JPS6188575A - Ｌｅｄアレイ - Google Patents
ＬｅｄアレイInfo
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- JPS6188575A JPS6188575A JP59210897A JP21089784A JPS6188575A JP S6188575 A JPS6188575 A JP S6188575A JP 59210897 A JP59210897 A JP 59210897A JP 21089784 A JP21089784 A JP 21089784A JP S6188575 A JPS6188575 A JP S6188575A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
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- Power Engineering (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光プリンタの感光ドラム照射用光源等に用い
られる変調光源としてのＬ Ｅ Ｄアレイに関するもの
である。
られる変調光源としてのＬ Ｅ Ｄアレイに関するもの
である。
［従来の技術］
従来、光プリンタ等に用いられるＬ［Ｄアレイはいわゆ
る平面発光型のものであった。すなわち、ＧａＡｓ等の
単結晶基板上にＧａＡＳ Ｐ 等−ｘ ｘ の混晶系エピタキシャル層を成長させ、このエピタキシ
ャル成長１？ｇ内に形成した注入型発光領域から発光す
る光を前記エピタキシ１フル成長層の表面から取り出づ
゛イ１−″ｉ造であった。
る平面発光型のものであった。すなわち、ＧａＡｓ等の
単結晶基板上にＧａＡＳ Ｐ 等−ｘ ｘ の混晶系エピタキシャル層を成長させ、このエピタキシ
ャル成長１？ｇ内に形成した注入型発光領域から発光す
る光を前記エピタキシ１フル成長層の表面から取り出づ
゛イ１−″ｉ造であった。
ところが、平面発光型ＬＥＤアレイは、通常幅１Ｍ当り
８個程度、最低でも４個以上の発光部を必要とするため
、発光部の直上に設けるオーミック電極のＷｒ造が微細
になり、かつ発光領域の１のエピタキシセル成長層の混
晶比を高くして光透過性をもたせる必要もあり、充分に
接触抵抗の低いＡ−ミックコンタ″クトを形成すること
が固層１であった。
８個程度、最低でも４個以上の発光部を必要とするため
、発光部の直上に設けるオーミック電極のＷｒ造が微細
になり、かつ発光領域の１のエピタキシセル成長層の混
晶比を高くして光透過性をもたせる必要もあり、充分に
接触抵抗の低いＡ−ミックコンタ″クトを形成すること
が固層１であった。
そのため、安定した高い歩留りで素子を生産することは
容易ではなかった。ザなわら、発光部が設けられた素子
表面に大型の金属電極を形成した場合、この電極により
発光が妨げられまた微■Ｉイ；電極を形成した場合、各
発光部に形成された各電極の接触抵抗の差が大きくなり
、各発光部の発光強度が不均一になり易かった。
容易ではなかった。ザなわら、発光部が設けられた素子
表面に大型の金属電極を形成した場合、この電極により
発光が妨げられまた微■Ｉイ；電極を形成した場合、各
発光部に形成された各電極の接触抵抗の差が大きくなり
、各発光部の発光強度が不均一になり易かった。
また、接触抵抗を４−分低くするため、電極に接触する
混晶系エピタキシャル成長層表面のエネルギ禁止帯幅を
狭くする如く混合結晶比率を低くすると、この狭い禁止
帯層が光を吸収してしまい、やはり外部への発光効率を
低下させでいた。
混晶系エピタキシャル成長層表面のエネルギ禁止帯幅を
狭くする如く混合結晶比率を低くすると、この狭い禁止
帯層が光を吸収してしまい、やはり外部への発光効率を
低下させでいた。
このようなことから、従来の平面発光型ＬＥＤアレイに
