JPS6187440A - 光信号検出装置 - Google Patents

光信号検出装置

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Publication number
JPS6187440A
JPS6187440A JP59208912A JP20891284A JPS6187440A JP S6187440 A JPS6187440 A JP S6187440A JP 59208912 A JP59208912 A JP 59208912A JP 20891284 A JP20891284 A JP 20891284A JP S6187440 A JPS6187440 A JP S6187440A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
optical signal
bias voltage
temperature
optical
Prior art date
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Pending
Application number
JP59208912A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iino
聖一 飯野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS6187440A publication Critical patent/JPS6187440A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60Receivers
    • H04B10/66Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
    • H04B10/69Electrical arrangements in the receiver
    • H04B10/691Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
    • H04B10/6911Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光通信装置、光デイスクメモリー等における
光信号検出装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、光通信、光ディスクメモリ装@における光信号検
出装置は、単一光検出素子を用い、光検出素子の温度変
動忙よるM、 K増倍型光検出素子(フォトマル、アバ
ランシェ−フォトダイオード)の増倍車の変動は、信号
レベルの臂動を検出し、光信号検出素子のバイアス電圧
を制御することによって抑える方法がとられている。ま
几、!W!開昭52−142953  に記載されてい
るような鍵音の問題もある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら従来技術では、光辿信、光ディスクメモリ
ー装置等の受信部において、微弱な光信号を増幅する目
的で使用する場合、検出しようとする光信号中に含まれ
る同相成分の靴音は除去でまずBlN比の点で不利であ
る。中た。従来技術における光信号検出素子の温度変動
を抑える方法では、信号経路から変動分を得る為、光信
号検出装置の電子回路の変動も同時に抑え、出力信号を
一定Kmつ利点もあるが、電流増倍型光検出素子の雑音
レベルを一定に保つことかで酉ず、ま次、無信号時に光
信号検出素子がブレークダウン電圧に達するといへよ)
な問題点を有していたう本発明は従来のこのような問題
点を解決するもので、その目的とするところは、同相成
分の雑音を除去し1mm動駆動よる光信号検出素子の増
倍率の変動を抑え、光信号検出素子のバラツキを補償し
、温度変動に強く、更K El/N比の高い、安定した
光信列検出装置を提供するところにある。
r問題点を解決するための手段〕 上記問題点を解決する友めに1本発明の光信号検出装置
は、複数の光信号検出素子と、前記光信号検出素子にバ
イアス電圧を供給するための手段と、光信@検出素子の
温度変動を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段
で検出し几温度変動を入力信号として、前記バイアス電
圧供給手段のバイアス電圧を制御する手段と、酊記搾数
光信号検出紫子のバイアス電圧のバラツキを補償する手
段を有することを特徴とする。
〔作用〕
本発明は以上の構成を有するので、同相成分の雑音を含
んだ光信号を受光した場合、差動構成の光信号検出素子
により同相成分の雑音は依り除かれ、差動構成としたと
き、光信列検出素子の特性の違いKより生じる位相差は
バイアス電圧補償回路によって抑えられ、安定し念差齢
型光信号検出回路となる。また、温度補償回路により、
温度変動による光信号検出素子の増倍率の変動を抑先る
ことができるのである、 〔実施例〕 rIAjK本発明のプロヤク図を示す。
本発明の光信号検出装置は、第1図忙示すように、差動
型に配置きれた光検出素子1.2と、光源3の光信号レ
ベルの変動に供う1気信号レベル7の変動を抑える利得
制御回路4を有し、光信号検出素子の温度変動を検出す
る温度検出器5による信号を入力信号とする温度補償回
路6により制御されるバイアス電圧併給回路7により、
同相成分の雑音を除去し、温度変動による光信号検出素
子の増倍率の変動を一定に伐り。ま念、光信号検出素子
を差動構成とし几場合に問題となる光信号検出素子のバ
イアス電圧のバラツキは、バイアス電圧補償回路8によ
り調節する。
次に本発明の一実施例の回路図を第2図に示す。
第2図のよへに、光信列検出素子であるアバランシェ・
フォトダイオード10.11と周辺回路から構成ばれて
いる。
温度検出素子12の信号は、基準温度に対応する基準1
圧15と比較これ、基準電圧との差圧対応した偏差信号
として、バイアス電圧設定回路14に供給ばれ、バイア
ス電圧供給回路15の2次電圧を制御する。この2次電
圧は低域通過フィルタ16により高周波成分を除去され
、バイアス電圧補償回路17によって、光信号検出素子
(アバランシェ・フォトダイオード)のバラツキに対応
したバイアス電圧に変換して、光信@検出素子に供給さ
れる。
光信号は、光信号検出素子10.11で電気信号清流に
変換ばれ、差動増幅器20によって差信号成分が取り出
ジれる。また、光源自身の111子回路の変動による信
号レベルの臂vlは、前記差動増幅器20に接続上れる
可変利得増幅器21により一定レベルに保念れる。
以上示した実施例は一例にすぎず、温度検出素子として
、サーミスタ等を用いる、バイアス電圧供給回路の2次
−(高圧偵)を直接制御する等の回路構成としてもよい
〔発明の効果〕
本発明は、以−ト説明したようK、光信号検出素子を差
動構成とすることKより、理論的には6dBのEl/N
比の向上が計らね、ま念、光信号検出素子の温度変動補
償回路を信号系とは独立に設けることにより、信号系の
雑音の影響を受けることなく、温度変@による光信列検
出素子の増倍率の変動を一定レベル以下に保てる効果が
ある。
また、一般に光@列検出素子はバイアス渭圧忙よって容
量値が変化するが、本発明のバイアス電圧補償回路を用
いれば1等価的に2つの光信号検出素子の容量を等しく
でき、容量の違いにより高い周波数域で生じる位相差を
なくする効果もある。
また、本発明の温度補償回路は信号系とけ独立している
ので、無償44時でも光信号検出素子のバイアス雪圧が
ブレークダウン電圧に達することはt「〈、光信号検出
素子を保護する効果もある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の回路構成のブロック図、第21!!
!lは本発明の一実施例を示す図である。 以  上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数の光信号検出素子と、前記光信号検出素子にバイア
    ス電圧を供給するための手段と、光信号検出素子の温度
    変動を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段で検
    出した温度変動を入力信号として、前記バイアス電圧供
    給手段のバイアス電圧を制御する手段と、前記複数光信
    号検出素子のバイアス電圧のバラツキを補償する手段を
    有することを特徴とする光信号検出装置。
JP59208912A 1984-10-04 1984-10-04 光信号検出装置 Pending JPS6187440A (ja)

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JP59208912A JPS6187440A (ja) 1984-10-04 1984-10-04 光信号検出装置

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JPS6187440A true JPS6187440A (ja) 1986-05-02

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JP (1) JPS6187440A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6422122A (en) * 1987-07-17 1989-01-25 Fujitsu Ltd Light reception circuit
WO2019230147A1 (ja) * 2018-05-29 2019-12-05 浜松ホトニクス株式会社 光差分検出器及び検査装置

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US11243113B2 (en) 2018-05-29 2022-02-08 Hamamatsu Photonics K.K. Optical difference detector and inspection device
US11733091B2 (en) 2018-05-29 2023-08-22 Hamamatsu Photonics K.K. Optical difference detector and inspection device

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