JPS62105504A - 高周波発振器 - Google Patents
高周波発振器Info
- Publication number
- JPS62105504A JPS62105504A JP61255951A JP25595186A JPS62105504A JP S62105504 A JPS62105504 A JP S62105504A JP 61255951 A JP61255951 A JP 61255951A JP 25595186 A JP25595186 A JP 25595186A JP S62105504 A JPS62105504 A JP S62105504A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- line element
- oscillator
- frequency
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0086—Functional aspects of oscillators relating to the Q factor or damping of the resonant circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C2200/00—Indexing scheme relating to details of modulators or modulation methods covered by H03C
- H03C2200/0037—Functional aspects of modulators
- H03C2200/0079—Measures to linearise modulation or reduce distortion of modulation characteristics
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C3/00—Angle modulation
- H03C3/10—Angle modulation by means of variable impedance
- H03C3/12—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element
- H03C3/22—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element the element being a semiconductor diode, e.g. varicap diode
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は周波数が可変容量ダイオードによって該ダイオ
ードの両端に供給される制御電圧の関数として中心周波
数付近で直線的に変調される発振器にあって、パワート
ランジスタを具えており、該トランジスタの入力及び出
力電極における整合インピーダンスを前記中心周波にて
最大利得が得られるように計算したライン素子によって
実現するようにした高周波発振器に関するものである。
ードの両端に供給される制御電圧の関数として中心周波
数付近で直線的に変調される発振器にあって、パワート
ランジスタを具えており、該トランジスタの入力及び出
力電極における整合インピーダンスを前記中心周波にて
最大利得が得られるように計算したライン素子によって
実現するようにした高周波発振器に関するものである。
本発明による発振器は約５ ＧＨｚの作動周波数で０．
１〜１ワツトの出力電力を発生し、これはすべてのＦ、
Ｍ、方式、特に無線高度計の電源又は近接ヒユーズや
、自動レンジファインダーや、長距離レーダの如き装置
に用いられる。これらの幾つかの用途にとっては、周波
数−制御電圧特性の直線性を適切なものとし、かつ雑音
からの絶縁を極めて良好とする必要がある。この絶縁条
件を満足させるには発振器の外部Ｑを高くする必要があ
る。
１〜１ワツトの出力電力を発生し、これはすべてのＦ、
Ｍ、方式、特に無線高度計の電源又は近接ヒユーズや
、自動レンジファインダーや、長距離レーダの如き装置
に用いられる。これらの幾つかの用途にとっては、周波
数−制御電圧特性の直線性を適切なものとし、かつ雑音
からの絶縁を極めて良好とする必要がある。この絶縁条
件を満足させるには発振器の外部Ｑを高くする必要があ
る。
冒頭にて述べた種類の高周波発振器は、例えば米国特許
第４．３１０．８０９号に開示されており、これに記載
されている回路はバイポーラトランジスタに基づいて実
現される負性抵抗を有しており、またその周波数変動は
変調回路に並列に配置されるバラクタによって制御され
る。高周波の分野で近年用いられている斯種の発振器の
出力電力は弱く、この場合の出力電力は８．５ＧＨｚで
１０ｍＷである。斯種発振器の外部影響に対する感度を
