JPS6179762A - 蒸着装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はエツチング室と蒸発源室と類Ｎ室からなる蒸着
装置に関し、特に半導体ウエノ・における金属膜形成に
有効な蒸着装置に関するものである。

〔背景技術〕

第１図ｆａｔは従来の蒸着装置の一例を示し、この蒸着
装置はスパッタエツチング機能と蒸発機能とを併せもっ
て℃・る。同図において、蒸着室であって、この上壁１
ａを貫通して基板ホルダ２の支持部材３が設けられ、こ
の支持部材３の端部にドーム状の基板ホルダ２が取付け
られている。また支持部材３は上壁１ａにシール部材４
でシールされている。そしてこの基板ホルダ２の内側表
面上には多数のウェハ５が夫々同図（ｂｌに示す如く基
板ホルダ２の内側表面に溶着″：！−れた平板電極６上
に設置されている。また高周波電源７は支持部材３に接
続されており、高周波電源７からの高周波電力は支持部
材３を介して基板ホルダ２に印加され、更に平板電極６
に印加されろようになってし・る。

８は蒸発源であって、たとえばウェハ５に金属膜を被着
させるための金属物を蒸発させるものである。９は加熱
用ランプたとえば赤外線ランプである。ｌＯは排気口、
１１はＡｒガスなどの導入口である。

このように構成された蒸着装置で半導体ウェハ上にＡｌ
配線などの金属膜を被着形成するには、次のようにして
いた。即ち、まず蒸着室１内の基板ホルダ２に図示の如
くウェハ５を設置し、排気口１０より排気を行ない、所
定の高真空度に到達してから、Ａ「ガスを導入口１１よ
り導入する。

そして高周波電源７からの高周波電力を基板ホルダ２お
よび平板電極６に印加して、プラズマシース層１２内の
ウェハ５の表面のＳｉＱ、膜をＡｒ＋イオンで高周波ス
パッタエツチングを行なう。その後高真空（例えば１×
１０″Ｐａ以下）で、赤外線ランプ９で加熱し蒸発源８
から金属物を蒸発させてウェハ５の表面に蒸着させて金
属膜を形成して℃・た。

しかしながら、このようにすると、高周波スパッタエツ
チングの際、同図（ｂ）に示す如＜Ａｒ＋イオン１３に
よりウェハ５表面をスパッタしてＳｉｎ、粒子を飛散さ
せると同時にＡｒ＋イオン１３によりウェハ５以外の被
スパッタ物即ち、前回のウェハ蒸着時に基板ホルダ２に
蒸着された物や基板ホルダ２の材質である５Ｏ８−３０
４の）’ｅ、Ｎｉ、　Ｃｒなどをスパッタしてその金属
粒子１４を飛散させろことになる。従っ℃このウェハ５
表面のＳｉｎ、のエッチ量が多げれば多℃・はど、ウェ
ハ５以外の前記被スパッタ物から粒子（異物）がウェハ
５表面に混入してきて付着することになる。よってスパ
ッタエツチング後にウェハ５表面上に金属蒸着膜を形成
しても、前工程においてＳｉＱ、膜のエッチ量が多けれ
ば多いほど、ウェハ５以外の前記被スパッタ物からの粒
子（異物）が混入し、第２図に示す如くウェハ５表面の
金属蒸着膜の接着力が低下してしまうという問題が生じ
ると共にスルーホール抵抗が大きくなるという問題が生
じて（・た。

またスパッタエツチングの際に、平板電極６上に設置さ
れているウェハ５の両端面に基板ホルダ２かもスパッタ
された粒子（異物）が付着し、また平板電極６上に設置
されているウエノ・５の一万の端部が平面電極６上から
ずれて突出している場合には、その一方の端部の端面お
よび裏面には基板ホルダ２からスパッタされた異物粒子
が付着し、かつ他方の端部の端面にはスパッタされた平
板電極６や基板ホルダ２からの異物粒子が付着してしま
う。このため、このようなウェハ５端部に付着した異物
を除去することがその付着場所がウエノ・５の端部であ
るだけに非常に困難であった。

