JPS6189690A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- H01S5/1243—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers incorporating phase shifts by other means than a jump in the grating period, e.g. bent waveguides
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、単一モードの発振をさせるのに好適な構成を
有する分布帰還（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｆｅｅｄ
ｂａｃｋ：ＤＦＢ）型半導体レーザに関する。
有する分布帰還（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｆｅｅｄ
ｂａｃｋ：ＤＦＢ）型半導体レーザに関する。
（従来の技術〕
一般に、発振波長が１．５〜１．６〔μｍ〕である半導
体レーザは、その波長帯の光を伝送する光ファイバに於
ける損失が最小であることから、多くの開発がなされて
いる。
体レーザは、その波長帯の光を伝送する光ファイバに於
ける損失が最小であることから、多くの開発がなされて
いる。
通常のこの種の半導体レーザ、即ち、ファブリ・ペロー
型半導体レーザを高速で変調すると波長は単一に維持す
ることができず、多波長になってしまう。
型半導体レーザを高速で変調すると波長は単一に維持す
ることができず、多波長になってしまう。
そのような信号光を光ファイバに入射して伝送すると、
その出射される光は、光フアイバ自体の材料分散に依り
各波長の屈折率が変わり、伝播速度が変わるので、波形
が崩れてしまう。
その出射される光は、光フアイバ自体の材料分散に依り
各波長の屈折率が変わり、伝播速度が変わるので、波形
が崩れてしまう。
その結果、このような信号は受信側では大きな雑音を伴
うものとなるので実用にならない。
うものとなるので実用にならない。
そこで、近年、ＤＦＢ型半導体レーザが開発され、好結
果を得ている。
果を得ている。
ＤＦＢ型半辱体レーザは、活性層そのもの或いはその近
傍にコルゲーション（ｃｏｒｒｕｇａｔｉｏｎ）もしく
はグレーティング（ｇｒａｔｉｎｇ）と呼ばれる回折格
子を形成し、その回折格子の中を光が往復して共振する
ようになっている。
傍にコルゲーション（ｃｏｒｒｕｇａｔｉｏｎ）もしく
はグレーティング（ｇｒａｔｉｎｇ）と呼ばれる回折格
子を形成し、その回折格子の中を光が往復して共振する
ようになっている。
このようなりＦＢ型半導体レーザでは、理論的には、数
百〔Ｍビ・へト／秒〕の高速で変調を行っても単一波長
の発振を維持することができるとされているが、その実
現は甚だ困難である。
百〔Ｍビ・へト／秒〕の高速で変調を行っても単一波長
の発振を維持することができるとされているが、その実
現は甚だ困難である。
その理由は、前記ＤＦＢ型レーザに於けるコルゲーショ
ンは一部゛に形成され、側面の′中央から見て、コルゲ
ーションが左右対称になっている、所謂、対称ＤＦＢ型
半導体レーザとなっていて、二つの縦モードの損失が等
しい為、２モ一ド発振したり、コルゲーションの周期に
合ったブラッグ波長から士に同じ波長分だけ僅かにずれ
た二つの共振モード間で発振が移行するなど不安定な動
作をすることに依る。
ンは一部゛に形成され、側面の′中央から見て、コルゲ
ーションが左右対称になっている、所謂、対称ＤＦＢ型
半導体レーザとなっていて、二つの縦モードの損失が等
しい為、２モ一ド発振したり、コルゲーションの周期に
合ったブラッグ波長から士に同じ波長分だけ僅かにずれ
た二つの共振モード間で発振が移行するなど不安定な動
作をすることに依る。
そこで、このような欠点を解消すべく、所謂、Δ／２シ
フＦＤＦＢ型半導体レーザ（Δ＝コルゲーション周期）
が開発された。
フＦＤＦＢ型半導体レーザ（Δ＝コルゲーション周期）
が開発された。
第１２図はΔ／２シフトＤＦＢ型半導体レーザの要部切
断側面図である。
断側面図である。
図に於いて、１はｎ＋型１ｎＰ基板、２はｎ型ＩｎＰバ
ッファ層、３はｎ型１ｎＰクラッド層、４はノン・ドー
プＩ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、５はｐ型ＩｎＧａ−Ａｓ
Ｐガイド層、６及び６′はコルゲーション、７はｐ型１