低減させる方法は発振器の出力端子に絶縁物を設ける方
法である。
第４．３１０．８０９号に開示されており、これに記載
されている回路はバイポーラトランジスタに基づいて実
現される負性抵抗を有しており、またその周波数変動は
変調回路に並列に配置されるバラクタによって制御され
る。高周波の分野で近年用いられている斯種の発振器の
出力電力は弱く、この場合の出力電力は８．５ＧＨｚで
１０ｍＷである。斯種発振器の外部影響に対する感度を
低減させる方法は発振器の出力端子に絶縁物を設ける方
法である。
帰還増幅器タイプの高出力発振器に適用し得る他の方法
は、例えばこの発振器の出力端子に減衰器又は指向性カ
ップラを配置する方法であるが、この方法では発振器の
出力電力比に較べて外部のＱが僅かしか増大しない。
は、例えばこの発振器の出力端子に減衰器又は指向性カ
ップラを配置する方法であるが、この方法では発振器の
出力電力比に較べて外部のＱが僅かしか増大しない。
本発明の目的は簡単で、しかも経済的な方法で発振器の
雑音に対する絶縁度を高くすることにある。
雑音に対する絶縁度を高くすることにある。
本発明は、前記トランジスタを高利１等で、しかも高出
力のトランジスタとし、該トランジスタの入力電圧を出
力電圧に整合させる帰還回路網によって前記周波数範囲
内で、前記トランジスタの安定動作モードにより発振さ
せ、発振器の出力端子にて１つのライン素子を介して前
記帰還をかけ、該ライン素子を前記帰還回路網のライン
素子の内の１つのライン素子に接近させて弱く結合させ
て、前記トランジスタの出力端子にて得られる高電力の
大部分を前記トランジスタの入力端子に再注入するよう
にし、斯くして弱い結合を行い、かつカップラの指向性
とトランジスタの飽和状態とによって発振器が高い外部
Ｑを呈するようにしたことを特徴とする。
力のトランジスタとし、該トランジスタの入力電圧を出
力電圧に整合させる帰還回路網によって前記周波数範囲
内で、前記トランジスタの安定動作モードにより発振さ
せ、発振器の出力端子にて１つのライン素子を介して前
記帰還をかけ、該ライン素子を前記帰還回路網のライン
素子の内の１つのライン素子に接近させて弱く結合させ
て、前記トランジスタの出力端子にて得られる高電力の
大部分を前記トランジスタの入力端子に再注入するよう
にし、斯くして弱い結合を行い、かつカップラの指向性
とトランジスタの飽和状態とによって発振器が高い外部
Ｑを呈するようにしたことを特徴とする。
本発明の好適な実施に当っては、前記可変容量ダイオー
ド及び固定コンデンサを前記帰還回路網に並列に接続さ
れる変調回路における３つのライン素子間に直列に配置
し、前記固定コンデンサの一端を第１ライン素子を介し
て前記帰還回路網の一点に接続すると共に他端を第２ラ
イン素子を介して前記ダイオードの陰極に接続し、該ダ
イオードの陽極を第３ライン素子を介して接地し、前記
各ライン素子を、前記周波数変調の直線性が前記制御電
圧の関数として最適となるようにテめ定めるようにした
ことを特徴とする。
ド及び固定コンデンサを前記帰還回路網に並列に接続さ
れる変調回路における３つのライン素子間に直列に配置
し、前記固定コンデンサの一端を第１ライン素子を介し
て前記帰還回路網の一点に接続すると共に他端を第２ラ
イン素子を介して前記ダイオードの陰極に接続し、該ダ
イオードの陽極を第３ライン素子を介して接地し、前記
各ライン素子を、前記周波数変調の直線性が前記制御電
圧の関数として最適となるようにテめ定めるようにした
ことを特徴とする。
以下図面につき本発明を説明する。
第１及び２図における対応する素子には同一参照番号を
付して示しである。
付して示しである。
第１図に回路部を示す本発明による高周波発振器は、ソ
ース電極Ｓを直接接地した電界効果トランジスタＴを含
み、しかも５００＋＋＋Ｗの大きさの電力を供給し得る
帰還増幅器に基づいて得られるものである。
ース電極Ｓを直接接地した電界効果トランジスタＴを含
み、しかも５００＋＋＋Ｗの大きさの電力を供給し得る
帰還増幅器に基づいて得られるものである。
トランジスタＴと発振回路との所望周波数帯域内での入
／出力整合はつぎのようにして決定される。即ち、 一トランジスタＴのドレイン電極りとグリッドＧとの間
にライン素子ＬＩ、コンデンサＣいライン素子Ｌ４．
ｔ、、、 Ｌ６． Ｌ９． ｌ、ｚ、 Ｌ２＋、コ
ンデンサＣ６及びライン素子Ｌ２２を直列に配置する。
／出力整合はつぎのようにして決定される。即ち、 一トランジスタＴのドレイン電極りとグリッドＧとの間
にライン素子ＬＩ、コンデンサＣいライン素子Ｌ４．
ｔ、、、 Ｌ６． Ｌ９． ｌ、ｚ、 Ｌ２＋、コ
ンデンサＣ６及びライン素子Ｌ２２を直列に配置する。
−ライン素子し、１ とし。１ との接続点にライン素
子し、□及びＬｌ３を直列に接続する。
子し、□及びＬｌ３を直列に接続する。
−ライン素子Ｌ６とＬ９との接続点、Ｌ９とＬｌ、との
接続点及びライン素子り、３の遊端にそれぞれ開放ライ
