JPS62115883A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
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- JPS62115883A JPS62115883A JP60254991A JP25499185A JPS62115883A JP S62115883 A JPS62115883 A JP S62115883A JP 60254991 A JP60254991 A JP 60254991A JP 25499185 A JP25499185 A JP 25499185A JP S62115883 A JPS62115883 A JP S62115883A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気抵抗素子であって、複数の磁性薄帯を所定の間隔で
略45度傾けて配置し、それを導電性薄帯で直列に接続
して構成し、これに適当なバイアス電流を流すことによ
り、外部磁界に対して直線性の良い出力を得ることを可
能とする。
略45度傾けて配置し、それを導電性薄帯で直列に接続
して構成し、これに適当なバイアス電流を流すことによ
り、外部磁界に対して直線性の良い出力を得ることを可
能とする。
本発明は外部磁界に対して直線性の良い出力が得られる
磁気抵抗素子に関するものである。
磁気抵抗素子に関するものである。
強磁性金属の磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗素子は、
磁界を検知するセンサとして種々の機器に用いられてい
る。
磁界を検知するセンサとして種々の機器に用いられてい
る。
強磁性金属を用いた磁気抵抗効果では、第7図に示すよ
うに抵抗ρは、磁化Mの方向と測定電流iとの成す角を
θとすると、 ρ=ρ0+△ρcos ”θ で表わされる。従って外部磁界Hexに対し直線性の良
い出力を得るためにはθが45度の近傍で変化する様に
すれば良い。
うに抵抗ρは、磁化Mの方向と測定電流iとの成す角を
θとすると、 ρ=ρ0+△ρcos ”θ で表わされる。従って外部磁界Hexに対し直線性の良
い出力を得るためにはθが45度の近傍で変化する様に
すれば良い。
第8図及び第9図は従来の磁気抵抗素子を示したもので
あり、第8図は、磁性薄帯のつづら折れ状パターン1に
対し45度の方向にマグネット2゜2′を配置したもの
、第9図は2枚の磁性薄帯3゜3′を平行に並べ互いに
逆方向の電流を流して、これの発生する磁界でそれぞれ
45度方向に向けてバイアスをかけるようにしたもので
ある。
あり、第8図は、磁性薄帯のつづら折れ状パターン1に
対し45度の方向にマグネット2゜2′を配置したもの
、第9図は2枚の磁性薄帯3゜3′を平行に並べ互いに
逆方向の電流を流して、これの発生する磁界でそれぞれ
45度方向に向けてバイアスをかけるようにしたもので
ある。
上記従来の第8図に示すものにあっては、マグネット2
.2’を必要とするため大型となるという欠点があり、
第9図に示すものにあってはバスが短かいため検出出力
が小さいという欠点があった。
.2’を必要とするため大型となるという欠点があり、
第9図に示すものにあってはバスが短かいため検出出力
が小さいという欠点があった。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、小型
で検出出力が大きく、且つ出力の直線性が良い磁気抵抗
素子を提供することを目的としている。
で検出出力が大きく、且つ出力の直線性が良い磁気抵抗
素子を提供することを目的としている。
このため本発明においては、所定の長さの複数の磁性薄
帯12を所定の間隔で且つ45度傾けて配置し、該磁性
薄帯12を絶縁層13を介して積層された導電性薄帯1
4により直列に接続したことを特徴としている。
帯12を所定の間隔で且つ45度傾けて配置し、該磁性
薄帯12を絶縁層13を介して積層された導電性薄帯1
4により直列に接続したことを特徴としている。
複数の磁性薄帯を所定の間隔で且つ略45°傾けて配置
し、該磁性薄帯を導電性薄帯で直列に接続したことによ
り、これに適当な電流を流して磁性薄帯に略45度方向
のバイアス磁界を印加することができ、それによって直
線性の良い出力を得ることが可能となる。
し、該磁性薄帯を導電性薄帯で直列に接続したことによ
り、これに適当な電流を流して磁性薄帯に略45度方向
のバイアス磁界を印加することができ、それによって直
線性の良い出力を得ることが可能となる。
第1図は本発明の第1の実施例を示す図であり、aは平
面図、bはa図のb−b線における断面図である。同図
において、10は3i基板、11は基板を酸化し5iO
zとした熱酸化層、12は磁性薄帯、13は絶縁層、1
4は導電性薄帯、15は保護層を示す。
面図、bはa図のb−b線における断面図である。同図
において、10は3i基板、11は基板を酸化し5iO
zとした熱酸化層、12は磁性薄帯、13は絶縁層、1
4は導電性薄帯、15は保護層を示す。
本実施例は第1図に示すようにSi基板10上に一定の
間隔で、且つ45度傾けて配置された複数の磁性薄帯1
2が、基板10に蒸着したパーマロイ (厚さ300〜
500人)等の磁性薄膜からホトリソグラフィー技術を
用いて形成され、その上にスパッタ等により形成された
絶縁[(厚さ1000人の5in2) 13を介して
導電性薄帯(厚さ数千人〜1μmのAu)14が蒸着等
により前記磁性薄帯12に対し略45度の角度に形成さ
れ、その両端が互いに隣接する磁性薄帯12のそれぞれ
一端に接続され、複数の磁性薄帯12を直列に接続して
いる。
間隔で、且つ45度傾けて配置された複数の磁性薄帯1
2が、基板10に蒸着したパーマロイ (厚さ300〜
500人)等の磁性薄膜からホトリソグラフィー技術を
