JPS62117352A - 電力用半導体素子冷却器 - Google Patents

電力用半導体素子冷却器

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JPS62117352A
JPS62117352A JP25840285A JP25840285A JPS62117352A JP S62117352 A JPS62117352 A JP S62117352A JP 25840285 A JP25840285 A JP 25840285A JP 25840285 A JP25840285 A JP 25840285A JP S62117352 A JPS62117352 A JP S62117352A
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JP
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heat
receiving
pipes
power semiconductor
heat pipe
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JP25840285A
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Osamu Watabe
渡部 攻
Hitoshi Yoshino
仁 吉野
Hisateru Akachi
赤地 久輝
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Toshiba Corp
Actronics KK
Original Assignee
Toshiba Corp
Actronics KK
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Publication date
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Publication of JPS62117352A publication Critical patent/JPS62117352A/ja
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/427Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はヒートパイプ群を利用1ノχ電力用半導体素子
を冷iJlする電力用半導体素子冷却器に関する。
〔発明の技術的前照とその問題貞〕
電力用半導体素子は発熱に二J、る竹能低十を抑制する
ため、通常、受熱用金属yrrツク−[−に固定され、
ヒートパイプ群及び放熱−フィン群にJ、り冷却される
ことが多い。
このような電力用半導体素子の性能向上を図るには受熱
用金属ブ[1ツクの熱抵抗をいかにして小さくするか、
ヒートパイプRYの熱抵抗をいかにして小さくづるか、
及び放熱フィン群の放熱能をいかにして大きくするかの
3点について改善することが必要である。
従来から、ヒートパイプの大口径化、受熱用金属ブ11
ツクに挿接するヒートパイプ本数の増加、電接面とヒー
トパイプとの近接化、フィン効率改善のための放熱フィ
ン群におけるヒートパイプ間隙の拡大等種々の改善策が
試みられてきたが、各種の制約によってこれらの改善は
ほとんど限界に達している。
電力用半導体素子冷却器の代表的な例として電力用ザイ
リスタ素子冷11器の従来構造を第8図以下に例示する
と共にそれらの問題点について説明りる。
第8図は従来の電力用サイリスタ素子冷却器の正面図で
あって、受熱用金属ブロック1の両面にはサイリスタ素
子に加圧接触して受熱及び受電をするため電接面2が設
けられている。受熱用金属ブロックには多数の挿接孔3
が穿設されており、各挿接孔にはヒートパイプ4a、4
b、4cの受熱部が挿接されている。ヒートパイプ4a
、4b。
4Cの各放熱部に番、!放熱フィン群5が固着されでい
る。
各ヒートパイプは第8図の実施例においては、受熱部の
