JPS6188535A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS6188535A
JPS6188535A JP21071384A JP21071384A JPS6188535A JP S6188535 A JPS6188535 A JP S6188535A JP 21071384 A JP21071384 A JP 21071384A JP 21071384 A JP21071384 A JP 21071384A JP S6188535 A JPS6188535 A JP S6188535A
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JP
Japan
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insulating plate
resin
heat radiating
plate
semiconductor device
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Application number
JP21071384A
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English (en)
Inventor
Masataka Yanaga
彌永　政孝
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は放熱板の裏面をも樹脂で被覆した絶縁型モール
ドタイプの半導体装置の製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕
従来の絶縁型モールド封止形トランジスタの製造方法の
代表例を第４図に示す。モールド成形の際、同図（５）
に示すように、放熱板２にはクシピン８を有し、このつ
夛ピン８を金型３，４で押えて、金型３，４内での放熱
板２の位置決めを行なっている。この状態で金型３，４
内に樹脂１を注入してモールド封止し、金型３，４から
取り出して同図ｔ１３＞の形状を得る。これでは、クシ
ピン８が露出しておシ、高電圧をかけると放電してしま
うので。
絶縁耐圧が要求される用途では不利となシ、同図（ｑに
示すように、絶縁物質９で露出するクシピン８をおおう
こともある。また、絶縁物質９でおおう前には、通常つ
シピン８をさらに短く切断する工程が入シ、製品の完成
までに復雑な工程をたどることになる。また、製品の品
質及び信頼性面では、つりピン切断の精度及びダレの防
止、つりピンをおおう絶縁物質９の品質及び接着強度の
確保。
絶縁物質９の形状及び接着面の外観の維持等の管理が難
かしくなる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、特に製造工程の簡単な絶縁型モールド
樹脂封止牛導体装置の製造方法を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、金型内で放熱板を絶縁物を介して保持
し、この状態で絶縁物とともに樹脂封止する絶縁型モー
ルド樹脂封止半導体装置の製造方法を得る。
〔実施例〕
以下１図面を用いて本発明を説明する。
第１図は本発明の一実施例による製造工程を示すもので
ある。まず同図（５）に示す通り、放熱板２にはつシピ
ンは形成しない。放熱板２に絶縁板６を密着させ、その
後絶縁板６を金型３，４の位置決めピン５ａ、５ｂで押
さえて、樹脂１を注入してモールド成形する。このよう
にして得られた製品の側面図および裏面図を同図（Ｂｌ
、（ｑに示す。樹脂１の位置決めピン５ａ、５ｂの位置
は開孔７が形成されているが、放熱板２の裏面は絶縁板
６でおおわれているので放熱板から放電することはない
。絶縁板６の放熱板２への密着方法としては。
成形後はモールドでささえられるので放熱板２に接着剤
を用いて接着しても良いし、また位置決めピン５ｂの位
置に合わせて置くだけでも良い。
絶縁板６の形状及び取付位置は、第２図に示すように放
熱板２０県面全面と表面の位置決めピ１５ａに対応する
部分とでもよいし、第３図に示すように、放熱板２を左
右で位置決めピンでささえる二うにしてこの部分に絶縁
板６を設けても良い。
〔発明の効果〕
このような製造方法にすると、工程が簡単になり、つシ
ピンを用いないのでクシピン切断に関する問題も解消さ
れ、絶縁板と放熱板との密着強度も成形することにより
、モールド樹脂でおさえられて強くなシ、放熱板と絶縁
板の接着面も成形後はモールドにより、隠されるのでそ
れほどきれいにする必要もなくなり、管理がやり易くな
る。
このように１本発明によれば、容易に絶縁型モ・−ルド
樹脂封止半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第１区内は本発明の一実施例による絶縁型モールド樹脂
封止半導体装置の製造工程を示す断面図、同図（均は成
形後の半導体装置の側面図、同図（ｑは成形後の半導体
装置の裏面図である。第２図および第３図は本発明の他
の実施例を示す断面図である。第４回置は従来の絶縁型
モールド樹脂封止半導体装置の製造工程を示す断面図、
同図（Ｂ）はモールド後の製品を示す側面図、同図（ｑ
は改良した製品の断面図である。 １・・・・・・モールド樹脂、２・・・・・・放熱板、
３．４・・・・・・成形金型％　５，５ａ、５ｂ・・・
・・°位置決めピン、６・・・・・・絶縁板、７ａ、７
ｂ・・・・・・位置決めピンによってできた開孔、８・
・・・・・つシピン、９・・・・・・つシヒンをおおう
絶縁物質。 （Ｂ）　　　　　　　７１）開Ｊ乙 菜　ｆ　面 ２放れは７閘犯 単３　図 ＜Ａ） 第４　ゾ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　素子の放熱板全体を樹脂でおおってなる半導体装置の
    製造方法において、放熱板に絶縁板を密着させて、該絶
    縁板を位置決めピンで押さえた状態で樹脂封止すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
JP21071384A 1984-10-08 1984-10-08 半導体装置の製造方法 Pending JPS6188535A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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