JPS62115883A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
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- JPS62115883A JPS62115883A JP60254991A JP25499185A JPS62115883A JP S62115883 A JPS62115883 A JP S62115883A JP 60254991 A JP60254991 A JP 60254991A JP 25499185 A JP25499185 A JP 25499185A JP S62115883 A JPS62115883 A JP S62115883A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気抵抗素子であって、複数の磁性薄帯を所定の間隔で
略４５度傾けて配置し、それを導電性薄帯で直列に接続
して構成し、これに適当なバイアス電流を流すことによ
り、外部磁界に対して直線性の良い出力を得ることを可
能とする。
略４５度傾けて配置し、それを導電性薄帯で直列に接続
して構成し、これに適当なバイアス電流を流すことによ
り、外部磁界に対して直線性の良い出力を得ることを可
能とする。
本発明は外部磁界に対して直線性の良い出力が得られる
磁気抵抗素子に関するものである。
磁気抵抗素子に関するものである。
強磁性金属の磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗素子は、
磁界を検知するセンサとして種々の機器に用いられてい
る。
磁界を検知するセンサとして種々の機器に用いられてい
る。
強磁性金属を用いた磁気抵抗効果では、第７図に示すよ
うに抵抗ρは、磁化Ｍの方向と測定電流ｉとの成す角を
θとすると、 ρ＝ρ０＋△ρｃｏｓ ”θ で表わされる。従って外部磁界Ｈｅｘに対し直線性の良
い出力を得るためにはθが４５度の近傍で変化する様に
すれば良い。
うに抵抗ρは、磁化Ｍの方向と測定電流ｉとの成す角を
θとすると、 ρ＝ρ０＋△ρｃｏｓ ”θ で表わされる。従って外部磁界Ｈｅｘに対し直線性の良
い出力を得るためにはθが４５度の近傍で変化する様に
すれば良い。
第８図及び第９図は従来の磁気抵抗素子を示したもので
あり、第８図は、磁性薄帯のつづら折れ状パターン１に
対し４５度の方向にマグネット２゜２′を配置したもの
、第９図は２枚の磁性薄帯３゜３′を平行に並べ互いに
逆方向の電流を流して、これの発生する磁界でそれぞれ
４５度方向に向けてバイアスをかけるようにしたもので
ある。
あり、第８図は、磁性薄帯のつづら折れ状パターン１に
対し４５度の方向にマグネット２゜２′を配置したもの
、第９図は２枚の磁性薄帯３゜３′を平行に並べ互いに
逆方向の電流を流して、これの発生する磁界でそれぞれ
４５度方向に向けてバイアスをかけるようにしたもので
ある。
上記従来の第８図に示すものにあっては、マグネット２
．２’を必要とするため大型となるという欠点があり、
第９図に示すものにあってはバスが短かいため検出出力
が小さいという欠点があった。
．２’を必要とするため大型となるという欠点があり、
第９図に示すものにあってはバスが短かいため検出出力
が小さいという欠点があった。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、小型
で検出出力が大きく、且つ出力の直線性が良い磁気抵抗
素子を提供することを目的としている。
で検出出力が大きく、且つ出力の直線性が良い磁気抵抗
素子を提供することを目的としている。
このため本発明においては、所定の長さの複数の磁性薄
帯１２を所定の間隔で且つ４５度傾けて配置し、該磁性
薄帯１２を絶縁層１３を介して積層された導電性薄帯１
４により直列に接続したことを特徴としている。
帯１２を所定の間隔で且つ４５度傾けて配置し、該磁性
薄帯１２を絶縁層１３を介して積層された導電性薄帯１
４により直列に接続したことを特徴としている。
複数の磁性薄帯を所定の間隔で且つ略４５°傾けて配置
し、該磁性薄帯を導電性薄帯で直列に接続したことによ
り、これに適当な電流を流して磁性薄帯に略４５度方向
のバイアス磁界を印加することができ、それによって直
線性の良い出力を得ることが可能となる。
し、該磁性薄帯を導電性薄帯で直列に接続したことによ
り、これに適当な電流を流して磁性薄帯に略４５度方向
のバイアス磁界を印加することができ、それによって直
線性の良い出力を得ることが可能となる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図であり、ａは平
面図、ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。同図
において、１０は３ｉ基板、１１は基板を酸化し５ｉＯ
ｚとした熱酸化層、１２は磁性薄帯、１３は絶縁層、１
４は導電性薄帯、１５は保護層を示す。
面図、ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。同図
において、１０は３ｉ基板、１１は基板を酸化し５ｉＯ
ｚとした熱酸化層、１２は磁性薄帯、１３は絶縁層、１
４は導電性薄帯、１５は保護層を示す。
本実施例は第１図に示すようにＳｉ基板１０上に一定の
間隔で、且つ４５度傾けて配置された複数の磁性薄帯１
２が、基板１０に蒸着したパーマロイ （厚さ３００〜
５００人）等の磁性薄膜からホトリソグラフィー技術を
用いて形成され、その上にスパッタ等により形成された
絶縁［（厚さ１０００人の５ｉｎ２） １３を介して
導電性薄帯（厚さ数千人〜１μｍのＡｕ）１４が蒸着等
により前記磁性薄帯１２に対し略４５度の角度に形成さ
れ、その両端が互いに隣接する磁性薄帯１２のそれぞれ
一端に接続され、複数の磁性薄帯１２を直列に接続して
いる。