おいては、ｎ型エピタキシャル成長層表面から７クセブ
タ不純物であ。Ｚｎを選択拡散させることによって微細
なｐ−型領域（寸なわち、発光領域）の列を作り、各ｐ
−型領領域表面にそれぞれ分離した微小電極を形成させ
るのが酋通であった。このようにすれば、Ｚｒ＋Ｋｒ１
ｌ領域の表面（すなわら発光部）は少なくとも１１０２
０Ｃ゛３程度の高キャリア濃度となるため電極とは低接
触抵抗となるが、やはり高キャリア濃度のためＺｎ拡散
領域での光吸収が大きくなってしまうという問題があっ
た。
おいては、ｎ型エピタキシャル成長層表面から７クセブ
タ不純物であ。Ｚｎを選択拡散させることによって微細
なｐ−型領域（寸なわち、発光領域）の列を作り、各ｐ
−型領領域表面にそれぞれ分離した微小電極を形成させ
るのが酋通であった。このようにすれば、Ｚｒ＋Ｋｒ１
ｌ領域の表面（すなわら発光部）は少なくとも１１０２
０Ｃ゛３程度の高キャリア濃度となるため電極とは低接
触抵抗となるが、やはり高キャリア濃度のためＺｎ拡散
領域での光吸収が大きくなってしまうという問題があっ
た。
［Ｒ明の目的］
本発明は、前記した従来技術の問題点に鑑み、各発光領
域へ形成された電極が体接触抵抗であり、かつ、これら
電極により発光が妨げられることのないＬＥＤアレイを
提供することを目的とする。
域へ形成された電極が体接触抵抗であり、かつ、これら
電極により発光が妨げられることのないＬＥＤアレイを
提供することを目的とする。
［問題点を解決ザるための手段］
本発明のＬＥＤアレイは、発光部が素子の側面に幅１
ｍｍ当り４箇所の割合で形成されており、上記素子の表
面にオーミック電極が形成されていることを特徴とする
ものである。
ｍｍ当り４箇所の割合で形成されており、上記素子の表
面にオーミック電極が形成されていることを特徴とする
ものである。
「実施例コ
以下、本発明の実施例を図面に基づき訂細に説明する。
実施例１
第１図は、本発明の一実施例を示ず説明図である。
ｎ型ＧａＡｓ４板１の表面にｎ型Ｇａ Ａｆ−Ｘ
ＸＡＳ層２．ｎ型Ｇａ ＡＩＶＡＳ層３および−ｙ
ｎ１型ＧａＡＳ層４が順次成長させられる。次に、ｎ１
型ＧａＡＳ層４の表面にフォスフＡ・シリケート・ガラ
ス（ＰＳＧ）膜５が形成され、適宜設定された間隔をお
いて、ＰＳＧＳｂＯ２部分が半円状に除去され、そのた
め、ＰＳＧＳｂＯ２去された部分にｎ１型ＧａＡＳ層４
に接触しかつ、互いに接触しないようなマイナス電極（
オーミック電ｔ！Ｖり６がＰＳＧＳｂＯ２にアレイ状に
形成され、半円状のオーミック接触部７が形成される。
型ＧａＡＳ層４の表面にフォスフＡ・シリケート・ガラ
ス（ＰＳＧ）膜５が形成され、適宜設定された間隔をお
いて、ＰＳＧＳｂＯ２部分が半円状に除去され、そのた
め、ＰＳＧＳｂＯ２去された部分にｎ１型ＧａＡＳ層４
に接触しかつ、互いに接触しないようなマイナス電極（
オーミック電ｔ！Ｖり６がＰＳＧＳｂＯ２にアレイ状に
形成され、半円状のオーミック接触部７が形成される。
そして、マイナス電極６のＰＳＧＳｂＯ２去されて露出
したｎｊ型ＧａＡＳ層に接触している部分には半円状の
くぼみ６ａができる。ｐ型ＧａＡＳ基板１の裏面全体に
はプラス電極（オーミック電極）８が形成されている。
したｎｊ型ＧａＡＳ層に接触している部分には半円状の
くぼみ６ａができる。ｐ型ＧａＡＳ基板１の裏面全体に
はプラス電極（オーミック電極）８が形成されている。
このような構成の素子において、マイナス電極６とプラ
ス電８Ｊ、８との間に順方向に電圧をバイアスすると、
電流はオーミック接触部７のそれぞれに集中して流れ、
素子側面の発光部９より側方へ光が放射される。
ス電８Ｊ、８との間に順方向に電圧をバイアスすると、
電流はオーミック接触部７のそれぞれに集中して流れ、
素子側面の発光部９より側方へ光が放射される。
すなわち、ｎ１型ＧａＡＳ層４は、この表面にＰＳＧＳ
ｂＯ２りそれぞれ分離されアレイ状に設けられたマイナ
