JPS62122290A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JPS62122290A JPS62122290A JP26112185A JP26112185A JPS62122290A JP S62122290 A JPS62122290 A JP S62122290A JP 26112185 A JP26112185 A JP 26112185A JP 26112185 A JP26112185 A JP 26112185A JP S62122290 A JPS62122290 A JP S62122290A
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- Japan
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- electrode
- passivation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体素子、たとえば、端面の共振器端からレ
ーザ光を出射(発光)する半導体レーザ素子、あるいは
このような半導体レーザ素子部を有する集積化光デバイ
ス(OEIC素子)等の半導体素子に関する。
ーザ光を出射(発光)する半導体レーザ素子、あるいは
このような半導体レーザ素子部を有する集積化光デバイ
ス(OEIC素子)等の半導体素子に関する。
半導体素子等の半導体デバイスは、その信頼性向上のた
めに、たとえば、株式会社プレスジャーナル発行U月刊
セミコンダクターワールド(Se−miconduct
or World)j 1985年7月号、昭和60
年6月15日発行、P118〜P126に記載されてい
るように、電極を除く半導体表面を各種の絶縁膜からな
るパッシベーション膜で被った構造となっている。
めに、たとえば、株式会社プレスジャーナル発行U月刊
セミコンダクターワールド(Se−miconduct
or World)j 1985年7月号、昭和60
年6月15日発行、P118〜P126に記載されてい
るように、電極を除く半導体表面を各種の絶縁膜からな
るパッシベーション膜で被った構造となっている。
ところで、第6図に示されるように、半導体レーザ素子
1にあっても、活性層2側の電極3を除く半導体表面は
パッシベーション膜4で被われる構造となっている。ま
た、前記電極3は電極形成が容易なことから、電極形成
はリフトオフ法で形成されるでいる。すなわち、電極形
成は、リフトオフ法に先立って、最初に半導体レーザ構
造が形成された化合物半導体基板の主面全域にパッシベ
ーション膜を形成した後、このパッシベーション膜上に
部分的にホトレジスト膜を形成し、その後、このホトレ
ジスト膜をマスクとして前記パッシベーション膜を部分
的に除去して電極コンタクト部を形成する。つぎに、前
記化合物半導体基板の主面全域に電極となる被膜を形成
し、その後、前記ホトレジスト膜を除去することによっ
て、ホトレジスト股上の被膜をも同時に取り去り電極を
形成する (リフトオフ法)。
1にあっても、活性層2側の電極3を除く半導体表面は
パッシベーション膜4で被われる構造となっている。ま
た、前記電極3は電極形成が容易なことから、電極形成
はリフトオフ法で形成されるでいる。すなわち、電極形
成は、リフトオフ法に先立って、最初に半導体レーザ構
造が形成された化合物半導体基板の主面全域にパッシベ
ーション膜を形成した後、このパッシベーション膜上に
部分的にホトレジスト膜を形成し、その後、このホトレ
ジスト膜をマスクとして前記パッシベーション膜を部分
的に除去して電極コンタクト部を形成する。つぎに、前
記化合物半導体基板の主面全域に電極となる被膜を形成
し、その後、前記ホトレジスト膜を除去することによっ
て、ホトレジスト股上の被膜をも同時に取り去り電極を
形成する (リフトオフ法)。
しかし、このようなリフトオフ法を利用した電極形成は
、前記パッシベーション膜を部分的にエツチングした際
、サイドエツチング効果によって、ホトレジスト膜縁の
パッシベーション膜も除去されるため、ホトレジスト膜
縁は庇状に延在するようになる。このため、この庇の下
の部分には電極となる被膜が付着しなくなり、電極とパ
ッシベーション膜との間には、第6図に示されるように
、隙間5が発生してしまう。したがって、半導体レーザ
素子1を基板等に固定する場合、前記電極を半田を介し
