JPS6195527A - 光検出装置 - Google Patents

光検出装置

Info

Publication number
JPS6195527A
JPS6195527A JP59216267A JP21626784A JPS6195527A JP S6195527 A JPS6195527 A JP S6195527A JP 59216267 A JP59216267 A JP 59216267A JP 21626784 A JP21626784 A JP 21626784A JP S6195527 A JPS6195527 A JP S6195527A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
spectral sensitivity
photoelectric conversion
amplifier
weighting
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59216267A
Other languages
English (en)
Inventor
Takehiko Suzuki
武彦 鈴木
Yoshinori Shimamura
島村 吉則
Ryozo Hiraga
平賀 亮三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP59216267A priority Critical patent/JPS6195527A/ja
Publication of JPS6195527A publication Critical patent/JPS6195527A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の分野] 本発明は、分光感度特性可変の光検出8刃に関し、例え
ばフォトレジストを露光する焼付装置においてフォトレ
ジストの分光感度特性と焼付装置の受光系(光検出装置
)との分光感度特性を合致させることによってより適正
な露光量を与えるために用いられる光検出装置に関する
[発明の背景] ICやLSI等の半導体装置を製造するための焼付装置
に6いて、半導体ウェハ上に塗布されたフォトレジスト
の露光量を設定する際、正しい露光向すなわちフォトレ
ジストの感光に実際に寄与する光の量を測定する必要が
ある。このような正しい露光量を測定するためには、受
光系すなわち光量検出系ど露光づべさフォトレジストの
分光感度特性を合致させることが好都合である。
従来、光量検出系の分光感度特性を露光すべきフォトレ
ジストの分光感度特性に合せる方法として、1つのフォ
トディテクタと単数または複数のフィルタとを組合せて
光量検出系の分光感度特性を調節する方法が知られてい
る。しかしながら、このような方法によっては検出系と
フォトレジストの分光感度特性を一致させることが極め
て面倒かつ困難であり、その結果、事実上止しい露光量
を得ることができないという欠点があった。
また、露光光を回折格子により分光し、分光した光束を
収斂光学系によって各波長成分ごとに別個の7オトデイ
テクタに入射させることによりフィトディテクタと露光
光とを合成した分光感度曲線を得、この分光感度曲線を
補正してフォトレジストの分光感度特性に合致さゼる方
法も、例えば特開昭58−88624号公報等で知られ
ているが、回折格子と収斂光学系そしてノ4トディテク
タの相ηの配置位置により分光感度特性が変化しないよ
うにづるための複雑なメカニズムが必要であるという欠
点があった。また、このようなメカニズム(よ設定また
は調整に手間が掛り、あるいはII立に凸度の熟練を要
し、ざらには度々再調整をしなければならない等の欠点
があった。
そこで、本発明者等は、上記問題点を解消するものとし
て、先に、入射光を反射または透過させて複数の波長成
分に分離し各波長成分の光をそれぞれ電気信号に変換す
る複数の波長選択性光電変換手段と、光電変換された各
電気信号をそれぞれ所望の割合で増幅または減衰させる
ことにより各電気信号に重み付けを施す複数の重み付け
手段と、これらの重み付けされた電気信号を合成する手
段とを有する光検出装置を案出した。
ところで、半導体ウェハ上に塗布されるフォトレジスト
にはいろいろな目的に対応するため神々の分光感度特性
