JPS62124738A - ウエフア熱処理装置 - Google Patents
ウエフア熱処理装置Info
- Publication number
- JPS62124738A JPS62124738A JP26670685A JP26670685A JPS62124738A JP S62124738 A JPS62124738 A JP S62124738A JP 26670685 A JP26670685 A JP 26670685A JP 26670685 A JP26670685 A JP 26670685A JP S62124738 A JPS62124738 A JP S62124738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- gas
- heating
- wafers
- heating tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置におけるウェファの熱処理装置に
関するものである。
関するものである。
〔従来の技術Ｊ
第４図は従来のウェファの熱処理装置を示す断面図であ
り２図において、（１）はウェファが収納される加熱チ
ューブ、（２）はこの加熱チューブ内に熱処理雰囲気ガ
スを流すためのガス導入ノズル（２ａ）を備えた開閉蓋
、（３）は加熱用のヒーター、（４）は熱処理雰囲気ガ
スの排出管である。
り２図において、（１）はウェファが収納される加熱チ
ューブ、（２）はこの加熱チューブ内に熱処理雰囲気ガ
スを流すためのガス導入ノズル（２ａ）を備えた開閉蓋
、（３）は加熱用のヒーター、（４）は熱処理雰囲気ガ
スの排出管である。
ところで上記従来の加熱チューブ（１）では、これがヒ
ーター（３）によって加熱されると同時にガス導入ノズ
ル（２ａ）より熱処理雰囲気ガスを取り入れ。
ーター（３）によって加熱されると同時にガス導入ノズ
ル（２ａ）より熱処理雰囲気ガスを取り入れ。
反対側の排出管（４）から排出することで、加熱チュー
ブ（１１内を一定の雰囲気に保っておシ、そして。
ブ（１１内を一定の雰囲気に保っておシ、そして。
このように維持された加熱チューブ内では加熱チューブ
の開口からボートと共に予め押し込まれたウェファを内
部の熱処理雰囲気ガス中で加熱するようになっている。
の開口からボートと共に予め押し込まれたウェファを内
部の熱処理雰囲気ガス中で加熱するようになっている。
なお９通常、上記ポートの上には例えば２５０枚のウェ
ファが３龍ピツチの等間隔で並べられ、これらが加熱チ
ューブ内で同時に加熱処理されるようになっている。
ファが３龍ピツチの等間隔で並べられ、これらが加熱チ
ューブ内で同時に加熱処理されるようになっている。
以上のように従来の場合は、熱処理雰囲気ガスを予熱せ
ずにそのまま加熱チューブ内に流すためにガス導入部に
近いところのウェファは他の遠いところのウェファにく
らべ処理される温度が低くなり、かつ急激な温度変化に
よシ熱歪が生じやすく、これがためウェファに特性上の
差ができ２例えば熱処理雰囲気ガスが酸素である場合は
酸化膜の膜厚の差となり、また同一ウェファではその面
内酸化分布が不均一であったり、あるいは熱歪によるそ
りが発生したりするなどの問題点があった。
ずにそのまま加熱チューブ内に流すためにガス導入部に
近いところのウェファは他の遠いところのウェファにく
らべ処理される温度が低くなり、かつ急激な温度変化に
よシ熱歪が生じやすく、これがためウェファに特性上の
差ができ２例えば熱処理雰囲気ガスが酸素である場合は
酸化膜の膜厚の差となり、また同一ウェファではその面
内酸化分布が不均一であったり、あるいは熱歪によるそ
りが発生したりするなどの問題点があった。
この発明は上記の問題点を解消するためになされたもの
で、！設された各ウェファに熱処理温度の差を生じさせ
ないように、加熱チューブ内に予熱された熱処理雰囲気
ガスを導入することを目的とする。
で、！設された各ウェファに熱処理温度の差を生じさせ
ないように、加熱チューブ内に予熱された熱処理雰囲気
ガスを導入することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段Ｊ
この発明の場合は、加熱チューブ内に導入される熱処理
雰囲気ガスをその導入途中において予熱し、所定温度に
加熱された状態で加熱チューブ内に送るようにしている
。
雰囲気ガスをその導入途中において予熱し、所定温度に
加熱された状態で加熱チューブ内に送るようにしている
。
この発明の場合は、ガス導入経路に加熱チューブに対す
る加熱用のヒーターで加熱される通路を設けているので
、ウェファに当る熱処理雰囲気ガスは導入の最初から所
定温度に加熱されズいる。
る加熱用のヒーターで加熱される通路を設けているので
、ウェファに当る熱処理雰囲気ガスは導入の最初から所
定温度に加熱されズいる。
以下、この発明の一実施例について説明する。
すなわち第１図はこの発明の熱処理装置を示す断面図で
あり２図において、（１）は熱処理されるウェファが収
納される石英等の加熱チューブ、（５）はこの加熱チュ
ーブ（１）内に熱処理雰囲気ガスを流すための石英等か
ら成るガス導入筒であり、加熱チューブ（１）の開口端
に着脱自在に取付けられている。
あり２図において、（１）は熱処理されるウェファが収
納される石英等の加熱チューブ、（５）はこの加熱チュ
ーブ（１）内に熱処理雰囲気ガスを流すための石英等か
ら成るガス導入筒であり、加熱チューブ（１）の開口端
に着脱自在に取付けられている。
（３）は加熱チューブ（１）とガス導入筒（５）の双方
の加熱用のヒーターであ！＋、（５ａ）はガス導入筒（
５）に取付けたガス導入ノズル、 （ｓｂ）゛はガス導
入筒（５）の内周面にその一端を等間隔に上下互いに植
立させたガス加熱用遮蔽板で、第２図はこの加熱用遮蔽
板の正面図であり、これらの組み合わせ溶接によシ。
の加熱用のヒーターであ！＋、（５ａ）はガス導入筒（
５）に取付けたガス導入ノズル、 （ｓｂ）゛はガス導
入筒（５）の内周面にその一端を等間隔に上下互いに植
立させたガス加熱用遮蔽板で、第２図はこの加熱用遮蔽
板の正面図であり、これらの組み合わせ溶接によシ。
ガス導入筒（５）内に第１図に示す蛇行状の通路（６）
が形成されている。さらに第３図の（５ｃ）はガス導入
