JPS6193659A - 密着形イメ−ジセンサの製造方法 - Google Patents
密着形イメ−ジセンサの製造方法Info
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- JPS6193659A JPS6193659A JP59214611A JP21461184A JPS6193659A JP S6193659 A JPS6193659 A JP S6193659A JP 59214611 A JP59214611 A JP 59214611A JP 21461184 A JP21461184 A JP 21461184A JP S6193659 A JPS6193659 A JP S6193659A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は収率を向上した密着形イメージセンサの製造方
法に関する。
法に関する。
密着形イメージセンサはファクシミリを始め０ＣＲ（光
学的文字読み取り装置）、ＯＭＲ（光学的記号読み取り
装置）などにおける１８報入力系に広く使用されている
。
学的文字読み取り装置）、ＯＭＲ（光学的記号読み取り
装置）などにおける１８報入力系に広く使用されている
。
ここで密着形イメージセンサはセレン化カドミウム（Ｃ
ｄ Ｓｅ ）又はＣｄ Ｓｅと硫化カドミウム（Ｃｄ
Ｓ）との共晶合金であるＣｄ （Ｓｅ Ｓ）のような
光電材料を用いて形成された光電素子が多数−列に配列
して素子アレイが形成されており、ＬＥＤで原稿を照明
し、この原稿からの反射光をセルフォックレンズを用い
て１：１の等倍に結像させ、これを各の光電素子が光電
効果により電気信号に変換している。
ｄ Ｓｅ ）又はＣｄ Ｓｅと硫化カドミウム（Ｃｄ
Ｓ）との共晶合金であるＣｄ （Ｓｅ Ｓ）のような
光電材料を用いて形成された光電素子が多数−列に配列
して素子アレイが形成されており、ＬＥＤで原稿を照明
し、この原稿からの反射光をセルフォックレンズを用い
て１：１の等倍に結像させ、これを各の光電素子が光電
効果により電気信号に変換している。
すなわちイメージセンサは紙送りされてくる原稿を横方
向（主走査方向）に走査し、各光電素子が検出している
原稿の黒白に対応する電気信号を順次シフトレジスタに
伝送して情報処理を行うものである。
向（主走査方向）に走査し、各光電素子が検出している
原稿の黒白に対応する電気信号を順次シフトレジスタに
伝送して情報処理を行うものである。
本発明に係る密着形イメージセンサは８木／ ｍｌの解
像度を持ち、Ａ４サイズ或いはＢ４サイズの原稿に対向
し等倍の大きさに結像して処理するもので、例えばＡ４
サイズ用の密着形イメージセンサ（以下略してセンサ）
の場合には１６６４個の光電素子が横一列に配列し、こ
の各素子に通電する駆勅回路と共にアルミナ或いはガラ
ス基板の上にパターン形成されている。
像度を持ち、Ａ４サイズ或いはＢ４サイズの原稿に対向
し等倍の大きさに結像して処理するもので、例えばＡ４
サイズ用の密着形イメージセンサ（以下略してセンサ）
の場合には１６６４個の光電素子が横一列に配列し、こ
の各素子に通電する駆勅回路と共にアルミナ或いはガラ
ス基板の上にパターン形成されている。
そのためセンサが形成されている基板の大きさはＡ４サ
イズ用が２４０ｍｍＸ５５關、Ｂ４サイズ用か２８０１
×５６鰭とかなり大きく、この上にＣｄ Ｓｅなどの光
導電膜が形成されている。
イズ用が２４０ｍｍＸ５５關、Ｂ４サイズ用か２８０１
×５６鰭とかなり大きく、この上にＣｄ Ｓｅなどの光
導電膜が形成されている。
然し、個々の光電素子において光電変換が行われる光導
電膜パターンの大きさは１００ Ｘ６０μｍ程度と極め
て小さい。
電膜パターンの大きさは１００ Ｘ６０μｍ程度と極め
て小さい。
一方、光導電膜はその厚さが１μｍ程度と薄いため光導
電膜にピンホールや突起などが生じ易く、この場合にピ
ンホールの大きさは１００ μｍを越すものもあるため
、光電素子アレイにおいて光導電膜パターンの中にピン
ホールがあると素子の断線を生じたり、異常に高抵抗な
状態となり、イメージセンサは不良となる。
電膜にピンホールや突起などが生じ易く、この場合にピ
ンホールの大きさは１００ μｍを越すものもあるため
、光電素子アレイにおいて光導電膜パターンの中にピン
ホールがあると素子の断線を生じたり、異常に高抵抗な
状態となり、イメージセンサは不良となる。
そのためイメージセンサの製造において高い収率を確保
することは難しく、この向上が望まれている。
することは難しく、この向上が望まれている。
密着形イメージセンサの製造において光導電膜中に存在
するピンポールを無くする方法やピンホール或いは突起
を避けて光導電膜パターンを形成することは今まで行わ
れていない。
するピンポールを無くする方法やピンホール或いは突起
を避けて光導電膜パターンを形成することは今まで行わ
れていない。
いま従来の製造工程を説明すると次のようになる。
第１図は絶縁基板１の上に形成された光導電膜２の状態
を模式的に示す平面図で、Ａ４サイズ用のセンサの場合