ン素子Ｌｔ Ｌ８＋ Ｌｌｏ及びＬｌ４ （スタブ）
の一端を接続する。
接続点及びライン素子り、３の遊端にそれぞれ開放ライ
ン素子Ｌｔ Ｌ８＋ Ｌｌｏ及びＬｌ４ （スタブ）
の一端を接続する。
ライン周波数変調は、ライン素子り、ｌ と１２１
との接続点と大地との間にて入−出力整合回路に並列
に配置される直列配置のライン素子Ｌ１７、バリキャッ
プダイオード（可変容量ダイオード）ＤＩ、ライン素子
Ｌ１６、コンデンサＣ４及びライン素子ＬＩＳによって
形成される回路により行われる。この整合作動は、５０
オームに対する反射係数のモジュラスは大きいままで、
周波数の関数としては殆ど変化せず、しかも斯かる反射
係数の位相が単調に変化するように行われる。
との接続点と大地との間にて入−出力整合回路に並列
に配置される直列配置のライン素子Ｌ１７、バリキャッ
プダイオード（可変容量ダイオード）ＤＩ、ライン素子
Ｌ１６、コンデンサＣ４及びライン素子ＬＩＳによって
形成される回路により行われる。この整合作動は、５０
オームに対する反射係数のモジュラスは大きいままで、
周波数の関数としては殆ど変化せず、しかも斯かる反射
係数の位相が単調に変化するように行われる。
発振器の出力電力はライン素子Ｌ５に沿って配置したラ
イン素子Ｌ２７を用いて得られる。
イン素子Ｌ２７を用いて得られる。
斯くして形成されるカップラ（ｔ、３． ｔ、ｚｔ）の
指向性は、大地と発振器の出力端子との間に抵抗Ｒ９、
ライン素子し。６、コンデンサＣ２、ライン素子し２７
゜し、８、コンデンサＣ３及びライン素子し２９ を直
列に配置し、抵抗Ｒ４の接地側の端部にスタブシ２．を
設けることによって形成される回路によって与えられる
。
指向性は、大地と発振器の出力端子との間に抵抗Ｒ９、
ライン素子し。６、コンデンサＣ２、ライン素子し２７
゜し、８、コンデンサＣ３及びライン素子し２９ を直
列に配置し、抵抗Ｒ４の接地側の端部にスタブシ２．を
設けることによって形成される回路によって与えられる
。
ドレイン供給電圧（＋Ｖ）は、ライン素子し、に直列に
配置した抵抗Ｒ１を経てライン素子し、に供給され、抵
抗Ｒ１とライン素子し、との接続点にはスタブし、を設
ける。
配置した抵抗Ｒ１を経てライン素子し、に供給され、抵
抗Ｒ１とライン素子し、との接続点にはスタブし、を設
ける。
トランジスタＴのグリッド電極Ｇはライン素子シ２３
と抵抗Ｒ２とを経て接地し、ライン素子Ｌ２３ と抵抗
Ｒ２との接続点にスタブＬ２４を設ける。
と抵抗Ｒ２とを経て接地し、ライン素子Ｌ２３ と抵抗
Ｒ２との接続点にスタブＬ２４を設ける。
グリッド供給電圧は必要でなく、トランジスタＴが高度
に飽和される際にこのトランジスタが自動的にバイアス
されることは明らかである。
に飽和される際にこのトランジスタが自動的にバイアス
されることは明らかである。
バリキャップダイオードＤ、用の制御電圧は抵抗Ｒ１と
ライン素子シ６．との直列配置を経て斯かるダイオード
の陰極に供給し、ライン素子り、９ と抵抗Ｒ３との接
続点にはスタブし２ｏを設ける。
ライン素子シ６．との直列配置を経て斯かるダイオード
の陰極に供給し、ライン素子り、９ と抵抗Ｒ３との接
続点にはスタブし２ｏを設ける。
バリキャップダイオードＤ１の陽極はライン素子り、７
を経て接地し、ライン素子り、７ と抵抗Ｒ２との接続
点にはスタブし、８を設ける。
を経て接地し、ライン素子り、７ と抵抗Ｒ２との接続
点にはスタブし、８を設ける。
このタイプの変調による直線性は、発振周波数の変動特
性を制御電圧の関数として相対的な勾配の変化として規
定される。
性を制御電圧の関数として相対的な勾配の変化として規
定される。
上述した例では１個の単一バリキャップダイオードＤ１
を用いたが、コンデンサＣ４の代わりに第１バリキヤツ
プダイオードＤ１に頭−尾結合構造で第２バリキヤツプ
ダイオードを設け、これをライン素子し、とり、との接
続点と、接地するスタブし。。との間に接続するライン
素子Ｌ３１を経てバイアスすることによって直線性のパ
ーフォーマンスを改善することもできる。
を用いたが、コンデンサＣ４の代わりに第１バリキヤツ
プダイオードＤ１に頭−尾結合構造で第２バリキヤツプ
ダイオードを設け、これをライン素子し、とり、との接
続点と、接地するスタブし。。との間に接続するライン
素子Ｌ３１を経てバイアスすることによって直線性のパ
ーフォーマンスを改善することもできる。
第２図は第１図の発振器をマイクロース） ＩＪツブで
構成する例を示す。
構成する例を示す。
斜線を付して表す第１図の回路の各ライン素子は、絶縁
板の第１表面にスクリーン印刷により形成される長さ及
び幅が良好に規定される導電層を用いて実現される。絶
縁板にあけた穴を経て第１表面に通ずる反対側の表面に
は接地面を構成する均一の導電性被膜を被覆する。この
ような技法は「ストリップ−ライン」又は「マイクロス
トリ、７ブ」として既知である。
板の第１表面にスクリーン印刷により形成される長さ及
び幅が良好に規定される導電層を用いて実現される。絶