ス電イ触６のそれぞれと挿めて接触抵抗の低いオーミッ
ク接触部７を形成してＪ５つ、電子はオーミック接触部
７よりｎ型Ｇａ１−ｘＡノＸＡＳ層３を経てｎ型Ｇａ
ＡＩ！ＸＡＳＩｉＩｆ７２の−Ｘ 中に注入８°れ、発光部の内部で正孔と発光再結合を行
い素子側面の発光部９から光が放射されるのである。
ｂＯ２りそれぞれ分離されアレイ状に設けられたマイナ
ス電イ触６のそれぞれと挿めて接触抵抗の低いオーミッ
ク接触部７を形成してＪ５つ、電子はオーミック接触部
７よりｎ型Ｇａ１−ｘＡノＸＡＳ層３を経てｎ型Ｇａ
ＡＩ！ＸＡＳＩｉＩｆ７２の−Ｘ 中に注入８°れ、発光部の内部で正孔と発光再結合を行
い素子側面の発光部９から光が放射されるのである。
オーミック接触部７の数とマイナス電極６の教は、それ
ぞれ対応して同じであるが、プリンタ用のＬＥＩ）アレ
イ等としては素子の幅１ ｍｍ当り４箇所以上にオーミ
ック接触部７を形成する必要があり、通常８箇所場合に
よっては１６筒所にオーミック接触部７を形成する。な
お、オーミック接触部７の曲率半径をｉｏｔ１ｍ以下程
度にすれば、ｎ型Ｇａ１−ｘＡｉｒ ｘＡｓＦｊ２内で
の注入型発光は、同層内であまり吸収を受けずに発光部
９より側方に発光される。
ぞれ対応して同じであるが、プリンタ用のＬＥＩ）アレ
イ等としては素子の幅１ ｍｍ当り４箇所以上にオーミ
ック接触部７を形成する必要があり、通常８箇所場合に
よっては１６筒所にオーミック接触部７を形成する。な
お、オーミック接触部７の曲率半径をｉｏｔ１ｍ以下程
度にすれば、ｎ型Ｇａ１−ｘＡｉｒ ｘＡｓＦｊ２内で
の注入型発光は、同層内であまり吸収を受けずに発光部
９より側方に発光される。
又、ｎ１型ＧａＡＳ層４は住人型発光を透過することが
なく、かつ素子側面からの発光に対しても何ら影響がな
く、史にはマイナス電極６も光の透過部とはならないた
め、広面積な発光部９を１゛することがでさる。
なく、かつ素子側面からの発光に対しても何ら影響がな
く、史にはマイナス電極６も光の透過部とはならないた
め、広面積な発光部９を１゛することがでさる。
実施例２
第２図は、本発明の他の実施例を示す説明図である。
実施例１と同様に、ｐ型ＱａΔＳ基板１の表面にｎ型Ｇ
ａ Ａｆ！ｘＡｓＥ’４２．ｎ型Ｇａ ｔ＼１
−Ｘ １−ＹＪｙＡｓｔｎ３
および、ｎｔ型ＧａＡＳ層４が順次成長させられている
。
ａ Ａｆ！ｘＡｓＥ’４２．ｎ型Ｇａ ｔ＼１
−Ｘ １−ＹＪｙＡｓｔｎ３
および、ｎｔ型ＧａＡＳ層４が順次成長させられている
。
本実施例の場合には、電流がｎ 型ＧａＡＳ層４内全４
内するのを防ぎ、オーミック接触部７での電流密度を高
くして発光エネルギーを高めるために、オーミック接触
部７を通らないようｎｔ型ＧａＡＳ層４を貫通する深さ
でかつ発光部９を有づ゛る索子側面に平行なエツチング
１ｌｌｓ １０が設けられている。次に、この上にＰＳ
Ｇ膜５が形成され、ＰＳＧ膜５の一部分が半円状に除去
された後、ｎ１型ＧａＡＳ層４と接触してオーミック接
触部７が形成されるようにマイナス°市極６がアレイ状
に形成される。ｐ型ＧａＡＳ基板１の裏面には、実施例
１と同様にプラス電極８が形成されている。
内するのを防ぎ、オーミック接触部７での電流密度を高
くして発光エネルギーを高めるために、オーミック接触
部７を通らないようｎｔ型ＧａＡＳ層４を貫通する深さ
でかつ発光部９を有づ゛る索子側面に平行なエツチング
１ｌｌｓ １０が設けられている。次に、この上にＰＳ
Ｇ膜５が形成され、ＰＳＧ膜５の一部分が半円状に除去
された後、ｎ１型ＧａＡＳ層４と接触してオーミック接
触部７が形成されるようにマイナス°市極６がアレイ状
に形成される。ｐ型ＧａＡＳ基板１の裏面には、実施例
１と同様にプラス電極８が形成されている。
従って、マイナス７ｆｉ極６とプラス電極８との間に順
方向に電圧をバイアスすると、電流は、ｎ１型ＧａＡＳ
層４全体に拡散することなく、集中してオーミック接触
