JPS62102231A - 液晶光シャッタの温度制御装置 - Google Patents
液晶光シャッタの温度制御装置Info
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- JPS62102231A JPS62102231A JP60243743A JP24374385A JPS62102231A JP S62102231 A JPS62102231 A JP S62102231A JP 60243743 A JP60243743 A JP 60243743A JP 24374385 A JP24374385 A JP 24374385A JP S62102231 A JPS62102231 A JP S62102231A
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- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
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- B41J2/135—Nozzles
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133382—Heating or cooling of liquid crystal cells other than for activation, e.g. circuits or arrangements for temperature control, stabilisation or uniform distribution over the cell
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、液晶の電気光学効果を利用した光記録方式の
記録装置、更に詳しくはその記録装置に記録ヘッドとし
て使用される液晶光シャッタの温度制御装置に関する。
記録装置、更に詳しくはその記録装置に記録ヘッドとし
て使用される液晶光シャッタの温度制御装置に関する。
近年、インパクトプリンタに代わる記録装置として、レ
ーザ、OFT、LED、LCDなどの光変換素子を用い
た光記録方式の記録装置が種々開発されている。その中
でも液晶光シャンクを使用した記録装置が、高印字品質
、高速、低雑音といった利点を有するために、特に注目
されている。
ーザ、OFT、LED、LCDなどの光変換素子を用い
た光記録方式の記録装置が種々開発されている。その中
でも液晶光シャンクを使用した記録装置が、高印字品質
、高速、低雑音といった利点を有するために、特に注目
されている。
その記録装置は、液晶光シャッタを記録ヘッドとして用
い、記録信号に応じて光シャッタを選択開閉することに
より、光源からの光を選択透過させることで、感光体に
光書込みを行うというものである。
い、記録信号に応じて光シャッタを選択開閉することに
より、光源からの光を選択透過させることで、感光体に
光書込みを行うというものである。
ところで、液晶光シャッタの駆動方法としては、液晶の
誘電異方性が電場の周波数の変化によって反転する性質
を利用した二周波駆動方式が知られている。即ち、第1
0図に示すように、液晶は交差周波数fcより低い周波
数では誘電異方性は正となり、また周波数がfcより高
くなると誘電異方性が負に反転するという性質を有する
。そして電場の周波数としてfcより低い周波数fLを
印加すると、液晶分子が電場に平行に配列し、光シャッ
タとして用いた場合、シャツタ開の状態とすることがで
きる。またfcより高い周波数fHを印加すると、液晶
分子は電場に垂直に配列し、シャツタ開の状態となり、
この開閉機能を制御することによって、感光体への記録
ヘッドとして好適に使用することができる。
誘電異方性が電場の周波数の変化によって反転する性質
を利用した二周波駆動方式が知られている。即ち、第1
0図に示すように、液晶は交差周波数fcより低い周波
数では誘電異方性は正となり、また周波数がfcより高
くなると誘電異方性が負に反転するという性質を有する
。そして電場の周波数としてfcより低い周波数fLを
印加すると、液晶分子が電場に平行に配列し、光シャッ
タとして用いた場合、シャツタ開の状態とすることがで
きる。またfcより高い周波数fHを印加すると、液晶
分子は電場に垂直に配列し、シャツタ開の状態となり、
この開閉機能を制御することによって、感光体への記録
ヘッドとして好適に使用することができる。
しかしながら、液晶の誘電異方性は、粘度に敏感であり
、従って温度変化によって大き←変化するという傾向を
有する。粘度が変わると「Cが変化し、例えば温度が2
0℃から40°Cまで上昇すると、fcは5KHzから
46 K Hzへと1桁近くも変化するために、光シャ
ッタとして機能しな(なる。そのため、液晶光シャッタ
を使用する場合は、温度を一定に制御することが要求さ
れ、また低粘度であれば液晶分子の働きが速まり高速応
答が期待されるため、ある程度温度を上げて用いられる
。
、従って温度変化によって大き←変化するという傾向を
有する。粘度が変わると「Cが変化し、例えば温度が2
0℃から40°Cまで上昇すると、fcは5KHzから
46 K Hzへと1桁近くも変化するために、光シャ
ッタとして機能しな(なる。そのため、液晶光シャッタ
を使用する場合は、温度を一定に制御することが要求さ
れ、また低粘度であれば液晶分子の働きが速まり高速応
答が期待されるため、ある程度温度を上げて用いられる
。
第11図にその液晶光シャフタの温度制御装置の一例と
して二位置制御方式の温度制御装置を示す。
して二位置制御方式の温度制御装置を示す。
図中Hは液晶光シャック(図示せず)に設けたヒータで
あり、比較回路Q1の出力によりトランジスタQ8のス
イッチ動作を制御することでヒータHへの通電を制御し
、液晶光シャッタの温度を制御するように構成されてい
る。即ち、比較回路QAの非反転端子I9に液晶光シャ
ッタに取り付けたサーミスタTHと抵抗器RAとで電源
電圧V+oを分割した電圧VNを入力し、これによって
液晶光シャッタの温度を検知すると共に、他方の反転端
子■lに基準電圧として電源電圧■lOを抵抗器R8と
Rcとで分割した電圧v1が入力されている。そして、
