JPS621276B2 - - Google Patents
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- JPS621276B2 JPS621276B2 JP54094091A JP9409179A JPS621276B2 JP S621276 B2 JPS621276 B2 JP S621276B2 JP 54094091 A JP54094091 A JP 54094091A JP 9409179 A JP9409179 A JP 9409179A JP S621276 B2 JPS621276 B2 JP S621276B2
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- Japan
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- switching member
- current switch
- persistent current
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/84—Switching means for devices switchable between superconducting and normal states
Landscapes
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、超電導コイルの両端子間を超電導
的に短絡するための永久電流スイツチに関するも
のである。
的に短絡するための永久電流スイツチに関するも
のである。
従来この種の装置として第１図に示すものがあ
つた。第１図ａにおいて、１は超電導線でできた
スイツチング部材、２はヒータ線、３は断熱部で
ある。
つた。第１図ａにおいて、１は超電導線でできた
スイツチング部材、２はヒータ線、３は断熱部で
ある。
第１図ｂは第１図ａに示されたものより具体的
な構成を示す断面図で、４はスイツチング部材
１、ヒーター線２が巻回された巻枠である。
な構成を示す断面図で、４はスイツチング部材
１、ヒーター線２が巻回された巻枠である。
尚、永久電流スイツチは通常ヘリウム液体中に
浸漬された状態で所用される。
浸漬された状態で所用される。
次に動作について説明する。永久電流スイツチ
は液体ヘリウムで冷却されており、超電導線１は
超電導状態になつて電気抵抗が零である。これが
ON状態に対応する。ヒータ２に通電すると断熱
部３に囲まれているために超電導線からなるスイ
ツチング部材１の温度が上昇しその臨界温度以上
となつて、常電導状態になり有限の電気抵抗が発
生する。これがOFF状態に対応する。ヒータ２
の加熱を中断すれば、冷却によつてON状態に復
帰する。このようにして、ON−OFFのスイツチ
ングが成される。スイツチング物材１の材料であ
る超電導線としては合金系超電導体ニオブチタン
（Nb−Ti）が使用されていた。
は液体ヘリウムで冷却されており、超電導線１は
超電導状態になつて電気抵抗が零である。これが
ON状態に対応する。ヒータ２に通電すると断熱
部３に囲まれているために超電導線からなるスイ
ツチング部材１の温度が上昇しその臨界温度以上
となつて、常電導状態になり有限の電気抵抗が発
生する。これがOFF状態に対応する。ヒータ２
の加熱を中断すれば、冷却によつてON状態に復
帰する。このようにして、ON−OFFのスイツチ
ングが成される。スイツチング物材１の材料であ
る超電導線としては合金系超電導体ニオブチタン
（Nb−Ti）が使用されていた。
従来の永久電流スイツチは以上のように構成さ
れていたので、超電導線からなるスイツチング部
材１の常電導状態の電気抵抗が小さく、良好なス
イツチング効果が得られにくかつた。一方電気抵
坑を高くするためには超電導線つまりスイツチン
グ部材１の断面積を小さくするか、長さを長くす
ればよいが、そのようにすると通電電流容量が低
下したり、或いは永久電流スイツチの容積が大き
くなり、更にはヒータ電力消費が増大するなどの
欠点があつた。
れていたので、超電導線からなるスイツチング部
材１の常電導状態の電気抵抗が小さく、良好なス
イツチング効果が得られにくかつた。一方電気抵
坑を高くするためには超電導線つまりスイツチン
グ部材１の断面積を小さくするか、長さを長くす
ればよいが、そのようにすると通電電流容量が低
下したり、或いは永久電流スイツチの容積が大き
くなり、更にはヒータ電力消費が増大するなどの
欠点があつた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたものでスイツチング部材と
して従来の超電導線の代りに高い常電導固有抵抗
を有するパブロスカイト固溶体化合物あるいはシ
エブレル相化合物などの低キヤリア濃度の超電導
体を用いることにより、小形でOFF状態の電気
抵抗が高くとれ、かつヒータ電力消費が少なくて
すむ永久電流スイツチを提供することを目的とし
ている。
去するためになされたものでスイツチング部材と
して従来の超電導線の代りに高い常電導固有抵抗
を有するパブロスカイト固溶体化合物あるいはシ
エブレル相化合物などの低キヤリア濃度の超電導
体を用いることにより、小形でOFF状態の電気
抵抗が高くとれ、かつヒータ電力消費が少なくて
すむ永久電流スイツチを提供することを目的とし
ている。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。第２図において、１はパブロスカイト固溶体
化合物あるいはシエブレル相化合物からなる棒状
のスイツチング部材、５は銅でできた端子で、こ
の端子５はスイツチング部材１にろう付けなどに
よつて強固に電気的かつ機械的に連結されてい
る。
る。第２図において、１はパブロスカイト固溶体