直径を放熱部の直径J=り大径に形成されている。これ
は受熱面積を拡大することにより、受熱能力を増加させ
ると共に、電接平面とヒートパイプの間の距離を小さく
し、受熱用金属11ツク1を介してヒー]・バイブ4a
、4b、4cに吸収される熱量の熱抵抗を小さくするた
めである。
また、放熱フィンb内においてはヒートパイプ間隙を大
きくしてフィン効率を良好4Tらしめるため、受熱部直
径より放熱部直径を小さくしである。
第8図において、サイリスタ素子の11ityりくTわ
ち電接面2の直径が80Jlll11の場合、1で−1
−バイブ4a、4b、4cの受熱部の直IY寸なわら挿
接孔3の直径は、40#l程度が適当ひあることがわか
る。これより直径が大ぎいど、両外側のヒートパイプ4
a、4cμ受熱面の大半が受熱用布接而2の円周から遠
くなり、受熱用金属1[1ツク10員流熱抵抗が増加J
るからである。
−〇    − また、図からヒートパイプの受熱部直径が30〜71O
IImの場合、ヒートパイプの本数は2〜3本が適当で
あることも分る。すなわち、これより本数が多い場合は
、両外側のヒートパイプ4番よ電接面2から遠ざかり、
その結果として両外側のヒートパイプがはどんど活用さ
れなくなるからである。
第9図は第8図に示した受熱用金属ブロック1を底面側
からみた略図であって、3a、3b、3ctよ各々挿接
孔を示す。この図から明らかなように、電接面からピー
1〜パ4フ表面に至る距離は短い程員流熱抵抗を小さく
できるにもかかわらず、実際には相当な距離が形成され
であることを示している。1なわち、挿接孔の直径が4
0mの場合、挿接孔と電接面との距離は受熱用金属ブ1
]ツクの材質が純銅の場合、最短距離は13M1平均距
離は17閣位となる。これはこの種の冷却器はサイリス
タ素子を常時的100Kg/c#iの圧力で加圧接触せ
jノめで使用されるので、この圧力により圧潰や変形を
生じせしめない為に、所定の厚さを必要とJるからであ
る。
受熱用金属ブ1−1ツク祠F1を純銅とし、挿接孔と電
接面の平均距離を17s+s’)イリスタ県了の直径を
80Mとした場合の熱抵抗は0.00I1℃/Wとなる
から、総合熱抵抗が0.046・〜0.040℃/W程
度の電力用リーイリスタ素了冷741器においてはこの
熱11(抗値1まかろうじC実用に供し15Iる程度の
数艙であるが、0.r)/I〜0.02℃/Wのごどき
低い熱抵抗給が斂求される場合Gel: 、平均距離は
少なくとも8M以下程1腹にすることが望ましい。
以上の理由から、ヒートパイプの外径増大にJ、る半導
体素子冷却器の能力改善はヒートパイプ受熱部直径40
am前後が限界であり、これ以−1の大径化は電接面と
ピー1〜バイブの平均距離を増大させ、受熱用金属ブ[
1ツクの熱抵抗を増大さけるため、逆効果となる。
従って、第8図及び第9図は従来技術の限界構造を示し
ていることになるが、最も多用されている大容量のりイ
リスタ素子冷却器は素子径70〜75M、使用されるピ
ー1〜バイブは40#lの揚合2木、自(¥30Mの場
合3本のものが大部分である。
このJ、うに半導体集子の直径が一定である場合にt、
t、冷7JI器の受熱用金属ブロック1に設けられる挿
接孔のt目¥と個数には限界があり、従って挿接される
に−トパイプの直径及び本数も1ift約を受iJるた
め、従来技術における熱抵抗の改善番よ受熱用金属ブ1
−1ツク及びヒートパイプに関してはほぼ限界に達しで
いた。
電力用1)−イリスタ素子冷却器の性能改善に残された
構成要木は放熱部のみであり、いかにして放熱フィン群
の面積を拡大するかにかかつている。
しかし放熱フィン群の形状及び面積にも種々の制約があ
る。
第10図はりイリスタ素子冷却器の使用状態を示づもの
で1電力用サイリスタ索了6は受熱用金属ブロック1の
電接面間に約100Kg/Cdの汁力を保持しIC状態
で挟持されている。電力用勺イリスタ素子6の厚さは一
般に25〜35am位であるから放熱フィン群50幅は
、受熱用金属ブロック1より10〜15#I以−1−大
きくづることはできイ1い。これは隣接りる受熱用金属
J1ツク1相ムj間には使用峙に高い電417Xが71
