，２０１，８７２号参照）。
−酸化炭素は、水素添加触媒の活性を阻触媒層中、−ｍ
化炭素の発生に有利な条件を保つことにより、又フィッ
シャー−トロピッシュ型の反応であると考えられるもの
により、発生した一酸化炭素素の少なくとも一部分の炭
化水素部分への変換をＲｈ ／Ｃ触媒層中で行なうこと
によって、この問題を避けている。１ｑられた炭化水素
副生物は精製■＾に関して不活性であり、処理流出流と
共に触媒床から追い出され、そしてパージングによるか
又は任意の他の便利な方式で得られる反応生成物の混合
物から容易に分離することができる。
化炭素の発生に有利な条件を保つことにより、又フィッ
シャー−トロピッシュ型の反応であると考えられるもの
により、発生した一酸化炭素素の少なくとも一部分の炭
化水素部分への変換をＲｈ ／Ｃ触媒層中で行なうこと
によって、この問題を避けている。１ｑられた炭化水素
副生物は精製■＾に関して不活性であり、処理流出流と
共に触媒床から追い出され、そしてパージングによるか
又は任意の他の便利な方式で得られる反応生成物の混合
物から容易に分離することができる。
脱カルボニル化及び炭化水素部分への一酸化炭素の変換
は、本発明の積層固定触媒床のＲｈ ／Ｃ触媒層中実質
的に同時におこると考えられる。
は、本発明の積層固定触媒床のＲｈ ／Ｃ触媒層中実質
的に同時におこると考えられる。
；ＢＥＴ法）、好適には約８００ｍ２７ｇ〜約１５００
ｍ２／ｇの表面積を有する顆粒の形態でココナツト炭
から誘導される活性炭である。しかし、他の多孔性炭素
質支持体又は基質は、表面積要件が満たされることがで
きるかぎり使用することができる。ココナツト炭の他に
、他の植物から又は動物源から誘導される活性化炭を利
用することができる。反応器中Ｐｄ ／Ｃ触媒層及びＲ
ｈ ／Ｃ触媒層の両方に対して、同じ型の活性炭が好適
に使用される。
ｍ２／ｇの表面積を有する顆粒の形態でココナツト炭
から誘導される活性炭である。しかし、他の多孔性炭素
質支持体又は基質は、表面積要件が満たされることがで
きるかぎり使用することができる。ココナツト炭の他に
、他の植物から又は動物源から誘導される活性化炭を利
用することができる。反応器中Ｐｄ ／Ｃ触媒層及びＲ
ｈ ／Ｃ触媒層の両方に対して、同じ型の活性炭が好適
に使用される。
パラジウムに対する担体上触媒金属の装荷は、触媒の全
重量１叩ち、金属プラス活性炭担体を基にして、かつ元
素状金属として計算して、約０．１重量％〜約２重Ｍ％
の範囲であることができる。
重量１叩ち、金属プラス活性炭担体を基にして、かつ元
素状金属として計算して、約０．１重量％〜約２重Ｍ％
の範囲であることができる。
一方、ロジウムに対する担体上の装荷ぽは、より広い範
囲、特定すれば、触媒の全Ｍ＠を基にして、かつ元素状
金属として計算して、約０．０１〜約２１％の範囲をも
つことができる。好適には、ロジウム金属装荷は約０．
５重６％ある。このような触媒は市販されている。
囲、特定すれば、触媒の全Ｍ＠を基にして、かつ元素状
金属として計算して、約０．０１〜約２１％の範囲をも
つことができる。好適には、ロジウム金属装荷は約０．
５重６％ある。このような触媒は市販されている。
適当なＰｄ ／Ｃ触媒は、例えば「活性化炭顆粒（カー
ボンコードＣＧ−５）上パラジウム」という名称で、ニ
ュージャーシイ州ニューアークのエンゲルハード・コー
ポレーションから得ることができる。同様に、適当なＲ
ｈ／Ｃ触媒は、［活性化炭顆粒（カーボンコードＣＧ−
５＞上ロジウム」及び「活性化炭顆粒（カーボンコード
ＣＧ−２１）上ロジウム」という名称で、エンゲルハー
ド・コーポレーションから得ることができる。これらの
Ｒｈ ／Ｇ触媒は共に、約１，０００１１１２ＩＱのＢ
ＥＴ； Ｎ２表面積を有し、又米国ふるい系列４×８メ
ツシユの粒子径を有する。同様な径及び表面積の他の適
当なＲｈ ／Ｃ触媒が、「１１７６６蒸気活性化炭顆粒
、無水上ロジウム、１％」という名称で、ニューハンプ
シャー州シーブルックのジョンソン・マツシイ・インコ
ーホレーテッドから入手できる。
ボンコードＣＧ−５）上パラジウム」という名称で、ニ
ュージャーシイ州ニューアークのエンゲルハード・コー
ポレーションから得ることができる。同様に、適当なＲ
ｈ／Ｃ触媒は、［活性化炭顆粒（カーボンコードＣＧ−
５＞上ロジウム」及び「活性化炭顆粒（カーボンコード
ＣＧ−２１）上ロジウム」という名称で、エンゲルハー
ド・コーポレーションから得ることができる。これらの
Ｒｈ ／Ｇ触媒は共に、約１，０００１１１２ＩＱのＢ
ＥＴ； Ｎ２表面積を有し、又米国ふるい系列４×８メ
ツシユの粒子径を有する。同様な径及び表面積の他の適
当なＲｈ ／Ｃ触媒が、「１１７６６蒸気活性化炭顆粒
、無水上ロジウム、１％」という名称で、ニューハンプ