部７を通って流れ、発光部９より側方に光が放Ｑ４され
る。
方向に電圧をバイアスすると、電流は、ｎ１型ＧａＡＳ
層４全体に拡散することなく、集中してオーミック接触
部７を通って流れ、発光部９より側方に光が放Ｑ４され
る。
又、第３図に示すように、エツチング溝１０に垂直でか
つ各発光部９の間にｎ 型ＧａＡＳ層４を貫通する深さ
の第２のエツチング溝１１を設；することにより、°電
流かｎ 型ＱａＡＳ層４内の発光部９を有する素子側面
に平行な方向に拡散するのを防ぐことができる。
つ各発光部９の間にｎ 型ＧａＡＳ層４を貫通する深さ
の第２のエツチング溝１１を設；することにより、°電
流かｎ 型ＱａＡＳ層４内の発光部９を有する素子側面
に平行な方向に拡散するのを防ぐことができる。
従って、電流がオーミック接触部７へ集中し、発光エネ
ルギーを高めることができる。
ルギーを高めることができる。
なお、第２のエツチング溝１１の表面にはＰＳＧ膜５だ
けが形成されでいる。
けが形成されでいる。
実施例３
第４図は、本発明のもう一つの他の実施例を示す説明図
である。
である。
ｎ型ＧａＡＳ基板の上にはｎ型Ｇ ａ １−Ｘ Ａ Ｉ
ｉ ＸＡｓ層１２．ｐ’！ｊｌＧａ１−ｙ Ａｆｆｌ
ｙＡｓ層１３およびｎ１型ＧａＡＳ層１４が順次成長さ
れる。次にｎ型ＧａＡＳ層１４の表面から適宜設定され
た１ｍ隔をおいてｚｎが選択拡散され、ｐ型拡散領域２
２が形成される。このｐ型拡散領域２２ｔは、ｎ型Ｇａ
１− Ｘ Ａ Ｊ Ｘ Ａ Ｓ 層１２に達つしな０よ
うにル成されている。
ｉ ＸＡｓ層１２．ｐ’！ｊｌＧａ１−ｙ Ａｆｆｌ
ｙＡｓ層１３およびｎ１型ＧａＡＳ層１４が順次成長さ
れる。次にｎ型ＧａＡＳ層１４の表面から適宜設定され
た１ｍ隔をおいてｚｎが選択拡散され、ｐ型拡散領域２
２が形成される。このｐ型拡散領域２２ｔは、ｎ型Ｇａ
１− Ｘ Ａ Ｊ Ｘ Ａ Ｓ 層１２に達つしな０よ
うにル成されている。
次に、ｎ型ＧａＡＳ層１４の表面にｐ型拡ｊ攻領域２２
の１つおぎにＬ字型のマイナス電極１６が形成され、Ｐ
ＳＧ膜１５が図において横方向に連続して形成された後
、マイナス電極１６が形成されていないｐ型拡散領［２
２に接触するようマイナス電極２６がＰＳＧｉｌ ５の
上に形成される。
の１つおぎにＬ字型のマイナス電極１６が形成され、Ｐ
ＳＧ膜１５が図において横方向に連続して形成された後
、マイナス電極１６が形成されていないｐ型拡散領［２
２に接触するようマイナス電極２６がＰＳＧｉｌ ５の
上に形成される。
このような２段描造のマイナス電極とすることにより、
電極面積を広くすることができ、ワイヤボーンディング
を容易にすることができる。
電極面積を広くすることができ、ワイヤボーンディング
を容易にすることができる。
更に、マイナス７１Ｈｆｆｉ１６，２６が接触している
ｐ型拡散領域２２し、キャリヤ温度が高く接触抵抗を低
くすることが容易なばかりでなく、ｎ型ＧａＡＳ基板１
の裏面に形成されたプラス電極８からの電子流の集中も
良好となり、注入発光は、ｐ型拡散領域２２直下で起こ
り、発光部１つから光が放射される。
ｐ型拡散領域２２し、キャリヤ温度が高く接触抵抗を低
くすることが容易なばかりでなく、ｎ型ＧａＡＳ基板１
の裏面に形成されたプラス電極８からの電子流の集中も
良好となり、注入発光は、ｐ型拡散領域２２直下で起こ
り、発光部１つから光が放射される。
又、このような絶縁膜を介しての多層配線を用いれば、
マイナス電極は前後に３段以上に亘って更に広面積で配
線することも可能である。
マイナス電極は前後に３段以上に亘って更に広面積で配
線することも可能である。
なお、上記諸実絶倒にｄ５いては、置板結晶としてＧａ
Ａｓ、エピタキシャル層としてＧａＡｆＡＳを用いて説
明したが、伯の半導体材料を用いても本発明の実施は可
能である。
Ａｓ、エピタキシャル層としてＧａＡｆＡＳを用いて説
