JPS592407A - マイクロ波発振器 - Google Patents
マイクロ波発振器Info
- Publication number
- JPS592407A JPS592407A JP11114482A JP11114482A JPS592407A JP S592407 A JPS592407 A JP S592407A JP 11114482 A JP11114482 A JP 11114482A JP 11114482 A JP11114482 A JP 11114482A JP S592407 A JPS592407 A JP S592407A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main resonator
- resonator
- line
- coupling
- microwave oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、平面回路によって構成された発振器において
、負荷Ｑ決定の自由度が大きく負荷Ｑを高くすることが
容易な、マイクロ波発振器に関するものである。
、負荷Ｑ決定の自由度が大きく負荷Ｑを高くすることが
容易な、マイクロ波発振器に関するものである。
（従来技術と問題点）
平面回路によってマイクロ波発振器を構成する場合、主
共振器としてはマイクロストリップ線路からなるλ／４
（λは線路上の波長）共振器が一般に用いられる。この
ように平面回路化されたマイクロ波発振器は、主共振器
をマイクロストリップ線路で構成する限り、共振器自体
のＱ（Ｑｏ）が高くないため、発振用トランジスタ等の
能動素子回路を結合した場合の負荷Ｑ（ＱＬ）は低くな
りやすく、そのため発振周波数安定度が悪い。従ってで
きるだけＱＬを高くするように回路構成することが望ま
しい。また、マイクロ波発振器を周波数変調器として用
いる場合には、Ｃｈｒは低いほど変調周波数帯域幅を広
くする上で有利である。しかしながら周波数変調器の場
合でも、ＦＭ雑音を低く抑えるためには、ＱＬを必要な
値以上にし々ければならない。
共振器としてはマイクロストリップ線路からなるλ／４
（λは線路上の波長）共振器が一般に用いられる。この
ように平面回路化されたマイクロ波発振器は、主共振器
をマイクロストリップ線路で構成する限り、共振器自体
のＱ（Ｑｏ）が高くないため、発振用トランジスタ等の
能動素子回路を結合した場合の負荷Ｑ（ＱＬ）は低くな
りやすく、そのため発振周波数安定度が悪い。従ってで
きるだけＱＬを高くするように回路構成することが望ま
しい。また、マイクロ波発振器を周波数変調器として用
いる場合には、Ｃｈｒは低いほど変調周波数帯域幅を広
くする上で有利である。しかしながら周波数変調器の場
合でも、ＦＭ雑音を低く抑えるためには、ＱＬを必要な
値以上にし々ければならない。
このように、平面回路によって構成したマイクロ波発振
器において、ＱＬを所望の値に容易に設計でき、かつ製
造上ＱＬの再現性が良いことは非常に重要である。しか
しながら従来マイクロ波発務°器としては、主共振器と
能動素子回路とを直接結合したものや、主共振器と能動
素子回路とをコンデンサを介して結合したものが一般的
であって、ＱＬの値を任意に決定し、かつこれを尚く保
っことは困難であった。
器において、ＱＬを所望の値に容易に設計でき、かつ製
造上ＱＬの再現性が良いことは非常に重要である。しか
しながら従来マイクロ波発務°器としては、主共振器と
能動素子回路とを直接結合したものや、主共振器と能動
素子回路とをコンデンサを介して結合したものが一般的
であって、ＱＬの値を任意に決定し、かつこれを尚く保
っことは困難であった。
第１図は従来のマイクロ波発振器の一例を示しだもので
あって、主共振器の一端にトランジスタ回路を直接接続
したものである。同図において、１は一端を接地されだ
λ／４主共振器であって、その他端にトランジスタ２の
ベースが直接接続されて発振器を構成している。トラン
ジスタ２ｉｌ−ｉコレクタを接地され、整合回路６を経
て出力端子４に出力を取シ出される。トランジスタ２は
チョーク５を経て端子６からエミッタバイアス電圧を供
給され、チョーク７を経て端子８からベースバイアス電
圧を供給されている。９，１０はそれぞれデカップリン
グコンデンサである。なお１１は主共振器１に平行して
接近して配置された結合用の線路であって、コンデンサ
１２とともに副共振器を構成し、一端に接続されたバラ
クタダイオード１ろに端子１４からバラクタダイオード