ｎＰクラフト層、８はｐ＋梨型１ｎＧａＡｓＰンタクト
層、９はｎ側電極、１０はｎ側電極をそれぞれ示してい
る。
ッファ層、３はｎ型１ｎＰクラッド層、４はノン・ドー
プＩ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、５はｐ型ＩｎＧａ−Ａｓ
Ｐガイド層、６及び６′はコルゲーション、７はｐ型１
ｎＰクラフト層、８はｐ＋梨型１ｎＧａＡｓＰンタクト
層、９はｎ側電極、１０はｎ側電極をそれぞれ示してい
る。
図示例では、中央からみて、左側のコルゲ・−ジョン６
と右側のコルゲーション６とは、Δ／２だけシフトさせ
である。因に、通常の場合、右側のコルゲージジンは記
号６′で指示した破線のようになる。
と右側のコルゲーション６とは、Δ／２だけシフトさせ
である。因に、通常の場合、右側のコルゲージジンは記
号６′で指示した破線のようになる。
図示のような構成を有するＤＦＢ型半導体レーザはブラ
ッグ波長で発振することが可能である。
ッグ波長で発振することが可能である。
第１２図に示したＡ／２シフ）ＤＦＢ型半轟体レーザの
発振特性は極めて優れたものとなるが、その製造にはか
なり問題がある。
発振特性は極めて優れたものとなるが、その製造にはか
なり問題がある。
即ち、コルゲーション６の周期Δそのものが、例えば０
．３〜０．４〔μｍ〕と小さいものであり、それをΔ／
２だけシフトし且つ左右のコルゲーションを併せること
は甚だ困難である。
．３〜０．４〔μｍ〕と小さいものであり、それをΔ／
２だけシフトし且つ左右のコルゲーションを併せること
は甚だ困難である。
本発明は、ブラッグ波長で安定に発振させることができ
、しかも、容易に製、造できる構成を有するＤＦＢ型半
導体レーザを提供する。
、しかも、容易に製、造できる構成を有するＤＦＢ型半
導体レーザを提供する。
〔問題点を解決するための手段〕 、本発明・のＤＦ
Ｂ型半導体レーザは、活性層、ガイド層などの光導波領
域の一部に伝播定数を異にする部分が選択的に形成され
、該光導波領域に於ける伝播定数を異にする部分と他の
部分との伝播定数差をΔβとし、また、該伝播定数が異
なる部分の長さをＬとして、 ΔβＬ＝±−壬ｍπ なる式を満足する構成になっている。
Ｂ型半導体レーザは、活性層、ガイド層などの光導波領
域の一部に伝播定数を異にする部分が選択的に形成され
、該光導波領域に於ける伝播定数を異にする部分と他の
部分との伝播定数差をΔβとし、また、該伝播定数が異
なる部分の長さをＬとして、 ΔβＬ＝±−壬ｍπ なる式を満足する構成になっている。
〔作用〕 。
前記のような構成にしたＩ）ＦＢ型半導体レーザは、実
効的に見てコルゲーション・ピンチをＡ／４だけずらせ
たものと等価になり、縦モード選択比が大幅に改善され
、第１２図に関して説明した従来のＤＦＢ型半導体レー
ザと同様にブラッグ波長で安定且つ容易に発振し、しか
も、そのような発振をさせる為には光４波領域の一部に
光の伝播定数が相違した部分を選択的に形成しさえすれ
ば良く、そして、その光の伝播定数が相違し牟部分を形
成する為の製造上の難易は、第１２図に関して説明した
従来例に比較すると、全く問題にならないほど容易であ
る。
効的に見てコルゲーション・ピンチをＡ／４だけずらせ
たものと等価になり、縦モード選択比が大幅に改善され
、第１２図に関して説明した従来のＤＦＢ型半導体レー
ザと同様にブラッグ波長で安定且つ容易に発振し、しか
も、そのような発振をさせる為には光４波領域の一部に
光の伝播定数が相違した部分を選択的に形成しさえすれ
ば良く、そして、その光の伝播定数が相違し牟部分を形
成する為の製造上の難易は、第１２図に関して説明した
従来例に比較すると、全く問題にならないほど容易であ
る。
第１図及び第２図は本発明に於ける第１の実施例を説明
する為の要部切断斜面図及び要部切断側面図をそれぞれ
表している。
する為の要部切断斜面図及び要部切断側面図をそれぞれ
表している。
図に於いて、１１はｎ＋型１ｎＰ基板、１２はｎ型１ｎ
Ｐバッファ層、１３はｎ型１ｎＰクラッド層、１４はコ
ルゲーション、１５はｎ型１ ｎＧａＡｓＰガイド層、
１６はＩｎＧａＡｓＰ活性層、１６Ａは活性層１６の拡
幅部分、１７はｐ型ＩｎＰクラッド層、１８はｐ＋型１
ｎＧａＡｓＰＭ／タクト層、１９はｎ側電極、２０はｎ
側電極、Ａはレーザ全体、β１及びβ２は伝播定数、Ｌ
ｌば活性層１６の長さ、Ｌ２は拡幅部分１６Ａの長さ、
Ｌ３は活性層１６がなだらかに拡幅されてゆく部分の長
さ、Ｗ、は活性層１６の幅、Ｗ２は拡幅部分１６Ａの幅
をそれぞれ示している。