を有するものが製作されている。
したがって、上記光検出装置においてこれら複数種のフ
ォトレジストに対処するためには、■上記波長選択性光
電変換手段を構成する濾光器例えば干渉フィルタの組合
せを変える■上記波長選択性光電変換手段を構成する受
光器(光電変換器)を分光感度特性の異なるものに変え
る ■上記重み付け手段を構成する増幅器のゲインを変え各
波長成分ごとの重み付けを変える等の方法が考えられる
しかしながら、■■の方法ともフォトレジストを交換す
るごとにこれらの素子を交換しなければならず、操作上
も繁雑であり、装置のアライメントも狂う等の恐れがあ
る等、実用的でない。また、■の方法もフォトレジスト
を変更する度に複数の増幅器それぞれのゲインを調節す
るのでは大変な手間を要し、これも実用的でないという
不都合がある。
[発明の目的] 本発明は、従来の欠点に鑑み提案されたもので、正しい
露光量を容易に(りるとともに、装置の組立て、調整を
容易にし、さらに、異なる分光感度のフォトレジストに
変更する都度、分光感度を合せるという繁雑な調整を行
なわずに済む光検出装置を提供することを目的としてい
る。
[発明の構成] 本発明を具体例により説明ずれば次の通りである。すな
わら、露光光を分光する手段として回折格子の代りに干
渉フィルタを使用し、その干渉フィルタに対応させた複
数のフォトディテクタを設け、さらに変換された電気信
号に受光系全体の分光感度特性が露光すべきフォトレジ
ストの分光感度特性に合致するよう重み付けを行なうこ
とによって、装置の組立て、調整を容易にする。また、
異なる分光感度の7オトレジストに対処するため、上記
重み付け手段を複数個設けるか、または複数種のmみ付
け吊を予め設定できるようにし、フィトレジスト変更し
たときは、ブリセラ1へされた分光感度特性うち所望の
ものをスイッチで設け、これにより、分光感度特性のう
らから所望のものをスイッチで選択できるようにしてい
る。
[実施例の説明1 以下、図面に従って本発明の実/Il!例を説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係る光検出装置を適用し
たマスクアライナの(を成を示す。同図のマスクアライ
ナは、照明系を構成する超高圧水銀灯1、惰凹面鏡2、
第1ミラー3、コリメータ4、NDフィルタ5、L39
フィルタ6、フライズアイレンズ7、第2ミラー(ハー
フミラ−)8およびコンデンサレンズ9、ならびに光検
出装置を構成するダイクロイックミラー11.12.1
3、光電変換素子14.15.16、増幅回路17.1
7’ および増幅回路17.17’の出力Volt 、
 vout ’ のうちの一方を選択するスイッチSW
sを具備する。10は図示しない半導体ウェハに転写す
べき回路パターンが形成されたマスクである。
ダイクロイックミラー11.12.13は、それぞれ例
えばアライナ用のU■クランプ光源の主要波長である1
線(365nm) 、 h線(405nm) 、Q線(
43611111>を分光的に反射するもので、図示の
ように第2ミラー8の後に直列的に配置されることによ
り、第2ミラー8を透過した光束をII!a、Q線、h
線に分光する。
増幅回路17は、光電変換水子14.15.16の出力
すなわち第2ミラー8を透過した1線、Q線およびh線
それぞれの光量に相当する各電気信号を増幅するアンプ
1’7i 、 17g 、 +7hおよびアンプ171
゜17g、 17hの出力を合成するアンプ17【を備
える。
また、これらのアンプ17i 、 17g 、 17h
は、それぞれの負帰還回路に可変抵抗器Ri 、VRO
VRhが挿入されており、これらの可変抵抗器によって
ゲインを任意かつ個別に変更することができるようにな
っている。増幅回路17′ も増幅回路17と全く同様
に構成されている。
このマスクアライナにおいて、超高圧水銀灯1から楕凹
面鏡2、第1ミラー3、コリメータ4、NDフィルタ5
.139フイルタ6およびフライズアイレンズ7を通り
、第2ミラー8で反射され、さらにコンデンサレンズ9
を通った光は、マスク10を通してウェハ面上のフォト
レジスト(不図示)に照射され、フォトレジストを感光
する。
一方、上記第2ミラー8を透過した光束は、この第2ミ
ラー8の後に配置されたダイクロイックミラー111.
