JPS62107411A - 磁気ヘツドコア - Google Patents

磁気ヘツドコア

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Publication number
JPS62107411A
JPS62107411A JP24542585A JP24542585A JPS62107411A JP S62107411 A JPS62107411 A JP S62107411A JP 24542585 A JP24542585 A JP 24542585A JP 24542585 A JP24542585 A JP 24542585A JP S62107411 A JPS62107411 A JP S62107411A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
magnetic
face
half cores
core
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24542585A
Other languages
English (en)
Inventor
Takafumi Kori
郡 孝文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Alps Electric Co Ltd filed Critical Alps Electric Co Ltd
Priority to JP24542585A priority Critical patent/JPS62107411A/ja
Publication of JPS62107411A publication Critical patent/JPS62107411A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「技術分野」 本発明は、酸化物磁性体からなる一対のハーフコアの突
き合わせ面に金属磁性薄膜を付着させ、この全屈磁性薄
膜間に磁気ギャップを形成する磁気ヘッドコアに関し、
特に金属磁性薄膜を付着させる薄膜付着面と磁気ギャッ
プとが傾斜しているタイプのIa気ヘッドコアの改良に
関する。
「従来技術およびその問題点」 金属磁性?’J膜と磁気ギャップとが傾斜しているり・
イブの磁気ヘッドコアは、特開IVj80−32107
号で提案されている。第5図はその模式斜視図で、フェ
ライト等の酸化物磁性体からなる一対のハーフコア11
の突き合わせ面にはそれぞれ、形成すべき磁気ギャップ
12に対し傾斜した薄n々付着面13が上下関係を逆に
して形成されており、この薄1(焚付着面13にスパッ
タリング、蒸着等の薄膜形成手段により、センダスト等
の金属磁性薄膜14が付着されている。またハーフコア
11には、薄膜付着面13とほぼ直角をなす磁気ギヤッ
ブ深さ規制面15が形成されている。磁気ギャップ12
は、薄膜付着面13に対し傾斜する一対の金属磁性薄膜
14の端面間に形成され、V字状をなす金属磁性薄膜1
4と磁気ギャップ深さ規制面15(7)間の空間には、
ガラス等の非磁性酸化物接合材料欠以下単にガラスとい
う)16が充填されて一対のハーフコア11が固定され
ている。17はコイル巻線溝である。
この磁気ヘッドは、疑似ギャップとなる可能性のあるハ
ーフコア11と薄膜付着面13の境界と、磁気ギャップ
12とが傾斜しているために。
磁気ギャップ12による記録再生にこの疑似ギャップが
影響を与えることがなく、また磁気ギャップ12の幅を
小さくして高記録密度化を図ることができる。またテー
プ摺接面の大部分をハーフコア11およびガラス16で
形成することができるため、耐摩耗性に優れる等の利点
がある。
ところでこの磁気ヘッドは左右のハーフコア11.11
の接合強度を主にガラス16によって得ているが、ガラ
ス16は酸化物であるため、酸化物磁性体からなるハー
フコア11とは強固に接合するが、金属磁性薄膜14と
の接合では著しく接合強度が落ちるという問題があった
。つまり上。
記構造の磁気ヘッドは、金属磁性薄膜14とガラス16
との接合強度、つまり左右のハーフコア11の接合強度
を高めることが困難で、磁気ギャップ12として狭ギヤ
ツプ間隔を必要とする映像用磁気ヘッドとしての信頼性
が損なわれていた。
「発明の目的」 本発明は、従来品のこの問題点を解消し、L記タイプの
磁気ヘッドにおいて、左右のハーフコアを強固に結合で
きる、狭ギヤツプ間隔の信頼性の高い磁気ヘッドコアを
提供することを目的とする。
「発明の概要」 本発明は、磁気ギャップを形成するための金属磁性薄膜