更に２バツタエツチングの際、Ａｒ＋イオンがウェハ５
に集中せず基板ホルダ２全体に衝突するため、ウェハ５
表面上のプラズマ密度を上げられず、従ってウェハ５の
表面上のＳｉＱ、膜のエツチングレートがたとえば、高
周波電力０．８ＫＷかつ真空度（Ａｒ圧力）５Ｘ１０″
″’Ｐａで４０Ａ／分であるなどエツチングレートが良
くなかった。

以上のような種々の問題点か本発明者によって明らかと
された〇 〔発明の目的〕 本発明の主目的は、被処理物である基板（半導体ウェハ
など）表面を高周波スパッタエツチングをして、引き続
き真空中でその基板表面に電極や配線などの金属膜を蒸
着する場合に、その高周波スパッタエツチングの際に、
前記基板表面に対して前記基板以外の被スパッタ物（基
板ホルダなど）からの異物粒子の混入量をきわめて低減
させろことができ、従つ℃スパッタエツチング後の金属
膜（金属蒸着膜）と基板表面との接着力を向上させるこ
とができると共に、スルーホール抵抗を小さくてること
ができるようにした蒸着装置を提供することＫある。

また、本発明の他の目的は被処理物である基板（半導体
ウェハなど）の端面や裏面に、前記基板以外の基板ホル
ダなどからスパッタされた金属粒子などによる異物（金
属物）の被着を防止でき、品質の向上を図れるようにし
た蒸着装置を提供することにあろう 更に、本発明の他の目的は、被処理物である基板（半導
体ウエノ〜など）表面のたとえば絶縁物などに対する高
周波スパッタエツチングレートを従来に比べ増加できる
ようにした蒸着装置を提供することにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記のとおりである。

すなわち、１個以上のウエノ・が所定位置に設置された
基板ホルダを、アースシールドの対向電極側に配置して
前記ウエノ・裏面に前記基板ホルダを介して高周波電力
を印加してスパッタエツチングを行なうエツチング室と
、蒸発源室と、前記基板ホルダの前記ウェハに前記蒸発
源室からの蒸発物を被着させる蒸着室とからなる蒸着装
置において、前記エツチング室内の前記アースシールド
および対向電極を夫々前記基板ホルダと略相似形状とす
ると共に、前記基板ホルダの所定位置に前記ウェハをス
パッタされにくい石英部材にて保持し、更に前記ウェハ
表面に向って突出し前記ウェハ表面上が開口している開
口部を有し、かつスパッタエツチング時に前記ウェハ以
外の被スパッタ物が前記ウェハ表面に混入するのを阻止
し、前記基板ホルダとは反対側面がプラズマシース層外
になるように前記ホルダと対向して前記基板ホルダ上に
配設された防着板を具備してなるものである。従って、
ウェハ表面をスパッタエツチングして、その後大気中に
出さずに継続して真空中でクエ・・表面に電極や配線な
どの金属膜を蒸着する場合に、そのスパッタエツチング
の際に前記ウェハ以外の基板ホルダがスパッタされて飛
散する粒子が前記ウェハ表面に混入するのを前記防着板
により阻止することができると共に前記防着板の対向電
極側はプラズマシース層の外側にあるため殆んどエツチ
ングされないので、前記ウェハ表面に対する被スパッタ
物からの粒子（異物）の混入量を非常に低減させること
ができる。よってスパッタエツチング後の金属膜（金属
蒸着膜）とウエノ・表面との接着力を向上させることが
できると共に、スルーホール抵抗を小さくすることがで
きる。また前記防着板を設けたことにより、プラズマの
たとえばＡｒ＋イオンなどがウェハ以外の基板ホルダに
衝突する密度が減少しウエノ・表面上に衝突するＡｒ”
イオンが集中するため、ウェハ上のプラズマ密度を上げ
ることができ、スパッタエツチングレートを従来に比べ
増力口させろことができろものである。