シャー州シーブルックのジョンソン・マツシイ・インコ
ーホレーテッドから入手できる。
水素添加床中粒子状触媒床の相対的厚さに変えることが
できる：しかし、Ｐｄ ／Ｃ触媒層が、好適には触媒床
のより大きな部分を構成し、Ｒｈ／Ｃ触媒層が、触媒床
のより小さい部分を構成する。
できる：しかし、Ｐｄ ／Ｃ触媒層が、好適には触媒床
のより大きな部分を構成し、Ｒｈ／Ｃ触媒層が、触媒床
のより小さい部分を構成する。
触媒床は常に、粗テレフタル酸水溶液供給原料がそこを
通るに際して、層中での実質的なチャンネリングが避け
られるのに十分な厚さのものとする。
通るに際して、層中での実質的なチャンネリングが避け
られるのに十分な厚さのものとする。
この目的に対して、又実際問題として、触媒床の直径が
いくらであっても、Ｒｈ ／Ｃ触媒層は、少なくとも約
５０ｍｍ（約２インチ）の厚さである。
いくらであっても、Ｒｈ ／Ｃ触媒層は、少なくとも約
５０ｍｍ（約２インチ）の厚さである。
容量では、一次Ｐｄ ／Ｃ触媒層は、好適には二次Ｒｈ
／Ｃ触媒層の容積の約２〜約２０倍である。
／Ｃ触媒層の容積の約２〜約２０倍である。
即ち、一次触媒層対二次触媒層の容量比は約２：１〜約
２０：１である。好適には、この容量比は約１０：１で
ある。
２０：１である。好適には、この容量比は約１０：１で
ある。
Ｐｄ ｌＣ層及びＲｈ／Ｃ層中触媒金属の相対ｍは変る
ことができる。一般に、それぞれの床層中パラジウム及
びロジウムは、約２：１〜約１００：１のモル比、好適
には約１０＝１のモル比で存在する。
ことができる。一般に、それぞれの床層中パラジウム及
びロジウムは、約２：１〜約１００：１のモル比、好適
には約１０＝１のモル比で存在する。
反応条件下に供給される水素の量は、所望の程度のＴＯ
Ｌへの４−ＣＢＡの水素添加を達成し、かつ所望の炭化
水素部分への発生した一酸化炭素の変換を行なうのに十
分でなければならない。
Ｌへの４−ＣＢＡの水素添加を達成し、かつ所望の炭化
水素部分への発生した一酸化炭素の変換を行なうのに十
分でなければならない。
■叶への４−ＣＢへの変換の場合には、化学Ｒ部上の水
素の必要量は、このように変換される４−ＣＢＡ各モル
に対して２モルである。ＢＡへの４−ＣＢＡの変換の場
合には、化学量論上の水素の必要量は発生する一酸化炭
素のためである。メタンへのすべての発生した一酸化炭
素の変換のためには、この必要ｍは、ＢＡへ変換される
４ −ＣＢＡ各モルに対し水素３モルである。好適には
、触媒床に供給される水素の同は、触媒床中でおこって
いる前述した主な反応に対して化学量論上必要な伍の約
２倍である。
素の必要量は、このように変換される４−ＣＢＡ各モル
に対して２モルである。ＢＡへの４−ＣＢＡの変換の場
合には、化学量論上の水素の必要量は発生する一酸化炭
素のためである。メタンへのすべての発生した一酸化炭
素の変換のためには、この必要ｍは、ＢＡへ変換される
４ −ＣＢＡ各モルに対し水素３モルである。好適には
、触媒床に供給される水素の同は、触媒床中でおこって
いる前述した主な反応に対して化学量論上必要な伍の約
２倍である。
粗ＴＡ水溶液の触媒床を通る空間速度（ＴＡ溶液ボンド
／触媒ポンド／時間）は、約５時間−１〜約２５時間
、好適には約１０時間 〜約１５時間−１である。
／触媒ポンド／時間）は、約５時間−１〜約２５時間
、好適には約１０時間 〜約１５時間−１である。
触媒床中ＴＡ浴溶液滞留時間は、存在する触媒の活性に
よって変る。しかし、一般に、Ｐｄ ／Ｃ触媒層中のＴ
Ａ水溶液の滞留時間は、触媒床中のＴ汽水溶液の全滞留
時間の約６５％〜約９５％である。
よって変る。しかし、一般に、Ｐｄ ／Ｃ触媒層中のＴ
Ａ水溶液の滞留時間は、触媒床中のＴ汽水溶液の全滞留
時間の約６５％〜約９５％である。
４− ＣＢＡを含有する比較的不純な■＾水溶液の水素
添加によって、本発明を実、施するのに適当な積層触媒
床を図１に承り。反応器１０は、Ｍ製されるべき粗ＴＡ
水溶液１２で液体で充たされて示される。
添加によって、本発明を実、施するのに適当な積層触媒
床を図１に承り。反応器１０は、Ｍ製されるべき粗ＴＡ
水溶液１２で液体で充たされて示される。
この供給溶液は、コンジット１４を経て反応器１０には
いり、比較的低い４−ＣＢ＾ＢＡを有する精製Ｔ八木溶
液は、コンジット１６を経て流出液として底部において
反応器を出る。固定粒子状触媒床１８は、上部Ｐｄ ／
Ｃ触媒層２２及びそれより下部のＲｈ／Ｃ触媒層２４よ
り構成される。
いり、比較的低い４−ＣＢ＾ＢＡを有する精製Ｔ八木溶
液は、コンジット１６を経て流出液として底部において
反応器を出る。固定粒子状触媒床１８は、上部Ｐｄ ／
Ｃ触媒層２２及びそれより下部のＲｈ／Ｃ触媒層２４よ