15.16によってそれぞれ1線、g線、h線に分光さ
れ、それぞれ光電変換素子14.15゜16で電気信号
に変換される。これらの電気信号は、増幅回路17およ
び17′ に入力される。増幅回路17においては、こ
の波長別の電気信号をアンプ171゜17g 、 17
hごとに個別に設定された利得で増幅することによって
重みを付した後、アンプ17tで1つの信号に合成し、
信号Volt口として出力する。
従って、例えば、第2図(a)に図示するような分光感
度特性のフォトレジストを用いる場合、アンプ17i 
、 17g 、 17hの出力としてそれぞれ第2図(
b)に示すような信号レベルが1昇られるように、アン
プ17i 、 17g 、 17hのゲインを可変抵抗
器VRi 、VRQ 、VRhによって設定することに
より、ダイクロイックミラー11.12.13、光電変
換素子14.15.16および増幅回路17の総合特性
を第2図(a)の分光感度特性に合致させることができ
る。
増幅回路17′ においても同様にして各アンプのゲイ
ンを調整し出力Vout1’ を所望の分光感度特性に
合致させることができる。従って、増幅回路17および
17′ の出力特性をそれぞれ所望のフォトレジストの
分光感度と合致するようにプリセットしておき、使用す
るレジストに応じて選択スイッチSWsで増幅回路17
.17’ の出力Vout1またはVOutl’の一方
をこの光検出装置の出力VOutとして選択するように
すれば、レジストの変更に極めて容易に対処することが
できる。
第3図は、本発明の光検出装置の出力Voutを塁に実
際の露光量を1qるための回路例を示す。
第1図のアライナにおいて、シャッタ(図示甘ず)が開
くとウェハ(図示せず)が露光されると同時に、照明系
の第2ミラー8を透過してきた光が光検出装置に入射さ
れる。これにより、光検出装置からは出力Voutが発
生し、この出力voutは、第3図の積分回路41に印
加される。積分器41の出力はコンパレータ42の一方
の入力端43に加えられ、またコンパレータ42の他方
の入力端44には露光1設定器45が接続されている。
このため、コンパレータ42は、積分器41の出力が露
光口設定器45から出力される参照電圧V ratより
高くなると反転する。従って、この参照電圧Vrerを
因示しない可変抵抗器等により適切に調節しておくとと
もに、コンパレータ42の出力信号V campをシャ
ツタ閉信号として用いることにより第1図のアライナで
は正しい露光口を得ることができる。
このように、本発明の光検出装置を用いて露光量を制御
した場合、光源の発光特性が変化しても正しい露光を得
ることかできる。
第4図は、本発明の他の実施例に係る光検出装置を示す
。この光検出装置は、第1図の装置において11番以降
の符号で示されていた受光系を変更したものである。第
4図において、18は8個の扇形の干渉フィルタ18a
〜18hを平面的に円形配列してなるフィルタブロック
、19は円形のフォトディテクタをフィルタブロック1
8と同様の扇形の光検知素子(光電変換素子)198〜
19hに分割してなる多分割のフォトディテクタ、20
a〜20tlはそれぞれ光電変換素子198〜19hの
出力を増幅するアンプ、20tはアンプ20a〜20h
の出力を合成するアンプである。
アンプ20a〜2011には、負帰還回路に2個ずつノ
可変抵抗器VRal、 VRa2〜VRhl、 VRh
2と各2個の可変抵抗器の一方を回路に接続するための
切換スイッチSWa〜swhffi設けられている。
従って、アンプ20a〜20hのゲインは、可変抵抗器
VRa1. VRa2〜VRh1. VRh2+7)ウ
チl、U換スイッチ5Wa−8Whで負帰還回路に接続
された側を操作することによってwA第することができ
る。
切換スイッチ5Wa−8Whとしてはリレー等のメカニ
カルスイッチを用いてもよく、またはアナログスイッチ
等の半導体スイッチを用いてもよい。
SWSは切換スイッチSWa〜SWhを一括して切換え
ることにより可変抵抗器群vRa1〜V Rhlまたは
VRa2〜V Rh2の一方を選択するための選択スイ
ッチである。
同図において、第2ミラー8(第1図)を透過した光束
は、フィルタブロック18の各干渉フィルタ18a〜1
8hによって8藺の波長成分に分けられ、それぞれ多分
割フォトディテクタ19の対応する光電変換索子19a
〜19hにより電気信号に変換される。この多分割フォ
トディテクタ19は、同一のシリコン基板あるいはガリ