て基板に固定すると、半田がこの隙間5に入り込むこと
から直接半田が半導体に接触してしまい、たとえば、半
田中の錫(Sn)が半導体結晶中に拡散し、信頼性低下
を来してしまうということが本発明者によってあきらか
とされた。
、前記パッシベーション膜を部分的にエツチングした際
、サイドエツチング効果によって、ホトレジスト膜縁の
パッシベーション膜も除去されるため、ホトレジスト膜
縁は庇状に延在するようになる。このため、この庇の下
の部分には電極となる被膜が付着しなくなり、電極とパ
ッシベーション膜との間には、第6図に示されるように
、隙間5が発生してしまう。したがって、半導体レーザ
素子1を基板等に固定する場合、前記電極を半田を介し
て基板に固定すると、半田がこの隙間5に入り込むこと
から直接半田が半導体に接触してしまい、たとえば、半
田中の錫(Sn)が半導体結晶中に拡散し、信頼性低下
を来してしまうということが本発明者によってあきらか
とされた。
本発明の目的はパッシベーション効果の高いパッシベー
ションIl’Jを有する半導体素子を提供することにあ
る。
ションIl’Jを有する半導体素子を提供することにあ
る。
本発明の他の目的はパッシベーション効果の高いパッシ
ベーション膜を有する半導体レーザ素子を提供すること
にある。
ベーション膜を有する半導体レーザ素子を提供すること
にある。
本発明の他の目的はボンディングの信頼性が高い半導体
レーザ素子を提供することにある。
レーザ素子を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を節単に説明すれば、下記のとおりである。
を節単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明の半導体レーザ素子は、その製造にあ
って、半導体レーザ構造を有するウェハの主面をメサエ
ッチングした後、リフトオフ法によって所望箇所に電極
を形成し、その後ウェハ主面の絶縁膜を除去するととも
に、ウェハの全域にパッシベーション膜を形成し、さら
にこのパッシベーション膜を部分的に除去して電極を露
出させるため、パッシベーション膜と電極との間には隙
間が発生しなくなり、パッシベーション効果が高くなる
とともに、この半導体レーザ素子をこの電博側を半田で
基板に固定した場合でも、半導体結晶が露出していない
ことから、半田構成物質が半導体結晶中に拡散しなくな
り信頼性が高くなる。
って、半導体レーザ構造を有するウェハの主面をメサエ
ッチングした後、リフトオフ法によって所望箇所に電極
を形成し、その後ウェハ主面の絶縁膜を除去するととも
に、ウェハの全域にパッシベーション膜を形成し、さら
にこのパッシベーション膜を部分的に除去して電極を露
出させるため、パッシベーション膜と電極との間には隙
間が発生しなくなり、パッシベーション効果が高くなる
とともに、この半導体レーザ素子をこの電博側を半田で
基板に固定した場合でも、半導体結晶が露出していない
ことから、半田構成物質が半導体結晶中に拡散しなくな
り信頼性が高くなる。
第1図は本発明の一実施例によるレーザチップを示す断
面図、第2図は同じくレーザチップの搭載状態を示す概
略図、第3図〜第5図はレーザチップの製造方法を示す
図であって、第3図はレーザチップの製造におけるメサ
エッチング後のウェハの断面図、第4図は電極形成後の
ウェハの断面図、第5図はパッシベーション膜形成後の
ウェハの断面図であ゛る。
面図、第2図は同じくレーザチップの搭載状態を示す概
略図、第3図〜第5図はレーザチップの製造方法を示す
図であって、第3図はレーザチップの製造におけるメサ
エッチング後のウェハの断面図、第4図は電極形成後の
ウェハの断面図、第5図はパッシベーション膜形成後の
ウェハの断面図であ゛る。
この実施例では、特に限定はされないが、情報処理用半
導体レーザ素子である可視光半導体レーザ素子の製造に
本発明を適用した例について説明する。この実施例では
、たとえばC3P (cha−nneled−subs
trate−pla−nar)型半導体レーザ素子につ
いて説明する。
導体レーザ素子である可視光半導体レーザ素子の製造に
本発明を適用した例について説明する。この実施例では
、たとえばC3P (cha−nneled−subs
trate−pla−nar)型半導体レーザ素子につ
いて説明する。
このcsp型の半導体レーザ素子は、第1図に示される
ような構造となっている。半導体レーザ素子(以下、単
にレーザチップとも称する。)1は、n形のGaAsか
