JPS6184372A - 蒸発量モニタ - Google Patents

蒸発量モニタ

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JPS6184372A
JPS6184372A JP20382384A JP20382384A JPS6184372A JP S6184372 A JPS6184372 A JP S6184372A JP 20382384 A JP20382384 A JP 20382384A JP 20382384 A JP20382384 A JP 20382384A JP S6184372 A JPS6184372 A JP S6184372A
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JP
Japan
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light
evaporation
optical fibers
vapor deposition
evaporation quantity
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Application number
JP20382384A
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English (en)
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JPH0130909B2 (ja
Inventor
Hiroshi Yamaguchi
博 山口
Minoru Osada
実 長田
Morishige Chiyokura
千代倉 守成
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Lincstech Circuit Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Condenser Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Condenser Co Ltd filed Critical Hitachi Condenser Co Ltd
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Publication of JPS6184372A publication Critical patent/JPS6184372A/ja
Publication of JPH0130909B2 publication Critical patent/JPH0130909B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/544Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement in the gas phase

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は蒸発量モニタに関するものである。
(従来の技術) 真空蒸着やスパッタリング等により、高分子等の基体に
金属等を付着させる場合、その蒸着量を制御することは
、蒸着により形成された薄膜の各種特性を決めるうえで
、非常に重要な作業となりている。
蒸着量を制御するためには蒸着量を測定する必要があり
、そのような装置として、従来は、例えば原子吸光式モ
ニタを用いている。そして基体が帯状物等の場合には、
基体の全幅方向に回る蒸発物質全体の吸光度を測定する
かまたは光路の一部に蒸発物質を流入させ部分的に測定
するような方式が用いられている。しかしながら、前者
の場合には蒸発物質の幅方向の平均値であり、後者の場
合には一部分の値であり、いずれも、各部の蒸発物質の
量を測定できなかった。また、発光部から受光部までの
光路を金属製の円筒等により形成しているために、光路
が直線的で発光部と受光部との位置合わせの調整が困難
であり、また、金属の円筒が蒸発物質の熱によって熱ひ
ずみを生じ、発光部と受光部とがズレる欠点がある。
これ等の欠点を改良するために、発光部と受光部との間
に1対の光ファイバーを取り付け、光ファイバーにより
発光部からの光を受光部に導く考案もある。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、このような従来の技術では、各部の蒸発
物質の量を測定する際、光ファイバーを移動させなけれ
ばならず、互いの位置を合わせる調整等が困難である欠
点があった。
本発明は、以上の欠点を改良し、容易に各部の蒸発物質
の量を測定しつる蒸発量モニタの提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、上記の目的を達成するために、蒸発している
物質中に光を通過させる原子吸光式の蒸発量モニタにお
いて、発光部からの光を導き蒸発している物質中に該光
を照射しうる複数個の送光用の光ファイバーと、該送光
用の光ファイバーからの光を受光部に導きうる複数個の
受光用の光ファイバーとを設けることを特徴とする蒸発
量モニタを提供するものである。
〈作用) 本発明によれば、発光部と受光部との間に複数対の光フ
ァイバーを設けることにより、光ファイバーどうしの位
置合わせ等を要することなく、容易に各部の蒸発物質の
邑を測定しうるちのである。
(実施例) 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図において、1は、円筒状のキャンであり、高分子フィ
ルム等の帯状材2がその周面に沿って走行している。3
は、キャン1の真下に配設されている蒸着ルツボであり
、金属等の蒸着物質4が収納されている。5は、中空陰
極放電管等の発光部である。6は、6角形状の多面鏡で
あり、発光部5からの光を反射するものである。7−1
〜7−5は、送光用のファイバーであり、多面鏡6と蒸
着ルツボとの間に設けられ、多面鏡6により反射された
発光部5からの光を導き、蒸着中の金属にこの光を透過
させるものである。8−1〜8−5は、送光用の光ファ
イバー7−1〜7−5に対向して設けられた、受光用の
光ファイバーであり、蒸着中の金属を透過した光を導く
ものである。、9は、凹状の反射板である。10は、受
光部であり、反射板9からの光を受光するものである。
次に、上記実施例の作用について述べる。
蒸着ルツボ3を加熱して蒸着物質4を蒸発し、キャン1
の周側面を走行中の帯状材2に付着する。
そして、蒸発量モニタを構成する発光部5から出た光は
多面鏡6により反射され、送光用の光ファイバー7−1
〜7−5を伝わり、蒸発中の蒸着物質4中を透過する。
透過した光は、受光用の光ファイバー8−1〜8−5に
伝わり、反射板9に照射されて反射し、受光部10に入
射する。これにより、蒸発中の蒸着物質4の量を測定で
きる。しかも、送光用の光ファイバー7−1〜7−5と
受光用の光ファイバー8−1〜8−5とが複数対設けら
れているため、各光ファイバーを移動することなしに各
部の蒸発量を測定しうる。
(発明の効果) 以上の通り、本発明によれば、光ファイバーを移動して
位置合わせすることなく、容易に各部の蒸発量を測定し
つる蒸発量モニタが得られる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の実施例の機構図を示す。 5・・・発光部、 7−1〜7−5・・・送光用の光ファイバー、8−1−
8−5・・・受光用の光ファイバー、10・・・受光部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)蒸発している物質中に光を通過させる原子吸光式
    の蒸発量モニタにおいて、発光部からの光を導き蒸発し
    ている物質中に該光を照射しうる複数個の送光用の光フ
    ァイバーと、該送光用の光ファイバーからの光を受光部
    に導きうる複数個の受光用の光ファイバーとを設けるこ
    とを特徴とする蒸発量モニタ。
JP20382384A 1984-09-28 1984-09-28 蒸発量モニタ Granted JPS6184372A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20382384A JPS6184372A (ja) 1984-09-28 1984-09-28 蒸発量モニタ

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JP20382384A JPS6184372A (ja) 1984-09-28 1984-09-28 蒸発量モニタ

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JPS6184372A true JPS6184372A (ja) 1986-04-28
JPH0130909B2 JPH0130909B2 (ja) 1989-06-22

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5684574A (en) * 1994-11-01 1997-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. In-process film thickness monitoring system
JP2012052180A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Fujifilm Corp 蒸着フラックス測定装置および真空蒸着装置

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