ウムもしくはヒ素基板上に形成することができ、この場
合、装置全体を極めて小型に構成することができる。
光電変換素子19a〜19hから出力される電気信号は
それぞれアンプ20a〜20hに入力される。この装置
においてもアンプ20a〜20tlのゲインを、第1図
の装置におけると同様に露光すべきフォトレジストの分
光感度特性と入力される波長成分とに応じて調整するこ
とにより、アンプ20(でそれぞれの電気信号を加算し
て得られる出力Voutすなわち干渉フィルタ18a〜
18hと光電変換素子19a〜19hとアンプ20a〜
20hとの総合感度特性を7オトレジストの分光感度特
性に合致させることができる。これにより、この光検出
装置においては、フォトレジスト感度とほぼ同じ分光感
度を有する出力yuutが(Jられ、この出力vout
を第3図に示すような回路に供給して露光口の制御を行
なうようにすれば、フォトレジストや干渉フィルタ18
a〜18hおよび光電変換素子19a〜19hの個々の
分光感度特性にかかわらず、さらには露光光の波長分布
が変動した場合であっても、常に正しい露光量を得るこ
とができる。
また、ここでは可変抵抗器群vRa1〜V Rhlおよ
びV Ra2〜V’Rh2によって2種類の総合感度特
性を独立に設定することが可能であり、選択スイッチS
Wsにより切換スイッチSWa〜SWhすなわち可変抵
抗器群V Ra1〜VR旧およびV Ra2〜V Rh
2を一括して切換えることによってこの2種類の総合感
度特性のうち一方を選択することができる。従って、分
光感度特性の異なる2種類のフォトレジスタのそれぞれ
に対して総合感度特性が合致するように各可変抵抗器v
Ra1、V Ra2〜VRhl、VRh2をプリセット
しておくことにより、フォトレジスト交換の際も選択ス
イッチSWSを操作するだけで容易かつ即座に対処する
ことができる。
なお、ここでは例として8個の干渉フィルタと8分割の
7オトデイテクタを用いた例を示したが、一般的に干渉
フィルタをn個(nは正の整数)使用してr+1lJl
に分割された多分割フィルタと組み合わせることも可能
である。一般に分割数を増すほどフォトレジスト分光感
度の近似が精度よく行なわれ、従って精度の高い露光を
与えることができる。
また、この実施例の光検出装置では同一平面上に配列さ
れた干渉フィルタ群と同一基板上に分割形成された光検
知素子群とを空間的に対向させるようにしているため第
1図に示したものより簡単なメカニズムに構成すること
ができる。
[実施例の変形例] なお、本発明は上述の実施例に限定されることなく適宜
変形して実IIiすることができる。例えば、上述の実
施例においては2種類の分光感度特性を切換える例につ
いて説明したが、増幅器17または可変抵抗器群V R
al〜V Rillと同様のものを増設し、これらの増
幅器または可変抵抗器群を接点数のより多い切換スイッ
チswa−swhで切換えるようにすれば、より多くの
分光感度特性を切換えることも可能である。また、上述
においては、フィルタを用いて分光し光電変換素子で各
波長成分の光mに相当する電気信号を得、各電気信号に
重み付けを施すことにより所望の分光感度特性を得るよ
うにしているが、光電変換素子自身の分光感度特性をそ
のまま利用し、フィルタは用いずに分光感度特性の異な
る複数種の光電変換素子で得られる電気信号にそれぞれ
重み付けを施すことによって所望の分光感度特性を得る
ようにしてもよい。
[発明の効果〕 以上のように本発明によると、受光系の分光感度特性を
可変抵抗器等によって任意かつ容易に設定することがで
きるため、この受光系の分光感度特性をフォトレジスト
のものと合致させて正しい露光量を得ることが極めて容
易である。また、このため、装置の組立て、調整も容易
である。さらに、複数の分光感度特性をプリセットして
そのうちの所望のものを選択することができるようにし
ているため、異なる分光感度のフォトレジストに交換す
る場合もスイッチを切換えるのみで繁雑な調整は不要で
ある。
【図面の簡単な説明】
M1図は本発明の一実施例に係る光検出装置をマスクア
イライナの照明系に組合わせた構成図、第2図はフォト
レジストの分光感度特性の一例(a)とその分光感度特
性に検知系の分光感度特性を合わせる場合の各波長成分
ごとの出力レベル(b)を示すグラフ、 第3図は本発明の光検出装置の出力よりシャツタ閉信号
を得るための回路例を示す図、第4図は本発明の他の実
施例に係る光検出装置の回路図である。 11、12.13・・・ダイクロイックミラー、14.