じ(゛おり、相!j接触およびtlllmの恐れのある
&[j離への近接は許されないからである。従っC,ピ
ー1−バ、イブ4の受熱部直径が40txaの場合には
、フィン幅は75jllIl1以上には大ぎくできない
ことになる。
このように放熱フィン群の幅に制限があるので、フィン
1枚当たりの1m積を拡大ケるためには冷Nl風の流れ
方向の長さを拡大1!シめる以外に方法はないことにな
る。
しかしながら、第8図のようにヒートパイプが直線状の
場合にはヒートパイプの間隔は一定であり、フィンの長
さの延長可能な部分はフィン群における両端部分だc)
ど/7る。しかし、この両端すその長さ50間へ・60
#1lI1位までの廷艮が可能Cあるのみであって、そ
れ以1の1(さb[良はフィン効率を悪化させるのみで
人きイT効宋は4りられない。
従って、フィンの各々の面積拡大の余地【ま極めて少な
く、故熱能力増人のlこめに・まピー1〜パイプの放熱
部を延長して、挿着するフィン枚数を増加1!シめるこ
とが唯一つの手段となる。
第11図は風の流れ方向にフィンの長さを充分に延長し
、これらの放熱フィン群5にフィン効率の良好fcに状
態にてヒートパイプ4a、4b、4cを固着した場合の
例を示している。しかしながら、放熱フィン群5におけ
るヒートパイプ4a、4b。
4、 cの相互間隔を数10m+と充分に広く配置し、
これを基準としてサイリスタ冷却器を構成した場合は、
同図の如く受熱用金属ブロック1が大型化し、重量も大
ぎくなる一L1両外側の挿接孔3a。
3Gは電接面2からの距離が遠くなり、受熱用金属ブ[
Jツク1の熱抵抗が増加するという不都合がある。
このように、電力用半導体素子冷却器の性能改善はさま
ざまな制約により、受熱用金属ブロックの熱抵抗、ヒー
トパイプの熱抵抗、及び放熱部の熱抵抗の三構成要素と
もに、はとんど限界に達している。
なお、上述においては一例として電力用サイリスタ素子
冷却器について説明したが、比較的的容量が大きく、受
熱用金属ブ[1ツクどピートバイブど放熱フィン群とか
らなる他の電力用fl休体了冷却器におい−Cも多少の
差tまあ−)(も類似の問題点を有しており、その解決
が望まれていた。
ところで、受熱用金属711ツク内CGまヒートパイプ
ブの受熱部を相7jに充分t、1間隔をりえて配置t’
t ’lJる手段も考えられる。
第12図はその一例であ・)′C1受熱川金属ブ1−1
ツク1には比較的近接しI、:状態で挿接孔3a、3b
、3cが削孔され、それぞれヒートパイプ4a。
4b、4cの受熱部が挿接されている。各挿接孔3a、
3b、3cの間隔tit :f、れらが電接面20円形
面に近接するよう充分に小さな間隔とされている。一方
、各ビー1〜バイ1の放熱部はh’l熱フィン群5の内
部における相li間隔が充分に大きくなるよう配置され
、フィン面積を有効に活用できるようにしである。また
、フィンの長さし充分な寸法に形成されている。
この場合、ヒートパイプの受熱部と放熱部を結ぶ断熱部
は中心の1本を除いて全て屈曲されることになる。それ
らの屈曲部にはいずれもほぼ直角に近い小さな曲率で2
回の反転面げが施されている。
このように、断熱部に直角に近い曲げ加工を施りど、作
動液蒸気の流通が困難になり、ヒートパイプの性能は低
下づる。特に連続する友転直角曲げtよ、ヒートパイプ
の性能を大幅に低下させることが経験的にJ、く知られ
ている。
さらにこの例の場合は反転直角の連続曲げ加Tが施され
るヒートパイプの本数の割合は、ヒートパイプの本数が
増加リ−る稈増加し、冷NI器全体の性能を(It下υ
しめてフィン面積拡大による改善を相殺し、結局<)ん
らの性能向上効果も得られ2Zい結果となる。
第13図はヒートパイプを1−型に湾曲させた例を示1
J0この場合、受熱用金属ブロック1内にはヒートパイ
プ群4a、4b、4cの受熱部が密接して挿接されてい
るが、放熱部は放熱フィン群5内で人きへ間隔で配置さ
れ、フィンの長さも充分に長くなっている。、【ノが1
ノイ【がlう、この場合、ヒートパイプの受熱部が仝て
水\11配F T’ある!5:め、作動液の環流状態が
垂直配同の場合に比較して悪く、性能低下の原因となる
