JPS6211231A - ウエハとマスクとの密着方法 - Google Patents

ウエハとマスクとの密着方法

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Publication number
JPS6211231A
JPS6211231A JP60136828A JP13682885A JPS6211231A JP S6211231 A JPS6211231 A JP S6211231A JP 60136828 A JP60136828 A JP 60136828A JP 13682885 A JP13682885 A JP 13682885A JP S6211231 A JPS6211231 A JP S6211231A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
wafer
space
central section
nitrogen gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60136828A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Aiko
健二 愛甲
Yoshiji Namiki
南木 美嗣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP60136828A priority Critical patent/JPS6211231A/ja
Publication of JPS6211231A publication Critical patent/JPS6211231A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハの製造工程において、水平に支
承したマスクの下面に対してウェハを密着せしめる方法
に関するものである。
〔発明の背景〕
第2図は、ウェハ1をマスク2に密着させる方法の1例
の説明図である。
ステージ3は水平な直交2軸X、 Y方向(Y軸は紙面
と垂直)、及びZ軸方向に精密に駆動される構造でるる
上記の上下動可能なステージ3の上面に、多数の***4
を設けて真空吸着/4’ツドが形成されている。この吸
着・9ツドによってウェハ1を吸着保持してステージ3
をX、Y平面内で精密に駆動してマスク2に対して位置
合わせをした後、該ステージ3を矢印2方向に上昇せし
めてウェハ1をマスク2に密着させる。
ところが、マスク2に過大な押圧力を与えることなく、
ウェハ1とマスク2とを均一な圧力で密着させることは
容易でない。
マスク2に過大な押圧力を与えることなく、均一な力で
ウェハ1をマスク2に押し当てる為に、本発明者らは第
3図に示す方法を創作して別途出願中である。この方法
(以下、先願の方法を言う)は、吸着・やラドを形成し
ている***4を、切替弁5を介して排気ボン706及び
窒素ボンベ7に接続する。
切換弁5をA位置に操作して排気ポンプ6を***4に連
通せしめ、仮想線で示したようにウェハ1′を吸着して
位置合わせした後、ステージ3を上昇せしめて上記のウ
ェハl′とマスク2とを微小間−で対向せしめ、次いで
切換弁5をB位置に操作して***4から窒素がスを噴出
せしめ、ウェハを実線で示した1の如く吹き上げてマス
ク2に密着させる。
上記の先願の方法によれば、ウェハlが窒素気流によっ
て押し上げられるので、該ウェハlは全面的に均一にマ
スク4に押しつけられ、過大な押圧力や衝撃力を受ける
虞れが無い。
また、噴出用の気体として窒素を用いると、ウェハに塗
布した感光剤と反応しない。
本方法を実施する際、窒素がスの代りにイナートガスを
用いることもできるが、イナートガスに比して窒素は安
価であるから実用価値が高い。
本発明者は上記の先願の装置について実用化試験を繰り
返した結果、次のような問題が有ることを発見した。
第3図に示したようにウェハ1′を1位置に押し上げて
マスク2に密着させる際、双方の部材の間に気体を挾み
込んで閉じこめてしまう虞れが有り、閉じこめられた気
体は密着を妨げる。
〔発明の目的〕
本発明は上述の事情に鑑みて為されたもので、先願の方
法(すなわち窒素ガスでウェハを吹き上げ°てマスクに
密着せしめる方法)を改良して、ウェハとマスクとの間
に気体を挾みこんで閉じこめる虞れの無い、ウェハとマ
スクとの密着方法を提供しようとするものである。
〔発明の概要〕
上記の目的を達成する為に創作した本発明の方法は、マ
スクの下面側の空間を、該マスクの上面側の空間よりも
50〜400 m Hgだけ低圧にして、該マスクを下
方に向けて凸なる形に撓ませ、マスクの中央部とウェハ
の中央部とを最初に当接せしめ、双方の部材の間の気体
を周囲の方に押し出すことを特徴とする。
〔発明の実施例〕
次に、本発明の1実施例を第1図について説明する。第
1図は、本発明方法を実施する為に構成した装置を模式
的に描いた説明図であって、寸法形状に関して正確な投
影図ではない。
8は、マスク2′を載置すべき頂面板で、開口8aを設
けである。マスク2′はこの開口8aを覆りて取り付け
られる。
ステージ3′と頂面板8との間にベローズ9及び気体ベ