〔実施例〕

本発明による蒸着装置の一実施例につき、第３図〜第４
図を用いて以下説明する。

第３図（ａｌおよび（ｂ）は夫々本発明による蒸着装置
の一実施例を示す簡略断面図および同図（ａ）の要部拡
大簡略断面図である。

同図において、蒸着装置は、高周波スパッタエツチング
機能と蒸着機能とを合体したものであり、高周波スパッ
タエツチングを行なうエツチング室２１と、被蒸着物を
蒸発させろ蒸発源２２を有する蒸発源室２３と、ドーム
状の基板ホルダ２４に設置された複数個（多数）の８１
ウエハ（以下、ウェハと略称する）２５に蒸発源室２３
からの蒸発物を被着させる蒸着室２６からなる真空室２
７が設けられて（・ろ。

エツチング室２１には、土壁２８を貫通して基板ホルダ
２４の支持部材２９が設けられており、この支持部材２
９は回転できると共に上下方向へも移動できろようにな
りている。支持部材２９は土壁２８にシール部材３０に
より気密にシールされろと共に絶縁されている。この支
持部材２９の一端に高周波電源３１が接続されている。

土壁２８に基板ホルダ２４と略相似形状をしたドーム状
のアースシールド３２が図示の如く取付けられ、このア
ースシールド３２の下側即ち対向電極３３側にドーム状
の基板ホルダ２４が支持部材２９に取付けられ、高周波
電源３１からの高周波電力が支持部材２９を介して基板
ホルダ２４に供給されるようになっている。この支持部
材２９に基板ホルダ２４は着脱自在に取付けられる。こ
の基板ホルダ２４に対向して配設された対向電極３３は
ドーム状をなし、基板ホルダ２４と略相似形状をしてい
る。この対向電極３３はエツチング室２１の底壁３４に
植立した支持部材３５によって支持固定されている。そ
して対向電極３３は接地されている。また対向電極３３
は基板ホルダ２４に可児される高周波電力の大きさなど
により電位分布や電界分布を調整することができるよう
にその位置を一定の範囲たとえば２０〜２００賦の範囲
で上下方向に可変できるように構成してもよい。また３
６はハロゲンランプや赤外線ランプなどの児熱用ランプ
でありて、エツチング室２１の要所要所にたとえば一定
間隔をおいて複数個配置されている。また３７は排気口
でありて図示しない排気ポンプに接続されており、３８
はＡｒガスなどのガス導入口である。３９はエツチング
室２１と蒸着室２６とを連絡するゲートバルブである。

なお、基板ホルダ２４のドーム状の内側の各所定位置に
は夫々ウェハ２５が設置されている。即ち同図（ｂ）に
示す如く基板ホルダ２４０所定位ｔＫウェハ２５の大き
さよりも大きな貫通孔４０が穿設されており、この貫通
孔４０につば部４１を有し底部にウェハ２５の太きさよ
りもわずかに小さなテーバ状をなした孔４２が穿設され
た皿状の石英部材４３が基板ホルダ２４の外側即ち裏側
から挿入された形でつば部４１を貫通孔４０周部の基板
ホルダ２４で支持している。そして前記石英部材４３の
底部にウェハ２５を設置し、この上に裏面電極板４４を
載置し、前記基板ホルダ２４の裏面側にたとえばビス止
めなどにより取付けられたたとえば厚さ０．２ｍμ程度
のアルミニウム板などを用いた押え金具４５が石英部材
４３のつば部４１に設けた溝４６に沿って延在し、裏面
電極板４４および石英部材４３を、その押え金具４５の
ばね性を利用して固定して〜・る。更に基板ホルダ２４
には図示の如く内側に即ち対向電極３３側に、基板ホル
ダ２４に対向して防着板４７が配設され、この防着板４
７は基板ホルダ２４との間に絶縁碍子４８を介在させ、
この絶縁碍子４８の一端はねじ４９で基板ホルダ２４に
ねじ止めされ、かつその他端はねじ５０で防着板４７に
ねじ止めされて℃・る。この防着板４７はスパッタされ
にくい物質、タトエばステンレス材や石英やＳｉＣなど
が用℃・られる。この防着板４７はウェハ２５表面上に
おいて図示の如くウェハ２５表面に向って突出しウェハ
２５表面上が開口して〜・ろ開口部４７ａを有して（・
る。従ってスパッタエツチング時にはＡ　ｒ　＋イオン
５１によりウェハ２５表面（絶縁膜としてたとえばＳ１
０．膜が被覆されている）をスパッタしてＳｉＱ、粒子
５２を周囲に飛散させろと同時にＡｒ　′″イオン５１
よりウェハ２５以外の基板ホルダ２４の材質である５Ｕ
Ｓ−３０４のＦｅ、　Ｎｉ　。