Ｐバッファ層、１３はｎ型１ｎＰクラッド層、１４はコ
ルゲーション、１５はｎ型１ ｎＧａＡｓＰガイド層、
１６はＩｎＧａＡｓＰ活性層、１６Ａは活性層１６の拡
幅部分、１７はｐ型ＩｎＰクラッド層、１８はｐ＋型１
ｎＧａＡｓＰＭ／タクト層、１９はｎ側電極、２０はｎ
側電極、Ａはレーザ全体、β１及びβ２は伝播定数、Ｌ
ｌば活性層１６の長さ、Ｌ２は拡幅部分１６Ａの長さ、
Ｌ３は活性層１６がなだらかに拡幅されてゆく部分の長
さ、Ｗ、は活性層１６の幅、Ｗ２は拡幅部分１６Ａの幅
をそれぞれ示している。
本発明では、光の位相をずらせて単一波長の発振を可能
とする為、光導波領域内に光の伝播定数を異にする部分
を導入することに依り目的を達していることは前記した
通りであり、図から明らかなように、本実施例では、活
性１１６の中央近傍に拡幅部分１６Ａが形成されていて
、これに依り、光導波領域に於ける伝播定数がβ１から
β２に変化し、実効的に屈折率を変化させることができ
るので、伝播する光の位相をずらせることができる。
とする為、光導波領域内に光の伝播定数を異にする部分
を導入することに依り目的を達していることは前記した
通りであり、図から明らかなように、本実施例では、活
性１１６の中央近傍に拡幅部分１６Ａが形成されていて
、これに依り、光導波領域に於ける伝播定数がβ１から
β２に変化し、実効的に屈折率を変化させることができ
るので、伝播する光の位相をずらせることができる。
ここで、ブラッグ波長をλ５、実効的な屈折率をｎ ｏ
ｆｆ とすると、 れ ２ｎ、ｆｆ で表され、また、伝播定数差Δβは、 Δβ＝β２−β１ で表され、本実施例の場合、β２〉β１であるがらΔβ
は正である。
ｆｆ とすると、 れ ２ｎ、ｆｆ で表され、また、伝播定数差Δβは、 Δβ＝β２−β１ で表され、本実施例の場合、β２〉β１であるがらΔβ
は正である。
光の伝播定数を変化させて位相をずらせる為に変化させ
るべき実効的な屈折率差をΔｎとし、これと伝播定数を
異にする部分の長さＬ（第１図のＬＸ）との関係は、自
由空間の発振波長をλとして、 λ ２ で与えられる。従って、この式に発振波長λ及び変化さ
せるべき実効的な屈折率差Δｎを入れることに依り伝播
定数を異にする部分の長さしを求めることができる。ま
た、 であるから、 ΔβＬ＝±−±ｍπ（ｍは整数） となり、この式を満足させることに依り、安定な単一波
長（ブラッグ波長λｂ）の発振が可能となる。
るべき実効的な屈折率差をΔｎとし、これと伝播定数を
異にする部分の長さＬ（第１図のＬＸ）との関係は、自
由空間の発振波長をλとして、 λ ２ で与えられる。従って、この式に発振波長λ及び変化さ
せるべき実効的な屈折率差Δｎを入れることに依り伝播
定数を異にする部分の長さしを求めることができる。ま
た、 であるから、 ΔβＬ＝±−±ｍπ（ｍは整数） となり、この式を満足させることに依り、安定な単一波
長（ブラッグ波長λｂ）の発振が可能となる。
図示例に於ける各所要部分の寸法は次のようである。
Ｗｒ ＝ １．８ Ｃμｍ〕
Ｗ２＝２．５Ｃμｍ〕
Ｌｌ ＝ ４ （１０（μｍ）
Ｌ２＝６０Ｃμｍ〕
Ｌ３ ＝ ５〜Ｉ ＯＣμｍ１
本実施例では、活性層１６に拡幅部分１６Ａを形成する
のに、長さＬ３を採って、徐々に拡幅しているが、これ
は、急激に拡幅した場合、その界面に活性Ｎ１６或いは
拡幅部分１６Ａの特性を損なうような欠陥が現れること
を考慮した為であるが、若し、そのような問題を生じな
ければ、図に破線で示しであるように、なだらかな拡幅
部分を除去しても良い。尚、実験によれば、なだらかな
拡幅部分を除去しても支障はなかった。
のに、長さＬ３を採って、徐々に拡幅しているが、これ
は、急激に拡幅した場合、その界面に活性Ｎ１６或いは
拡幅部分１６Ａの特性を損なうような欠陥が現れること
を考慮した為であるが、若し、そのような問題を生じな
ければ、図に破線で示しであるように、なだらかな拡幅
部分を除去しても良い。尚、実験によれば、なだらかな
拡幅部分を除去しても支障はなかった。
第３図は第１図及び第２図に関して説明した実施例の光
出力対電流の関係を表す線図である。
出力対電流の関係を表す線図である。
図では、縦軸に光出力を、また、横軸に電流をそれぞれ
採っである。
採っである。
図から判るように、前記実施例では、闇値電流ｒｔｈの
値は２８（ｍＡ）であり、そこから光出力は急速に立ち
上がっている。
値は２８（ｍＡ）であり、そこから光出力は急速に立ち
上がっている。
第４図は同じく第１図及び第２図に関して説明した実施
例の発振波長スペクトラムを表す線図である。
例の発振波長スペクトラムを表す線図である。