縁板にあけた穴を経て第１表面に通ずる反対側の表面に
は接地面を構成する均一の導電性被膜を被覆する。この
ような技法は「ストリップ−ライン」又は「マイクロス
トリ、７ブ」として既知である。
トランジスタＴの人−出力整合回路に属するＬｌ。
１４１ ＬＳｖ ＬＳｖ Ｌ７１ Ｌ８．ｔ、
９． ＬＩＯ＋ Ｌｌｌｌ Ｌｌ２１ １＋ｚ。
９． ＬＩＯ＋ Ｌｌｌｌ Ｌｌ２１ １＋ｚ。
ＬＩ４＋ Ｌ２１及びＬ２□の如きライン素子及びスタ
ブの幅は、斯かる整合回路に電力を供給したり、又は接
地するために高インピーダンスで、しかも長さをλ／４
とするＬ２１ ＬＩ９＋ Ｌ２２及びし。、の如き
ライン素子に較べて相対的に大きくする。力、ンプラの
ライン素子し、及びＬ２ｔは同じ長さの素子で形成し、
これらの素子の幅は長さに較べて狭くし、またこれらの
画素子は結合を弱めるように互いに十分に離間させる。
ブの幅は、斯かる整合回路に電力を供給したり、又は接
地するために高インピーダンスで、しかも長さをλ／４
とするＬ２１ ＬＩ９＋ Ｌ２２及びし。、の如き
ライン素子に較べて相対的に大きくする。力、ンプラの
ライン素子し、及びＬ２ｔは同じ長さの素子で形成し、
これらの素子の幅は長さに較べて狭くし、またこれらの
画素子は結合を弱めるように互いに十分に離間させる。
回路の接地箇所には２方向の斜線を付して示しである。
給電抵抗Ｒ，，Ｒ，、Ｒ３，Ｒ１及びコンデンサｃ、、
ｃ２． ｃ３． ｃ、、 ｃ、の如き低周波部品はハ
ンダ付けによって取付ける。電界効果トランジスタＴは
５００ｎ＋Ｗの大きさの出力電力を発生しｉ）るＡｓＧ
ａ ｌ−ランジスタとする。
ｃ２． ｃ３． ｃ、、 ｃ、の如き低周波部品はハ
ンダ付けによって取付ける。電界効果トランジスタＴは
５００ｎ＋Ｗの大きさの出力電力を発生しｉ）るＡｓＧ
ａ ｌ−ランジスタとする。
ドレイン電圧Ｖ。５の大きさを８．５ｖとし、ドレイン
電流Ｉ。の大きさを３００ｍＡ とすると、発振器の出
力電力の大ざさは４ＱｍＷとなる。
電流Ｉ。の大きさを３００ｍＡ とすると、発振器の出
力電力の大ざさは４ＱｍＷとなる。
発振器の全体の寸法は２４ｍｍｘ３８ｍｍとする。
第３図は発振器の出力周波数の実験上の変動特性をバリ
キャップダイオードの制御電圧の関数として示したもの
である。
キャップダイオードの制御電圧の関数として示したもの
である。
斯かる特性から明らかなように、８．５Ｖのバリキャッ
プ制御電圧に対して得られる４、３ＧＨｚの中心周波数
付近では、６％以内で直線的に変調される周波数の帯域
幅は１４０ＭＨｚであり、また１０％以内で直線的に変
調される周波数の帯域幅は１９０ＭＨｚであり、この場
合の直線性は当面の周波数帯域内における周波数変動特
性の最大勾配と最小勾配との比としてその直線性を厳格
に規定することによって評価される。先に詳述したよう
に、固定コンデンサＣ１を第２バリキヤツプダイオード
と置換することによって回路を左程変更することはなく
直線性領域を拡大させることができる。
プ制御電圧に対して得られる４、３ＧＨｚの中心周波数
付近では、６％以内で直線的に変調される周波数の帯域
幅は１４０ＭＨｚであり、また１０％以内で直線的に変
調される周波数の帯域幅は１９０ＭＨｚであり、この場
合の直線性は当面の周波数帯域内における周波数変動特
性の最大勾配と最小勾配との比としてその直線性を厳格
に規定することによって評価される。先に詳述したよう
に、固定コンデンサＣ１を第２バリキヤツプダイオード
と置換することによって回路を左程変更することはなく
直線性領域を拡大させることができる。
第３ｂ図は発振器の出力電力の実験上の変動を同じ制御
電圧の関数として示したもので、これから明らかなよう
に、制御電圧が８．５Ｖ程度の場合の発振器の出力電力
は４０ｍＷ程度である。この出力電力は同じトランジス
タを利用している強度に結合させた帰還発振器の出力端
子にて得られる最大電力よりも１０倍弱い。
電圧の関数として示したもので、これから明らかなよう
に、制御電圧が８．５Ｖ程度の場合の発振器の出力電力
は４０ｍＷ程度である。この出力電力は同じトランジス
タを利用している強度に結合させた帰還発振器の出力端
子にて得られる最大電力よりも１０倍弱い。
第４図は制御電圧に対する発振器の外部Ｑの変動を示し
たものであり、このＱの値はここでは次式に基づいて計
算する。
たものであり、このＱの値はここでは次式に基づいて計
算する。
ここに、ｆは発振器の周波数であり、Ｐｏ５ｃはこの発
振器の出力電力であり、Ｐｂは雑音電力であり、Ａ「は
発振器の対応する同期帯域である。
振器の出力電力であり、Ｐｂは雑音電力であり、Ａ「は
発振器の対応する同期帯域である。
概して、ＱａｘＬの値は有効変調帯域内においては、同
じトランジスタを利用し、かつ同一のドレイン電圧Ｖ８
．（本例では８．５Ｖ）を有している高度に結合させた
帰還発振器のＱ。）ＩＬの値よりも７０倍高くなる。
じトランジスタを利用し、かつ同一のドレイン電圧Ｖ８