バイアス電圧を与えることによって発振周波数を変化さ
せて、周波数変調器として動作させるだめのものである
。
あって、主共振器の一端にトランジスタ回路を直接接続
したものである。同図において、１は一端を接地されだ
λ／４主共振器であって、その他端にトランジスタ２の
ベースが直接接続されて発振器を構成している。トラン
ジスタ２ｉｌ−ｉコレクタを接地され、整合回路６を経
て出力端子４に出力を取シ出される。トランジスタ２は
チョーク５を経て端子６からエミッタバイアス電圧を供
給され、チョーク７を経て端子８からベースバイアス電
圧を供給されている。９，１０はそれぞれデカップリン
グコンデンサである。なお１１は主共振器１に平行して
接近して配置された結合用の線路であって、コンデンサ
１２とともに副共振器を構成し、一端に接続されたバラ
クタダイオード１ろに端子１４からバラクタダイオード
バイアス電圧を与えることによって発振周波数を変化さ
せて、周波数変調器として動作させるだめのものである
。
１５はデカップリングコンデンサである。
第１図のマイクロ波発振器は、主共振器にトランジスタ
が直接接続されていて負荷Ｑが低いためＳ／ｕが悪く、
壕だトランジスタパラメータが発振周波数に影響する度
合いが大きく、温度安定度を良くできない。さらに結合
用線路を設けて周波数変調器とする場合も、結合用線路
と主共振器とのギャップを介する結合度が、ギャップの
エツチング精度によって影響されやすい。
が直接接続されていて負荷Ｑが低いためＳ／ｕが悪く、
壕だトランジスタパラメータが発振周波数に影響する度
合いが大きく、温度安定度を良くできない。さらに結合
用線路を設けて周波数変調器とする場合も、結合用線路
と主共振器とのギャップを介する結合度が、ギャップの
エツチング精度によって影響されやすい。
第２図は従来のマイクロ波発振器の他の例を示し、主共
振器とトランジスタ回路とをコンデンサを介して接続し
たものである。同図において、第１図におけると同じ部
分は同じ番号で示されており、１６は結合用コンデンサ
であって主共振器１をトランジスタ２のベースに接続し
、これによって発振器を構成している。その他の点にお
いては、第１図の回路と同様である。
振器とトランジスタ回路とをコンデンサを介して接続し
たものである。同図において、第１図におけると同じ部
分は同じ番号で示されており、１６は結合用コンデンサ
であって主共振器１をトランジスタ２のベースに接続し
、これによって発振器を構成している。その他の点にお
いては、第１図の回路と同様である。
第２図のマイクロ波発振器においては、コンデンサの容
量値の選定によって主共振器とトランジスタ回路との結
合度を変えることができ、従ってＱＬをある程度変える
ことができる。しかしながらこのため精度の高いコンデ
ンサを必要とすることと、コンデンサの温度特性が発振
周波数に影響を及ばずため、実際製造上は困難が多かっ
た。
量値の選定によって主共振器とトランジスタ回路との結
合度を変えることができ、従ってＱＬをある程度変える
ことができる。しかしながらこのため精度の高いコンデ
ンサを必要とすることと、コンデンサの温度特性が発振
周波数に影響を及ばずため、実際製造上は困難が多かっ
た。
□このように従来のマイクロ波発振器においては、例え
ば第１図の回路形式では、主共振器となる伝送線路が発
振用能動素子回路に直接接続されていて、ＱＬは主共振
器１の特性インピーダンスと、共振器側からみたトラン
ジスタ２の発振周波数におけるインピーダンスとによっ
て決定され、自由度が小さく、かつ（ｈを高くすること
が困難である。また第２図の回路形式では、ＱＬＯ値を
ある範囲で選定できるが、その値を正確にかつ安定に維
持することが困難である。さらに画形式とも副共振器の
結合度を伝送線路間のギャップによって調整しているた
め、エツチング精度によるばらつきが太きい。
ば第１図の回路形式では、主共振器となる伝送線路が発
振用能動素子回路に直接接続されていて、ＱＬは主共振
器１の特性インピーダンスと、共振器側からみたトラン
ジスタ２の発振周波数におけるインピーダンスとによっ
て決定され、自由度が小さく、かつ（ｈを高くすること
が困難である。また第２図の回路形式では、ＱＬＯ値を
ある範囲で選定できるが、その値を正確にかつ安定に維
持することが困難である。さらに画形式とも副共振器の
結合度を伝送線路間のギャップによって調整しているた
め、エツチング精度によるばらつきが太きい。
（発明の目的）
本発明は、このような従来技術の問題点を解決しようと