化合物あるいはシエブレル相化合物からなる棒状
のスイツチング部材、５は銅でできた端子で、こ
の端子５はスイツチング部材１にろう付けなどに
よつて強固に電気的かつ機械的に連結されてい
る。
パブロスカイト固溶体化合物の一例である
BaPb0.7Bi0.3O3について、極低温近傍の固有抵抗
の測定例を第３図に示した。BaPb0.7Bi0.3O3はこ
の場合焼結法によつて製作した。第３図によれば
８〓以下の温度領域で超電導状態となり抵抗は零
となる。ここで特記すべきは、その常電導固有抵
抗が５×10-2Ω−cmと極めて大きい事である。こ
れは前述のニオブチタン（Nb−Ti）超電導合金
の固有抵抗の104倍に相当する。
BaPb0.7Bi0.3O3について、極低温近傍の固有抵抗
の測定例を第３図に示した。BaPb0.7Bi0.3O3はこ
の場合焼結法によつて製作した。第３図によれば
８〓以下の温度領域で超電導状態となり抵抗は零
となる。ここで特記すべきは、その常電導固有抵
抗が５×10-2Ω−cmと極めて大きい事である。こ
れは前述のニオブチタン（Nb−Ti）超電導合金
の固有抵抗の104倍に相当する。
このようにパブロスカイト固溶体化合物は超電
導体のうちでも、常電導状態において電荷担体の
数が合金系の超電導体に比べ極めて少ない。この
意味において、パブロスカイト固溶体化合物はキ
ヤリア濃度の低い超電導体である。
導体のうちでも、常電導状態において電荷担体の
数が合金系の超電導体に比べ極めて少ない。この
意味において、パブロスカイト固溶体化合物はキ
ヤリア濃度の低い超電導体である。
以上の説明から明らかなようにBaPb0.7Bi0.3は
極めて大きな常電導固有抵抗を有するので、
BaPb0.7Bi0.3を用いれば第２図の実施例に示すよ
うにスイツチング部材１の形状を板状又は棒状と
することができ、機械的に強固かつ小形の永久電
流スイツチが実現できる。なお、端子５を設ける
ことによつて本発明の永久スイツチと超電導コイ
ルの電気的接続は容易におこなうことができる。
さらに端子５として第４図の如く銅材に超電導合
金ニオブチタン（Nb−Ti）をマルチフイラメン
ト状に埋め込んだもの、あるいはニオブチタン
（Nb−Ti）超電導線と半田づけしたものを使用す
れば端子５の部分の漂遊的電気抵抗を極小化でき
る利点がある。
極めて大きな常電導固有抵抗を有するので、
BaPb0.7Bi0.3を用いれば第２図の実施例に示すよ
うにスイツチング部材１の形状を板状又は棒状と
することができ、機械的に強固かつ小形の永久電
流スイツチが実現できる。なお、端子５を設ける
ことによつて本発明の永久スイツチと超電導コイ
ルの電気的接続は容易におこなうことができる。
さらに端子５として第４図の如く銅材に超電導合
金ニオブチタン（Nb−Ti）をマルチフイラメン
ト状に埋め込んだもの、あるいはニオブチタン
（Nb−Ti）超電導線と半田づけしたものを使用す
れば端子５の部分の漂遊的電気抵抗を極小化でき
る利点がある。
第４図に示すものは角柱状の銅部材６の表面に
二条の溝部を設けこれらの溝部に合金係マルチフ
イラメント形超電導線７を半田づけできるように
なつている。一方端部には嵌合部８が設けられて
おり、この嵌合部８に棒状又は板状のスイツチン
グ部材１を嵌め込んでスイツチング部材１と端子
５とをはんだ付け又はろう付けなどして両者が一
体化されている。
二条の溝部を設けこれらの溝部に合金係マルチフ
イラメント形超電導線７を半田づけできるように
なつている。一方端部には嵌合部８が設けられて
おり、この嵌合部８に棒状又は板状のスイツチン
グ部材１を嵌め込んでスイツチング部材１と端子
５とをはんだ付け又はろう付けなどして両者が一
体化されている。
なお、BaPb0.7Bi0.3O3の代りにBaPb1-xBixO3と
し、そのｘを変化させることにより、臨界温度や
常電導固有抵抗を最適のものに選定することが可
能である。
し、そのｘを変化させることにより、臨界温度や
常電導固有抵抗を最適のものに選定することが可
能である。
さらにスイツチング部材１の材料としてシエブ
レル相化合物と呼ばれているＭxMo6S8を用いて
も本発明の効果が得られる。例えばPbMo6S8は臨
界温度が18〓であり、常電導固有抵抗ρ＝20×
10-6Ω−cmであるが本発明に適用できる。
レル相化合物と呼ばれているＭxMo6S8を用いて
も本発明の効果が得られる。例えばPbMo6S8は臨
界温度が18〓であり、常電導固有抵抗ρ＝20×
10-6Ω−cmであるが本発明に適用できる。
以上のようにこの発明によれば永久電流スイツ
チのスイツチング部材を構成する超電導体として
パブロスカイト固容体化合物ないしシエブレル相
化合物などの低キヤリア濃度の超電導体を用いて
永久電流スイツチを構成したので小形でヒータ電
力消費の小さく高性能な永久電流スイツチが実現
できる。
チのスイツチング部材を構成する超電導体として
パブロスカイト固容体化合物ないしシエブレル相
化合物などの低キヤリア濃度の超電導体を用いて
永久電流スイツチを構成したので小形でヒータ電
力消費の小さく高性能な永久電流スイツチが実現
できる。
第１図ａは従来の永久電流スイツチの原理構造
を示す図、第１図ｂは第１図ａに示したもののよ
り具体的構造を示す断面側面図、第２図はこの発
明の一実施例を示す断面側面図、第３図はこの発
明に適用し得るパブロスカイト固容体化合物の極
低温における電気抵抗の測定結果の例を示す図、
第４図はこの発明に適用しうる端子構造の例を示
す断面斜視図である。 １……スイツチング部材、２……ヒータ線、３
……断熱部、４……巻枠、５……端子、６……銅
部材、７……合金系超電導線材、８……嵌合部。
尚、図中同一符号は同一或いは相当部分を示す。
を示す図、第１図ｂは第１図ａに示したもののよ
り具体的構造を示す断面側面図、第２図はこの発
明の一実施例を示す断面側面図、第３図はこの発
明に適用し得るパブロスカイト固容体化合物の極