上、ヒートパイプの断熱部の長さが極めて良くなり、L
7がも直角曲げ加工が施されているため、性能が低F4
るという不都合がある。
このように第12図や第13図の例′C1,1市力用半
導体素子冷Li器としC受熱用金属11−1ツクの受熱
効率白土、放熱面積拡大の効果はあるが、ヒートパイプ
としての総合的す性能は大幅に低小し、冷却器全体とし
ての性能白土には人きb効果G、L 451られない結
果となる(参考文献・・・公開実用新案公報56−11
29/I7)。
〔発明の目的〕
本発明は曹制技術における上述のごとき欠員を除去すべ
くなされIこもので、電接面がら各ヒートパイプの表面
に至る577均距離を縮小uしめC受熱用金属ブロック
内を通′Aする熱M(二対づるVム流熱抵抗を低減せし
め、受熱用金属ブ11ツク内に挿接されるヒー]ヘパイ
ブ本数を増加せしめることを可能とし、しかも受熱用金
属ブロック内には多数本のヒートパイプの受熱部を高密
度に挿接させ、放熱フィン群内におけるヒートパイプ群
を放熱部間に充分な間隔を保って配置させ、かつ各々の
フィン面積を充分に拡大させることによって総合的なヒ
ートパーイブの熱抵抗を大幅に改善せしめた電力用崖導
体素子冷u1器を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
−L述の目的を達成するため、本発明の電力用半導体素
子冷FJI +Pi1.i、電力用半導体素子を電接す
る電接面を備えた受熱用金属ブロックと、この受熱用金
属ブロックに挿接した多数枚のピー1〜パイプと、これ
らのヒートパイプの放熱部に設けた放熱−フィン群とか
らなる電力用半導体素子冷NI器において、前記受熱用
金属ブ[1ツクが平行四辺形の複数本の受熱片の積層体
からなり、前記ヒートパイプは受熱部と放熱部の途中を
鈍角に湾曲されていることを特徴とする。
〔発明の実施例〕
次に、図面を参照して本発明の電力用半導体素子冷却器
の実施例を説明する。
第1図は本発明に係る市ノJ用生導体索了冷却器の一実
施例を示=j bので、受熱用金属ブ11ツク1は受熱
片1a、lbを積層接首し−C構成さねでいる。
各受熱片1a、1blよ’II、 1.t Q /、:
傾斜角を右りる同一高さの平行四辺形からhす、イれら
の対角線の交点はいづれlξ通の軸心十番、−一致する
よう組合されている。両受熱片1a、lbの外側には対
角線の交点を中心どして主接面2が形成−y it T
いる。なお、電接面2は電力用21′導体索子(図シ1
(せず)に加圧接触して、電気的及(f熱的に接続され
る平滑面である。
各受熱片1a、1bにはイれらの斜辺11戸11行に、
かつ主接面2に近接1)て挿接孔3a−3fが削孔され
ている。これらの挿接孔にはそれぞれ、ヒートパイプ4
a−4fの受熱部が挿接され(いる。
各ヒートパイプは2群に分しIられており、第2図にも
示すように第151のヒートパイプ/Ia〜4Gは前面
側の受熱片1aに設けIC挿接孔3内に挿接されており
、また、第2列のヒートパイプ4(1へ・4fは後面側
の受熱片1bに設けた挿接孔3内に挿接されている。
また、各ヒートパイプ4a〜4fは放熱部が垂肖となる
よう断熱部の途中で緩かに湾曲されているが、これらの
湾曲部の位置と傾斜角はヒートパイプ48〜4Gの列と
4d〜4fの列とでは貸なっており、放熱部においては
、第1列のヒートパイプど第2列のヒートパイプとは交
互に千鳥配列とされている。
このJ:うに本発明の電力用半導体素子冷却器は電力用
半導体素子からの熱量を充分に受熱すると共に、放熱部
におけるヒートパイプ4a〜4f間の中心距離は約2倍
に拡大されており、放熱能力が十分に発揮されるよう構
成されている。また、各ヒートパイプの曲げ角度は全て
十分な大きさの鈍角であり、ヒートパイプの性能を低下
させることはない。
第3図は同一の対角線を有する受熱片11a。
11bを同一方向に傾斜した状態で相合せた例を示すも
ので、この場合ヒートパイプ4a・へ、4fの受熱部の
配列は、帽11状配列になる1゜第4図は、受熱部21
a、21bに挿接孔3に替えてU字溝41a−41fを
設けると)tに受熱片21a、2Ib間にスベーリー片