．（本例では８．５Ｖ）を有している高度に結合させた
帰還発振器のＱ。）ＩＬの値よりも７０倍高くなる。
第５図は制御電圧Ｖｖ＝０．４Ｖ、 ２．ＩＶ及び５ｖ
の場合におけるドレイン電圧Ｖ。、に対するＱｅＸｔの
変化を示したものである。これらの特性曲線から明らか
なように、発振器の出力電力を左程変更することなく、
ドレイン電圧Ｖ。、を高くすることによって０＠４の値
を高くすることができる。
の場合におけるドレイン電圧Ｖ。、に対するＱｅＸｔの
変化を示したものである。これらの特性曲線から明らか
なように、発振器の出力電力を左程変更することなく、
ドレイン電圧Ｖ。、を高くすることによって０＠４の値
を高くすることができる。
第１図は本発明による高周波発振器の基本回路図；
第２図は第１図の発振器を「マイクロース） ＩＪツブ
」で構成する場合の平面図； 第３図は発振器の周波数変動及び発振器が供給する電力
を制御電圧の関数として示す特性図；第４図は発振器の
外部Ｑの変動を制御電圧の関数として示す特性図； 第５図は外部Ｑの変動を３つの制御電圧の値に対してド
レイン電圧の関数として示す特性図である。 Ｔ・・・電界効果トランジスタ（帰還増幅器）Ｌｌ””
’Ｌ２９・・・ライン素子 Ｃ１〜Ｃ５・・・コンデンサ Ｒ１−Ｒ１・・・抵抗 貼・・・バリキャップダイオード（可変容量ダイオード
） （Ｌｓ、 Ｃ２７） ・・・カップラ（Ｌ’ｓ、
Ｃ４，Ｌ、６． ＤＩｒ Ｌｌｔ）・・・変調回路（Ｌ
、、 Ｌ、、 Ｌ５〜し＋４１ Ｃ２１１Ｌ２□
、 ＣＩ＋ Ｃｓ）・・・トランジスタの人−出力
整合回路 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイ
ランペンファブリケン １Ｇ、２ ＲＧ、３
」で構成する場合の平面図； 第３図は発振器の周波数変動及び発振器が供給する電力
を制御電圧の関数として示す特性図；第４図は発振器の
外部Ｑの変動を制御電圧の関数として示す特性図； 第５図は外部Ｑの変動を３つの制御電圧の値に対してド
レイン電圧の関数として示す特性図である。 Ｔ・・・電界効果トランジスタ（帰還増幅器）Ｌｌ””
’Ｌ２９・・・ライン素子 Ｃ１〜Ｃ５・・・コンデンサ Ｒ１−Ｒ１・・・抵抗 貼・・・バリキャップダイオード（可変容量ダイオード
） （Ｌｓ、 Ｃ２７） ・・・カップラ（Ｌ’ｓ、
Ｃ４，Ｌ、６． ＤＩｒ Ｌｌｔ）・・・変調回路（Ｌ
、、 Ｌ、、 Ｌ５〜し＋４１ Ｃ２１１Ｌ２□
、 ＣＩ＋ Ｃｓ）・・・トランジスタの人−出力
整合回路 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイ
ランペンファブリケン １Ｇ、２ ＲＧ、３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、周波数が可変容量ダイオードによって該ダイオード
の両端に供給される制御電圧の関数として中心周波数付
近で直線的に変調される発振器にあって、パワートラン
ジスタを具えており、該トランジスタの入力及び出力電
極における整合インピーダンスを前記中心周波にて最大
利得が得られるように計算したライン素子によって実現
するようにした高周波発振器において、前記トランジス
タを高利得で、しかも高出力のトランジスタとし、該ト
ランジスタの入力電圧を出力電圧に整合させる帰還回路
網によって前記周波数範囲内で、前記トランジスタの安
定動作モードにより発振させ、発振器の出力端子にて１
つのライン素子を介して前記帰還をかけ、該ライン素子
を前記帰還回路網のライン素子の内の１つのライン素子
に接近させて弱く結合させて、前記トランジスタの出力
端子にて得られる高電力の大部分を前記トランジスタの
入力端子に再注入するようにし、斯くして弱い結合を行
い、かつカップラの指向性とトランジスタの飽和状態と
によって発振器が高い外部Ｑを呈するようにしたことを
特徴とする高周波発振器。 ２、前記可変容量ダイオード及び固定コンデンサを前記
帰還回路網に並列に接続される変調回路における３つの
ライン素子間に直列に配置し、前記固定コンデンサの一
端を第１ライン素子を介して前記帰還回路網の一点に接
続すると共に他端を第２ライン素子を介して前記ダイオ
ードの陰極に接続し、該ダイオードの陽極を第３ライン
素子を介して接地し、前記各ライン素子を、前記周波数
変調の直線性が前記制御電圧の関数として最適となるよ
うに予め定めるようにしたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の高周波発振器。 ３、前記高利得、高出力トランジスタを電界効果トラン
ジスタとし、該トランジスタのソース電極を接地し、グ
リッド及びドレイン電極をそれぞれ前記入力及び出力電
極としたことを特徴とする特許請求の範囲第１及び２項
のいずれか一項に記載の高周波発振器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8516043 | 1985-10-29 | ||