15゜16・・・光電変換素子、17・・・増幅回路、
17i 、 17g 。 17h・・・アンプ(重み付【プ回路) 、17t・・
・アンプ、18・・・フィルタブロック、18a〜18
h・・・干渉フィルタ、19・・・フォトディテクタ、
19a〜19h・・・光電変換素子、20a〜20h・
・・アンプ(重み付け回路)、20t ・7 > 7、
VRi 、VRg、VRh 、VRal〜V Rh2・
・・可変抵抗器、SWs・・・選択スイッチ、SWi 
、SWg、SWh 、SWa −8Wh −・・切換ス
イッチ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、入射光を反射または透過させて複数の波長成分に分
    離し各波長成分の光をそれぞれ電気信号に変換する複数
    の波長選択性光電変換手段と、光電変換された各電気信
    号をそれぞれ所望の割合で増幅または減衰させることに
    より各電気信号に重み付けを施す複数の重み付け手段と
    、これらの重み付けされた電気信号を合成する手段とを
    有する光検出装置であつて、上記各重み付け手段の重み
    付け量を複数個ずつ設定する手段と、各重み付け手段に
    ついて設定された重み付け量のうちの1つを選択する手
    段とを具備することを特徴とする光検出装置。 2、前記波長選択性光電変換手段が、それぞれ特定波長
    領域の光を選択的に反射または透過する濾光手段と該濾
    光手段を経た光をそれぞれ電気信号に変換する複数の光
    電変換手段とを組合せたものである特許請求の範囲第1
    項記載の光検出装置。 3、前記濾光手段が、干渉フィルタである特許請求の範
    囲第2項記載の光検出装置。 4、前記複数の波長選択性光電変換手段が、それぞれ異
    なる分光感度特性を有する複数の光電変換素子である特
    許請求の範囲第1項記載の光検出装置。
JP59216267A 1984-10-17 1984-10-17 光検出装置 Pending JPS6195527A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59216267A JPS6195527A (ja) 1984-10-17 1984-10-17 光検出装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59216267A JPS6195527A (ja) 1984-10-17 1984-10-17 光検出装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6195527A true JPS6195527A (ja) 1986-05-14

Family

ID=16685867

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59216267A Pending JPS6195527A (ja) 1984-10-17 1984-10-17 光検出装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6195527A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003295459A (ja) * 2002-04-02 2003-10-15 Nikon Corp 露光装置及び露光方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003295459A (ja) * 2002-04-02 2003-10-15 Nikon Corp 露光装置及び露光方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8553200B2 (en) Optical element with at least one electrically conductive region, and illumination system with the optical element
EP0023709B1 (en) System for controlling the exposure time of a photoresist layer
US20030058047A1 (en) Differential amplifier circuit used in solid-state image pickup apparatus, and arrangement that avoids influence of variations of integrated circuits in manufacture and the like
WO1999056096A1 (en) Corrected concentric spectrometer
JP2003214951A (ja) 分光計測装置及び分光計測方法
JP3262039B2 (ja) 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPS6195527A (ja) 光検出装置
JP2000036587A (ja) 固体撮像素子
JPS6195525A (ja) 光検出装置
EP1330037B1 (en) A/d converter and solid-state camera
JPS5888624A (ja) スペクトル調整をしたウエ−ハ・チヤツク形露光計
US7084796B2 (en) Cross-talk linearity connection
JPS6195526A (ja) 光検出装置
JPH11162824A (ja) 露光装置
JPH0644549B2 (ja) 投影露光法及び装置
JPH06188168A (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JP2628552B2 (ja) 電子スチルカメラ
JP2695412B2 (ja) カラービデオカメラ
CN107850849A (zh) 传感器组合件和确定光刻***的多个反射镜各自的位置的方法
JPH07121135B2 (ja) 撮像装置
JP2760427B2 (ja) カラー画像読取装置
JPH01109718A (ja) 縮小投影型露光装置
JPH1052939A (ja) 光量制御装置および画像形成装置
JPH10284386A (ja) 露光装置及び照度分布計測方法
JPS609279A (ja) 画像形成条件の制御装置