このデータは、闇値電流１ｔｈに近い値の電流を流して
発振させた場合に得られたものであり、図からすると、
ブラッグ波長λｂ ＝ｔ、 ３ （μｍ〕で発振が
行われ、且つ、その発振の両側でスペクトラムの急激な
落ち込みの存在が看取され、これに依り発振は安定であ
ることが理解できよう。
発振させた場合に得られたものであり、図からすると、
ブラッグ波長λｂ ＝ｔ、 ３ （μｍ〕で発振が
行われ、且つ、その発振の両側でスペクトラムの急激な
落ち込みの存在が看取され、これに依り発振は安定であ
ることが理解できよう。
第５図は同じく第１図及び第２図に関して説明した実施
例の光出力が８ （ｍＷ）である場合の発振波長スペク
トラムを表す線図である。
例の光出力が８ （ｍＷ）である場合の発振波長スペク
トラムを表す線図である。
この図から、斯かる光出力を採り出しても、発振は安定
な１ｉｔ−波長で行われていることが認識される。
な１ｉｔ−波長で行われていることが認識される。
第６図は本発明に於ける第２の実施例を表す要部切断側
面図であり、第１図及び第２図に関して説明した部分と
同部分は同記号で指示しである。
面図であり、第１図及び第２図に関して説明した部分と
同部分は同記号で指示しである。
図に於いて、１５Ａはガイド層１５が他より厚くなって
いる部分、Ｌは伝播定数が異なる部分の長さくガイド層
１５の厚い部分１５Ａの長さ）、Ｌ４は活性層１６の厚
み、Ｌ、はガイド層１５の厚み、Ｌ６はコルゲーション
の周期（即ちＡ）、Ｌ７はガイド層１５の厚い部分１５
Ａに於ける厚さ、Ｌ８はコルゲーション１４の高さくピ
ーク・ピーク）をそれぞれ示している。
いる部分、Ｌは伝播定数が異なる部分の長さくガイド層
１５の厚い部分１５Ａの長さ）、Ｌ４は活性層１６の厚
み、Ｌ、はガイド層１５の厚み、Ｌ６はコルゲーション
の周期（即ちＡ）、Ｌ７はガイド層１５の厚い部分１５
Ａに於ける厚さ、Ｌ８はコルゲーション１４の高さくピ
ーク・ピーク）をそれぞれ示している。
この実施例では、活性層１６には拡幅部分がなく、その
代わりに、光導波領域の一部をなすガイド層１５を局所
的に厚く形成した部分１５Ａを備えることに依り伝播定
数を異ならせている。
代わりに、光導波領域の一部をなすガイド層１５を局所
的に厚く形成した部分１５Ａを備えることに依り伝播定
数を異ならせている。
この実施例では、Δβは正であり、λ＝１．３〔μｍ〕
、Δｎ＝０．Ｏｆとした場合、伝播定数を異にする部分
の長さしは３３ 〔μｍ〕にすると良い。
、Δｎ＝０．Ｏｆとした場合、伝播定数を異にする部分
の長さしは３３ 〔μｍ〕にすると良い。
本実施例に於ける前記以外の諸寸法は次の通りである。
Ｌ、＝４００ （７４ｍ）
Ｌ、＝０．１５ Ｃμｍ）
Ｌｓ ＝０． １ ５ Ｃμｍ〕
Ｌ６ ＝０． ３９９ （＃ｍ）
Ｌｆｆ ＝０． ２ （μｍ）
ｔ、ａ ＝ｏ、 １（μｍ〕
第７図は本発明に於ける第３の実施例を表す要部切断側
面図であり、第１図及び第２図に関して説明した部分と
同部分は同記号で指示しである。
面図であり、第１図及び第２図に関して説明した部分と
同部分は同記号で指示しである。
この実施例では、第６図の実施例と異なり、ガイド層１
５が厚く形成され、光導波領域の伝播定数を異にする部
分では記号１５Ｂで指示しであるように薄くなされてい
る。尚、この場合、Δβは負になる。
５が厚く形成され、光導波領域の伝播定数を異にする部
分では記号１５Ｂで指示しであるように薄くなされてい
る。尚、この場合、Δβは負になる。
第８図は本発明に於ける第４の実施例を表す要部切断側
面図であり、第１図及び第２図に関して説明した部分と
同部分は同記号で指示しである。
面図であり、第１図及び第２図に関して説明した部分と
同部分は同記号で指示しである。
この実施例では、活性層１６に薄い部分１６Ｂを形成す
ることに依り光の伝播定数を異ならしめている。尚、こ
の実施例に於けるΔβＬは一π／２となる。
ることに依り光の伝播定数を異ならしめている。尚、こ
の実施例に於けるΔβＬは一π／２となる。
第９図は本発明に於ける第５の実施例を表す要部切断側
面図であり、第１図及び第２図に関して説明した部分と
同部分は同記号で指示しである。
面図であり、第１図及び第２図に関して説明した部分と
同部分は同記号で指示しである。
この実施例では、活性層１６に厚い部分１’ ６’ Ｃ
を形成することに依り光の伝播定数を異ならしめている
。尚、この実施例に於けるΔβＬはπ／２となる。
を形成することに依り光の伝播定数を異ならしめている
。尚、この実施例に於けるΔβＬはπ／２となる。