、絶縁基板１の大きさは先に記したように２４０ Ｘ５
６＋＋ｍであり、この上に２０８ Ｘ １１程度の大き
さの光導電膜２を主走査方向に形成する。
を模式的に示す平面図で、Ａ４サイズ用のセンサの場合
、絶縁基板１の大きさは先に記したように２４０ Ｘ５
６＋＋ｍであり、この上に２０８ Ｘ １１程度の大き
さの光導電膜２を主走査方向に形成する。
ここで光導電膜２はマスク蒸着法により約１μｍの厚さ
に形成しである。
に形成しである。
ここでマスク蒸着法を用いる理由は光導電膜２の縁端部
が急激な段差とならず、比較的緩やかな傾斜を持たせる
ためで、これにより光導電膜２の上にこれと直交する副
走査方向に後の工゛程でパターン形成される電極パター
ンの断線不良を防ぐことができる。
が急激な段差とならず、比較的緩やかな傾斜を持たせる
ためで、これにより光導電膜２の上にこれと直交する副
走査方向に後の工゛程でパターン形成される電極パター
ンの断線不良を防ぐことができる。
光導電膜２は不活性ガス中で熱処理して光専電性を持た
せた後、写真食刻技術（ホトリソグラフィ）を用いてパ
ターン幅（Ｗ）が約１００μｍでパターン間隔（Ｇ）が
約２５μｍのストレートパターン３に分割する。
せた後、写真食刻技術（ホトリソグラフィ）を用いてパ
ターン幅（Ｗ）が約１００μｍでパターン間隔（Ｇ）が
約２５μｍのストレートパターン３に分割する。
第２図は第１図に示す光導電膜２を分割した状態を拡大
して示すもので、Ａ４サイズ用センサの実施例の場合、
１６６４個のストレートパターン３が形成される。
して示すもので、Ａ４サイズ用センサの実施例の場合、
１６６４個のストレートパターン３が形成される。
然しながら光ぶ電膜２が薄いこと＼熱処理とによって不
可避的に膜内にピンホール４や突起が発生している。
可避的に膜内にピンホール４や突起が発生している。
次に第３図に拡大して示すように光電素子の光Ｂ電パタ
ーン５となるセンタ長を残してクローム／金（Ｃｒ／Ａ
ｕ）よりなる電極膜６をパターン形成し、次に第４図に
示すように各ストレートパターン３の間に存在する電極
１１Ｍ ６を選択エツチングすることにより第４図に示
すようなセンサアレイ７が形成される。
ーン５となるセンタ長を残してクローム／金（Ｃｒ／Ａ
ｕ）よりなる電極膜６をパターン形成し、次に第４図に
示すように各ストレートパターン３の間に存在する電極
１１Ｍ ６を選択エツチングすることにより第４図に示
すようなセンサアレイ７が形成される。
すなわち中央部には光電変換が行われる光尋電パターン
５があり、上下の副走査方向には電極膜６が形成されて
いる。
５があり、上下の副走査方向には電極膜６が形成されて
いる。
然し、主走査方向に配列している多数の光薄電パターン
中にビンポール４が含まれていることがあり、このピン
ホールが太きく１００μｍを越える場合は断線不良が起
こり易く、また断線と成らない場合も特性不良となって
収率の低下を招いていた。
中にビンポール４が含まれていることがあり、このピン
ホールが太きく１００μｍを越える場合は断線不良が起
こり易く、また断線と成らない場合も特性不良となって
収率の低下を招いていた。
以上記したように光導電膜は厚さが１μｍ程度と薄く、
また光電導性をもたせる熱処理などにより不可避的にピ
ンホールや突起が発生しており、これによりセンサの収
率が低下しているのが問題である。
また光電導性をもたせる熱処理などにより不可避的にピ
ンホールや突起が発生しており、これによりセンサの収
率が低下しているのが問題である。
上記の問題点は絶縁基板上にマスクを用いて光導電膜を
形成した後、該光導電膜をエツチングして構成素子、数
のストレートパターンの形成を行い、次いで目視により
主走査方向に欠陥を含まぬ領域を選定し、センサ長の間
隙を残して該ストレートパターン上に電極膜を形成した
後、該電極膜を選択エツチングして各素子づつの電極パ
ターンに分離することを特徴とする密着形イメージセン
サの製造方法により解決することができる。
形成した後、該光導電膜をエツチングして構成素子、数
のストレートパターンの形成を行い、次いで目視により
主走査方向に欠陥を含まぬ領域を選定し、センサ長の間
隙を残して該ストレートパターン上に電極膜を形成した
後、該電極膜を選択エツチングして各素子づつの電極パ
ターンに分離することを特徴とする密着形イメージセン
サの製造方法により解決することができる。
本発明はセンサの形成工程中において、光導電膜中に含
まれているピンホールや突起を顕微鏡観察により検出し
、これを避けて光電素子の光導電パターンを形成するこ
とにより収率を向上するものである。
まれているピンホールや突起を顕微鏡観察により検出し
、これを避けて光電素子の光導電パターンを形成するこ
とにより収率を向上するものである。
本発明に係る工程は電極膜パターンの位置合わせ工程を
除いて従来の工程と違わない。
除いて従来の工程と違わない。
すなわち本発明は光導電膜２の中に含まれるピンホール
や突起などの欠陥は顕微鏡観察により認めることができ
るが、特に第２図に示すようにストレートパターン形成