液晶光シャッタの温度が低いときは、サーミスタTHの
抵抗値が大きくなり、vN>vrとなったときに比較回
路Q、の出力がハイレベルとなり、これによってトラン
ジスタQ8がオンしてヒータHに通電し、液晶光シャッ
タが加熱される。また液晶光シャッタの温度が高くなる
と、サーミスタTHの抵抗値は小さくなり、V、<Vl
になったときに比較回路QAの出力はローレベルとなり
、これによってトランジスタQ8がオフし、ヒータHへ
の通電が停止され同ヒータHの発熱が停止される。
あり、比較回路Q1の出力によりトランジスタQ8のス
イッチ動作を制御することでヒータHへの通電を制御し
、液晶光シャッタの温度を制御するように構成されてい
る。即ち、比較回路QAの非反転端子I9に液晶光シャ
ッタに取り付けたサーミスタTHと抵抗器RAとで電源
電圧V+oを分割した電圧VNを入力し、これによって
液晶光シャッタの温度を検知すると共に、他方の反転端
子■lに基準電圧として電源電圧■lOを抵抗器R8と
Rcとで分割した電圧v1が入力されている。そして、
液晶光シャッタの温度が低いときは、サーミスタTHの
抵抗値が大きくなり、vN>vrとなったときに比較回
路Q、の出力がハイレベルとなり、これによってトラン
ジスタQ8がオンしてヒータHに通電し、液晶光シャッ
タが加熱される。また液晶光シャッタの温度が高くなる
と、サーミスタTHの抵抗値は小さくなり、V、<Vl
になったときに比較回路QAの出力はローレベルとなり
、これによってトランジスタQ8がオフし、ヒータHへ
の通電が停止され同ヒータHの発熱が停止される。
しかし、上記のような温度制御装置では、液晶光シャッ
タの温度が設定温度より低くなったときにヒータHに通
電し、設定温度より高くなるとヒータへの通電を停止す
るだけであるために、第12図に示すように、温度制御
の精度が十分でない。特に雰囲気温度が変化したときに
安定性が維持できない。そのため、液晶光シャフタの動
作特性、叩ちシャフタの開口率が不安定となり、感光体
に光書込みを行う場合に潜像電位を不均一とし、現像時
において画像濃度にバラツキを生じ、印字品質を悪化さ
せる。
タの温度が設定温度より低くなったときにヒータHに通
電し、設定温度より高くなるとヒータへの通電を停止す
るだけであるために、第12図に示すように、温度制御
の精度が十分でない。特に雰囲気温度が変化したときに
安定性が維持できない。そのため、液晶光シャフタの動
作特性、叩ちシャフタの開口率が不安定となり、感光体
に光書込みを行う場合に潜像電位を不均一とし、現像時
において画像濃度にバラツキを生じ、印字品質を悪化さ
せる。
“またサーミスタTH及びヒータHは、液晶光シャッタ
を構成する例えばガラス基板に密着して取り付けており
、電源投入時にヒータHが密着したガラス基板の温度よ
り、サーミスタT Hが検出する温度が低くなり、両者
が同じになるまで時間差がある。即ち、ヒータHにより
ガラス基板が温められ、その熱がサーミスタTHに伝わ
るまでに時間差が生じ、この傾向は液晶光シャッタの雰
囲気温度が低い程長くなる。そのためサーミスタTHが
適温を検出したときは、ヒータHが密着した部分のガラ
ス基板は適温をはるかに越えており、第12図にFとし
て示すようにオーバシュートとなって現れ、安定した温
度制御ができないという欠点があった。
を構成する例えばガラス基板に密着して取り付けており
、電源投入時にヒータHが密着したガラス基板の温度よ
り、サーミスタT Hが検出する温度が低くなり、両者
が同じになるまで時間差がある。即ち、ヒータHにより
ガラス基板が温められ、その熱がサーミスタTHに伝わ
るまでに時間差が生じ、この傾向は液晶光シャッタの雰
囲気温度が低い程長くなる。そのためサーミスタTHが
適温を検出したときは、ヒータHが密着した部分のガラ
ス基板は適温をはるかに越えており、第12図にFとし
て示すようにオーバシュートとなって現れ、安定した温
度制御ができないという欠点があった。
本発明は上記欠点に鑑み、雰囲気温度が変化しても液晶
光シャッタを高精度で制御することができ、それによっ
て印字品質を良好に維持できると共に、オーバシュート
をも有効に防止することができる液晶光シャッタの温度
制御装置を提供することを目的とする。
光シャッタを高精度で制御することができ、それによっ
て印字品質を良好に維持できると共に、オーバシュート
をも有効に防止することができる液晶光シャッタの温度
制御装置を提供することを目的とする。
本発明は上記目的を達成するために、加熱手段が設けら
れ、複数のマイクロシャッタの選択開閉により、光源の
光を選択透過させ感光体に光書込みを行う液晶光シャ、
夕の温度制御装置において、上記液晶光シャック近傍の
温度を検出する温度検出手段を設けると共に、該温度検
出手段の出力に基づき上記加熱手段への通電率を変化さ
せる第1の制御手段を設け、且つ上記温度検出手段の出
力に基づき上記第1の制御手段とは異なる通電率で加熱
手段への通電を制御する第2の制御手段を設けたことを
特徴とする。
れ、複数のマイクロシャッタの選択開閉により、光源の
光を選択透過させ感光体に光書込みを行う液晶光シャ、
夕の温度制御装置において、上記液晶光シャック近傍の
温度を検出する温度検出手段を設けると共に、該温度検
出手段の出力に基づき上記加熱手段への通電率を変化さ
せる第1の制御手段を設け、且つ上記温度検出手段の出
力に基づき上記第1の制御手段とは異なる通電率で加熱
手段への通電を制御する第2の制御手段を設けたことを
特徴とする。
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。まず、液晶光シャッタを用いた記録装置の構成を説明
する。第6図にその記録装置の構成図を示す。
。まず、液晶光シャッタを用いた記録装置の構成を説明
する。第6図にその記録装置の構成図を示す。
同図において、感光体1の表面はあらかしめ帯電器2に
て均一に帯電されている。液晶光ツヤツタ部3は記録情
報を受けてタイミングなどを制御する記録制御部4によ
り駆動され、情報の電気光学変換を行い、感光体1の表
面に光書込みを行う。
て均一に帯電されている。液晶光ツヤツタ部3は記録情
報を受けてタイミングなどを制御する記録制御部4によ
り駆動され、情報の電気光学変換を行い、感光体1の表
面に光書込みを行う。
このようにして形成された静電潜像は現@嘉5にてトナ