用いて形成され、その上にスパッタ等により形成された
絶縁[(厚さ1000人の5in2) 13を介して
導電性薄帯(厚さ数千人〜1μmのAu)14が蒸着等
により前記磁性薄帯12に対し略45度の角度に形成さ
れ、その両端が互いに隣接する磁性薄帯12のそれぞれ
一端に接続され、複数の磁性薄帯12を直列に接続して
いる。
このように構成された本実施例は、電流により磁性薄帯
12に対し正確にバイアス磁界を加えられるので外部磁
界Hexに対して第2図の如く直線性の良い出力を得る
ことができ、且つ磁性薄帯を斜にすることによりバスが
長くなりそのため出力が大となる。またバイアス磁界印
加用のマグネットを必要としないため小型化することが
できる。
12に対し正確にバイアス磁界を加えられるので外部磁
界Hexに対して第2図の如く直線性の良い出力を得る
ことができ、且つ磁性薄帯を斜にすることによりバスが
長くなりそのため出力が大となる。またバイアス磁界印
加用のマグネットを必要としないため小型化することが
できる。
第3図は本発明の第2の実施例を示す図である。
同図において12は磁性薄帯、14は導電性薄帯である
。
。
本実施例の構成が前実施例と異なるところは磁性薄帯1
2の配置を90度変えたことで他は前実施例と同様であ
る。
2の配置を90度変えたことで他は前実施例と同様であ
る。
このように構成された本実施例は外部磁界Hexに対し
第4図の如く前実施例とは逆の特性を示す。
第4図の如く前実施例とは逆の特性を示す。
従って前実施例と組み合わせてブリッジを構成すること
ができ出力を高めることができる。
ができ出力を高めることができる。
第5図は本発明の第3の実施例を示す図である。
同図において12は磁性薄帯、14は導電性薄帯である
。
。
本実施例は第1の実施例又は第2の実施例のパターンを
つづら折り状にしたものであり、抵抗が増大するので出
力を大きくすることができる。なおこれを第6図の如く
ブリッジに組めば更に大きな出力を得ることができる。
つづら折り状にしたものであり、抵抗が増大するので出
力を大きくすることができる。なおこれを第6図の如く
ブリッジに組めば更に大きな出力を得ることができる。
本発明によれば電流により正確にバイアス磁界を加える
ことができるので直線性の良い出力を得ることができ、
また測定電流によって出力の感度を変えることもできる
。さらに異方性の分散を小さくできるのでヒステリシス
が少なく再現性の良い出力が得られる。
ことができるので直線性の良い出力を得ることができ、
また測定電流によって出力の感度を変えることもできる
。さらに異方性の分散を小さくできるのでヒステリシス
が少なく再現性の良い出力が得られる。
以上述べてきたように、本発明によれば、小型、大出力
で、且つ直線性の良い出力を得ることができ、実用的に
は極めて有用である。
で、且つ直線性の良い出力を得ることができ、実用的に
は極めて有用である。
第1図は本発明の第1の実施例を示す図、第2図は本発
明の第1の実施例の出力特性を示す図、 第3図は本発明の第2の実施例を示す図、第4図は本発
明の第2の実施例の出力特性を示す図、 第5図は本発明の第3の実施例を示す図、第6図は本発
明の第3の実施例を組み合わせたブリッジを示す図、 第7図は磁気抵抗素子の出力特性を示す図、第8図及び
第9図は従来の磁気抵抗素子を示す図である。 第1図、第3図、第5図において、 10はSi基板、 11は熱酸化層、 12は磁性薄帯、 13は絶縁層、 14は導電性薄帯、 15は保護層である。
明の第1の実施例の出力特性を示す図、 第3図は本発明の第2の実施例を示す図、第4図は本発
明の第2の実施例の出力特性を示す図、 第5図は本発明の第3の実施例を示す図、第6図は本発
明の第3の実施例を組み合わせたブリッジを示す図、 第7図は磁気抵抗素子の出力特性を示す図、第8図及び
第9図は従来の磁気抵抗素子を示す図である。 第1図、第3図、第5図において、 10はSi基板、 11は熱酸化層、 12は磁性薄帯、 13は絶縁層、 14は導電性薄帯、 15は保護層である。
Claims (2)
- 1.所定の長さの複数の帯状の磁性薄帯(12)を所定
の間隔で略45°傾けて配置し、該磁性薄帯(12)を
絶縁層(13)を介して積層された導電性薄帯(14)
により直列に接続したことを特徴とする磁気抵抗素子。 - 2.上記磁気抵抗素子が折り返し状に構成されたことを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60254991A JPS62115883A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60254991A JPS62115883A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 磁気抵抗素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62115883A true JPS62115883A (ja) | 1987-05-27 |
Family
ID=17272689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60254991A Pending JPS62115883A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62115883A (ja) |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP60254991A patent/JPS62115883A/ja active Pending
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