Ｃｒ（ステンレス材）をスパッタしてその金属粒子５３
を飛散させろ。しかし後者の金属粒子５３がウェハ２５
表面に向って飛び散っても防着板４７や石英部材４３に
より阻止され、これらに付着することになるので、ウエ
ノ・２５表面に金属粒子５３が混入するのを低減できろ
。更に防着板４７は、プラズマシース層外に位置するよ
うに配役されて（・ろので、スパッタエネルギーが減少
されており防着板４７に、以前に蒸着された蒸着被膜５
４が殆んどエツチングされることがないようになってい
る。

また蒸発源室２３には排気口５５が設けられ排気ポンプ
に接続されており排気できるようになっている。

更に蒸着室２６においては、底部に蒸発源室２３と蒸着
室２６とを連絡するゲートバルブ５６が設けられ？：ｌ
、・る。またハロゲンランプや赤外線ランプなどの加熱
用ランプ５７が要所要所に、たとえば所定間隔で周囲に
複数配設されてυ・る。また５８は排気ポンプに接続さ
れた排気口で排気ができるようになっている。６０は上
壁５９を貫通して設けられた支持部材であって、この支
持部材６０に蒸着の際にはウェハ２５を設置した基板ホ
ルダ２４が取付けられるようになって〜・る。なお、支
持部材６０の端部に基板ホルダ２４が着脱自在になるよ
うに構成されて（・る。また支持部材６０は上壁５９に
シール部材６１により気密シールされ、かつ回転できる
ように構成されて℃・る。

更にまた、上壁５９を貫通して設けられた搬送機構６２
の支持部材６２ａが回転でき、かつ上下方向に移動でき
るようになって℃・る。この支持部材６２　ａはシール
部材６３により気密シールされている。この搬送機構６
２は基板ホルダ２４を蒸着室２６からエツチング室２１
へ、またエツチング室２１から蒸着室２６へ搬送するだ
めのものである、支持部材６２ａの端部に水平方向にス
イングするスイングアームが取付けられ、更にこのスイ
ングアームの端部に回転アーム６２ｃが取付けられ、必
要な長さに延びるように構成されている。

これらのスイングアームと回転アーム６２ｃとでアーム
部６２ｂが構成され、回転アーム６２ｃの先端部はＵ字
形状をなし、その開口部分に、基板ホルダ２４の２４ａ
部分に￥１けられているが図示省略の保合部分を引っ掛
けられるようになっている。そこで、支持部材２９や６
０に基板ホルダ２４を取付ける場合は、図示省略されて
いるが、支持部材２９や６０の端部に開閉可屈なチャッ
ク（つかみ）が設けられ℃おり、このチャックで前記基
板ホルダ２４の図示省略の前記係合部分を挟持すること
によりなされる。また基板ホルダ２４を支持部材２９や
６０から取りはずして搬送するときは、まず搬送機構６
２のアーム部６２ｂの回転アーム６２ｃのＵ字状部の開
口部分に前記基板ホルダ２４の図示省略の保合部分を引
っ掛けて支持してから前記チャックを開き、その後搬送
機構６２により搬送されることになる。

以上のように構成された蒸着装置により、たとえばＬＳ
Ｉのウェハ２５上に形成された下層Ａｌ配線上に更に上
層ＡＪ配線を形成する場合を例にとると、まず下層ｋｌ
配線上にたとえば絶縁膜としてＳｉＱ、膜を形成した上
で、以下に述べるようにエツチング室２１で図示の如く
基板ホルダ２４に設置したウェハ２４のＳｉＱ□膜をス
パッタエツチングして、この後蒸着室２６にその基板ホ
ルダ２４を移して、ウェハ２５ＫＡｄ蒸着を行なうこと
になる。