ーにより現像され可視像化される。また、転写紙6は給
紙ロール7により給送され、待機ロール8にて上記転写
紙6の先端と上述のトナー像の先端とが一致するように
同期をとられて転写器9において転写IE6にトナー像
が転写される。転写紙6は分離部10にて感光体lより
分離されサーミスタllaと定着用ヒータで一定温度に
温度制御された定着器11で熱定着され、排紙ロール1
2により機外に搬出される。一方、転写器9で完全に転
写されなかったトナーが感光体1の表面に残留している
ため、除電器13で残留トナーの電荷を除電した後、ク
リーニング部14により清掃され、イレーザ15で感光
体1の表面を除電した後、次の露光に備えて帯電器2に
より再び一様な電荷が感光体1の表面に付与される。
ーにより現像され可視像化される。また、転写紙6は給
紙ロール7により給送され、待機ロール8にて上記転写
紙6の先端と上述のトナー像の先端とが一致するように
同期をとられて転写器9において転写IE6にトナー像
が転写される。転写紙6は分離部10にて感光体lより
分離されサーミスタllaと定着用ヒータで一定温度に
温度制御された定着器11で熱定着され、排紙ロール1
2により機外に搬出される。一方、転写器9で完全に転
写されなかったトナーが感光体1の表面に残留している
ため、除電器13で残留トナーの電荷を除電した後、ク
リーニング部14により清掃され、イレーザ15で感光
体1の表面を除電した後、次の露光に備えて帯電器2に
より再び一様な電荷が感光体1の表面に付与される。
このような記録工程に用いられる液晶光シャンク部3の
構成を第7図により説明する。
構成を第7図により説明する。
同図に示すように、液晶光シャッタ部3は光源16、光
源用ヒータ17、液晶光シャ・7り18、液晶用ヒータ
19、結像レンズ20及び制御用基板21a、21bに
より主に構成されている。光源16には蛍光灯が用いら
れ、光源用ヒータ17の一端には光源用ヒータ17の温
度を検出するサーミスタ22が取り付けられ、また液晶
シャンク部3のほぼ中央部には、後述する液晶光シャッ
タ18の雰囲気温度を検出するためのサーミスタ30が
取り付けられている。また液晶光シャッタ18はゲスト
ホスト型の液晶光シャッタでその構造は、第8図、第9
図に示すように、2枚のガラス基板23.24の間に液
晶混合物を封入してなり、ガラス基板23には、信号電
極25が交互に備わっており、ガラス基板24には共通
電極26が備わっている。マイクロシャッタ27は信号
電極25と共通電極26の交わる部分に必要な大きさで
、必要な形状だけ酸化インジウム(ln203)や酸化
スズ(Sn02)等の透明電極により構成される。この
ように構成された液晶パネル28に少なくとも1枚の偏
光板及び液晶用ヒータ19を配することにより、液晶光
シャッタ18は構成されている。また、液晶光シャッタ
18にも後述する液晶光シャンク18の温度を検出する
ためのサーミスタ29が取り付けられている。
源用ヒータ17、液晶光シャ・7り18、液晶用ヒータ
19、結像レンズ20及び制御用基板21a、21bに
より主に構成されている。光源16には蛍光灯が用いら
れ、光源用ヒータ17の一端には光源用ヒータ17の温
度を検出するサーミスタ22が取り付けられ、また液晶
シャンク部3のほぼ中央部には、後述する液晶光シャッ
タ18の雰囲気温度を検出するためのサーミスタ30が
取り付けられている。また液晶光シャッタ18はゲスト
ホスト型の液晶光シャッタでその構造は、第8図、第9
図に示すように、2枚のガラス基板23.24の間に液
晶混合物を封入してなり、ガラス基板23には、信号電
極25が交互に備わっており、ガラス基板24には共通
電極26が備わっている。マイクロシャッタ27は信号
電極25と共通電極26の交わる部分に必要な大きさで
、必要な形状だけ酸化インジウム(ln203)や酸化
スズ(Sn02)等の透明電極により構成される。この
ように構成された液晶パネル28に少なくとも1枚の偏
光板及び液晶用ヒータ19を配することにより、液晶光
シャッタ18は構成されている。また、液晶光シャッタ
18にも後述する液晶光シャンク18の温度を検出する
ためのサーミスタ29が取り付けられている。
感光体lへの光書込みは、信号電極25と共通電極26
に制御用基Fi<21a、21bより駆動信号を与える
ことにより、液晶光シャッタ18の各マイクロシャッタ
27を開閉制御し、開状態のマイクロシャッタ27を透
過した光源16の光を感光体lの表面に照射することに
より行われる。
に制御用基Fi<21a、21bより駆動信号を与える
ことにより、液晶光シャッタ18の各マイクロシャッタ
27を開閉制御し、開状態のマイクロシャッタ27を透
過した光源16の光を感光体lの表面に照射することに
より行われる。
第1図は本発明の一実施例を示したもので、上記液晶光
シャ、り18の温度制御装置を示したものである。
シャ、り18の温度制御装置を示したものである。
第1図において、31は液晶光シャッタに取り付けたサ
ーミスタ29により温度を検出し、この温度出力によっ
てヒータ19への通電を制御する加熱制御部である。こ
の加熱制御部31は、比較回路Q1の非反転端子(十人
力)に電源電圧V+。
ーミスタ29により温度を検出し、この温度出力によっ
てヒータ19への通電を制御する加熱制御部である。こ
の加熱制御部31は、比較回路Q1の非反転端子(十人
力)に電源電圧V+。
を抵抗器R1とサーミスタ19で分割した電圧V8を入
力し、他方の反転端子(−人力)に抵抗器R2と抵抗器
R3及び可変抵抗器VR+で分割した電圧Vrを入力し
て、V、>V、となったときに比較回路Q1の出力がハ
イレベルとなり、これによって出力トランジスタQ2が
オンし、ヒータ19に通電を行う。記録装置の電源投入
時には液晶光シャッタが冷えた状態であるために、サー
ミスタ29の抵抗値は大きく、VH>Vrとなって比較
回路Q+はハイレベルを維持する。これにより出力トラ
ンジスタQ2がオンしつづけ、ヒータ19に連続的に通
電して液晶光シャッタを加熱し、第2図(a)に示すよ
うに電源投入時のへの時間領域を加熱制御部31の制御
動作によって加熱を行う。本実施例では、可変抵抗器V
R+を調整することによって、液晶光シャンクを40℃
まで加熱するように設定した。従って、液晶光シャ・ツ
タの温度が40℃を越えると、V、<Vlとなるために