第１０図は本発明に於ける第６の実施例を表す要部切断
側面図であり、第１図及び第２図に関して説明した部分
と同部分は同記号で指示しである。
側面図であり、第１図及び第２図に関して説明した部分
と同部分は同記号で指示しである。
この実施例では、ガイド層１５の外に第２のガイド層２
１を活性層１６上に形成し、その第２のガイド層２１に
選択的に厚い部分２１Ａを形成し、て伝播定数を異なら
しめている。
１を活性層１６上に形成し、その第２のガイド層２１に
選択的に厚い部分２１Ａを形成し、て伝播定数を異なら
しめている。
第１１図は本発明に於ける第７の実施例を表す要部切断
側面図であり、第１図及び第２図に関して説明した部分
と同部分は同記号で指示しである。
側面図であり、第１図及び第２図に関して説明した部分
と同部分は同記号で指示しである。
この実施例では、第１０図に見られる実施例と同様に第
２のガイドＮ２１を活性Ｎ１６上に形成しているが、そ
の第２のガイド層２１に選択的に組成を異にする部分２
１Ｂを形成することに依り伝播定数を異ならしめている
。
２のガイドＮ２１を活性Ｎ１６上に形成しているが、そ
の第２のガイド層２１に選択的に組成を異にする部分２
１Ｂを形成することに依り伝播定数を異ならしめている
。
本発明の半導体レーザでは、光導波領域に伝播定数を異
にする部分が選択的に形成され、該伝播定数を異にする
部分とその他の部分との伝播定数差をΔβとし且つ該伝
播定数を異にする部分の長さをＬとして、 ΔβＬ＝±π／２±ｍπ なる式を満足するものとしである。
にする部分が選択的に形成され、該伝播定数を異にする
部分とその他の部分との伝播定数差をΔβとし且つ該伝
播定数を異にする部分の長さをＬとして、 ΔβＬ＝±π／２±ｍπ なる式を満足するものとしである。
このような構成にすることに依り、半導体レーザは単一
波長、即ち、ブラッグ波長で安定に発振することができ
、また、それを可能にする構成、即ち、光導波領域の一
部に選択的に伝播定数を異にする部分を作り込むことは
前記各実施例から理解できるように従来のΔ／２シフＦ
ＤＦＢ型半導体レーザと比較すると格段に容易であり、
そして、再現性も良好である。
波長、即ち、ブラッグ波長で安定に発振することができ
、また、それを可能にする構成、即ち、光導波領域の一
部に選択的に伝播定数を異にする部分を作り込むことは
前記各実施例から理解できるように従来のΔ／２シフＦ
ＤＦＢ型半導体レーザと比較すると格段に容易であり、
そして、再現性も良好である。
第１図は本発明一実施例の要部切断斜面図、第２図は第
１図に見られる実施例の要部切断側面図、第３図は本発
明一実施例の電流対光出力の関係を示す線図、第４図は
闇値電流を流した場合の発振波長スペクトラムを示す線
図、第５図は光出力を８ （ｍＷ）とした場合の発振波
長スペクトラムを示す線図、第６図乃至第１１図は本発
明に於けるそれぞれ異なる実施例を示す要部切断側面図
、第１２図は従来例の要部切断側面図をそれぞれ表して
いる。 図に於いて、１１は基板、１２はバッファ層、１３はク
ラッド層、１４はコルゲーション、１５はガイド層、１
６は活性層、１６Ａは活性層１６の拡幅部分、１７はク
ラッド層、１８はコンタクト層、１９はｎ側電極、２０
はｐ側電極をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 第２図 第３図 電 衆 （ｍＡ） 第４図 １．２８ １．３０ １．３２濠長（ｑｍ
） 第６図 第 ７ 図 ′２：０ 第８図 第 ９（２ｉ 第１０図 第 ２１ 図 ’１９
１図に見られる実施例の要部切断側面図、第３図は本発
明一実施例の電流対光出力の関係を示す線図、第４図は
闇値電流を流した場合の発振波長スペクトラムを示す線
図、第５図は光出力を８ （ｍＷ）とした場合の発振波
長スペクトラムを示す線図、第６図乃至第１１図は本発
明に於けるそれぞれ異なる実施例を示す要部切断側面図
、第１２図は従来例の要部切断側面図をそれぞれ表して
いる。 図に於いて、１１は基板、１２はバッファ層、１３はク
ラッド層、１４はコルゲーション、１５はガイド層、１
６は活性層、１６Ａは活性層１６の拡幅部分、１７はク
ラッド層、１８はコンタクト層、１９はｎ側電極、２０
はｐ側電極をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 第２図 第３図 電 衆 （ｍＡ） 第４図 １．２８ １．３０ １．３２濠長（ｑｍ