間隔で、且つ４５度傾けて配置された複数の磁性薄帯１
２が、基板１０に蒸着したパーマロイ （厚さ３００〜
５００人）等の磁性薄膜からホトリソグラフィー技術を
用いて形成され、その上にスパッタ等により形成された
絶縁［（厚さ１０００人の５ｉｎ２） １３を介して
導電性薄帯（厚さ数千人〜１μｍのＡｕ）１４が蒸着等
により前記磁性薄帯１２に対し略４５度の角度に形成さ
れ、その両端が互いに隣接する磁性薄帯１２のそれぞれ
一端に接続され、複数の磁性薄帯１２を直列に接続して
いる。
このように構成された本実施例は、電流により磁性薄帯
１２に対し正確にバイアス磁界を加えられるので外部磁
界Ｈｅｘに対して第２図の如く直線性の良い出力を得る
ことができ、且つ磁性薄帯を斜にすることによりバスが
長くなりそのため出力が大となる。またバイアス磁界印
加用のマグネットを必要としないため小型化することが
できる。
１２に対し正確にバイアス磁界を加えられるので外部磁
界Ｈｅｘに対して第２図の如く直線性の良い出力を得る
ことができ、且つ磁性薄帯を斜にすることによりバスが
長くなりそのため出力が大となる。またバイアス磁界印
加用のマグネットを必要としないため小型化することが
できる。
第３図は本発明の第２の実施例を示す図である。
同図において１２は磁性薄帯、１４は導電性薄帯である
。
。
本実施例の構成が前実施例と異なるところは磁性薄帯１
２の配置を９０度変えたことで他は前実施例と同様であ
る。
２の配置を９０度変えたことで他は前実施例と同様であ
る。
このように構成された本実施例は外部磁界Ｈｅｘに対し
第４図の如く前実施例とは逆の特性を示す。
第４図の如く前実施例とは逆の特性を示す。
従って前実施例と組み合わせてブリッジを構成すること
ができ出力を高めることができる。
ができ出力を高めることができる。
第５図は本発明の第３の実施例を示す図である。
同図において１２は磁性薄帯、１４は導電性薄帯である
。
。
本実施例は第１の実施例又は第２の実施例のパターンを
つづら折り状にしたものであり、抵抗が増大するので出
力を大きくすることができる。なおこれを第６図の如く
ブリッジに組めば更に大きな出力を得ることができる。
つづら折り状にしたものであり、抵抗が増大するので出
力を大きくすることができる。なおこれを第６図の如く
ブリッジに組めば更に大きな出力を得ることができる。
本発明によれば電流により正確にバイアス磁界を加える
ことができるので直線性の良い出力を得ることができ、
また測定電流によって出力の感度を変えることもできる
。さらに異方性の分散を小さくできるのでヒステリシス
が少なく再現性の良い出力が得られる。
ことができるので直線性の良い出力を得ることができ、
また測定電流によって出力の感度を変えることもできる
。さらに異方性の分散を小さくできるのでヒステリシス
が少なく再現性の良い出力が得られる。
以上述べてきたように、本発明によれば、小型、大出力
で、且つ直線性の良い出力を得ることができ、実用的に
は極めて有用である。
で、且つ直線性の良い出力を得ることができ、実用的に
は極めて有用である。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図、第２図は本発
明の第１の実施例の出力特性を示す図、 第３図は本発明の第２の実施例を示す図、第４図は本発
明の第２の実施例の出力特性を示す図、 第５図は本発明の第３の実施例を示す図、第６図は本発
明の第３の実施例を組み合わせたブリッジを示す図、 第７図は磁気抵抗素子の出力特性を示す図、第８図及び
第９図は従来の磁気抵抗素子を示す図である。 第１図、第３図、第５図において、 １０はＳｉ基板、 １１は熱酸化層、 １２は磁性薄帯、 １３は絶縁層、 １４は導電性薄帯、 １５は保護層である。
明の第１の実施例の出力特性を示す図、 第３図は本発明の第２の実施例を示す図、第４図は本発
明の第２の実施例の出力特性を示す図、 第５図は本発明の第３の実施例を示す図、第６図は本発
明の第３の実施例を組み合わせたブリッジを示す図、 第７図は磁気抵抗素子の出力特性を示す図、第８図及び
第９図は従来の磁気抵抗素子を示す図である。 第１図、第３図、第５図において、 １０はＳｉ基板、 １１は熱酸化層、 １２は磁性薄帯、 １３は絶縁層、 １４は導電性薄帯、 １５は保護層である。
Claims (2)
- １．所定の長さの複数の帯状の磁性薄帯（１２）を所定
の間隔で略４５°傾けて配置し、該磁性薄帯（１２）を
絶縁層（１３）を介して積層された導電性薄帯（１４）
により直列に接続したことを特徴とする磁気抵抗素子。 - ２．上記磁気抵抗素子が折り返し状に構成されたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60254991A JPS62115883A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60254991A JPS62115883A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62115883A true JPS62115883A (ja) | 1987-05-27 |
Family
ID=17272689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60254991A Pending JPS62115883A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62115883A (ja) |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP60254991A patent/JPS62115883A/ja active Pending
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