、第2図(blに示すように、比較回路Q+の出力がロ
ーレベルとなり、出力トランジスタQ2がオフし、ヒー
タ19への通電を停止する。なお、本実施例では制御系
の電源はV+oとして示すIOVの電源を使用し、ヒー
タ19の電源はV 211として示す24Vの電源を使
用している。
力し、他方の反転端子(−人力)に抵抗器R2と抵抗器
R3及び可変抵抗器VR+で分割した電圧Vrを入力し
て、V、>V、となったときに比較回路Q1の出力がハ
イレベルとなり、これによって出力トランジスタQ2が
オンし、ヒータ19に通電を行う。記録装置の電源投入
時には液晶光シャッタが冷えた状態であるために、サー
ミスタ29の抵抗値は大きく、VH>Vrとなって比較
回路Q+はハイレベルを維持する。これにより出力トラ
ンジスタQ2がオンしつづけ、ヒータ19に連続的に通
電して液晶光シャッタを加熱し、第2図(a)に示すよ
うに電源投入時のへの時間領域を加熱制御部31の制御
動作によって加熱を行う。本実施例では、可変抵抗器V
R+を調整することによって、液晶光シャンクを40℃
まで加熱するように設定した。従って、液晶光シャ・ツ
タの温度が40℃を越えると、V、<Vlとなるために
、第2図(blに示すように、比較回路Q+の出力がロ
ーレベルとなり、出力トランジスタQ2がオフし、ヒー
タ19への通電を停止する。なお、本実施例では制御系
の電源はV+oとして示すIOVの電源を使用し、ヒー
タ19の電源はV 211として示す24Vの電源を使
用している。
32は液晶光シャッタの温度が設定温度を越えた場合に
、ヒータ19への通電を停止する温度制限部であり、比
較回路Q3の非反転端子に上記比較回路Q1と同じく抵
抗器R1とサーミスタ29の分割電圧を入力し、他方の
反転端子に抵抗器R7と抵抗器R8及び可変抵抗器VR
2の分割電圧を入力している。そして、可変抵抗器VR
2を調整することによって、液晶光シャッタの温度が4
5℃以上になると第2図(C)に示すように、比較回路
Q3の出力がローレベルとなり、これにより後述する第
1の温度制御部34の比較回路Q4出力を強制的にロー
レベルとして、ヒータ19への通電を禁止して液晶光シ
ャッタの温度制御を行う。
、ヒータ19への通電を停止する温度制限部であり、比
較回路Q3の非反転端子に上記比較回路Q1と同じく抵
抗器R1とサーミスタ29の分割電圧を入力し、他方の
反転端子に抵抗器R7と抵抗器R8及び可変抵抗器VR
2の分割電圧を入力している。そして、可変抵抗器VR
2を調整することによって、液晶光シャッタの温度が4
5℃以上になると第2図(C)に示すように、比較回路
Q3の出力がローレベルとなり、これにより後述する第
1の温度制御部34の比較回路Q4出力を強制的にロー
レベルとして、ヒータ19への通電を禁止して液晶光シ
ャッタの温度制御を行う。
33は上記温度制限部32の比較回路Q3出力がローレ
ベルになったとき、即ち液晶光シャッタの温度が45℃
以上になったときに、比較回路Q3出力に接続されたダ
イオードD6のアノードをローレベルに保持するラッチ
部である。
ベルになったとき、即ち液晶光シャッタの温度が45℃
以上になったときに、比較回路Q3出力に接続されたダ
イオードD6のアノードをローレベルに保持するラッチ
部である。
比較回路Q3の出力がローレベルになると、ラッチ回路
を構成するトランジスタQ6及びQ7がそれぞれオンし
、且つそのオン状態を保持するために、ダイオードD6
のアノードはローレベルを保持する。またトランジスタ
Q6のオン信号を後述する第1の温度制御部34に出力
し、トランジスタQ7のオン信号を後述する第2の温度
制御部35に出力する。
を構成するトランジスタQ6及びQ7がそれぞれオンし
、且つそのオン状態を保持するために、ダイオードD6
のアノードはローレベルを保持する。またトランジスタ
Q6のオン信号を後述する第1の温度制御部34に出力
し、トランジスタQ7のオン信号を後述する第2の温度
制御部35に出力する。
34は液晶光シャッタの温度を設定温度に維持するよう
に制御する第1の温度制御部であり、同制御部34は鋸
歯状波発振器であると同時に、上記の如く液晶シャッタ
部の中央部に取り付けたサーミスタ30により雰囲気温
度を検出して液晶光シャッタの温度を設定温度に制御す
る。本実施例では、設定温度を液晶光シャッタを高速応
答で使用できる最適温度条件として45℃に設定した。
に制御する第1の温度制御部であり、同制御部34は鋸
歯状波発振器であると同時に、上記の如く液晶シャッタ
部の中央部に取り付けたサーミスタ30により雰囲気温
度を検出して液晶光シャッタの温度を設定温度に制御す
る。本実施例では、設定温度を液晶光シャッタを高速応
答で使用できる最適温度条件として45℃に設定した。
又第2図(alに示すように第1′の温度制御部は、液
晶光シャッタが45℃に立上った後のCとして示す領域
を制御する。以下にその動作を詳細に説明する。
晶光シャッタが45℃に立上った後のCとして示す領域
を制御する。以下にその動作を詳細に説明する。
比較回路Q4の非反転端子には、基準電圧として抵抗器
R9とRhoで分割した電圧を入力し、他方の反転端子
にはサーミスタ30、可変抵抗器VR3とコンデンサC
とで構成した時定数回路の出力を入力している。なお、
DlはコンデンサCのサーミスタ30側への放電を阻止
するダイオードである。まず初期状態ではコンデンサC
の電圧はO■であるので、電源を投入するとコンデンサ
Cの電圧は時定数回路の時定数で指数関数的に上界し、
この電圧が抵抗器R9とRhoで定めた基準電圧V2=
V+o・ (RIO/R9+R1o)より高くなると、
比較回路Q4の出力がハイレベルからローレベルに反転
する。次いで同比較回路Q4の出力がローレベルになる
ために、コンデンサCの電荷が、抵抗器R11及びダイ
オードD3を通して放電する。このとき比較回路Q4の
基準電圧側の非反転端子の電圧は、抵抗器R9と抵抗器
R1o、R12の並列抵抗との分割電圧■1=VIo・
(R/R9+R) (但し、R=R+ o−R+ 2/RI O+R12)
となっており、コンデンサCの電圧がVlより低くなる
と、比較回路Q4の出力はハイレベルに反転し、非反転
端子の電圧は■2になる。なお、コンデンサCの放電時
にはダイオードD2のカソード側がローレベルとなるた
めに、サーミスタ30゜可変抵抗器VRIからコンデン