アリング10を設けてシールし、密閉された空間11を
構成する。
矢印N、の如く、前記の密閉空間11内に窒素ガスを供
給しつつ、矢印Vの如く該密閉空間11を排気して、こ
の空間11内の空気を窒素で置換する。これは、マスク
1に塗布した感光剤と反応しない雰囲気とするためであ
る。
前記の窒素ガス供給量よシも排気量を大きくして密閉空
間11内を減圧する。上記の減圧量は50〜400■H
gとする。該空間の減圧によって、マスク2′は図示の
如く下方に向かって凸なる形状に撓む。
ただし、本第1図は歪み量を拡大誇張して描いてあシ、
実際の歪みは微視的である。
このようにして、マスク2′に対して下方に凸なるペン
ドを与えておいて、矢印n、の如く吸着・ぐラドの中央
付近から窒素ガスを噴出させ、ウェハ1の中央部を吹き
上げる。これ釦より、ウエノ・1は微小ながら上方に向
けて凸なる傾向に撓んで吹き上げられ、ウェハ1の中央
部とマスク2′の中央部とが最初に当接する。この場合
、減圧量が5(1mHg以下では所期の目的を達成する
に足る撓み量が得られないので、50+mHg以上に減
圧することが必要である。
その後、密閉空間ll内の気圧をコントロールしつつ、
ステージ3′の上下動をコントロールして、最終的には
第3図に示した如く、マスク2及びウェハ1が共に平面
を保ちつつ、ウェハ1の全面が窒素の噴出流によって上
方に押圧され、マスク2に対して全面均一に密着する状
態に導く。
本実施例によれば、第1図について説明したように、最
初にウェハ2′の中央部とマスク1の中央部とが当接し
て密着し、次第に密着区域が周辺に向かって拡大してゆ
くので、双方の部材の間に気体(この場合は窒素ガス)
を挾みこんで閉じこめる虞れが無い。従って閉じこめら
れた気体によって密着を妨げられることなく、全面を完
全に密着する。しかし、前記の減圧量が400 mHg
を越えると撓み量が過大となシ、減圧を解除して平面状
に復元させるときに密着ずれを生じる虞れがある。
このため、減圧量は400 llmHg以内でなければ
ならない。
〔発明の効果〕
以上詳述したように、本発明の密着方法を適用してウェ
ハを窒素ガスで吹き上げてマスクに当接せしめると、ウ
ェハとマスクとの間に気体を挾みこんで閉じこめる虞れ
が無く、全面を均一かつ完全に密着させることができる
という優れた実用的効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の密着方法を説明する為の模式図、第2
図はウェハをマスクに密着させる為の一般的な方法の説
明図、第3図は本発明方法を適用する対象となる先願に
係る技術の説明図である。 1.1′・・・ウェハ、2・・・マスク、2′・・・下
方に凸なる形状に撓んだウェハ、3・・・上下動可能な
ステージ、4・・・真空吸着・fラドを構成している小
穴、8・・・頂面板、8a・・・開口、9・・・ベロー
ズ、10・・・気体ベアリング、11・・・密閉された
空間。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 上下動ステージの上面に設けた真空吸着パッドによって
    ウェハを吸着保持し、上記の上下動ステージを上昇せし
    めて吸着保持したウェハをマスクに対して微小間隙を介
    して対向せしめ、前記の吸着パッドから窒素ガスを噴出
    せしめ、ウェハを吹き上げてマスクに密着せしめる方法
    において、前記のマスクの下面側の空間を50mmHg
    〜400mmHgの範囲内で減圧して該マスクを下方に
    向けて凸なるごとく撓ませて、マスクの中央部とウェハ
    の中央部とを最初に当接せしめることを特徴とする、ウ
    ェハとマスクとの密着方法。
JP60136828A 1985-06-25 1985-06-25 ウエハとマスクとの密着方法 Pending JPS6211231A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0435772U (ja) * 1990-07-25 1992-03-25
WO2006137396A1 (ja) * 2005-06-21 2006-12-28 Sanei Giken Co., Ltd. 露光方法および露光装置
WO2008139643A1 (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Sanei Giken Co., Ltd. 露光方法および露光装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0435772U (ja) * 1990-07-25 1992-03-25
WO2006137396A1 (ja) * 2005-06-21 2006-12-28 Sanei Giken Co., Ltd. 露光方法および露光装置
WO2008139643A1 (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Sanei Giken Co., Ltd. 露光方法および露光装置

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