JPS62113446A - 多層配線の形成方法 - Google Patents
多層配線の形成方法Info
- Publication number
- JPS62113446A JPS62113446A JP25275585A JP25275585A JPS62113446A JP S62113446 A JPS62113446 A JP S62113446A JP 25275585 A JP25275585 A JP 25275585A JP 25275585 A JP25275585 A JP 25275585A JP S62113446 A JPS62113446 A JP S62113446A
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- resist
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- lift
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、多層配線の形成方法に関するものである。
ICやLSI等の集積回路チップを搭載しチップ間の接
続を行なうマルチチップモジュールにおいて、配線材料
としてAΩ、配線間絶縁材料として5IOzが用いられ
てきた。しかし、電気信号の伝播速度を高速化する目的
で、配線材料としてCu−絶縁材料としてポリイミド系
の有機高分子樹脂を用いたモジュールが注目されている
。多層配線の形成法の一つとしてリフトオフ法がある。
続を行なうマルチチップモジュールにおいて、配線材料
としてAΩ、配線間絶縁材料として5IOzが用いられ
てきた。しかし、電気信号の伝播速度を高速化する目的
で、配線材料としてCu−絶縁材料としてポリイミド系
の有機高分子樹脂を用いたモジュールが注目されている
。多層配線の形成法の一つとしてリフトオフ法がある。
リフトオフ法の例としてAQとPIQ (ポリイミド・
イソインドロキナゾリンジオン樹脂:日立化成(株)商
標)を用いたプロセスを第3図に示す。
イソインドロキナゾリンジオン樹脂:日立化成(株)商
標)を用いたプロセスを第3図に示す。
prQ(2)の膜厚および、蒸着される配線層5の膜厚
が約1μmと薄いので、02プラズマアッシャ−などで
リフトオフが容易にできる。またPIQのエツチング液
なども知られているので、ウェットエツチングでも容易
にリフトオフできる。
が約1μmと薄いので、02プラズマアッシャ−などで
リフトオフが容易にできる。またPIQのエツチング液
なども知られているので、ウェットエツチングでも容易
にリフトオフできる。
しかし、密度を高くして、しかも配線抵抗を低くするた
めには高アスペクト比(巾5μm、厚さ10μm)の配
線が要求される。厚さ10μm程度の配線を得るために
は第3図(d)で、PIQ(2)および蒸着金属5の厚
さも、10μm程度に厚くする必要がある。厚膜の場合
には、02プラズマアッシャ−でリフトオンするのは時
間がかかり、また浅さが残るなどの問題を生ずる。また
、PIQは熱膨張率が4〜7 X 10−’/にと大き
く、Siウニへ上にPIQを厚く塗布した場合、キュア
時の加熱によりSiウェハが大きくそり配線形成が不可
能となる。
めには高アスペクト比(巾5μm、厚さ10μm)の配
線が要求される。厚さ10μm程度の配線を得るために
は第3図(d)で、PIQ(2)および蒸着金属5の厚
さも、10μm程度に厚くする必要がある。厚膜の場合
には、02プラズマアッシャ−でリフトオンするのは時
間がかかり、また浅さが残るなどの問題を生ずる。また
、PIQは熱膨張率が4〜7 X 10−’/にと大き
く、Siウニへ上にPIQを厚く塗布した場合、キュア
時の加熱によりSiウェハが大きくそり配線形成が不可
能となる。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除去して、高ア
スペクト比の配線パターンをリフトオフ法において形成
する多層配線の形成方法を提供することにある。
スペクト比の配線パターンをリフトオフ法において形成
する多層配線の形成方法を提供することにある。
本発明の特徴は、従来のPIQよりも熱膨張係数の小さ
いポリイミド樹脂(仮称をX−95とする)を用いるこ
とによりSiウェハのそりを低減し、高アスペクト比の
配線形成を可能にしたことである。また、配線部分をホ
トレジストで保護し、不要な蒸着金属をエツチング液に
て溶解し除去することにより、リフトオフを行なったこ
とである。
いポリイミド樹脂(仮称をX−95とする)を用いるこ
とによりSiウェハのそりを低減し、高アスペクト比の
配線形成を可能にしたことである。また、配線部分をホ
トレジストで保護し、不要な蒸着金属をエツチング液に
て溶解し除去することにより、リフトオフを行なったこ
とである。
従来のPIQでは熱膨張係数が大きいためSiウェハが
大きくそり、高アスペクト比の配線形成は不可能である
。そこで、低熱膨張のポリイミド系樹脂であるX−95
を用いた。しかし、x−95の厚膜は、ウェットによっ
てもまた。ドライエッチによっても除去するのが難しい
。また、せっかく塗布したx−95を除去してしまうの
は効率的でない、そこで、不要なCu蒸着層をエツチン
グ液にて溶解し除去することによりリフトオフを行なう
プロセスを考案した。
大きくそり、高アスペクト比の配線形成は不可能である
。そこで、低熱膨張のポリイミド系樹脂であるX−95
を用いた。しかし、x−95の厚膜は、ウェットによっ
てもまた。ドライエッチによっても除去するのが難しい
。また、せっかく塗布したx−95を除去してしまうの
は効率的でない、そこで、不要なCu蒸着層をエツチン
グ液にて溶解し除去することによりリフトオフを行なう
プロセスを考案した。
第1図に、本発明によるリフトオフプロセスを示す。x
−95(2)を10μm厚さ塗布して、ドライエツチン
グにより逆テーパを形成する。この場合、マスク3とし
ては、Mo+ Cr、AQtSingなどが用いられる
。配線用導体を10μm程度蒸着した後、ホトレジスト
6を塗布する。
−95(2)を10μm厚さ塗布して、ドライエツチン
グにより逆テーパを形成する。この場合、マスク3とし
ては、Mo+ Cr、AQtSingなどが用いられる
。配線用導体を10μm程度蒸着した後、ホトレジスト
6を塗布する。
ホトレジストをパターリングして配線部分のみをホトレ
ジストでおおうようにする。次に蒸着された不要のCu
をエツチング液を除去してリフトオフを行なう、ホトレ