サCへの充電は行われない。この後、コンデンサCは再
び充電を開始し、上記と同様にコンデンサCの電圧が■
2より高くなると比較回路Q4の出力はローレベルとな
り、更にこれから放電を開始してコンデンサCの電圧が
vlより低くなると、比較回路Q4の出力はハイレベル
となって発振動作を繰り返し行う。
R9とRhoで分割した電圧を入力し、他方の反転端子
にはサーミスタ30、可変抵抗器VR3とコンデンサC
とで構成した時定数回路の出力を入力している。なお、
DlはコンデンサCのサーミスタ30側への放電を阻止
するダイオードである。まず初期状態ではコンデンサC
の電圧はO■であるので、電源を投入するとコンデンサ
Cの電圧は時定数回路の時定数で指数関数的に上界し、
この電圧が抵抗器R9とRhoで定めた基準電圧V2=
V+o・ (RIO/R9+R1o)より高くなると、
比較回路Q4の出力がハイレベルからローレベルに反転
する。次いで同比較回路Q4の出力がローレベルになる
ために、コンデンサCの電荷が、抵抗器R11及びダイ
オードD3を通して放電する。このとき比較回路Q4の
基準電圧側の非反転端子の電圧は、抵抗器R9と抵抗器
R1o、R12の並列抵抗との分割電圧■1=VIo・
(R/R9+R) (但し、R=R+ o−R+ 2/RI O+R12)
となっており、コンデンサCの電圧がVlより低くなる
と、比較回路Q4の出力はハイレベルに反転し、非反転
端子の電圧は■2になる。なお、コンデンサCの放電時
にはダイオードD2のカソード側がローレベルとなるた
めに、サーミスタ30゜可変抵抗器VRIからコンデン
サCへの充電は行われない。この後、コンデンサCは再
び充電を開始し、上記と同様にコンデンサCの電圧が■
2より高くなると比較回路Q4の出力はローレベルとな
り、更にこれから放電を開始してコンデンサCの電圧が
vlより低くなると、比較回路Q4の出力はハイレベル
となって発振動作を繰り返し行う。
そして、比較回路Q4の出力がハイレベルのとき、出力
トランジスタQ5がオンし、ヒータ19に通電して液晶
光シャッタを加熱し、また出力がローレベルになると出
力トランジスタQ5がオフしてヒータ19への通電を停
止する。なお、トランジスタQ5の駆動回路を構成する
抵抗器R13に直列に上述のランチ部33のトランジス
タQ6を接続しているために、第2図Fdlに示すよう
に、トランジスタQ6がオンしたときだけトランジスタ
Q5のスイッチ動作を制御することができる。これによ
り、液晶光シャッタが45℃の設定温度に達する前は第
1の温度制御部34の制御動作を禁止している。
トランジスタQ5がオンし、ヒータ19に通電して液晶
光シャッタを加熱し、また出力がローレベルになると出
力トランジスタQ5がオフしてヒータ19への通電を停
止する。なお、トランジスタQ5の駆動回路を構成する
抵抗器R13に直列に上述のランチ部33のトランジス
タQ6を接続しているために、第2図Fdlに示すよう
に、トランジスタQ6がオンしたときだけトランジスタ
Q5のスイッチ動作を制御することができる。これによ
り、液晶光シャッタが45℃の設定温度に達する前は第
1の温度制御部34の制御動作を禁止している。
比較回路Q4の出力がハイレベルとなり、出力トランジ
スタQ5がオンしてヒータ19へ通電する時間は、コン
デンサCの電圧が■1から■2まで充電する時間であり
、時定数回路の時定数によって定まる。コンデンサCが
充電する場合、その時定数はサーミスタ30、可変抵抗
器VR3及びコンデンサCの容量で定まり、サーミスタ
30によって雰囲気温度を検出している為に、サーミス
タ30の抵抗値はその雰囲気温度により変化する。
スタQ5がオンしてヒータ19へ通電する時間は、コン
デンサCの電圧が■1から■2まで充電する時間であり
、時定数回路の時定数によって定まる。コンデンサCが
充電する場合、その時定数はサーミスタ30、可変抵抗
器VR3及びコンデンサCの容量で定まり、サーミスタ
30によって雰囲気温度を検出している為に、サーミス
タ30の抵抗値はその雰囲気温度により変化する。
従って、比較回路Q4の出力がハイレベルとなり、ヒー
タ19に通電する時間は、雰囲気温度に応じて変化する
。
タ19に通電する時間は、雰囲気温度に応じて変化する
。
一方、比較回路Q4の出力がローレベルになり、ヒータ
19への通電を停止する時間は、コンデンサCの電荷が
放電してその電圧が■2からvlまで減少する時間であ
る。コンデンサCの電荷が放電する場合、その時定数は
コンデンサCの容量と抵抗器R11の抵抗値によって定
まるために、雰囲気温度によって変化することはなく、
常に一定となる。
19への通電を停止する時間は、コンデンサCの電荷が
放電してその電圧が■2からvlまで減少する時間であ
る。コンデンサCの電荷が放電する場合、その時定数は
コンデンサCの容量と抵抗器R11の抵抗値によって定
まるために、雰囲気温度によって変化することはなく、
常に一定となる。
従って、雰囲気温度が低い場合は、サーミスタ30の抵
抗値が大きくなっているために、第3図(a)に示すよ
うに、コンデンサCが■1から■2まで充電する時間T
C+は長くなる。一方、コンデンサCの電荷が■2から
■1まで放電する時間TDは一定であるので、第3図(
b)に示すように比較口gll Q aの出力がハイレ
ベルになる時間が長くなり、ヒータ19に通電する通電
率は高いものとなる。又雰囲気温度が低くなるとサーミ
スタ30の抵抗値は小さくなり、第4図(alに示すよ
うに充電カーブは急になり、Te3として示すコンデン
サCの■1から■2までの充電時間は短くなる。
抗値が大きくなっているために、第3図(a)に示すよ
うに、コンデンサCが■1から■2まで充電する時間T
C+は長くなる。一方、コンデンサCの電荷が■2から
■1まで放電する時間TDは一定であるので、第3図(
b)に示すように比較口gll Q aの出力がハイレ
ベルになる時間が長くなり、ヒータ19に通電する通電
率は高いものとなる。又雰囲気温度が低くなるとサーミ
スタ30の抵抗値は小さくなり、第4図(alに示すよ
うに充電カーブは急になり、Te3として示すコンデン
サCの■1から■2までの充電時間は短くなる。
これにより、第4図(b)に示すように、比較回路Q4
の出力がハイレベルになる時間が短くなり、他方のロー
レベルの時間TDは一定であるために、ヒータ19への