低温における電気抵抗の測定結果の例を示す図、
第４図はこの発明に適用しうる端子構造の例を示
す断面斜視図である。 １……スイツチング部材、２……ヒータ線、３
……断熱部、４……巻枠、５……端子、６……銅
部材、７……合金系超電導線材、８……嵌合部。
尚、図中同一符号は同一或いは相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 低キヤリア濃度の超電導体からなるスイツチ
ング部材、このスイツチング部材と電気的に接続
され且つ上記スイツチング部材を保持する端子
部、所望時に上記スイツチング部材を加熱し上記
スイツチング部材を常電導状態に至らしめる加熱
部、上記スイツチング部材及び上記加熱部を囲繞
するように設けられた断熱部とを備えてなる永久
電流スイツチ。 ２ 低キヤリア濃度の超電導体はパブロスカイト
固溶体化合物又はシエブレル相化合物からなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の永久
電流スイツチ。 ３ スイツチング部材は棒状又は板状に形成され
てなることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第２項に記載の永久電流スイツチ。 ４ 加熱部はスイツチング部材に巻回されてなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
３項のいずれかに記載の永久電流スイツチ。 ５ 端子部は常電導体と合金系超電導部材との電
気的並列体から構成されてなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに
記載の永久電流スイツチ。 ６ 端子部は棒状の銅体とこの銅体の表面部に埋
設された合金系マルチフイラメント形超電導線と
から構成されてなることを特徴とする特許請求の
範囲第５項記載の永久電流スイツチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9409179A JPS5618482A (en) | 1979-07-24 | 1979-07-24 | Permanent current switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9409179A JPS5618482A (en) | 1979-07-24 | 1979-07-24 | Permanent current switch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5618482A JPS5618482A (en) | 1981-02-21 |
| JPS621276B2 true JPS621276B2 (ja) | 1987-01-12 |
Family
ID=14100778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9409179A Granted JPS5618482A (en) | 1979-07-24 | 1979-07-24 | Permanent current switch |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5618482A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02145460U (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-10 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4586017A (en) * | 1983-09-12 | 1986-04-29 | General Electric Company | Persistent current switch for high energy superconductive solenoids |
| JPH0649542Y2 (ja) * | 1986-05-30 | 1994-12-14 | 日本精機株式会社 | 包装機の搬出装置 |
| FR2616967B1 (fr) * | 1987-06-16 | 1990-09-07 | Thomson Cgr | Interrupteur utilisant la supraconductivite et application aux antennes pour appareils d'imagerie par resonance magnetique nucleaire |
| JPH02159078A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-19 | Shimadzu Corp | Ｓｑｕｉｄ素子 |
| WO2009157532A1 (ja) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | 国立大学法人京都大学 | 超電導電力変換器 |
-
1979
- 1979-07-24 JP JP9409179A patent/JPS5618482A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02145460U (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-10 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5618482A (en) | 1981-02-21 |
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