は、磁気テープ摺接面側のみにあれば足り、一対のハー
フコアの突き合わせ面のうち、磁気テープ摺接面と反対
側の後部突き合わせ面には、機能上金属磁性薄膜は不要
であるという認識の下になされたもので、薄膜付着面を
ハーフコアの磁気テープ摺接面側近傍のみに形成し、一
対のハーフコアの後部突き合わせ面においては、金属磁
性薄膜を介在させることなく、直接ハーフコアどうしを
接合したことを特徴としている。このように後部突き合
わせ面においてハーフコアどうしを直接接合すると、ハ
ーフコアはともに酸化物磁性体からなるために酸素拡散
により強い接合力が得られ、したがって金属磁性薄膜が
介在する磁気テープ摺接面側もこの接合力によって十分
固定される。よって磁気ギャップを狭ギャップに固定し
た映像用の高性能で信頼性の高い磁気へ・ラドコアを得
ることができる。
「発明の実施例」 以下図示実施例について本発明を説明する。第1図は本
発明による磁気ヘッド構造の模式図で、第5図の従来品
と同一部分には同一の符号を付している0本発明は、薄
膜付着面13(したがって金属磁性薄膜14)が、磁気
テープ摺接面(磁気ギャップ12形成面)側の一定深さ
文のみに形成され、ハーフコア11の全長に渡っては形
成されていない点に特徴がある。この実施例においては
、磁気ギャップ深さ規制溝15の形成長さも、この薄膜
付着面13の形成長さに合致させている。
以−1二の本発明磁気ヘッドによると、一対のハーフコ
ア11.11の突き合わせ面に、磁気テープ摺接面側で
は金属磁性薄膜14とガラス16が介在するが、後部側
ではこれらが介在することなく、酸化物からなる磁気ギ
ャップ形成材料を介して直接ハーフコア11.11が接
合される。よって酸素拡散により、ハーフコア11.1
1の後部において強固な接合力が発揮される。したがっ
て磁気テープ摺接面側のハーフコア11.11の接合強
度が金属磁性薄膜14が介在することにより仮に劣った
としても、全体としての接合強度を高めることができる
。別言すれば、磁気ギャップ12側の接合強度を重視す
ることなく、後部側の接合強度で、磁気ギャップ12側
の接合強度を力/曳−することができる。また金属磁性
薄膜14と、酸化物磁性体からなるハーフコア11の接
合層では、異種材料の接合により磁気抵抗が大きくなる
が、ハーフコア11どうしの接合になれば磁気抵抗は小
さくすることができ、磁界の乱れ、特にうす電流損失を
防止することができる。
次に第1図の磁気ヘッドコアの製造工程の例を第2図に
ついて説明する。この製造工程は基本的には上記特開昭
60−32107号で提案されている製造に程と同じで
、溝の形状が異なっている。まず平板状の一対のハーフ
コアブロック21の突き合わせ面22に、磁気テープ摺
接面23側から、一定間隔で一定深さ文のV溝24を形
成する。このV溝24は、薄膜付着面13を構成する(
同図(a))。重要な点は、このV iM 24がバー
7コアブロツク21の全長に渡っていない点である。こ
のV溝24は、例えば第3図(a)に示すようにVJM
形成砥石25の移動軌跡Pとハーフコアブロック21の
突き合わせ面22表面とに角度θを与え、あるいは回(
b)に示すように、■溝形成砥石25に矢印Pで示すよ
うな移動軌跡を与えることで形成することができる。
次にこの突き合わせ面22およびV溝24の表面全体に
、薄膜形成手段によって、金属磁性薄膜14を付着形成
しく第2図(b))、その後突き合わせ面22を研磨し
てV溝24以外の部分の金属磁性薄膜14を除去してか
ら(同(C))、隣り合うV溝24の間に別のV溝26
を形成する(同(d))。
この第二のV溝26は、図示するように第一の■溝24
と同様に一定深さに形成しても、あるいはハーフコアブ
ロックの全長に渡らせて形成してもよい。そしてこのV
溝24および26内にガラス16を充填し、その後突き
合わせ面22を再び研磨する(同(e))、 V溝26
は、磁気ギャップ深さ規制溝15を構成する。
以上の加工の終了した一対のハーフコアブロック21を
、その表面にギャップ形成材料を介在させた状態で同(
f)のように、その金属磁性薄膜14の端面どうしを突
き合わせ、ガラス16が溶融軟化する温度迄加熱して両
者を接合する。その後切断線A−A’で示すように切断
すると、@Lの第1図の磁気ヘンドコアが得られる。S
は切断代である。
7^η膜付着面13となる溝は、■溝に限らず、第4図
に示すような円弧状溝27あるいは他の形状の溝でもよ
い。この円弧状溝27は例えばレーザ加rによって形成
することができる。
「発明の効果」 以トのように本発明の磁気ヘッドコアは、磁気ギャップ
を形成する金属磁性薄膜と、この金属磁性薄膜の付着面