り構成される。
本発明は、次の実施例によって更に例示される。
例１ニーＣＢへの によ゛【 ｄ
Ｐｄ ／Ｃ及びＲｈ ／Ｃ触媒の４− ＣＢＡを変換す
る性能を、約１ガロンの容量を有するチタンオートクレ
ーブ中で試験した。両触媒は、０．５重量％の触媒金属
装荷を有し、熱時洗浄、水素及びテレフタル酸の存在下
７２時間オートクレーブ中で経時させた。
る性能を、約１ガロンの容量を有するチタンオートクレ
ーブ中で試験した。両触媒は、０．５重量％の触媒金属
装荷を有し、熱時洗浄、水素及びテレフタル酸の存在下
７２時間オートクレーブ中で経時させた。
Ｐｄ／Ｃ触媒は、エンゲルハード・コーポレーションか
ら得られる市販の触媒であった。Ｒｈ／Ｃ触媒は、水中
２のＩ）ｌ−（値において、又支持体としてノース・ア
メリカン活性炭Ｇ −２０１を使用して、プレカーサー
どじて硝酸ロジウムから製造された。
ら得られる市販の触媒であった。Ｒｈ／Ｃ触媒は、水中
２のＩ）ｌ−（値において、又支持体としてノース・ア
メリカン活性炭Ｇ −２０１を使用して、プレカーサー
どじて硝酸ロジウムから製造された。
触媒の活性は、水（約１１９０ｇ＞中に粗ＴＡ（約２９
０ｇ）を溶解することによって製造された粗Ｔへ水溶液
中の４−ＣＢへの消失をモニターすることによって確か
められた。調製された溶液をオートクレーブに仕込み、
約５３０下に保った。その後水素 （反応器において５
０ｐｓｉ ）及び触媒（約４ｇ）をオートクレーブに添
加した。触媒添加の前、その後定期的間隔で粗Ｉ＾溶液
の試料を取り、４−Ｃ３Ａ含伍について分析した。次に
得られた分析結果をプロットし、図２に示される活性プ
ロフィルが得られた。図中Ｐｄ ／Ｃ触媒について活性
プロフィルは破線として示され、Ｒｈ ／Ｃ触媒につい
て活性プロフィルは実線として示される。
０ｇ）を溶解することによって製造された粗Ｔへ水溶液
中の４−ＣＢへの消失をモニターすることによって確か
められた。調製された溶液をオートクレーブに仕込み、
約５３０下に保った。その後水素 （反応器において５
０ｐｓｉ ）及び触媒（約４ｇ）をオートクレーブに添
加した。触媒添加の前、その後定期的間隔で粗Ｉ＾溶液
の試料を取り、４−Ｃ３Ａ含伍について分析した。次に
得られた分析結果をプロットし、図２に示される活性プ
ロフィルが得られた。図中Ｐｄ ／Ｃ触媒について活性
プロフィルは破線として示され、Ｒｈ ／Ｃ触媒につい
て活性プロフィルは実線として示される。
例２： −の ＴＡの 。
直径１インチそして固定触媒床を備えた、下降流型のバ
イロット・プラント反応器を使用して、約２８０℃（５
３５下）において、文種々の反応器圧力及び水素分圧に
おいて粗テレフタル酸水溶液（約１２重量％のＴＡ）を
精製した。反応器への溶液の供給速度は１時間あたり溶
液的１．６に９であった。
イロット・プラント反応器を使用して、約２８０℃（５
３５下）において、文種々の反応器圧力及び水素分圧に
おいて粗テレフタル酸水溶液（約１２重量％のＴＡ）を
精製した。反応器への溶液の供給速度は１時間あたり溶
液的１．６に９であった。
一連の実験の間、固定触媒床は、市販のＰｄ／Ｃ触ｔｓ
（活性炭支持体上０，５重量％のＰｄ；エンゲルハード
）４０ｇにより構成されていた。
（活性炭支持体上０，５重量％のＰｄ；エンゲルハード
）４０ｇにより構成されていた。
他の一連の実験の間、固定触媒床は、上部触媒層どして
前記のＰｄ ／Ｃ触＠４０９及び底部触ｔｓ層として粒
子状Ｒｈ／Ｃ触媒（０，１１但％のＲｈ；上の例１中製
造＞４９により構成されていた。
前記のＰｄ ／Ｃ触＠４０９及び底部触ｔｓ層として粒
子状Ｒｈ／Ｃ触媒（０，１１但％のＲｈ；上の例１中製
造＞４９により構成されていた。
積層触媒床を使用する更に他の一連の実験においては、
底部触媒層は、０．５重量％のＲｈを含有し、かつ０．
１重量％のＲｈ ／Ｃ触媒を製造したのと同様に製造さ
れたＲｈ ／Ｃ触媒ににり構成されていた。
底部触媒層は、０．５重量％のＲｈを含有し、かつ０．
１重量％のＲｈ ／Ｃ触媒を製造したのと同様に製造さ
れたＲｈ ／Ｃ触媒ににり構成されていた。
これらの実験において使用された触媒を、例１ど同様に
Ｔ＾水溶液及び水素の存在下にオートクレーブ中７２時
間経時させた。
Ｔ＾水溶液及び水素の存在下にオートクレーブ中７２時
間経時させた。
観察された結果を下の人工にまとめる。
上の結果は、反応器からの水素添加された流出流中４−
ＣＢＡ ８度の実質的な減少の処理を受ける流れと接
触する最後の層としてＲｈ ／Ｃ触媒層を使用すること
によって得られることを明示する。
ＣＢＡ ８度の実質的な減少の処理を受ける流れと接
触する最後の層としてＲｈ ／Ｃ触媒層を使用すること
によって得られることを明示する。