筒（５）と加熱チューブ（１）との間に位置するガス導
入筒の最後の円形遮蔽板であり、中央部に連通穴（７）
が開設されている。その他用１図の（４）は熱処理雰囲
気ガスの排出管である。
が形成されている。さらに第３図の（５ｃ）はガス導入
筒（５）と加熱チューブ（１）との間に位置するガス導
入筒の最後の円形遮蔽板であり、中央部に連通穴（７）
が開設されている。その他用１図の（４）は熱処理雰囲
気ガスの排出管である。
この発明の装置ではガス導入ノズル（５ａ）から流れ込
んだ熱処理雰囲気ガスはガス導入筒（５）内の最初の加
熱用遮蔽板（５ｂ）に当り加熱され、蛇行しながら次の
加熱用遮蔽板に向い、引き続き加熱される。このように
して複数枚の加熱用遮蔽板により加熱された熱処理雰囲
気ガスは最後の円形遮蔽板（５Ｃ）の中央部連通穴（７
）より加熱チューブ（１）内へ流れ込む。
んだ熱処理雰囲気ガスはガス導入筒（５）内の最初の加
熱用遮蔽板（５ｂ）に当り加熱され、蛇行しながら次の
加熱用遮蔽板に向い、引き続き加熱される。このように
して複数枚の加熱用遮蔽板により加熱された熱処理雰囲
気ガスは最後の円形遮蔽板（５Ｃ）の中央部連通穴（７
）より加熱チューブ（１）内へ流れ込む。
以上のように、ガス導入筒（５）内における蛇行状の通
路（６）を通る間に加熱された所定温度のガスを。
路（６）を通る間に加熱された所定温度のガスを。
加熱チューブ（１）内に流し込むようにしているので。
従来加熱チューブ（１）で生じていたガス導入部側に位
置したウェファの熱歪やウェファ相互の特性上の差、す
なわちウェファ相互の酸化膜厚の差や。
置したウェファの熱歪やウェファ相互の特性上の差、す
なわちウェファ相互の酸化膜厚の差や。
同一ウェファでのその面内酸化分布差が減少し。
均一な品質のウェファが得られることになる。
なお上記実施例では、ガス導入筒を加熱チューブに隣接
させたものを示したが、このガス導入筒による蛇行状の
通路を加熱チューブにおけるガス導入側端の一端部内に
形成させてもよいことはもちろんである。
させたものを示したが、このガス導入筒による蛇行状の
通路を加熱チューブにおけるガス導入側端の一端部内に
形成させてもよいことはもちろんである。
〔発明の効果」
この発明の熱処理装置は以上のように加熱チューブ内に
導入される熱処理雰囲気ガスを予め共通のヒーターで加
熱するようにしているので、加熱チューブ内で熱処理さ
れた各ウェファのウェファ相互間および同一ウェファで
の酸化膜の生成厚さおよび分布が均一になり、また熱歪
の生成もなくすことができるという効果を有するもので
ある。
導入される熱処理雰囲気ガスを予め共通のヒーターで加
熱するようにしているので、加熱チューブ内で熱処理さ
れた各ウェファのウェファ相互間および同一ウェファで
の酸化膜の生成厚さおよび分布が均一になり、また熱歪
の生成もなくすことができるという効果を有するもので
ある。
第１図はこの発明の一実施例を示す熱処理装置の要部の
断面図、第２図は加熱用遮蔽板の正面図。 第３図は加熱チューブとの境界を形成するガス導入筒の
最後の円形遮蔽板の正面図、第４図は従来の熱処理装置
を示す断面図である。 なお図中、（１）は加熱チューブ、（３）はヒーター。 （５）はガス導入筒、（６）は通路である。
断面図、第２図は加熱用遮蔽板の正面図。 第３図は加熱チューブとの境界を形成するガス導入筒の
最後の円形遮蔽板の正面図、第４図は従来の熱処理装置
を示す断面図である。 なお図中、（１）は加熱チューブ、（３）はヒーター。 （５）はガス導入筒、（６）は通路である。
Claims (3)
- （１）ウエフアを収納しその熱処理雰囲気ガスを導入す
る加熱チューブの加熱用のヒーターで、導入される上記
熱処理雰囲気ガスを予め加熱するようにしたことを特徴
とするウエフア熱処理装置。 - （２）ウエフアを収納した加熱チューブに、上記ウエフ
アの熱処理雰囲気ガスを蛇行状に通す当該ガスの予熱用
ガス導入筒を一連に設けた特許請求の範囲第１項記載の
ウエフア熱処理装置。 - （３）ウエフアを収納した加熱チューブの一端部内に、
このチューブ内に導入される上記ウエフアの熱処理雰囲
気ガスを予熱するための蛇行状の通路を形成させた特許
請求の範囲第１項記載のウエフア熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26670685A JPS62124738A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | ウエフア熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26670685A JPS62124738A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | ウエフア熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62124738A true JPS62124738A (ja) | 1987-06-06 |
Family
ID=17434552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26670685A Pending JPS62124738A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | ウエフア熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62124738A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008186852A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
-
1985
- 1985-11-25 JP JP26670685A patent/JPS62124738A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008186852A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
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