らなる基板6上に多層成長層7を有している。前記基板
6の主面中央には両側が傾斜した溝(チャネル)8が設
けられている。
ような構造となっている。半導体レーザ素子(以下、単
にレーザチップとも称する。)1は、n形のGaAsか
らなる基板6上に多層成長層7を有している。前記基板
6の主面中央には両側が傾斜した溝(チャネル)8が設
けられている。
また、前記多層成長層7は、基板6の主面上に直接形成
されたn形のGaAJIAsによるクラッド層9と、こ
のクラッドN9の上面に形成されたGaAJllAsに
よる活性層2と、この活性層2の上面に形成されたp形
のGaAuAsによるクラッド層10と、このクラッド
層10の上面に形成されたn形のGaAsによるキャッ
プ層11と、からなる四層の多層成長構造となっている
。また、前記キャンプ層11にはクラッド層lOの途中
深さにまで達し、かつチャネル8の幅と同一の幅を有す
る亜鉛(Zn)の部分拡散によるp形の拡散層(電流狭
窄用拡散層)12が形成されている。
されたn形のGaAJIAsによるクラッド層9と、こ
のクラッドN9の上面に形成されたGaAJllAsに
よる活性層2と、この活性層2の上面に形成されたp形
のGaAuAsによるクラッド層10と、このクラッド
層10の上面に形成されたn形のGaAsによるキャッ
プ層11と、からなる四層の多層成長構造となっている
。また、前記キャンプ層11にはクラッド層lOの途中
深さにまで達し、かつチャネル8の幅と同一の幅を有す
る亜鉛(Zn)の部分拡散によるp形の拡散層(電流狭
窄用拡散層)12が形成されている。
また、前記多層成長層7の上面の中央には帯状にAuG
e/Pt/Auからなるアノード電極(電極)3が設け
られているとともに、基板6の下面にはAuSnからな
るカソード電極13が設けられている。また、半導体レ
ーザ素子1の両側の主面部分はメサエッチングが施され
、そのエツチング面には多層成長層7の各界面が露出す
るようになっている。また、このエツチング面はパッシ
ベーション膜4.4′で被われている。また、このパッ
シベーション膜4,4′は前記アノード電極3の周辺部
分をも被っている。そして、前記アノード電極3の側縁
とパッシベーション膜4.4′との間には隙間等はなく
、両者は密着している。
e/Pt/Auからなるアノード電極(電極)3が設け
られているとともに、基板6の下面にはAuSnからな
るカソード電極13が設けられている。また、半導体レ
ーザ素子1の両側の主面部分はメサエッチングが施され
、そのエツチング面には多層成長層7の各界面が露出す
るようになっている。また、このエツチング面はパッシ
ベーション膜4.4′で被われている。また、このパッ
シベーション膜4,4′は前記アノード電極3の周辺部
分をも被っている。そして、前記アノード電極3の側縁
とパッシベーション膜4.4′との間には隙間等はなく
、両者は密着している。
このような半導体レーザ素子1は、7ノード電極3の縁
部分とパッシベーション膜4,4′との間に隙間等は存
在しないことから、耐湿性が高く、信頼性も向上できパ
ッシベーション効果は高い。
部分とパッシベーション膜4,4′との間に隙間等は存
在しないことから、耐湿性が高く、信頼性も向上できパ
ッシベーション効果は高い。
また、このような半導体レーザ素子1を、第2図に示さ
れるように、基板14に半田15を介してアノード電極
3側で固定した場合、アノード電極3の縁部分とパッシ
ベーション膜4.4′との間に隙間等が存在せず、半導
体結晶が露出していないことから、半田15を構成する
物質、たとえば、錫(Sn)がペレットボンディング時
や発光動作時(100℃)の熱で半導体結晶中に拡散さ
れず、pn接合のリーク等の特性の劣化が生じるような
ことがなくなる。
れるように、基板14に半田15を介してアノード電極
3側で固定した場合、アノード電極3の縁部分とパッシ
ベーション膜4.4′との間に隙間等が存在せず、半導
体結晶が露出していないことから、半田15を構成する
物質、たとえば、錫(Sn)がペレットボンディング時
や発光動作時(100℃)の熱で半導体結晶中に拡散さ
れず、pn接合のリーク等の特性の劣化が生じるような
ことがなくなる。
つぎに、前記のような半導体レーザ素子1の製造方法に
ついて説明する。第1図に示されるように、基板6の主
面にチャネル8を有し、かつこの基板6の主面上にクラ
ッド層9.活性層2.クラッド層10.キヤ・ノブ層1
1からなる多層成長層7が設けられ、さらに前記チャネ