| FR8516043A FR2589294B1 (fr) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Oscillateur hyperfrequence module lineairement en frequence et a coefficient de surtension externe eleve |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62105504A true JPS62105504A (ja) | 1987-05-16 |
| JP2747286B2 JP2747286B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=9324302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61255951A Expired - Lifetime JP2747286B2 (ja) | 1985-10-29 | 1986-10-29 | 高周波発振器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4728909A (ja) |
| EP (1) | EP0221608B1 (ja) |
| JP (1) | JP2747286B2 (ja) |
| DE (1) | DE3687445T2 (ja) |
| FR (1) | FR2589294B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4931799A (en) * | 1989-04-24 | 1990-06-05 | Hughes Aircraft Company | Short-range radar transceiver employing a FET oscillator |
| JPH03276908A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-12-09 | Fujitsu Ltd | 高調波出力型マイクロ波発振器 |
| US5818880A (en) * | 1990-03-30 | 1998-10-06 | Honeywell Inc. | MMIC telemetry transmitter |
| EP0600118B1 (de) * | 1992-12-01 | 1998-05-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Spannungsgesteuerter Mikrowellen-Oszillator |
| US5726608A (en) * | 1995-10-17 | 1998-03-10 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Trimmable multi-terminal capacitor for a voltage controlled oscillator |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5639707U (ja) * | 1979-08-31 | 1981-04-14 | ||
| JPS5748712U (ja) * | 1980-09-02 | 1982-03-18 | ||
| JPS6029212U (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-27 | 株式会社ミツトヨ | 温度補償付当接型測定器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4310809A (en) * | 1979-04-27 | 1982-01-12 | Westinghouse Electric Corp. | Low noise microstrip voltage controlled oscillator |
-
1985
- 1985-10-29 FR FR8516043A patent/FR2589294B1/fr not_active Expired
-
1986
- 1986-10-27 EP EP86201875A patent/EP0221608B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-27 DE DE8686201875T patent/DE3687445T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-10-29 JP JP61255951A patent/JP2747286B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-29 US US06/924,548 patent/US4728909A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5639707U (ja) * | 1979-08-31 | 1981-04-14 | ||