） 第６図 第 ７ 図 ′２：０ 第８図 第 ９（２ｉ 第１０図 第 ２１ 図 ’１９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 コルゲーションを有する光導波領域に伝播定数を異にす
る部分が選択的に形成され、該伝播定数を異にする部分
とその他の部分との伝播定数差をΔβとし且つ該伝播定
数を異にする部分の長さをＬとして、 ΔβＬ＝±π／２±ｍπ（ｍは整数） なる式を満足するものとしたことを特徴とする半導体レ
ーザ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59210588A JPS6189690A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 半導体レ−ザ |
| DE8585307130T DE3579991D1 (de) | 1984-10-09 | 1985-10-04 | Halbleiterlaser. |
| US06/784,594 US4726031A (en) | 1984-10-09 | 1985-10-04 | Semiconductor laser |
| EP85307130A EP0178134B1 (en) | 1984-10-09 | 1985-10-04 | Semiconductor laser |
| KR8507366A KR890004646B1 (en) | 1984-10-09 | 1985-10-07 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59210588A JPS6189690A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189690A true JPS6189690A (ja) | 1986-05-07 |
| JPH0213942B2 JPH0213942B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=16591801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59210588A Granted JPS6189690A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 半導体レ−ザ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4726031A (ja) |
| EP (1) | EP0178134B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6189690A (ja) |
| KR (1) | KR890004646B1 (ja) |
| DE (1) | DE3579991D1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281489A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-12-07 | ジヤン−クロ−ド・ブ−レイ | 連続的に同調可能な波長をもつ分布フイ−ドバツク形半導体レ−ザ |
| JPS6414984A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device oscilating at single-wavelength |
| JPH0225086A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH02280394A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
| JPWO2021005700A1 (ja) * | 2019-07-09 | 2021-01-14 |
Families Citing this family (16)
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| US5340637A (en) * | 1986-09-16 | 1994-08-23 | Hitachi, Ltd. | Optical device diffraction gratings and a photomask for use in the same |
| JPS63244694A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Sony Corp | 分布帰還形半導体レ−ザ |