30を介挿1ノた例を示ずもので、この場合、各ヒート
パイプの受熱部は(1字溝に圧入の干、受熱片とスベー
4J−片30との間に挟持される。
第5図は本発明の電力用半導体素子冷却器の他の実施例
を示すもので、第6図は、その側面図を、第7図番ま第
5図のVI−■線に沿う断面図を示す。
これらの図において、受熱片51a、51bは同一傾斜
角、同一高さの平行四辺形からなり、相互に反対方向に
傾斜した状態に相合けられている。
4a〜4Cは受熱片51aに挿接されたヒートパイプで
あり、また4d〜4「は受熱片51 bに挿接されたヒ
ートパイプCある。
この実施例の場合、第6図及び第7図からもわかるよう
にヒートパイプ4bは電接面2に直角な−15一 方向にも曲げられてヒートパイプ4d、4fと共に列を
形成し、また、ヒートパイプ4eは電接面2に直角な方
向に曲げられてヒートパイプ4a。
4Gと共に列を形成している。
これにより、ヒートパイプ列4a、4G、4eと、ヒー
トパイプ4b、4d、4fは相互に千鳥配列に整列され
、列内におけるヒートパイプの中心距離は受熱部51a
、51bにおけるヒートパイプ列内の(ノイリスタ素子
の中心距離の少なくとも2倍以上に拡大され、十分なフ
ィン面積が与えられている。<’にお、第6図と第7図
に示すように、列間のヒートパイプの中心距離はスペー
サ片30によって充分な距離が保持されている。
この実施例における各ヒートパイプの曲げ角度は第1図
の実施例にりも大きな鈍角とされ、ヒートパイプの性能
低下は防止されている。また、ピー1〜バイブ4b、4
eの列変更の曲げは反転曲げ加工となるが、これによる
ヒートパイプ性能の低下を防1]゛するため、それぞれ
の曲げ角度は大きな鈍角どされている。
上述した各実施例において、受熱用金属ブ【1ツク51
a、51bに挿接されるCいるヒートパイプは従来の同
容量の冷却器に使用されているものよりII径であり、
その代りに多数本が用いられでいる。
このようなヒートパイプの細径多数化、1hわち挿接孔
の細径多数化にに l’)、電接面からヒー1へパイプ
表面までの平均距離を大幅に短縮Jることが可能となり
、受熱用金属ブ[]ツクの真流熱抵抗を極めて小さくす
ることができる。
例えば、従来の構造で直径40INRであった挿接孔を
16Illにした場合、挿接孔の耐圧潰力は大幅に強化
される。すなわち、従来、電接面まC距離が10amで
あったのに対して実験の結束、3馴まで短縮しても強度
的に【ま1−分子あり、加圧力100にグ/ cdにお
いて何等の変形も牛じtTいことが分かった。これによ
り電接面からヒートパイプ表面までの平均距離は17a
mから約8am+まで減少し、上記従来例で受熱用金属
ブロックの熱抵抗が0.01℃/Wであったものを0.
0047℃/Wへと大幅に減少させることができる。
また、放熱部が多数のヒートパイプの基盤目または千鳥
配列構造どされているので、管群により乱流作用が強化
され、これによりヒートパイプ表面及びフィン表面にお
ける熱伝達率が向上する。
しかもヒートパイプの放熱部直径が小さくなることによ
り流体抵抗が小さくなり、ヒートパイプの表面の実効風
速が増加し、熱伝達率が向上する。
これらの相乗効果により冷却器の放熱部の熱抵抗は大幅
に低下1−ることになる。
また、受熱用金属ブロックは受熱片積層構造からなり、
各受熱片としては傾斜角の異なるものを組合せて使用り
−ることによって各受熱片の斜辺に平行して削孔された
挿接孔に挿接されるヒートパイプを受熱片角に各ヒート
パイプの所定の曲げ予定位置に向かって最短距離を経て
延長させることができる。
また、受熱用金属ブロックを積層構造とし、各挿接部を
(」字溝とした場合には、ヒートパイプの。
受熱部を側面から圧入装着し、その後、積層すればよい
ので、ヒートパイプの挿接は極めて容易どなる。
なお、受熱ハは平行並列の挿接孔群が設置)らねた状態
で長尺平板どして押出成形が01能である。
受熱片の平行四辺形はこの長尺下根の切断時に所定の傾
斜角をうえて切断するだけe所定の各種Np行四辺形を
容易に形成することができる。t)・)とも、本発明に
おいてはU字溝群を比較的長い下根に切削加工で形成し