| JPS5748712U (ja) * | 1980-09-02 | 1982-03-18 | ||
| JPS6029212U (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-27 | 株式会社ミツトヨ | 温度補償付当接型測定器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4728909A (en) | 1988-03-01 |
| FR2589294B1 (fr) | 1987-12-31 |
| FR2589294A1 (fr) | 1987-04-30 |
| EP0221608B1 (fr) | 1993-01-07 |
| DE3687445T2 (de) | 1993-07-22 |
| DE3687445D1 (de) | 1993-02-18 |
| JP2747286B2 (ja) | 1998-05-06 |
| EP0221608A1 (fr) | 1987-05-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4310809A (en) | Low noise microstrip voltage controlled oscillator | |
| USRE32527E (en) | FET microwave oscillator being frequency stabilized by capacitive reactance micro-strip stub line | |
| US4338582A (en) | Electronically tunable resonator circuit | |
| US4504796A (en) | Microwave circuit apparatus | |
| EP0064323B1 (en) | An electronic circuit, such as an electronically tunable oscillator circuit, including an lc resonant circuit | |
| US6066997A (en) | Frequency multiplier with fundamental wave reflection | |
| US6580331B2 (en) | Voltage controlled oscillator for oscillating signals with high C/N ratio | |
| JPH04326206A (ja) | 電力増幅器 | |
| JPS6343001B2 (ja) | ||
| JPS62105504A (ja) | 高周波発振器 | |
| US7068115B2 (en) | Monolithic microwave integrated circuit voltage controlled coupled feedback oscillator | |
| US4990865A (en) | Transistor microwave oscillator having adjustable zone of potential instability | |
| JPS61276403A (ja) | マイクロ波電力発振器 | |
| JP3610692B2 (ja) | 電圧制御発振器 | |
| US6433646B2 (en) | Microwave oscillation circuit using a dielectric resonator | |
| JPS592407A (ja) | マイクロ波発振器 | |
| US6765447B2 (en) | Microwave oscillator having improved phase noise of oscillation signal | |
| JPS61219206A (ja) | 集積マイクロ波発振器 | |
| JP2000174554A (ja) | 電圧制御型発振器 | |
| JPH06276038A (ja) | 高周波低雑音増幅器 | |
| KR880001269Y1 (ko) | 극초단파 발진기 | |
| JPS6157731B2 (ja) | ||
| JPH0783213B2 (ja) | 電圧制御発振回路 | |
| JPH0722244B2 (ja) | マイクロ波発振器 | |
| GB1603851A (en) | Microwave frequency oscillators |