ル8に対応したクラッド層10およびキャップ層11部
分に電流狭窄用拡散層12が設けられたウェハ16が用
意される。その後、このウェハ16の主面には、第3図
に示されるように、メサエッチングが施される。メサエ
ッチングはウェハ16における分断領域に沿って設けら
れる。すなわち、ウェハ16は、以後の各処理が行われ
た後、前記分断線17で分断されるとともに、この分断
方向と直交する方向に襞間されてそれぞれ半導体レーザ
素子1となる。
ついて説明する。第1図に示されるように、基板6の主
面にチャネル8を有し、かつこの基板6の主面上にクラ
ッド層9.活性層2.クラッド層10.キヤ・ノブ層1
1からなる多層成長層7が設けられ、さらに前記チャネ
ル8に対応したクラッド層10およびキャップ層11部
分に電流狭窄用拡散層12が設けられたウェハ16が用
意される。その後、このウェハ16の主面には、第3図
に示されるように、メサエッチングが施される。メサエ
ッチングはウェハ16における分断領域に沿って設けら
れる。すなわち、ウェハ16は、以後の各処理が行われ
た後、前記分断線17で分断されるとともに、この分断
方向と直交する方向に襞間されてそれぞれ半導体レーザ
素子1となる。
つぎに、第4図に示されるように、リフトオフ法によっ
てアノード電極3が形成される。すなわち、ウェハI6
の主面にはホトレジスト膜I8が部分的に形成される。
てアノード電極3が形成される。すなわち、ウェハI6
の主面にはホトレジスト膜I8が部分的に形成される。
ホトレジスト膜18が設けられない領域はアノード電極
3が形成される領域であることから、このホトレジスト
膜18が設けられない領域は、前記チャネル8に沿って
帯状に延在する。つぎに、ウェハ16の主面全域にはア
ノード電極3となる材料が蒸着によって形成される。電
極素材19は、たとえば、AuC;e/Pt/ A u
からなり、1μm程度の厚さに形成される。
3が形成される領域であることから、このホトレジスト
膜18が設けられない領域は、前記チャネル8に沿って
帯状に延在する。つぎに、ウェハ16の主面全域にはア
ノード電極3となる材料が蒸着によって形成される。電
極素材19は、たとえば、AuC;e/Pt/ A u
からなり、1μm程度の厚さに形成される。
その後、前記ホトレジスト膜18は除去される。
このホトレジスト膜18の除去時、ホトレジスト11欠
18上に載っている電極素材19はそのままホトレジス
ト膜18と一緒に除去される結果、第5図に示されるよ
うに、アノード電極3が形成されつぎに、ウェハ16の
主面全域にパッシベーション膜4.4′が被着されると
ともに、このパッシベーション膜4,4′は常用のホト
エツチング技術によって部分的に除去され、前記アノー
ド電極3が露出させられる。アノード電極3の両側部分
はパッシベーション膜4によって被われている。
18上に載っている電極素材19はそのままホトレジス
ト膜18と一緒に除去される結果、第5図に示されるよ
うに、アノード電極3が形成されつぎに、ウェハ16の
主面全域にパッシベーション膜4.4′が被着されると
ともに、このパッシベーション膜4,4′は常用のホト
エツチング技術によって部分的に除去され、前記アノー
ド電極3が露出させられる。アノード電極3の両側部分
はパッシベーション膜4によって被われている。
したがって、パッシベーション膜4.4′はアノード電
極3の周辺から化合物半導体領域を被うため、アノード
電極3の縁には隙間は生じなくなり、パッシベーション
効果は高くなる。このパッシベーション膜4′は化学気
相成長法によるリンガラス(P S G)膜が使用され
る。PSG膜はGaAS層11と接着性がよいためパッ
シベーション効果の向上が図れる。パッシベーション膜
4′は化学気相成長法によるシリコン酸化(SiOz)
[を使用する。5in2膜はGaAsには接着性が悪い
がpsc膜とは接着性が良(耐湿性が向上できる。Si
O□膜の膜厚が厚いと膜にクランクが発生するため、薄
くするのが好ましい。好ましくハP S G膜を100
OA、5iozllfiを2000人とするとよい。
極3の周辺から化合物半導体領域を被うため、アノード
電極3の縁には隙間は生じなくなり、パッシベーション
効果は高くなる。このパッシベーション膜4′は化学気
相成長法によるリンガラス(P S G)膜が使用され
る。PSG膜はGaAS層11と接着性がよいためパッ
シベーション効果の向上が図れる。パッシベーション膜