するものであって、その目的は、平面回路の構造を用い
たマイクロ波発振器において、主共振器におけるＱＬ値
選択の自由度が太きいとともに、その埴を大きくするこ
とが容易であり、かつＱＬ値を安定に保つことができる
回路形式を提供することにある。
するものであって、その目的は、平面回路の構造を用い
たマイクロ波発振器において、主共振器におけるＱＬ値
選択の自由度が太きいとともに、その埴を大きくするこ
とが容易であり、かつＱＬ値を安定に保つことができる
回路形式を提供することにある。
（発明の実施例）
第６図は本発明のマイクロ波発振器の一実施例の構成を
示している。同図において、第１図および第２図におけ
ると同じ部分は同じ番刊で示されており、２１は結合用
線路、２２は直流阻止用コンデンサ、２６は結合点、２
４はインダクタンス、２５は結合点である。
示している。同図において、第１図および第２図におけ
ると同じ部分は同じ番刊で示されており、２１は結合用
線路、２２は直流阻止用コンデンサ、２６は結合点、２
４はインダクタンス、２５は結合点である。
第２図において、一端を接地された目的周波数において
ほぼλ／４の伝送線路からなる主共振器１上における接
続点２３に結合用線路２１の一端が接続され、線路２１
の他端は直流阻止用コンデンサ２２を経てトランジスタ
２のベースに接続されて発振回路を形成している。結合
用線路２１は、主共振器１の接続点２６とトランジスタ
２のベースとの間に配置され、トランジスタから主共振
器１を見た反射系数が最適の位相になるようにその長さ
ｔ２ を選ばれている。さらに主共振器１および結合用
伝送線路２１のそれぞれの特性インピーダンスの比と、
接続点２６の位１６−すなわち接地から接続点２６まで
の長さｔｌ と主共振器１の長さ１、の比によって、
主共振器１のＱＬを任意に設定することができる。コン
デンサ２２は主共振器１の側に対してベースバイアス電
圧を阻止するために設けられている。
ほぼλ／４の伝送線路からなる主共振器１上における接
続点２３に結合用線路２１の一端が接続され、線路２１
の他端は直流阻止用コンデンサ２２を経てトランジスタ
２のベースに接続されて発振回路を形成している。結合
用線路２１は、主共振器１の接続点２６とトランジスタ
２のベースとの間に配置され、トランジスタから主共振
器１を見た反射系数が最適の位相になるようにその長さ
ｔ２ を選ばれている。さらに主共振器１および結合用
伝送線路２１のそれぞれの特性インピーダンスの比と、
接続点２６の位１６−すなわち接地から接続点２６まで
の長さｔｌ と主共振器１の長さ１、の比によって、
主共振器１のＱＬを任意に設定することができる。コン
デンサ２２は主共振器１の側に対してベースバイアス電
圧を阻止するために設けられている。
このように第６図に示されたマイクロ波発振回路では、
ＱＬの値を決定する上の自由度が大きく、かつＱＬを高
くすることが容易である。ＱＬの値は主共振器１と結合
用伝送線路２１の形状と位置関係によって定まるため、
ＱＬの値が安定であるとともに発振周波数の変化も少な
い。
ＱＬの値を決定する上の自由度が大きく、かつＱＬを高
くすることが容易である。ＱＬの値は主共振器１と結合
用伝送線路２１の形状と位置関係によって定まるため、
ＱＬの値が安定であるとともに発振周波数の変化も少な
い。
なお第６図の回路においては、インダクタンス２４とコ
ンデンサ１２とによって副共振器を形成し、これにバラ
クタダイオード１６を接続して端子１４から与えられる
バラクタダイオード電圧を変化させて周波数変調器とし
て動作させることができる。この際、インダクタンス２
４の接続点２５の位置すなわち接地から接続点２５甘で
の長さｔ３と主共振器１の長さ１． との比を変えるこ
とによって、副共振器と主共振器との結合量を変えるこ
とができ、これによって変調感度、直線性を自由に決定
できる。従って第１図および第２図に示された従来の回
路のように、エツチング精度によって結合度が影響され
ることがない。
ンデンサ１２とによって副共振器を形成し、これにバラ
クタダイオード１６を接続して端子１４から与えられる
バラクタダイオード電圧を変化させて周波数変調器とし
て動作させることができる。この際、インダクタンス２
４の接続点２５の位置すなわち接地から接続点２５甘で
の長さｔ３と主共振器１の長さ１． との比を変えるこ
とによって、副共振器と主共振器との結合量を変えるこ
とができ、これによって変調感度、直線性を自由に決定
できる。従って第１図および第２図に示された従来の回