前述した討論及び実施例は、本発明の例示を意図し、限
定としてとられるべきでない。本発明の範囲内でその他
の変法が可能である。
定としてとられるべきでない。本発明の範囲内でその他
の変法が可能である。
図１は、本発明を用いる積層粒子状触媒床のダイアグラ
ム図である。反応器１０１粗ＴＡ水溶液１２、固定粒子
状触媒床１４である。 図２は、Ｐｄ ／Ｃ及びＲｈ ／Ｃ触媒による４−ＣＢ
Ａの変化を示すグラフである。Ｐｄ ／Ｃ触媒の活性プ
ロフィルは破線、Ｒｈ ／Ｃ触媒の活性プロフィルは実
線によって示される。 特許出願人 アモコ・コーポレイション介Ｚろ
ム図である。反応器１０１粗ＴＡ水溶液１２、固定粒子
状触媒床１４である。 図２は、Ｐｄ ／Ｃ及びＲｈ ／Ｃ触媒による４−ＣＢ
Ａの変化を示すグラフである。Ｐｄ ／Ｃ触媒の活性プ
ロフィルは破線、Ｒｈ ／Ｃ触媒の活性プロフィルは実
線によって示される。 特許出願人 アモコ・コーポレイション介Ｚろ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、重量で、約１０，０００ｐｐｍまでの４−カルボキ
シベンズアルデヒドを含有する比較的不純なテレフタル
酸の精製法であって、次の工程、すなわち 該不純なテレフタル酸の水溶液を約１００℃〜約３５０
℃の温度において、かつ溶液を液相に保つのに十分な圧
力において、粒子状触媒床に、かつ水素の存在下に通し
；該粒子状触媒床は、活性炭担体上に支持されたパラジ
ウムより構成される一次触媒層及び活性炭担体上支持さ
れたロジウムより構成された二次触媒床を含み、そして
該水溶液は最初触媒床の一次層に、次に触媒床の二次層
に通され；そして その後水素添加された水溶液を冷却して、 結晶化によって該溶液から比較的純粋なテレフタル酸の
分離を行なうことからなる上記精製法。 ２、水素添加が約２７５℃〜約３００℃の温度及び約９
００ｐｓｉｇ〜約１，２００ｐｓｉｇの圧力において実
施され、又水素が、化学量論上所要の量の約２倍の量で
存在することよりなる特許請求の範囲第１項記載の方法
。 ３、触媒床を通るテレフタル酸水溶液の空間速度が、約
５時間＾−＾１〜約２５時間＾−＾１であることよりな
る特許請求の範囲第１項記載の方法。 ４、触媒床を通るテレフタル酸水溶液の空間速度が、約
１０時間＾−＾１〜約１５時間＾−＾１であることより
なる特許請求の範囲第１項記載の方法。 ５、該一次触媒層中テレフタル酸水溶液の滞留時間が、
粒子状触媒床中のテレフタル酸水溶液の全滞留時間の約
６５％〜約９５％であることよりなる特許請求の範囲第
１項記載の方法。 ６、ロジウムが、触媒の全重量を基にして、かつ元素状
金属として計算して、二次触媒層中約０．０１〜約２重
量％の濃度で存在することよりなる特許請求の範囲第１
項記載の方法。 ７、粒子状活性炭担体上パラジウムにより構成される一
次触媒層；及び 該一次触媒層より下流の、かつ粒子状活性 炭担体上ロジウムにより構成される二次触媒層からなる
４−カルボキシベンズアルデヒドを含有する比較的不純
なテレフタル酸の水溶液の水素添加に適した積層触媒床
。 ８、該一次触媒層が触媒床のより大きい部分を構成し、
又該二次触媒層が触媒床のより小さい部分を構成するこ
とよりなる特許請求の範囲第７項記載の積層触媒床。 ９、該ロジウムが、触媒の合わせた重量を基にして、か
つ元素状金属として計算して、その粒子状担体上に約０
．０１〜約２重量％の量で存在することよりなる特許請
求の範囲第７ 項記載の積層触媒床。 １０、該ロジウムが、担体とロジウムとの合わせた重量
を基にして、かつ元素状金属として計算して、その粒子
状担体上約０．５重量％の量で存在することよりなる特
許請求の範囲第７項記載の積層触媒床。 １１、二次触媒層が少なくとも約５０ｍｍの厚さである
ことよりなる特許請求の範囲第７項記載の積層触媒床。 １２、一次触媒層対二次触媒層の容積比が約２：１〜約
２０：１であることよりなる特許請求の範囲第７項記載
の積層触媒床。 １３、一次触媒層対二次触媒層の容積比が約１０：１で
あることよりなる特許請求の範囲第７項記載の積層触媒
床。 １４、一次触媒層中該パラジウム対二次触媒層中ロジウ
ムのモル比が約２：１〜１００〜１であることよりなる
特許請求の範囲第７項記載の積層触媒床。 １５、一次触媒層中該パラジウム対二次触媒層中にロジ
ウムのモル比が約１０：１であることよりなる特許請求
の範囲第７項記載の積層触媒床。 １６、一次触媒層中パラジウム濃度が、元素状金属とし
て計算して、その触媒の約０．１〜約２重量％であり、
又二次触媒中ロジウム濃度が、元素状金属として計算し
て、その触媒の約 ０．０１〜約２重量％であることよりなる特許請求の範
囲第７項記載の積層触媒床。 １７、一次触媒層中パラジウム濃度が、元素状金属とし