後においては明確に観察できることから、この段階で欠
陥の大きさを明確化しておく。
や突起などの欠陥は顕微鏡観察により認めることができ
るが、特に第２図に示すようにストレートパターン形成
後においては明確に観察できることから、この段階で欠
陥の大きさを明確化しておく。
そしてポジ型レジストを使用してリフトオフ法で第３図
に示すような電極膜６を形成する際、光導電膜パターン
５となる幅６０μｍセンサ長のマスク位置を欠陥部を避
けて位置合わせを行う。
に示すような電極膜６を形成する際、光導電膜パターン
５となる幅６０μｍセンサ長のマスク位置を欠陥部を避
けて位置合わせを行う。
このことは大きなピンホール４はそれほど存在しないか
ら比較的容易に行うことができる。
ら比較的容易に行うことができる。
このように第３図に示す電極膜パターンを形成する段階
で光導電パターン５の形成を欠陥部を避けて行うことに
より、従来と較ベセンサの収率を大幅に向上することが
できる。
で光導電パターン５の形成を欠陥部を避けて行うことに
より、従来と較ベセンサの収率を大幅に向上することが
できる。
（発明の効果〕
以上説明したように本発明の実施により、多数個の光電
素子アレイからなるイメージセンサにおい′ζ各素子の
光導電パターン中に欠陥が含まれる頻度が大幅に減少し
、これにより収率の向上が達成される。
素子アレイからなるイメージセンサにおい′ζ各素子の
光導電パターン中に欠陥が含まれる頻度が大幅に減少し
、これにより収率の向上が達成される。
第１図は基板上にパターン形成した光導電膜の平面図、
第２図は光導電膜を選択エツチングして形成したストレ
ートパターンの平面図、 第３図はストレートパターンに電極膜を形成した状態を
示す平面図、 第４図はイメージセンサを構成する各光電素子の平面図
、 である。 図において、 １は絶縁基板、 ２は光導電膜、３はストレ
ートパターン、４はピンホール、５は光導電パターン、
６は電極膜、７はセンサアレイ、 である。
ートパターンの平面図、 第３図はストレートパターンに電極膜を形成した状態を
示す平面図、 第４図はイメージセンサを構成する各光電素子の平面図
、 である。 図において、 １は絶縁基板、 ２は光導電膜、３はストレ
ートパターン、４はピンホール、５は光導電パターン、
６は電極膜、７はセンサアレイ、 である。
Claims (1)
- 絶縁基板上にマスクを用いて光導電膜を形成した後、
該光導電膜をエッチングして構成素子数のストレートパ
ターンの形成を行い、センサ長の間隙を残して主走査方
向に欠陥を含まぬ該ストレートパターン上に電極膜を形
成した後、該電極膜を選択エッチングして各素子づつの
電極パターンに分離することを特徴とする密着形イメー
ジセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59214611A JPS6193659A (ja) | 1984-10-13 | 1984-10-13 | 密着形イメ−ジセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59214611A JPS6193659A (ja) | 1984-10-13 | 1984-10-13 | 密着形イメ−ジセンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6193659A true JPS6193659A (ja) | 1986-05-12 |
Family
ID=16658585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59214611A Pending JPS6193659A (ja) | 1984-10-13 | 1984-10-13 | 密着形イメ−ジセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6193659A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7211024B2 (en) | 2001-01-19 | 2007-05-01 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Toroidal type continuously variable transmission |
-
1984
- 1984-10-13 JP JP59214611A patent/JPS6193659A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7211024B2 (en) | 2001-01-19 | 2007-05-01 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Toroidal type continuously variable transmission |
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