路のように、エツチング精度によって結合度が影響され
ることがない。
第４図は本発明のマイクロ波発振器の他の実施例の構成
を示している。同図において、第３図におけると同じ部
分は同じ番号で示されておシ、２６は電界効果トランジ
スタ（ＦＥＴ）、２７はケートバイアス端子、２８はソ
ースバイアス端子である。
を示している。同図において、第３図におけると同じ部
分は同じ番号で示されておシ、２６は電界効果トランジ
スタ（ＦＥＴ）、２７はケートバイアス端子、２８はソ
ースバイアス端子である。
第４図の実施例においては、第６図の実施例におけるト
ラン・ジスタ２に代えてＦＥＴ２６が用いられており、
ＦＥＴ２６のゲートＧは直流阻止用コンデンサ２２を経
て結合用線路２１の一端に接続され、ドレインＤは接地
され、ソースＳは整合回路６に接続されている。さらに
チョーク７を介してゲートバイアス端子２７からゲート
バイアスが供給され、チョーク５を経てソースバイアス
端子２８からソースバイアスが供給されている。このよ
うに構成されている結果、第４図に示されたマイクロ波
発振器は第６図の実施例に示されたマイクロ波発振器と
同様に動作し、ＱＬを決定する上の自由度が大きく、か
つＱＬを高くすることが容易であるとともに、ＱＬＯ値
が安定で発振周波数安定度が高いことも同様である。
ラン・ジスタ２に代えてＦＥＴ２６が用いられており、
ＦＥＴ２６のゲートＧは直流阻止用コンデンサ２２を経
て結合用線路２１の一端に接続され、ドレインＤは接地
され、ソースＳは整合回路６に接続されている。さらに
チョーク７を介してゲートバイアス端子２７からゲート
バイアスが供給され、チョーク５を経てソースバイアス
端子２８からソースバイアスが供給されている。このよ
うに構成されている結果、第４図に示されたマイクロ波
発振器は第６図の実施例に示されたマイクロ波発振器と
同様に動作し、ＱＬを決定する上の自由度が大きく、か
つＱＬを高くすることが容易であるとともに、ＱＬＯ値
が安定で発振周波数安定度が高いことも同様である。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明のマイクロ波発振器によれ
ば、平面回路によって構成された発掘器において、ＱＩ
、決定の自由度が太きく ＱＬを高くすることが容易で
あるとともに、ＱＬを安定に保つことができる。従って
発振周波数安定度を高くすることができるとともに、製
造上の再現性を向上させることができるので甚だ効果的
である。
ば、平面回路によって構成された発掘器において、ＱＩ
、決定の自由度が太きく ＱＬを高くすることが容易で
あるとともに、ＱＬを安定に保つことができる。従って
発振周波数安定度を高くすることができるとともに、製
造上の再現性を向上させることができるので甚だ効果的
である。
第１図および第２図は従来のマイクロ波発振器の構成例
を示す図、第６図および第４図はそれぞれ本発明のマイ
クロ波発振器の一実施例の構成を示す図である。 １・・・λ／４主共振器、２・・・トランジスタ、６・
・・整合回路、４・・・出力端子、５・・・チョーク、
６・・・エミッタバイアス端子、７・・・チョーク、８
・・・ヘ−７，７：イアス端子、９．１０・・・デカッ
プリングコンデンサ、１１ ・・・結合用線路、１２・
・・コンデンサ、１ろ・・・ノくラクタダイオード、１
４・・・ノ（ラクタダイオードノくイアス端子、１５・
・・デカップリングコンデンサ、１６・・・結合用コン
デンサ、２１ ・・・結合用線路、２２・・・直流阻止
用コンデンサ、２３・・・結合点、２４・・・インダク
タンス、２５・・・結合点、２６・・・電界効果トラン
ジスタ（ＦＥＴ）、２７・・・ゲートノ（イアス端子、
２８・・・ソースバイアス端子 特許出願人富士通株式会社 代理人弁理士 玉 蟲 久五 部（外３名）第１０ り Ｍ ２ 図 第３図 第 ４Ｉ２１
を示す図、第６図および第４図はそれぞれ本発明のマイ
クロ波発振器の一実施例の構成を示す図である。 １・・・λ／４主共振器、２・・・トランジスタ、６・
・・整合回路、４・・・出力端子、５・・・チョーク、
６・・・エミッタバイアス端子、７・・・チョーク、８
・・・ヘ−７，７：イアス端子、９．１０・・・デカッ
プリングコンデンサ、１１ ・・・結合用線路、１２・
・・コンデンサ、１ろ・・・ノくラクタダイオード、１
４・・・ノ（ラクタダイオードノくイアス端子、１５・
・・デカップリングコンデンサ、１６・・・結合用コン
デンサ、２１ ・・・結合用線路、２２・・・直流阻止