て計算して、約０．５重量％であり、又二次触媒層中ロ
ジウム濃度が、元素状金属として計算して、約０．５重
量％であることよりなる特許請求の範囲第７項記載の積
層触媒床。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US785321 | 1985-10-07 | ||
| US06/785,321 US4629715A (en) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | Purification of terephthalic acid to relatively low levels of 4-carboxybenzaldehyde and catalyst therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62129247A true JPS62129247A (ja) | 1987-06-11 |
Family
ID=25135114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61238987A Pending JPS62129247A (ja) | 1985-10-07 | 1986-10-07 | 粗テレフタル酸の精製法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4629715A (ja) |
| EP (1) | EP0222499B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62129247A (ja) |
| KR (1) | KR900006441B1 (ja) |
| CN (1) | CN1019112B (ja) |
| AT (1) | ATE59630T1 (ja) |
| DE (1) | DE3676444D1 (ja) |
| ES (1) | ES2019289B3 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008511653A (ja) * | 2004-09-02 | 2008-04-17 | イーストマン ケミカル カンパニー | 芳香族ジカルボン酸の最適化製造 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4808751A (en) * | 1988-03-29 | 1989-02-28 | Amoco Corporation | Method for reactivating a group VIII noble metal catalyst for use in the purification of crude terephthalic acid |
| JP2931048B2 (ja) * | 1990-07-04 | 1999-08-09 | 三井化学株式会社 | 高純度テレフタル酸の製造方法 |
| US5354898A (en) * | 1993-06-17 | 1994-10-11 | Amoco Corporation | Method for purifying crude aromatic carboxylic acids |
| US6013835A (en) * | 1995-06-07 | 2000-01-11 | Hfm International, Inc. | Method and apparatus for preparing purified terephthalic acid |
| US5767311A (en) * | 1995-06-07 | 1998-06-16 | Glitsch International, Inc. | Method and apparatus for preparing purified terephtalic acid |
| US5929274A (en) * | 1995-06-07 | 1999-07-27 | Hfm International, Inc. | Method to reduce carboxybenzaldehyde isomers in terephthalic acid or isophthalic acid |
| US6054610A (en) * | 1995-06-07 | 2000-04-25 | Hfm International, Inc. | Method and apparatus for preparing purified terephthalic acid and isophthalic acid from mixed xylenes |
