JPS6179762A - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
- Publication number
- JPS6179762A JPS6179762A JP19956684A JP19956684A JPS6179762A JP S6179762 A JPS6179762 A JP S6179762A JP 19956684 A JP19956684 A JP 19956684A JP 19956684 A JP19956684 A JP 19956684A JP S6179762 A JPS6179762 A JP S6179762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate holder
- chamber
- vapor deposition
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はエツチング室と蒸発源室と類N室からなる蒸着
装置に関し、特に半導体ウエノ・における金属膜形成に
有効な蒸着装置に関するものである。
装置に関し、特に半導体ウエノ・における金属膜形成に
有効な蒸着装置に関するものである。
第1図fatは従来の蒸着装置の一例を示し、この蒸着
装置はスパッタエツチング機能と蒸発機能とを併せもっ
て℃・る。同図において、蒸着室であって、この上壁1
aを貫通して基板ホルダ2の支持部材3が設けられ、こ
の支持部材3の端部にドーム状の基板ホルダ2が取付け
られている。また支持部材3は上壁1aにシール部材4
でシールされている。そしてこの基板ホルダ2の内側表
面上には多数のウェハ5が夫々同図(blに示す如く基
板ホルダ2の内側表面に溶着″:!−れた平板電極6上
に設置されている。また高周波電源7は支持部材3に接
続されており、高周波電源7からの高周波電力は支持部
材3を介して基板ホルダ2に印加され、更に平板電極6
に印加されろようになってし・る。
装置はスパッタエツチング機能と蒸発機能とを併せもっ
て℃・る。同図において、蒸着室であって、この上壁1
aを貫通して基板ホルダ2の支持部材3が設けられ、こ
の支持部材3の端部にドーム状の基板ホルダ2が取付け
られている。また支持部材3は上壁1aにシール部材4
でシールされている。そしてこの基板ホルダ2の内側表
面上には多数のウェハ5が夫々同図(blに示す如く基
板ホルダ2の内側表面に溶着″:!−れた平板電極6上
に設置されている。また高周波電源7は支持部材3に接
続されており、高周波電源7からの高周波電力は支持部
材3を介して基板ホルダ2に印加され、更に平板電極6
に印加されろようになってし・る。
8は蒸発源であって、たとえばウェハ5に金属膜を被着
させるための金属物を蒸発させるものである。9は加熱
用ランプたとえば赤外線ランプである。lOは排気口、
11はArガスなどの導入口である。
させるための金属物を蒸発させるものである。9は加熱
用ランプたとえば赤外線ランプである。lOは排気口、
11はArガスなどの導入口である。
このように構成された蒸着装置で半導体ウェハ上にAl
配線などの金属膜を被着形成するには、次のようにして
いた。即ち、まず蒸着室1内の基板ホルダ2に図示の如
くウェハ5を設置し、排気口10より排気を行ない、所
定の高真空度に到達してから、A「ガスを導入口11よ
り導入する。
配線などの金属膜を被着形成するには、次のようにして
いた。即ち、まず蒸着室1内の基板ホルダ2に図示の如
くウェハ5を設置し、排気口10より排気を行ない、所
定の高真空度に到達してから、A「ガスを導入口11よ
り導入する。
そして高周波電源7からの高周波電力を基板ホルダ2お
よび平板電極6に印加して、プラズマシース層12内の
ウェハ5の表面のSiQ、膜をAr+イオンで高周波ス
パッタエツチングを行なう。その後高真空(例えば1×
10″Pa以下)で、赤外線ランプ9で加熱し蒸発源8
から金属物を蒸発させてウェハ5の表面に蒸着させて金
属膜を形成して℃・た。
よび平板電極6に印加して、プラズマシース層12内の
ウェハ5の表面のSiQ、膜をAr+イオンで高周波ス
パッタエツチングを行なう。その後高真空(例えば1×
10″Pa以下)で、赤外線ランプ9で加熱し蒸発源8
から金属物を蒸発させてウェハ5の表面に蒸着させて金
属膜を形成して℃・た。
しかしながら、このようにすると、高周波スパッタエツ