通電率は低くなる。以上のように雰囲気温度が変化する
と、その変化分をヒータ19への通電時間が変化し、一
方ヒータ19への通電停止時間は一定であるために、温
度に応してヒータ19への通電率(TC/TD+TC)
が無段階に変化する。即ち、雰囲気温度が低いときは、
熱放散も多(なるので高通電率で保温し、雰囲気温度が
高いときは熱放散が少なくなるので、低通電率で保温す
ることができる。しかも第1の温度制御部34の発振周
期毎に号−ミスタ30により液晶光シャッタの雰囲気温
度を検出し、その検出値を第1の温度制御部34に一周
期毎に帰還する構成であるために、従来に比較して格段
の精密制御を行うことができ、第2図+a)に示すよう
に雰囲気温塵に関係なく極めて安定した温度制御を行う
ことができる。
の出力がハイレベルになる時間が短くなり、他方のロー
レベルの時間TDは一定であるために、ヒータ19への
通電率は低くなる。以上のように雰囲気温度が変化する
と、その変化分をヒータ19への通電時間が変化し、一
方ヒータ19への通電停止時間は一定であるために、温
度に応してヒータ19への通電率(TC/TD+TC)
が無段階に変化する。即ち、雰囲気温度が低いときは、
熱放散も多(なるので高通電率で保温し、雰囲気温度が
高いときは熱放散が少なくなるので、低通電率で保温す
ることができる。しかも第1の温度制御部34の発振周
期毎に号−ミスタ30により液晶光シャッタの雰囲気温
度を検出し、その検出値を第1の温度制御部34に一周
期毎に帰還する構成であるために、従来に比較して格段
の精密制御を行うことができ、第2図+a)に示すよう
に雰囲気温塵に関係なく極めて安定した温度制御を行う
ことができる。
35は上述の如く第2図(a)にBとして示す時間領域
、即ち加熱制御部31により液晶光シャックを加熱した
後、液晶光シャッタの温度が45℃の設定温度に達する
までの時間領域を制御する第2の温度制御部である。
、即ち加熱制御部31により液晶光シャックを加熱した
後、液晶光シャッタの温度が45℃の設定温度に達する
までの時間領域を制御する第2の温度制御部である。
第2の温度制御部35は、上記第1の温度制御部34の
比較回路Q4出力を反転する反転回路QBと、この反転
回路Qeの出力と上記ラッチ部33のトランジスタQ7
の出力とアンドをとる論理積回路Q9より構成している
。ラッチ部33のトランジスタQ7は上述の如く温度が
45℃になるとオン状態を保持するために、液晶光シャ
フタの温度が設定温度になったときは、第2図fe)に
示すように、論理積回路Q9の出力はローレベルとなる
。これにより、第2の温度制御部35の出力トランジス
タQ+oは45℃以下においてスイッチ動作を行うこと
ができ、45℃以上ではスイッチ動作が禁止される。
比較回路Q4出力を反転する反転回路QBと、この反転
回路Qeの出力と上記ラッチ部33のトランジスタQ7
の出力とアンドをとる論理積回路Q9より構成している
。ラッチ部33のトランジスタQ7は上述の如く温度が
45℃になるとオン状態を保持するために、液晶光シャ
フタの温度が設定温度になったときは、第2図fe)に
示すように、論理積回路Q9の出力はローレベルとなる
。これにより、第2の温度制御部35の出力トランジス
タQ+oは45℃以下においてスイッチ動作を行うこと
ができ、45℃以上ではスイッチ動作が禁止される。
上記第1の温度制御部34は、実際には電源投入と同時
に始動し、サーミスタ30により検出した温度に応じて
比較回路Q4の出力は変化する。
に始動し、サーミスタ30により検出した温度に応じて
比較回路Q4の出力は変化する。
(但し、第2図fa)のA領域は加熱制御部31の出力
トランジスタQ2がオンしつづけるので、第1の温度制
御部34は制御動作を行わない)この場合、液晶光シャ
ッタ自身はヒータ19によって加熱されるものの、液晶
光シャッタの雰囲気温度はまだ低い状態にあるため、サ
ーミスタ30の抵抗値は大きくなっている。この状態で
は、第1の温度制御部34の出力はヒータ19への通電
時間を長くし、通電率を高(するよう作用する。従って
、第2の温度制御部35の論理積回路Q9の出力は、比
較回路Q4の出力を反転回路Qθにより反転しているた
め、第1の温度制御部34の出力とは逆になる。即ち、
ヒータ19への通電時間が上述の第1の温度制御部34
の通電停止時間TDとなり、一方通電停止時間が上述の
如くサーミスタ30の抵抗値が高いために長くなり、こ
れにより通電率はTD/TC+TDとなって、通電率を
低くする。
トランジスタQ2がオンしつづけるので、第1の温度制
御部34は制御動作を行わない)この場合、液晶光シャ
ッタ自身はヒータ19によって加熱されるものの、液晶
光シャッタの雰囲気温度はまだ低い状態にあるため、サ
ーミスタ30の抵抗値は大きくなっている。この状態で
は、第1の温度制御部34の出力はヒータ19への通電
時間を長くし、通電率を高(するよう作用する。従って
、第2の温度制御部35の論理積回路Q9の出力は、比
較回路Q4の出力を反転回路Qθにより反転しているた
め、第1の温度制御部34の出力とは逆になる。即ち、
ヒータ19への通電時間が上述の第1の温度制御部34
の通電停止時間TDとなり、一方通電停止時間が上述の
如くサーミスタ30の抵抗値が高いために長くなり、こ
れにより通電率はTD/TC+TDとなって、通電率を
低くする。
従って、雰囲気温度が低い場合は、第5図(alにDと
して示す第2の温度制御部35の制御動作範囲では、出
力トランジスタQ+oがオンしてヒータ19へ通電する
時間TDは一定となり、通電停止時間TC3が長くなっ
て通電率は小さくなる。第5図(b)は雰囲気温度が高
い場合であり第5図(a)と較べD領域は高通電率、E
領域は低通電率となる。
して示す第2の温度制御部35の制御動作範囲では、出
力トランジスタQ+oがオンしてヒータ19へ通電する
時間TDは一定となり、通電停止時間TC3が長くなっ
て通電率は小さくなる。第5図(b)は雰囲気温度が高
い場合であり第5図(a)と較べD領域は高通電率、E
領域は低通電率となる。
このように、液晶光シャッタの温度が設定温度に達する
前に、強制的に通電率を雰囲気温度に応じて制御するた
め、液晶光シャックは適正な通電率で徐々に加熱される
ことになり、このことは電源投入時に急激に加熱したと