| US5616792A (en) * | 1996-02-01 | 1997-04-01 | Amoco Corporation | Catalytic purification of dicarboxylic aromatic acid |
| US5756833A (en) * | 1996-02-01 | 1998-05-26 | Amoco Corporation | Catalytic purification and recovery of dicarboxylic aromatic acids |
| ITMI971161A1 (it) * | 1997-05-19 | 1998-11-19 | Montecatini Tecnologie Srl | Catalizzatori di idrogenazione |
| US6265608B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-07-24 | Eastman Chemical Company | Method of purifying aromatic dicarboxylic acids |
| US6245939B1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-06-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for producing highly pure aromatic carboxylic acids |
| RU2146172C1 (ru) * | 1999-07-29 | 2000-03-10 | Институт катализа им.Г.К.Борескова СО РАН | Каталитическая композиция, способ ее приготовления и способ очистки терефталевой кислоты |
| KR100642133B1 (ko) * | 2000-06-14 | 2006-11-13 | 삼성토탈 주식회사 | 수소화 정제용 촉매의 성능평가 방법 |
| US6649263B2 (en) * | 2001-11-16 | 2003-11-18 | Honeywell International Inc. | Polyester resin and industrial yarn process |
| US20030120109A1 (en) * | 2001-12-20 | 2003-06-26 | Rosen Bruce I. | Purification of a crude acid mixture |
| US7135596B2 (en) * | 2002-04-23 | 2006-11-14 | Bp Corporation North America Inc. | Method of removing iron contaminants from liquid streams during the manufacture and/or purification of aromatic acids |
| KR101309476B1 (ko) * | 2004-12-13 | 2013-09-23 | 비피 코포레이션 노쓰 아메리카 인코포레이티드 | 방향족 카르복실산의 정제 방법 |
| WO2006102459A1 (en) * | 2005-03-21 | 2006-09-28 | Bp Corporation North America Inc. | Process and apparatus for manufacturing aromatic carboxylic acids including pure forms thereof |
| IN2012DN02459A (ja) | 2009-09-30 | 2015-08-21 | Bp Corp North America Inc | |
| WO2011100682A2 (en) * | 2010-02-15 | 2011-08-18 | Invista Technologies S.A.R.L. | Purification of carboxylic acids by catalytic hydrogenation |
| US8748479B2 (en) | 2012-06-22 | 2014-06-10 | Eastman Chemical Company | Process for purifying crude furan 2,5-dicarboxylic acid using hydrogenation |