4′は化学気相成長法によるシリコン酸化(SiOz)
[を使用する。5in2膜はGaAsには接着性が悪い
がpsc膜とは接着性が良(耐湿性が向上できる。Si
O□膜の膜厚が厚いと膜にクランクが発生するため、薄
くするのが好ましい。好ましくハP S G膜を100
OA、5iozllfiを2000人とするとよい。
つぎに、前記のウェハ16はその裏面に、たとえば、A
uCrからなるカソード電極13が形成される。また、
このウェハ16は分断線17で分断されるとともに、こ
の分断線17に直交する方向に襞間され、多数の半導体
レーザ素子1が製造される。
uCrからなるカソード電極13が形成される。また、
このウェハ16は分断線17で分断されるとともに、こ
の分断線17に直交する方向に襞間され、多数の半導体
レーザ素子1が製造される。
(1)本発明によれば、半導体レーザ素子の共振器側の
電極の縁部分と、半導体結晶を被うパッシベーション膜
との間には隙間が存在しないことから、パッシベーショ
ン効果が高くなるという効果が得られる。
電極の縁部分と、半導体結晶を被うパッシベーション膜
との間には隙間が存在しないことから、パッシベーショ
ン効果が高くなるという効果が得られる。
(2)上記(1)により、本発明の半導体レーザ素子は
、共振器側の電極側を半田を介して基板等に固定した場
合、電極の縁部分とパッシベーション膜との間に隙間が
存在しないため、半導体結晶表面に半田が直接接触しな
いことから、半田の半導体結晶に対する拡散現象は発生
せず、特性劣化が起き難くなり、特性が向上するという
効果が得られる。
、共振器側の電極側を半田を介して基板等に固定した場
合、電極の縁部分とパッシベーション膜との間に隙間が
存在しないため、半導体結晶表面に半田が直接接触しな
いことから、半田の半導体結晶に対する拡散現象は発生
せず、特性劣化が起き難くなり、特性が向上するという
効果が得られる。
(3)上記(2)により、本発明によれば、半導体レー
ザ素子の搭、i12 (ポンディング)の信頬性が高く
なるという効果が得られる。
ザ素子の搭、i12 (ポンディング)の信頬性が高く
なるという効果が得られる。
(4)上記(1)および(2)により、本発明によれば
、半導体レーザ素子の高温における耐圧(VR)が向上
するという効果が得られる。
、半導体レーザ素子の高温における耐圧(VR)が向上
するという効果が得られる。
(5)上記(1)〜(4)により、本発明によれば、特
性の優れた半導体レーザ装置を再現性良く製造できるた
め、半導体レーザ装置の製造コストの低減化が達成でき
るという相乗効果が得られる。
性の優れた半導体レーザ装置を再現性良く製造できるた
め、半導体レーザ装置の製造コストの低減化が達成でき
るという相乗効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である可視光半導体レーザ
素子製造技術に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、たとえば、長波長、赤外光
等を発光する半導体レーザ素子技術あるいは他の半導体
素子製造技術などにも適用できる。
をその背景となった利用分野である可視光半導体レーザ
素子製造技術に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、たとえば、長波長、赤外光
等を発光する半導体レーザ素子技術あるいは他の半導体
素子製造技術などにも適用できる。
本発明は少なくとも、端面の共振器端からレーザ光を発
光する半導体レーザ素子、あるいはこのような半導体レ
ーザ素子部を有する集積化光デバイス(OErC素子)
等の発光素子に有効な技術である。
光する半導体レーザ素子、あるいはこのような半導体レ
ーザ素子部を有する集積化光デバイス(OErC素子)
等の発光素子に有効な技術である。
第1図は本発明の一実施例によるレーザチップを示す断
面図、 第2図は同じくレーザチップの搭載状態を示す概略図、 第3図は同じくレーザチップの製造におけるメサエッチ
ング後のウェハの断面図、 第4図は同じく電極形成後のウェハの断面図、第5図は
同じくパッシベーション膜形成後のウェハの断面図、 第6図は従来の半導体レーザ素子を示す断面図である。 1・・・半導体レーザ素子(レーザチップ)、2・・・
活性層、3・・・アノード電極、4・・・パッシベーシ
ョン膜、5・・・隙間、6・・・基板、7・・・多層成
長層、8・・・チャネル、9・・・クラッド層、10・