即ち、まず、基板ホルダ２４に同図（ｂ）に示す如くウ
ェハ２５を設置した後、この基板ホルダ２４を蒸着室２
６内の支持部材６０に前述したようにして取付け、排気
口５８により大気を排気して高真空にしてから、赤外線
ランプ５７で刃口熱しガス出しを行ない、次に排気口３
７により常時真空排気をしているエツチング室２１のゲ
ートバルブ３９を開口する。搬送機構６２のアーム部６
２ｂの回転アーム６２ｃで基板ホルダ２４の前記係合部
分を引っ掛けて支持した後、支持部材６０の端部に設け
たチャックを開き基板ホルダ２４の挟持を解く。そして
搬送機構６２の支持部材６２ａは所定位置まで下降する
と、アーム部６２ｂの動作により回転アーム６２ｃはエ
ツチング室２１内に延びて、前記係合部分が支持部材２
９の略真下にくるような位置で停止する。支持部材２９
は下降してチャックで基板ホルダ２４の前記係合部分を
挾持して元の所定位置に戻る。そしてアーム部６２ｂは
蒸着室２６に戻り、ゲートバルブ３９が閉じる。次にエ
ツチング室２１の真空排気により到達真空度がｌＸｌ０
−’Ｐａ以下罠なったら７１０熱用ランプ３６で７１０
熱を行ない、ガス出しを行なう。

矢にＡｒガスを導入口３８から導入し、Ａｒ圧力をＩＰ
ａ〜５Ｘ１０−’Ｐａに設定する。次に高周波電源３１
を基板ホルダ２４に印加して高周波グロー放電を行な〜
・、同図（ｂＪに示すウェハ２５をＡｒ”イオンでスパ
ッタエツチングする。このとき基板ホルダ２４も同時に
スパッタエッチされるが、石英部材４３および防着板４
７により阻止され、ウェハ２５の表面に混入する量をき
わめて低く抑えることができる。また防着板４７に前回
蒸着された蒸着被膜５４はプラズマシースボテンシセル
の外にあるため、スパッタエネルギーが減少され殆んど
エツチングされない。また対向電極３３は基板ホルダ２
４と略相似形状をしており、このため電位分布や電界分
布がバランスよくとれ、放電の安定性が確保でき、装置
内部からの異常放電による異物混入を低減できる。また
ウェハ２５は石英部材４３の凹部内に設置されており、
ウェハ２５以外の基板ホルダ２４などからスパッタされ
た金属粒子などは石英部材４３によっ℃阻止されろので
、従来の如くウェハ２５の端部や裏面にスパッタされた
金属粒子などの異物が被着することがなくなり、品質の
向上が図れる。更に防着板４７を配設したことにより、
プラズマのＡｒ＋イオンが、ウェハ２５以外の基板ホル
ダ２４に衝突する密度が減少し、ウェハ２５表面上に衝
突するＡｒ＋イオンが集中するため、ウェハ２５上のプ
ラズマ密度を上げろことができ、ＳｉＱ、のスパッタエ
ツチングレートを、高周波電力０．８ＫＷでかつＡｒ圧
力５Ｘ１０−’Ｐａで、従来４０Ａ／分であったのを５
５Ａ／分といったように増大させることができる。

以上のようにエツチング室２１でスパッタエツチングを
行なった後に、高真空にしてゲートバルブ３９を開口し
、支持部材２９を所定位置まで下降させろ。そして搬送
機構６２のアーム部６２ｂの動作によりアーム１６２ｂ
がエツチング室２１内の所定位置まで延びてきてその回
転アーム６２ｃの開口部分で基板ホルダ２４の前記係合
部分を引っ掛けて支持すると、支持部材２９の端部の前
記チャックが開き基板ホルダ２４の挾持を解く。アーム
部６２ｂは基板ホルダ２４と共に元の蒸着室２６内に戻
り、基板ホルダ２４を図示点線の基板ホルダ２４の真下
の位置に配置した上で支持部材６２ａを上昇させて図示
点線で示す基板ホルダ２４位置に来たら、支持部材６０
の端部に設けた前記チャックにより基板ホルダ２４の前
記保合部分を挟持する。この後搬送機構６２のアーム部
、６２ｂはその回転アーム６２ｃを引っ込めることによ
り基板ホルダ２４に対する支持が解かれる。