| CN103721706B (zh) * | 2012-10-15 | 2016-08-03 | 中国石油化工股份有限公司 | 对苯二甲酸精制钯炭催化剂还原洗涤方法 |
| EP3083543B1 (en) | 2013-12-18 | 2021-04-14 | Ineos Us Chemicals Company | Improved process for manufacturing aromatic carboxylic acids |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3546285A (en) * | 1967-06-20 | 1970-12-08 | Celanese Corp | Process of purifying aromatic dicarboxylic acids |
| US3584039A (en) * | 1967-08-30 | 1971-06-08 | Standard Oil Co | Fiber-grade terephthalic acid by catalytic hydrogen treatment of dissolved impure terephthalic acid |
| US3639465A (en) * | 1968-06-18 | 1972-02-01 | Standard Oil Co | Purification of aromatic polycarboxylic acids by catalytic reduction using prehumidified hydrogen |
| US3726915A (en) * | 1970-07-13 | 1973-04-10 | Standard Oil Co | Phthalic acid purification with copper activated palladium on carbon catalysts |
| FR2307788A1 (fr) * | 1975-04-14 | 1976-11-12 | Inst Francais Du Petrole | Procede de purification d'acides benzenes dicarboxyliques |
| GB1578725A (en) * | 1977-03-02 | 1980-11-05 | Johnson Matthey Co Ltd | Catalytic process for the purification of terephthalic acid |
| US4467110A (en) * | 1981-10-29 | 1984-08-21 | Standard Oil Company (Indiana) | Process for purification of crude terephthalic acid |
| US4405809A (en) * | 1981-12-04 | 1983-09-20 | Standard Oil Company (Indiana) | Process for the manufacture of aromatic polycarboxylic acids having delta Y values below ten |
-
1985
- 1985-10-07 US US06/785,321 patent/US4629715A/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-10-03 ES ES86307679T patent/ES2019289B3/es not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-03 DE DE8686307679T patent/DE3676444D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-10-03 EP EP86307679A patent/EP0222499B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-03 AT AT86307679T patent/ATE59630T1/de not_active IP Right Cessation
- 1986-10-07 KR KR1019860008398A patent/KR900006441B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-10-07 CN CN86106988A patent/CN1019112B/zh not_active Expired