きに生じるオーバシュートを完全に防止することができ
るという効果をもたらす。
前に、強制的に通電率を雰囲気温度に応じて制御するた
め、液晶光シャックは適正な通電率で徐々に加熱される
ことになり、このことは電源投入時に急激に加熱したと
きに生じるオーバシュートを完全に防止することができ
るという効果をもたらす。
この後、設定温度に達すると、上述の如くランチ部32
の比較回路Q3の出力がローレベルとなり、これによっ
て論理積回路Q9出力がローレベルとなるためにトラン
ジスタQIQがオフし、第2の温度制御部35の作動を
停止する。これにより、液晶光シャッタが設定温度に達
した以降は、第5図(b)にEとして示すようにサーミ
スタ3oの温度出力に応じて第1の温度制御部34がヒ
ータ19への通電率を制御することで、液晶光シャッタ
を設定温度に制御する。
の比較回路Q3の出力がローレベルとなり、これによっ
て論理積回路Q9出力がローレベルとなるためにトラン
ジスタQIQがオフし、第2の温度制御部35の作動を
停止する。これにより、液晶光シャッタが設定温度に達
した以降は、第5図(b)にEとして示すようにサーミ
スタ3oの温度出力に応じて第1の温度制御部34がヒ
ータ19への通電率を制御することで、液晶光シャッタ
を設定温度に制御する。
以上により、記録装置の電源投入時には、加熱制御部3
1の制御動作によって、液晶光シャッタ温度を43℃ま
でヒータ19に連続的に通電するために、液晶光シャッ
タを短時間で加熱することができ、ウオームアツプ時間
を短縮することができる。また第2の温度制御部35に
より液晶光シャッタの温度が設定温度に達する前に、ヒ
ータへの通電率を低くするために、液晶光シャンクを急
激に昇温したときに生じるオーバシュートを完全に防止
することができ、その分、ウオームアツプ時間を更に短
縮することができる。更に液晶光シャッタが設定温度(
45”C)に立上った後は、上記のように第1の温度制
御部34により精密制御を行い、且つ設定温度を越えた
場合は温度制限部32により、ヒータ19への通電を強
制的に停止するために、液晶光シャッタの温度を安定し
た温度に維持することができる。従って液晶光シャック
の動作特性、即ちシャッタの開口率を安定したものとし
、感光体に光書込みを行う場合に潜像電位が不均一にな
ることを防止することができ、それによって現像時にお
ける画像濃度のバラツキを防止することができる。
1の制御動作によって、液晶光シャッタ温度を43℃ま
でヒータ19に連続的に通電するために、液晶光シャッ
タを短時間で加熱することができ、ウオームアツプ時間
を短縮することができる。また第2の温度制御部35に
より液晶光シャッタの温度が設定温度に達する前に、ヒ
ータへの通電率を低くするために、液晶光シャンクを急
激に昇温したときに生じるオーバシュートを完全に防止
することができ、その分、ウオームアツプ時間を更に短
縮することができる。更に液晶光シャッタが設定温度(
45”C)に立上った後は、上記のように第1の温度制
御部34により精密制御を行い、且つ設定温度を越えた
場合は温度制限部32により、ヒータ19への通電を強
制的に停止するために、液晶光シャッタの温度を安定し
た温度に維持することができる。従って液晶光シャック
の動作特性、即ちシャッタの開口率を安定したものとし
、感光体に光書込みを行う場合に潜像電位が不均一にな
ることを防止することができ、それによって現像時にお
ける画像濃度のバラツキを防止することができる。
なお、実施例では、ヒータへの通電停止時間を一定とし
、雰囲気温度に応してヒータへの通電時間を変化させる
例あるいは、ヒータへの通電時間を一定として、雰囲気
温度に応じてヒータへの通電停止時間を変化させる例を
示したが、これに限ることなく、例えば周期を一定とし
、ヒータへの通電時間を温度に応じて変化させるもので
あってもよいことはもちろんである。
、雰囲気温度に応してヒータへの通電時間を変化させる
例あるいは、ヒータへの通電時間を一定として、雰囲気
温度に応じてヒータへの通電停止時間を変化させる例を
示したが、これに限ることなく、例えば周期を一定とし
、ヒータへの通電時間を温度に応じて変化させるもので
あってもよいことはもちろんである。
以上説明したように本発明によれば、加熱手段への通電
率を雰囲気温度に応じて変化させるようにしたので、液
晶光シャッタを雰囲気温度に関係なく極めて安定した温
度に制御することができる。
率を雰囲気温度に応じて変化させるようにしたので、液
晶光シャッタを雰囲気温度に関係なく極めて安定した温
度に制御することができる。
また液晶光シャッタの温度が安定するために、液晶光シ
ャッタの動作特性を安定させることができ、それによっ
て感光体に光書込みを行う場合に潜像電位を均一にする
ことができるので、現像時において生しる画像1度のバ
ラツキを防止し、印字品質を良好に維持することができ
る。
ャッタの動作特性を安定させることができ、それによっ
て感光体に光書込みを行う場合に潜像電位を均一にする
ことができるので、現像時において生しる画像1度のバ
ラツキを防止し、印字品質を良好に維持することができ
る。
更に液晶光シャッタが設定温度に達する前に、ヒータへ
の通電率を低くするようにしたので、電源投入時に生し
るオーバシュートを完全に防止することができ、それに
よってウオームアツプ時間を短縮することができるとい
う効果がある。
の通電率を低くするようにしたので、電源投入時に生し
るオーバシュートを完全に防止することができ、それに
よってウオームアツプ時間を短縮することができるとい
う効果がある。
第1図は本発明の一実施例の回路図、
第2図は上記実施例の動作を示すタイムチャート、
第3図は雰囲気温度が低い場合の第1の温度制御部の動
作を示すタイムチャート、 第4図は雰囲気温度が高い場合の第1の温度制御部の動
作を示すタイムチャート、 第5図は第2の温度制御部の動作を示すタイムチャート
、 第6図は記録装置の概略構成図、 第7図は液晶光シャッタ部の断面図、 第8図は液晶光シャッタの平面図、 第9図は液晶光シャッタの斜視図、 第10図は液晶の誘導異方性の特性図、第11図は従来
例の温度制御装置の回路図、第12図はその第11図の