次にゲートバルブ３９を閉じ、蒸着室２６で再度排気口
５５により高真空に排気し、加熱用ランプ５７で加熱を
しガス出しを行なう。次に蒸発原案２３のゲートバルブ
５６を開口し、被着丁べき金属物（ここではＡｌ）を蒸
発させ、ウェハ２５表面に被着させて、前述のスパッタ
エツチングによりＳｉＱ、膜が除去された箇所も含めて
全面にＡｌ膜が形成される。更に別工程でバターニング
を行なえば上層Ａｌ配線が形成され、しかもＳｉＱ、膜
を除去したスルーホール箇所で下Ｍｌ配縁と上層Ａｌ配
線とが良好に接続される。即ち、前記工人チング室２１
・でのスパッタエツチングの際、前述したようにウェハ
２５表面に被スパッタ物からの粒子（異物）の混入量を
非常に低減させることができるので、スパッタエツチン
グ後のＡｌ膜（Ａｌ蒸着膜）とウェハ２５表面との接着
力がよく、ＳＩＯ！膜のスパッタエッチ量が多くても第
４図のデータに示す如＜Ａｌ蒸着膜とウエノ・２５表面
との接着力が良好な一定の状態を維持することができ、
従来の第２図のデータに比べて前記接着力が著しく向上
させることができた。更Ｋまたスパッタエツチング・の
際、Ｓｉｎ、膜を除去したスルーホール箇所の下層ＡＪ
配線の表面上の酸化物であるＡｌ２Ｏ，もきれいに除去
されているので、前述のＡｌ蒸着膜を形成してもスルー
ホール抵抗を小さくてることができる。

〔効果〕

本発明による蒸着装置を用いれば、次のような種々の効
果を奏する。

（１）被処理物である基板（半導体ウエノ・など）表面
を高周波スパッタエツチングをして後、引き続き真空中
でその基板表面に電極や配線などの金属膜を蒸Ｎｊる場
合に、その高周波スパッタエツチングの際に、前記基板
表面に対して前記基板以外の被スパッタ物（基板ホルダ
など）からの異物粒子が混入するのを防着板により阻止
することかできるので、前記基板表面に対する被スパッ
タ物からの異物粒子の混入量を非常に低減させることが
テキる。従っゼスバッタエソチング後の金属蒸着膜と前
記基板表面との接着力を、スパッタエッチ量が増加して
も良好な状態に維持することかでき、従来釦比べ前記接
着力を著しく向上させることができる。またスルーホー
ル箇所の下層配線の表面が酸化されていてもスパッタエ
ツチングの際、その酸化物までもきれいに除去されるの
で、その後に上層配線を形成した場合にスルーホール抵
抗を小さくてることができる。

（２）　　また防着板を設けたことにより、プラズマの
たとえばＡｒ＋イオンなどが前記基板以外の基板ホルダ
に衝突する密度を減少させることができ、前記基板表面
上に衝突するたとえばＡｒ＋イオンが集中するため、前
記基板上のプラズマ密度を上げることができ、スパッタ
エツチングレートを従来に比べ増加させることができる
。

（３）なお、たとえば第３図（ｂ）に示す如く前記基板
（半導体ウエノ・など）を石英部材４３の如きもので保
持丁れば、前記基板の端面や裏面に、前記基板以外の基
板ホルダなどからスパッタされた金属粒子などによる異
物の被着を防止することかでき、品質の向上を図ること
ができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、上記実施例で
は基板としてＳ１ウエハを用いているが、これに限定さ
れろことなくたとえばＳ　ｉ　Ｃｉｔｓ　Ｍやアルミナ
基板などの絶縁基板でもよい。また上記実施例において
は石英部材４３を用（・ているが、石英以外のスパッタ
さｆｌｌｃくい物質を用いて同形状のものを構成しても
よい。