用コンデンサ、２３・・・結合点、２４・・・インダク
タンス、２５・・・結合点、２６・・・電界効果トラン
ジスタ（ＦＥＴ）、２７・・・ゲートノ（イアス端子、
２８・・・ソースバイアス端子 特許出願人富士通株式会社 代理人弁理士 玉 蟲 久五 部（外３名）第１０ り Ｍ ２ 図 第３図 第 ４Ｉ２１
Claims (1)
- 一端を接地されたλ／４伝送線路からなる主共振器をト
ランジスタ等の能動素子回路に接続して、発振回路を形
成するマイクロ波発振器において、前記主共振器上に選
ばれた接続点と前記能動素子回路との間に結合用の伝送
線路を設けたことを特徴とするマイクロ波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11114482A JPS592407A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | マイクロ波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11114482A JPS592407A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | マイクロ波発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592407A true JPS592407A (ja) | 1984-01-09 |
Family
ID=14553566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11114482A Pending JPS592407A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592407A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033707A (ja) * | 1983-08-03 | 1985-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発振装置 |
| JPH0354904A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Mizutani Purintekusu Kk | Ｕｈｆ帯発振器 |
| US5708397A (en) * | 1993-01-19 | 1998-01-13 | Fujitsu Limited | High frequency circuit device with stripline having an adjustable attachment position for varactor diode terminal |
| US6724274B2 (en) | 1999-10-29 | 2004-04-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Frequency-switching oscillator and electronic device using the same |
| JP2008288862A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | New Japan Radio Co Ltd | ガンダイオード発振器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5592659A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-14 | Nippon Haigou Shiryo Kk | Half-wetted feed for animal |
| JPS57198054A (en) * | 1981-05-30 | 1982-12-04 | Nippon Haigou Shiryo Kk | Granular soft feed for animal |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP11114482A patent/JPS592407A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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