−(、イの後、長尺の甲根を所定の傾斜角で切断しでも
よい。
受熱用金属ブ1ツクは積層構造であるから各種の特殊の
機能を合せ持つた受熱ハやスベーりを組合せて構成する
ことができる。′1なわら、受熱片の間にスペーサ片を
介在させる場合、スベーリー片の素材として導電材料、
絶縁材料、熱伝導材111、断熱材Flぞの他の各種f
11a・無機H利などいか/する材料でも使用でき、そ
の組合けにより−C各種の特徴を有する受熱用金属ブ[
1ツクを構成Jることができる。また、スベーり片とJ
(に温度【?ンリー、圧力センサー、その他の各種セン
リー−を介在lしめで当該冷却器を適用した装置の作動
状況の把握制御等を合せ実施することも可能となる。
本発明における挿接部(挿接孔またはU字溝)はすべて
受熱片の斜辺に平行に設けられているから、受熱片に挿
接されたヒートパイプを受熱部の延長線上で垂直方向に
曲げて放熱フィン群中の所定の位置に配置せしめる場合
、曲げ角度は基本平行四辺形の鋭角の角1に90°を加
算した鈍角となり、決して直角面げとなることはない。
このように、本発明においては基本的にはヒートパイプ
の曲げ角度は大きな鈍角であるからヒートパイプの性能
低下はほとんど生じない。
本発明においては、受熱片に挿接されたヒートパイプの
受熱部の延長線は全て受熱片の斜辺に平行である。従っ
て、受熱部の延長線が受熱片上面上の所定の高さの水平
面と交差する位置は受熱片の傾斜角に応じて変化する。
また、これらの位置における水平面上のヒートパイプ配
列におけるヒートパイプの中心距離は受熱用金属ブロッ
ク内における中心距離より拡大されることになる。この
拡大率はそれぞれの受熱片の傾斜角の大小によって変化
する。従って、受熱片の傾斜角を適切に選択して挿接孔
から延長されたヒートパイプを上記水平面上において、
垂直方向に屈曲せしめれば、ヒートパイプの放熱部を水
平面内で所望の中心距離で配列させることができる。
また、本発明においCは、同一傾斜角の複数の受熱片を
同−傾斜右向で組合jIC積Nijれれば、基盤目配列
が得られ、また、傾斜角を適切に巽ならせたものを用い
て逆向きに組合せれば千鳥配列が得れる。この場合、ぞ
れぞれの受熱Ltにより形成されるヒートパイプ列の列
間中心距離【よ、両受熱片間に適切なスペーサ片を介在
させることにより調節される。
なお、同一傾斜角の2枚の受熱片を傾斜右向が反対とな
るように組合せて曲げ加工をM ′IJ揚合場合−トパ
イプの曲げ角度が最も大きな鈍角であるヒートパイプの
放熱部列が得られる。この場合は、2列の放熱部位置に
は相互に位置づれが生じ、また列内におけるヒートパイ
プ中心距離の拡大率が非常に小さい等の問題が生じるが
、相互の列の余剰ヒートパイプにまり相nのヒートパイ
プ欠落部を補填Jるよう屈曲部における一部ヒートパイ
プの曲げ方向を修正することにより千鳥配列を得ること
ができる。
また、本発明においては、ヒートパイプの断熱部は所定
の曲げ位置に至るまで必ずしも直線である必要はなく、
所定の曲げ位置に至るまでの間にヒートパイプの性能を
悪化させない範囲で任意の方向、任意の曲率半径で補助
的な曲げを施してもよい。放熱部内にお1ノる所定のヒ
ートパイプ配列を実現するためには、上述した各種の曲
げを併用して実1=Jることが望ましい。
〔発明の効果) 本発明に係わる電力用半導体素子冷却器は、上述の如く
、電接面とヒートパイプ受熱部を大幅に近接化せしめ、
かつ受熱用金属ブロックの電接面に近接した部分に可能
な範囲で数多くのヒートパイプを挿接し、これにより受
熱用金属ブロックとヒートパイプの熱抵抗を減少せしめ
ることができ、また放熱部において(5L1ヒートパイ
プの放熱部組η間の距離を拡入りることにJ、リフイン
面積を拡大1)、フィン動子を改舛するとJξに、ヒー
1へパイプを細径多数化して段列化し、管酊効宋により
熱伝達率を増加せしめ、ヒートパイプの曲げ部分のヒー
トパイプ性能に対Jる悪影響を防止する等、数多くの改
善1段の相乗効果により、従来技術ではほぼ限Wに達し
つつあった電力用半導体索子冷却器の性能を大幅に改り
することを可能にプるbのである。