また上記実施例においては基板ホルダ２４の搬送手段と
して搬送機構６２を用い℃〜・るが、本発明はこれに限
定されろことなく種々の搬送機構が考えられろし、また
ロボットを制御して搬送させることもできろ。

し利用分野］ 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＬＳＩの配線の形成
に適用した場合につ−・て説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえばＬＳＩ以外の半導体装置全般
の配線形成はもちろん、ＬＳＩを含めた半導体装置の電
極（たとえばＣＣＢｔ極など）形成、更には半導体装置
以外の装置の電極や配線などの形成にも適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図ｆａ）および（ｂ）は夫々従来の蒸着装置の一例
を示す簡略断面図および同図（ａｌの要部拡大簡略断面
図、 第２図は従来装置による５ｉＱ２エツチ量対エツチ後の
蒸着膜接着力（相対須）の関係を示す図、第３図（ａｌ
および（ｂｌは夫々本発明による蒸着装置の一実施例を
示す闇路断面図および同図（ａＪの要部拡大簡略断面図
、 第４図は本発明装置によろＳｉｎ、エッチ量対エッチ後
の蒸着膜接着力（相対値）の関係を示す図である。 ２１・・・エツチング室、２３・・・蒸発源室、２４・
・・基板ホルダ、２５・・・ウエノ・、２６・・・蒸着
室、３１・・・高周波電源、３３・・・アースシールド
、４０・・・貫通孔、４１・・・つば部、４２・・・孔
、４３・・石英部材、４４・・・裏面電極、４５・・・
押え金具、４７・・・防着板、４７ａ・・・開口部。 第　　　１　　図 第　　１　　図 第　　２　　図 第　　４　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、１個以上の基板が所定位置に設置された基板ホルダ
   を、アースシールドの対向電極側に配置して前記基板裏
   面に前記基板ホルダを介して高周波電力を印加してスパ
   ッタエッチングを行なうエッチング室と、被蒸着物を蒸
   発させる蒸発源室と、前記基板ホルダの前記基板に前記
   蒸発源室からの蒸発物を被着させる蒸着室とからなる蒸
   着装置において、前記エッチング室内の前記アースシー
   ルドおよび対向電極を夫々基板ホルダと略相似形状とす
   ると共に、前記基板ホルダの所定位置に前記基板をスパ
   ッタされにくい部材にて保持してなり、更に前記基板表
   面に向って突出し前記基板表面上が開口している開口部
   を有し、かつスパッタエッチング時に前記基板以外の被
   スパッタ物が前記ウェハ表面に混入するのを阻止し、前
   記基板ホルダとは反対側面がプラズマシース層外になる
   ように前記基板ホルダと対向して前記基板ホルダ上に配
   設された防着板を具備してなることを特徴とする蒸着装
   置。 ２、前記対向電極の位置を可変できるようにした特許請
   求の範囲第１項記載の蒸着装置。 ３、前記スパッタされにくい部材として石英部材を用い
   てなる特許請求の範囲第１項又は第２項記載の蒸着装置
   。 ４、前記基板ホルダの所定位置に前記基板をスパッタさ
   れにくい部材にて保持するに当り、前記基板ホルダの所
   定位置に貫通孔を設け、この貫通孔に、つば部を有し底
   部に前記基板の大きさよりも小さい孔が穿設された皿状
   の石英部材が、前記基板ホルダの裏側から挿入された形
   で前記つば部を前記貫通孔周部の基板ホルダで支持し、
   前記石英部材の底部に前記基板を設置してなる特許請求
   の範囲第１項又は第２項記載の蒸着装置。 ５、前記基板の裏面側に裏面電極を載置し、前記基板ホ
   ルダに取付けた押え金具により前記石英部材および前記
   裏面電極を固定してなる特許請求の範囲第４項記載の蒸
   着装置。 ６、前記基板として半導体ウェハ又はアルミナ基板など
   の絶縁基板を用いてなる特許請求の範囲第１項記載の蒸
   着装置。