チングの際、同図(b)に示す如<Ar+イオン13に
よりウェハ5表面をスパッタしてSin、粒子を飛散さ
せると同時にAr+イオン13によりウェハ5以外の被
スパッタ物即ち、前回のウェハ蒸着時に基板ホルダ2に
蒸着された物や基板ホルダ2の材質である5O8−30
4の)’e、Ni、 Crなどをスパッタしてその金属
粒子14を飛散させろことになる。従っ℃このウェハ5
表面のSin、のエッチ量が多げれば多℃・はど、ウェ
ハ5以外の前記被スパッタ物から粒子(異物)がウェハ
5表面に混入してきて付着することになる。よってスパ
ッタエツチング後にウェハ5表面上に金属蒸着膜を形成
しても、前工程においてSiQ、膜のエッチ量が多けれ
ば多いほど、ウェハ5以外の前記被スパッタ物からの粒
子(異物)が混入し、第2図に示す如くウェハ5表面の
金属蒸着膜の接着力が低下してしまうという問題が生じ
ると共にスルーホール抵抗が大きくなるという問題が生
じて(・た。
チングの際、同図(b)に示す如<Ar+イオン13に
よりウェハ5表面をスパッタしてSin、粒子を飛散さ
せると同時にAr+イオン13によりウェハ5以外の被
スパッタ物即ち、前回のウェハ蒸着時に基板ホルダ2に
蒸着された物や基板ホルダ2の材質である5O8−30
4の)’e、Ni、 Crなどをスパッタしてその金属
粒子14を飛散させろことになる。従っ℃このウェハ5
表面のSin、のエッチ量が多げれば多℃・はど、ウェ
ハ5以外の前記被スパッタ物から粒子(異物)がウェハ
5表面に混入してきて付着することになる。よってスパ
ッタエツチング後にウェハ5表面上に金属蒸着膜を形成
しても、前工程においてSiQ、膜のエッチ量が多けれ
ば多いほど、ウェハ5以外の前記被スパッタ物からの粒
子(異物)が混入し、第2図に示す如くウェハ5表面の
金属蒸着膜の接着力が低下してしまうという問題が生じ
ると共にスルーホール抵抗が大きくなるという問題が生
じて(・た。
またスパッタエツチングの際に、平板電極6上に設置さ
れているウェハ5の両端面に基板ホルダ2かもスパッタ
された粒子(異物)が付着し、また平板電極6上に設置
されているウエノ・5の一万の端部が平面電極6上から
ずれて突出している場合には、その一方の端部の端面お
よび裏面には基板ホルダ2からスパッタされた異物粒子
が付着し、かつ他方の端部の端面にはスパッタされた平
板電極6や基板ホルダ2からの異物粒子が付着してしま
う。このため、このようなウェハ5端部に付着した異物
を除去することがその付着場所がウエノ・5の端部であ
るだけに非常に困難であった。
れているウェハ5の両端面に基板ホルダ2かもスパッタ
された粒子(異物)が付着し、また平板電極6上に設置
されているウエノ・5の一万の端部が平面電極6上から
ずれて突出している場合には、その一方の端部の端面お
よび裏面には基板ホルダ2からスパッタされた異物粒子
が付着し、かつ他方の端部の端面にはスパッタされた平
板電極6や基板ホルダ2からの異物粒子が付着してしま
う。このため、このようなウェハ5端部に付着した異物
を除去することがその付着場所がウエノ・5の端部であ
るだけに非常に困難であった。
更に2バツタエツチングの際、Ar+イオンがウェハ5
に集中せず基板ホルダ2全体に衝突するため、ウェハ5
表面上のプラズマ密度を上げられず、従ってウェハ5の
表面上のSiQ、膜のエツチングレートがたとえば、高
周波電力0.8KWかつ真空度(Ar圧力)5X10″
″’Paで40A/分であるなどエツチングレートが良
くなかった。
に集中せず基板ホルダ2全体に衝突するため、ウェハ5
表面上のプラズマ密度を上げられず、従ってウェハ5の
表面上のSiQ、膜のエツチングレートがたとえば、高
周波電力0.8KWかつ真空度(Ar圧力)5X10″
″’Paで40A/分であるなどエツチングレートが良
くなかった。
以上のような種々の問題点か本発明者によって明らかと
された〇 〔発明の目的〕 本発明の主目的は、被処理物である基板(半導体ウェハ
など)表面を高周波スパッタエツチングをして、引き続
き真空中でその基板表面に電極や配線などの金属膜を蒸
着する場合に、その高周波スパッタエツチングの際に、
前記基板表面に対して前記基板以外の被スパッタ物(基
板ホルダなど)からの異物粒子の混入量をきわめて低減
させろことができ、従つ℃スパッタエツチング後の金属
膜(金属蒸着膜)と基板表面との接着力を向上させるこ
とができると共に、スルーホール抵抗を小さくてること