・・クラッド層、11・・・キヤ・ノブ層、12・・・
拡散N(電流狭窄用拡散N)、13・・・カソード電極
、14・・・基板、15・・・半田、16・・・ウェハ
、17・・・分断線、18・・・ホトレジスト膜、19
・・・電極素材。 第 1 図 第 2 図 第 3 図 第 4 図
面図、 第2図は同じくレーザチップの搭載状態を示す概略図、 第3図は同じくレーザチップの製造におけるメサエッチ
ング後のウェハの断面図、 第4図は同じく電極形成後のウェハの断面図、第5図は
同じくパッシベーション膜形成後のウェハの断面図、 第6図は従来の半導体レーザ素子を示す断面図である。 1・・・半導体レーザ素子(レーザチップ)、2・・・
活性層、3・・・アノード電極、4・・・パッシベーシ
ョン膜、5・・・隙間、6・・・基板、7・・・多層成
長層、8・・・チャネル、9・・・クラッド層、10・
・・クラッド層、11・・・キヤ・ノブ層、12・・・
拡散N(電流狭窄用拡散N)、13・・・カソード電極
、14・・・基板、15・・・半田、16・・・ウェハ
、17・・・分断線、18・・・ホトレジスト膜、19
・・・電極素材。 第 1 図 第 2 図 第 3 図 第 4 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、化合物半導体基板の主面に電極を有する発光素子で
あって、前記電極の周辺部分は化合物半導体基板の主面
に延在する絶縁膜で被われていることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の発光素子。 2、上記絶縁膜は無機絶縁膜よりなることを特徴とした
特許請求の範囲第1項記載の発光素子。 3、上記絶縁膜は多層膜よりなることを特徴とした特許
請求の範囲第1項記載の発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26112185A JPS62122290A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26112185A JPS62122290A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62122290A true JPS62122290A (ja) | 1987-06-03 |
Family
ID=17357388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26112185A Pending JPS62122290A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62122290A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006332435A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Sharp Corp | サブマウント、半導体レーザ装置およびその製造方法、ホログラムレーザ装置、並びに光ピックアップ装置 |
JP2010074195A (ja) * | 2002-03-28 | 2010-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 支持体上にフリップ−チップ−マウンティングするための発光ダイオードチップ及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP26112185A patent/JPS62122290A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010074195A (ja) * | 2002-03-28 | 2010-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 支持体上にフリップ−チップ−マウンティングするための発光ダイオードチップ及びその製造方法 |
JP2006332435A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Sharp Corp | サブマウント、半導体レーザ装置およびその製造方法、ホログラムレーザ装置、並びに光ピックアップ装置 |
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