ジストを除去し、さらにX −95を塗布して、多層配
線を形成する。
ジストでおおうようにする。次に蒸着された不要のCu
をエツチング液を除去してリフトオフを行なう、ホトレ
ジストを除去し、さらにX −95を塗布して、多層配
線を形成する。
第2図は、試作した2層LSIモジュール用多層配線基
板の断面図を示す。Si基板1の上に絶縁用のx−95
(2)が塗布されており、その中に第1層配線3、およ
び第2層配線4が形成されている。配線層3および4は
、接続用のペデスタル5で接続されている6本試作では
配線層3および4の厚さが5μm、ペデスタルの厚さは
10μmである。
板の断面図を示す。Si基板1の上に絶縁用のx−95
(2)が塗布されており、その中に第1層配線3、およ
び第2層配線4が形成されている。配線層3および4は
、接続用のペデスタル5で接続されている6本試作では
配線層3および4の厚さが5μm、ペデスタルの厚さは
10μmである。
本実施例での形成プロセスは、第1図に示したのと同様
である。まず、X−95を約6μm塗布し350℃でキ
ュアする。次にエツチング用マスク3(SiOz)をプ
ラズマCVDで約1μm形成し、ホトレジストでパター
ンニングする。ホトレジストを除去した後、酸素プラズ
マでx−95をドライエツチングして逆テーバを形成す
る。配線導体5を蒸着した後、ホトレジスト6を塗布し
てパターンニングし、配線部のみを保護するようにする
。Cu用のエツチング液に浸せきし、配線以外のCuを
除去する。次に、フッ酸に浸せきしマスク用の5iOz
を除去する。ホトレジストを除去した後、さらにX−9
5を約15μm塗布して、同様の工程により接続用のペ
デスタルを形成する。以後、同様の工程をくり返すこと
により多層配線が形成できる0本プロセスでは、一度塗
布したX−95を除去することなく、そのまま絶縁層と
して利用できるので効率的である。
である。まず、X−95を約6μm塗布し350℃でキ
ュアする。次にエツチング用マスク3(SiOz)をプ
ラズマCVDで約1μm形成し、ホトレジストでパター
ンニングする。ホトレジストを除去した後、酸素プラズ
マでx−95をドライエツチングして逆テーバを形成す
る。配線導体5を蒸着した後、ホトレジスト6を塗布し
てパターンニングし、配線部のみを保護するようにする
。Cu用のエツチング液に浸せきし、配線以外のCuを
除去する。次に、フッ酸に浸せきしマスク用の5iOz
を除去する。ホトレジストを除去した後、さらにX−9
5を約15μm塗布して、同様の工程により接続用のペ
デスタルを形成する。以後、同様の工程をくり返すこと
により多層配線が形成できる0本プロセスでは、一度塗
布したX−95を除去することなく、そのまま絶縁層と
して利用できるので効率的である。
以上説明したように、本発明によれば、厚さ10μm2
幅5μm程度の高アスペクト比の配線パターンを有する
多層配線基板をドライプロセスで形成することができる
。本発明はLSI実装基板に適用でき大きな効果をもた
らすと考えられる。
幅5μm程度の高アスペクト比の配線パターンを有する
多層配線基板をドライプロセスで形成することができる
。本発明はLSI実装基板に適用でき大きな効果をもた
らすと考えられる。
第1図(a) 、 (b) 、 (Q) 、 (d)
、 (e) 。 (f)、(g) は本発明の多層配線の形成方法の実
施例の作業順説明図、第2図は第1図で形成された多層
配線の断面図、第3図の(a)、(b)=(c)、(d
)、(e)は従来の多層配線の作業順説明図である。 1・・・Siウェハ、2・・・ポリイミド、3・・・マ
スク、4・・・ホトレジスト、5・・・配線用導体。
、 (e) 。 (f)、(g) は本発明の多層配線の形成方法の実
施例の作業順説明図、第2図は第1図で形成された多層
配線の断面図、第3図の(a)、(b)=(c)、(d
)、(e)は従来の多層配線の作業順説明図である。 1・・・Siウェハ、2・・・ポリイミド、3・・・マ
スク、4・・・ホトレジスト、5・・・配線用導体。
Claims (1)
- 1、配線導体と絶縁性の有機高分子樹脂から構成される
多層配線をリフトオフ法で形成する方法において、配線
導体をホトレジストで保護し、蒸着された不要な導体層
をエッチング液で溶解除去することによりリフトオフを
行なうことを特徴とする多層配線の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25275585A JPS62113446A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 多層配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25275585A JPS62113446A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 多層配線の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62113446A true JPS62113446A (ja) | 1987-05-25 |
Family
ID=17241834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25275585A Pending JPS62113446A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 多層配線の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62113446A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008235703A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | ユニット固定装置 |
-
1985
- 1985-11-13 JP JP25275585A patent/JPS62113446A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008235703A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | ユニット固定装置 |
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