とが傾斜している磁気へ一7ドコアにおいて、金属磁性
薄膜を付着させる付着面を、ハーフコアの全長に渡って
形成することなく、突き合わせ面後部においては、直接
ハーフコアどうしを接合するようにしたので、同一材料
の接合により高い接合強度を得ることができる。よって
磁気ギャップ側において、金属磁性薄膜が介在している
ことによる接合強度の低下を、後部においてカバーし、
全体として高い接合強度の磁気ヘッドコアを1与ること
ができる。すなわち一対のハーフコアの接合強度を高め
て磁気ギャップ幅を狭く維持することができ、映像用磁
気ヘッドとして信頼性が高い高性能の磁気ヘッドを得る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の磁気ヘッドコアの実施例を示す模式斜
視図、第2図(a)ないしくf)は第1図の磁気ヘッド
コアを製造するための製造工程の一例を示す模式図、第
3図(a)、(b)はV溝を形成するためのV溝形成砥
石とバー7コアブロククとの関係を示す側面図、第4図
は他の薄膜付着面(溝)の形状例を示す斜視図、第5図
は本発明の対象とする従来の磁気ヘッドの模式斜視図で
ある。 11・・・ハーフコア、12・・・磁気ギャップ、13
・・・薄膜付着面、14・・・金属磁性薄膜、15・・
・磁気ギャンブ深さ規制面、16・・・ガラス(非磁性
酸化物接合材料)、21・・・ハーフコアブロック、2
2・・・突き合わせ面、23・・・磁気テープ摺接面、
24・・・Vl+L25・・・V溝形成砥石、26・・
・V溝。 特許出願人  アルプス電気株式会社 同代理人    三 浦 邦 夫 同         松  井     及第1図 第2因 第2図 第3図 第4@ 第5図 子糸シn−?山正jMF (自発) 昭和60年12月 →[1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)酸化物磁性体からなる一対のハーフコアの突き合
    わせ面にそれぞれ、両ハーフコア間に形成すべき磁気ギ
    ャップに対し傾斜した薄膜付着面を形成し、この薄膜付
    着面に金属磁性薄膜を付着させるとともに、一対のハー
    フコアのこの金属磁性薄膜の端部を突き合わせて磁気ギ
    ャップとなし、かつこの一対のハーフコアを、一方のハ
    ーフコアの金属磁性薄膜と他方のハーフコア端面との間
    に充填したガラス等の非磁性酸化物接合材料で接合した
    磁気ヘッドコアにおいて、上記薄膜付着面をハーフコア
    の磁気テープ摺接面側近傍のみに形成し、一対のハーフ
    コアの後部突き合わせ面においては、金属磁性薄膜を介
    在させることなく、直接ハーフコアどうしを接合したこ
    とを特徴とする磁気ヘッドコア。
JP24542585A 1985-11-01 1985-11-01 磁気ヘツドコア Pending JPS62107411A (ja)

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JP24542585A JPS62107411A (ja) 1985-11-01 1985-11-01 磁気ヘツドコア

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JP24542585A JPS62107411A (ja) 1985-11-01 1985-11-01 磁気ヘツドコア

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JPS62107411A true JPS62107411A (ja) 1987-05-18

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ID=17133462

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24542585A Pending JPS62107411A (ja) 1985-11-01 1985-11-01 磁気ヘツドコア

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JP (1) JPS62107411A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0380508U (ja) * 1989-11-30 1991-08-19

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