- 1986-10-07 JP JP61238987A patent/JPS62129247A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008511653A (ja) * | 2004-09-02 | 2008-04-17 | イーストマン ケミカル カンパニー | 芳香族ジカルボン酸の最適化製造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3676444D1 (de) | 1991-02-07 |
| US4629715A (en) | 1986-12-16 |
| CN86106988A (zh) | 1987-04-08 |
| KR870003965A (ko) | 1987-05-06 |
| EP0222499B1 (en) | 1991-01-02 |
| EP0222499A1 (en) | 1987-05-20 |
| CN1019112B (zh) | 1992-11-18 |
| KR900006441B1 (ko) | 1990-08-31 |
| ATE59630T1 (de) | 1991-01-15 |
| ES2019289B3 (es) | 1991-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62129247A (ja) | 粗テレフタル酸の精製法 | |
| EP1497252B1 (en) | Method of removing iron contaminants from liquid streams during the manufacture and/or purification of aromatic acids | |
| RU2374219C2 (ru) | Ступенчатое противоточное каталитическое окисление дизамещенного бензола | |
| US4892972A (en) | Purification of crude terephthalic acid | |
| EP1091922B1 (en) | Method of purifying aromatic dicarboxylic acids | |
| JPH09511253A (ja) | 効率的なエネルギー回収が可能な芳香族カルボン酸の製造法 | |
| TW200800878A (en) | Process for the reduction of aldehyde concentration in a target stream | |
| US6790983B1 (en) | Integrated process for the production of vinyl acetate | |
| CA2591414A1 (en) | Process for preparing aromatic carboxylic acids | |
| EP0335501B1 (en) | Method for reactivating a group viii noble metal catalyst for use in the purification of crude terephthalic acid | |
| JPH0557023B2 (ja) | ||
| CA2141789C (en) | Process for preparing phenylterephthalic acid | |
| EP0222500B1 (en) | Purification of crude terephthalic acid | |
| EP3178805B1 (en) | Method and apparatus for continuous manufacturing of acrylic acid through propane partial oxidation | |
| US6833472B2 (en) | Process for the purification of aromatic carboxylic acids | |
| JPS60178834A (ja) | 高純度エチレングリコール類の製造方法 | |
| KR20020003235A (ko) | 방향족 산의 제조 및 정제 방법 | |
| RU2399610C2 (ru) | Способ получения терефталевой кислоты высокой чистоты | |
| JPS62129248A (ja) | 粗製テレフタル酸の精製 | |
| JPS6113711B2 (ja) |