| DE3934865A1 (de) * | 1989-10-19 | 1991-04-25 | Siemens Ag | Hochfrequent modulierbarer halbleiterlaser |
| US5185759A (en) * | 1990-06-12 | 1993-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase-shifted distributed feedback type semiconductor laser device |
| US5272714A (en) * | 1991-12-12 | 1993-12-21 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Distributed phase shift semiconductor laser |
| US5537432A (en) * | 1993-01-07 | 1996-07-16 | Sdl, Inc. | Wavelength-stabilized, high power semiconductor laser |
| DE4322164A1 (de) * | 1993-07-03 | 1995-01-12 | Ant Nachrichtentech | Optoelektronisches Bauelement mit Rückkopplungsgitter, mit axial quasi-kontinuierlich und nahezu beliebig variierbarem Gitterkopplungs-Koeffizienten, mit quasi-kontinuierlich axial verteilbarer Brechungsindex-Variation, sowie mit axial nahezu beliebig verteilbarer und variierbarer Phasenverschiebung |
| DE4322163A1 (de) * | 1993-07-03 | 1995-01-12 | Ant Nachrichtentech | Auf DFB- oder DBR-Gitter basierendes optoelektronisches Bauelement mit quasi-kontinuierlich axial verteilbarer Brechungsindex-Variation, mit axial beliebig verteilbarer und variierbarer Phasenverschiebung, sowie mit axial quasi-kontinuierlich variierbarem Gitter-Kopplungskoeffizienten |
| DE4432410B4 (de) * | 1994-08-31 | 2007-06-21 | ADC Telecommunications, Inc., Eden Prairie | Optoelektronisches Multi-Wellenlängen-Bauelement |
| JPH11307862A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| US6108469A (en) * | 1998-11-30 | 2000-08-22 | Lucent Technologies Inc | Wavelength selective resonant gratings |
| JP5233090B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2013-07-10 | 沖電気工業株式会社 | キャリア抑圧光パルス列発生方法及びこの方法を実現するモード同期半導体レーザ |
| US7929580B2 (en) * | 2006-09-22 | 2011-04-19 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Inexpensive terahertz pulse wave generator |
| KR100842277B1 (ko) * | 2006-12-07 | 2008-06-30 | 한국전자통신연구원 | 반사형 반도체 광증폭기 및 수퍼 루미네센스 다이오드 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51146196A (en) * | 1975-06-11 | 1976-12-15 | Hitachi Ltd | Diode laser |