明したが、伯の半導体材料を用いても本発明の実施は可
能である。
又、ｐ−ｎ接合およびヘテロ接合の形成方法あるいは、
これらによって形成される発光再結合領域の分ば］方法
などは、上記実施例以外の方法を用いても本発明の実施
は可能であり、要は、電ね（やオーミック接触用狭エネ
ルギー幅層等か形成されていない素子側面から光を放出
するものならばよい。
これらによって形成される発光再結合領域の分ば］方法
などは、上記実施例以外の方法を用いても本発明の実施
は可能であり、要は、電ね（やオーミック接触用狭エネ
ルギー幅層等か形成されていない素子側面から光を放出
するものならばよい。
［発明の効！ｌ！１
以上に説明した如く、本発明のＬＥＤアレイであれば次
の様な顕著な効果を奏する。
の様な顕著な効果を奏する。
（１）発光部が素子側面にあるため、電極により発光が
妨げられることがなく、電極およびオーミック接触層に
光取り出し用の窓を必要としない発光密度の高いＬＥＤ
アレイを１！Ｉることができる。
妨げられることがなく、電極およびオーミック接触層に
光取り出し用の窓を必要としない発光密度の高いＬＥＤ
アレイを１！Ｉることができる。
（２）電極およびオーミック接触を形成し易い高ドープ
狭いエネルギー禁止帯幅層の存在しない素子側面から光
を取り出りことができるため、電流およびＡ−ミック接
触層の設ｈ１自由度が大さ゛く、低接触抵抗の電極を形
成することがでできる。
狭いエネルギー禁止帯幅層の存在しない素子側面から光
を取り出りことができるため、電流およびＡ−ミック接
触層の設ｈ１自由度が大さ゛く、低接触抵抗の電極を形
成することがでできる。
（３）電極形成プロセスと発光部の形成プロセスとが無
関係であるため、電極形成プロセスが多数の発光点の発
光強度不均一性の原因になることが少なく、高歩留りで
ＬＥＤアレイを製造することができる。
関係であるため、電極形成プロセスが多数の発光点の発
光強度不均一性の原因になることが少なく、高歩留りで
ＬＥＤアレイを製造することができる。
（４）発光部が微細なため、素子側面発光ではあるもの
の光吸収が少ない。
の光吸収が少ない。
第１図波歪第４図は本発明の実施例を示す説明図である
。 １・・・ｐ型ＧａＡＳ基板。 ２ ・・Ｏ型Ｇ ａ １−Ｘ Ａ ｆｌＸ Ａ Ｓ層。 ３−ｎ型Ｇａ１−ｙ Ａに１ｙＡｓ層。 ４．１４・ｎ’型ＧａＡＳ）ｆｆｌ。 ５．１５・・・ＰＳＧ膜。 ６．１６．２６・・・マイナス電極。 ７・・・オーミック接触部、８・・・プラス電極。 ９．１９・・・発光部。 １０・・・（第１の）エツチング溝。 １１・・・第２のエツチング溝。 １２−ｎ型Ｇａ１．Ａに１ＸＡＳ層。 １３ ・Ｄ型Ｇａ Ａｆ ＶＡｓ層。 −Ｙ ２１ ・ｎ型ＧａＡｓ１板。 ２２・・・ｐ型拡散領域 苑 １１２１ ７； オーミ、７１１匝部 ８ニア°ラス雷４を 飛１発発光 光 ２ 口
。 １・・・ｐ型ＧａＡＳ基板。 ２ ・・Ｏ型Ｇ ａ １−Ｘ Ａ ｆｌＸ Ａ Ｓ層。 ３−ｎ型Ｇａ１−ｙ Ａに１ｙＡｓ層。 ４．１４・ｎ’型ＧａＡＳ）ｆｆｌ。 ５．１５・・・ＰＳＧ膜。 ６．１６．２６・・・マイナス電極。 ７・・・オーミック接触部、８・・・プラス電極。 ９．１９・・・発光部。 １０・・・（第１の）エツチング溝。 １１・・・第２のエツチング溝。 １２−ｎ型Ｇａ１．Ａに１ＸＡＳ層。 １３ ・Ｄ型Ｇａ Ａｆ ＶＡｓ層。 −Ｙ ２１ ・ｎ型ＧａＡｓ１板。 ２２・・・ｐ型拡散領域 苑 １１２１ ７； オーミ、７１１匝部 ８ニア°ラス雷４を 飛１発発光 光 ２ 口
Claims (1)
- （１）発光部が素子の側面に幅１ｍｍ当り少なくとも４
箇所の割合で形成されており、前記素子の表面にオーミ
ック電極が形成されていることを特徴とするＬＥＤアレ
イ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59210897A JPS6188575A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | Ｌｅｄアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59210897A JPS6188575A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | Ｌｅｄアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6188575A true JPS6188575A (ja) | 1986-05-06 |
| JPH0458714B2 JPH0458714B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=16596887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59210897A Granted JPS6188575A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | Ｌｅｄアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6188575A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62162857U (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-16 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6366864B1 (en) | 1999-05-05 | 2002-04-02 | General Electric Company | Adaptive sampling rate based on power system frequency |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58131779A (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-05 | Ricoh Co Ltd | 発光ダイオ−ドアレイの製造方法 |
| JPS58170058A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Fujitsu Ltd | 光集積化半導体装置 |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP59210897A patent/JPS6188575A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58131779A (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-05 | Ricoh Co Ltd | 発光ダイオ−ドアレイの製造方法 |
| JPS58170058A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Fujitsu Ltd | 光集積化半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62162857U (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-16 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0458714B2 (ja) | 1992-09-18 |
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