温度制御装置の特性図である。 3・・・液晶光シャッタ部、 18・・・液晶光シャッタ、 19・・・ヒータ、 29.30・・・サーミスタ、 31・・・加熱制御部、 32、・・・温度制限部、 33・・・ラッチ部、 34・・・第1の温度制御部、 35・・・第2の温度制御部、 Q;、Q3.Qa・・・比較回路、 Q2.Q5.Ql o・・・出力トランジスタ、Q[I
・・・反転回路、 Q9・・・論理積回路。 特許 出願人 カシオ計算機株式会社同 上
カシオ電子工業株式会社第2図 第3図 第4図 (b) 第5図 第6図 第7図 第8図 第11図 第12図 Jl’lF+il
作を示すタイムチャート、 第4図は雰囲気温度が高い場合の第1の温度制御部の動
作を示すタイムチャート、 第5図は第2の温度制御部の動作を示すタイムチャート
、 第6図は記録装置の概略構成図、 第7図は液晶光シャッタ部の断面図、 第8図は液晶光シャッタの平面図、 第9図は液晶光シャッタの斜視図、 第10図は液晶の誘導異方性の特性図、第11図は従来
例の温度制御装置の回路図、第12図はその第11図の
温度制御装置の特性図である。 3・・・液晶光シャッタ部、 18・・・液晶光シャッタ、 19・・・ヒータ、 29.30・・・サーミスタ、 31・・・加熱制御部、 32、・・・温度制限部、 33・・・ラッチ部、 34・・・第1の温度制御部、 35・・・第2の温度制御部、 Q;、Q3.Qa・・・比較回路、 Q2.Q5.Ql o・・・出力トランジスタ、Q[I
・・・反転回路、 Q9・・・論理積回路。 特許 出願人 カシオ計算機株式会社同 上
カシオ電子工業株式会社第2図 第3図 第4図 (b) 第5図 第6図 第7図 第8図 第11図 第12図 Jl’lF+il
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)加熱手段が設けられ、複数のマイクロシャッタの選
択開閉により、光源の光を選択透過させ感光体に光書込
みを行う液晶光シャッタの温度制御装置において、上記
液晶光シャッタ近傍の温度を検出する温度検出手段を設
けると共に、該温度検出手段の出力に基づき上記加熱手
段への通電率を変化させる第1の制御手段を設け、且つ
上記温度検出手段の出力に基づき上記第1の制御手段と
は異なる通電率で加熱手段への通電を制御する第2の制
御手段を設けたことを特徴とする液晶光シャッタの温度
制御装置。 2)上記第1の制御手段は、液晶光シャッタ近傍の温度
が高いときは、加熱手段の通電率を液晶光シャッタ近傍
の温度が低いときの通電率より低くすることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の液晶光シャッタの温度制
御装置。 3)上記第2の制御手段は、液晶光シャッタ近傍の温度
が高いときは、加熱手段の通電率を液晶光シャッタ近傍
の温度が低いときの通電率より高くすることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の液晶光シャッタの温度制
御装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60243743A JPS62102231A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 液晶光シャッタの温度制御装置 |
US06/918,107 US4721363A (en) | 1985-10-29 | 1986-10-14 | Temperature control device for liquid crystal optical shutter |
KR1019860008660A KR900002679B1 (ko) | 1985-10-29 | 1986-10-15 | 액정광 셔터의 온도 제어장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60243743A JPS62102231A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 液晶光シャッタの温度制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62102231A true JPS62102231A (ja) | 1987-05-12 |
JPH045367B2 JPH045367B2 (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=17108326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60243743A Granted JPS62102231A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 液晶光シャッタの温度制御装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4721363A (ja) |
JP (1) | JPS62102231A (ja) |
KR (1) | KR900002679B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011133619A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Yazaki Corp | 液晶ディスプレイ表示装置 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5054891A (en) * | 1988-04-15 | 1991-10-08 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal shutter with substrates having an optical anisotropy caused by temperature gradient |
US5097352A (en) * | 1988-09-28 | 1992-03-17 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical system including liquid crystal devices |
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