| US4096446A (en) * | 1976-02-02 | 1978-06-20 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Distributed feedback devices with perturbations deviating from uniformity for removing mode degeneracy |
| DE2861465D1 (en) * | 1977-08-01 | 1982-02-18 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS5763880A (en) * | 1980-10-04 | 1982-04-17 | Ikuo Suemune | Lateral distribution feedback type semiconductor laser |
| JPS60145685A (ja) * | 1984-01-09 | 1985-08-01 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レ−ザ |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP59210588A patent/JPS6189690A/ja active Granted
-
1985
- 1985-10-04 US US06/784,594 patent/US4726031A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-10-04 DE DE8585307130T patent/DE3579991D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-10-04 EP EP85307130A patent/EP0178134B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-10-07 KR KR8507366A patent/KR890004646B1/ko not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ELECTRONICS LETTERS * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281489A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-12-07 | ジヤン−クロ−ド・ブ−レイ | 連続的に同調可能な波長をもつ分布フイ−ドバツク形半導体レ−ザ |
| JPS6414984A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device oscilating at single-wavelength |
| JPH0225086A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH02280394A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
| JPWO2021005700A1 (ja) * | 2019-07-09 | 2021-01-14 | ||
| WO2021005700A1 (ja) * | 2019-07-09 | 2021-01-14 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890004646B1 (en) | 1989-11-21 |
| EP0178134A3 (en) | 1987-05-20 |
| DE3579991D1 (de) | 1990-11-08 |
| JPH0213942B2 (ja) | 1990-04-05 |
| EP0178134B1 (en) | 1990-10-03 |
| US4726031A (en) | 1988-02-16 |
| EP0178134A2 (en) | 1986-04-16 |
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