特に、平行四辺形を基本にした形状の受熱片の組合せ構
造の作用である放熱部におけるヒートパイプ放熱部の配
列ピッチの拡大とそれによるフィン面積の拡大、曲げ角
撓の鈍角電番、太効果が極めで大きく、本発明の電力用
半導体素子冷却器の性能向上に大きく貢献づるものであ
る。
4、図面の筒中t′に説明 第1図は本発明の電力用?r導体素子冷fJI器の実施
例を示す正面図、第2図は第1図のm、−yn線に沿Z
  cj    − う横断面図、第3図と第4図はそれぞれ第2図の変形例
を示す横断面図、第5図は本発明の他の実を示す正面図
、第6図はその側面図、第7図は第6図のVl−■線に
沿う横断面図、第8図は従来の電力用半導体素子冷却器
の正面図、第9図は第8図の底面図、第10図は従来の
電力用半導体素子冷却器の積層使用状態を示す側面図、
第11図ないし第13図はそれぞれ従来の電力用半導体
素子冷却器の他の実施例を示す正面図である。
1.518.51b・・・受熱用金属ブロック、2・・
・電接面、3,3a〜3f・・・挿接孔、4,4a〜4
f・・・ヒートパイプ、5・・・放熱フィン群、6・・
・サイリスタ素子。
出願人代理人  佐 藤  −雄 第 l 図 第2図 4a  4b  4c 第3図 第4図 第5図   第6図 第7図 第8図 第10図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 電力用半導体素子を電接する電接面を備えた受熱用
    金属ブロックと、この受熱用金属ブロックに挿接した多
    数本のヒートパイプと、これらのヒートパイプの放熱部
    に設けた放熱フィン群とからなる電力用半導体素子冷却
    器において、前記受熱用金属ブロックが平行四辺形の複
    数枚の受熱片の積層体からなり、前記ヒートパイプは受
    熱部と放熱部の途中を鈍角に湾曲されていることを特徴
    とする電力用半導体素子冷却器。 2 受熱片が平行四辺形であり、ヒートパイプの受熱部
    が前記受熱片の斜辺に平行して設けた挿接孔またはU字
    溝内に挿接されていることを特徴とする特許請求の範囲
    1項記載の電力用半導体素子冷却器。 3 ヒートパイプの放熱部が千鳥配列とされていること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電力用半導体
    素子冷却器。 4 ヒートパイプの放熱部が基盤目配列とされているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電力用半導
    体素子冷却器。
JP25840285A 1985-11-18 1985-11-18 電力用半導体素子冷却器 Pending JPS62117352A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0539583A1 (en) * 1989-02-06 1993-05-05 The Furukawa Electric Co., Ltd. Method of producing heat pipe-type semiconductor cooling device
WO2019168146A1 (ja) * 2018-03-01 2019-09-06 古河電気工業株式会社 ヒートシンク
WO2019168145A1 (ja) * 2018-03-01 2019-09-06 古河電気工業株式会社 ヒートシンク

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WO2019168145A1 (ja) * 2018-03-01 2019-09-06 古河電気工業株式会社 ヒートシンク
JP2019152351A (ja) * 2018-03-01 2019-09-12 古河電気工業株式会社 ヒートシンク
JPWO2019168146A1 (ja) * 2018-03-01 2020-04-16 古河電気工業株式会社 ヒートシンク

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