ができるようにした蒸着装置を提供することKある。
された〇 〔発明の目的〕 本発明の主目的は、被処理物である基板(半導体ウェハ
など)表面を高周波スパッタエツチングをして、引き続
き真空中でその基板表面に電極や配線などの金属膜を蒸
着する場合に、その高周波スパッタエツチングの際に、
前記基板表面に対して前記基板以外の被スパッタ物(基
板ホルダなど)からの異物粒子の混入量をきわめて低減
させろことができ、従つ℃スパッタエツチング後の金属
膜(金属蒸着膜)と基板表面との接着力を向上させるこ
とができると共に、スルーホール抵抗を小さくてること
ができるようにした蒸着装置を提供することKある。
また、本発明の他の目的は被処理物である基板(半導体
ウェハなど)の端面や裏面に、前記基板以外の基板ホル
ダなどからスパッタされた金属粒子などによる異物(金
属物)の被着を防止でき、品質の向上を図れるようにし
た蒸着装置を提供することにあろう 更に、本発明の他の目的は、被処理物である基板(半導
体ウエノ〜など)表面のたとえば絶縁物などに対する高
周波スパッタエツチングレートを従来に比べ増加できる
ようにした蒸着装置を提供することにある。
ウェハなど)の端面や裏面に、前記基板以外の基板ホル
ダなどからスパッタされた金属粒子などによる異物(金
属物)の被着を防止でき、品質の向上を図れるようにし
た蒸着装置を提供することにあろう 更に、本発明の他の目的は、被処理物である基板(半導
体ウエノ〜など)表面のたとえば絶縁物などに対する高
周波スパッタエツチングレートを従来に比べ増加できる
ようにした蒸着装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記のとおりである。
を簡単に説明すれば下記のとおりである。
すなわち、1個以上のウエノ・が所定位置に設置された
基板ホルダを、アースシールドの対向電極側に配置して
前記ウエノ・裏面に前記基板ホルダを介して高周波電力
を印加してスパッタエツチングを行なうエツチング室と
、蒸発源室と、前記基板ホルダの前記ウェハに前記蒸発
源室からの蒸発物を被着させる蒸着室とからなる蒸着装
置において、前記エツチング室内の前記アースシールド
および対向電極を夫々前記基板ホルダと略相似形状とす
ると共に、前記基板ホルダの所定位置に前記ウェハをス
パッタされにくい石英部材にて保持し、更に前記ウェハ
表面に向って突出し前記ウェハ表面上が開口している開
口部を有し、かつスパッタエツチング時に前記ウェハ以
外の被スパッタ物が前記ウェハ表面に混入するのを阻止
し、前記基板ホルダとは反対側面がプラズマシース層外
になるように前記ホルダと対向して前記基板ホルダ上に
配設された防着板を具備してなるものである。従って、
ウェハ表面をスパッタエツチングして、その後大気中に
出さずに継続して真空中でクエ・・表面に電極や配線な
どの金属膜を蒸着する場合に、そのスパッタエツチング
の際に前記ウェハ以外の基板ホルダがスパッタされて飛
散する粒子が前記ウェハ表面に混入するのを前記防着板
により阻止することができると共に前記防着板の対向電
極側はプラズマシース層の外側にあるため殆んどエツチ
ングされないので、前記ウェハ表面に対する被スパッタ
物からの粒子(異物)の混入量を非常に低減させること
ができる。よってスパッタエツチング後の金属膜(金属
蒸着膜)とウエノ・表面との接着力を向上させることが
できると共に、スルーホール抵抗を小さくすることがで
きる。また前記防着板を設けたことにより、プラズマの
たとえばAr+イオンなどがウェハ以外の基板ホルダに
衝突する密度が減少しウエノ・表面上に衝突するAr”
イオンが集中するため、ウェハ上のプラズマ密度を上げ
ることができ、スパッタエツチングレートを従来に比べ
増力口させろことができろものである。
基板ホルダを、アースシールドの対向電極側に配置して
前記ウエノ・裏面に前記基板ホルダを介して高周波電力
を印加してスパッタエツチングを行なうエツチング室と
、蒸発源室と、前記基板ホルダの前記ウェハに前記蒸発
源室からの蒸発物を被着させる蒸着室とからなる蒸着装
置において、前記エツチング室内の前記アースシールド
および対向電極を夫々前記基板ホルダと略相似形状とす
ると共に、前記基板ホルダの所定位置に前記ウェハをス
パッタされにくい石英部材にて保持し、更に前記ウェハ
表面に向って突出し前記ウェハ表面上が開口している開
口部を有し、かつスパッタエツチング時に前記ウェハ以
外の被スパッタ物が前記ウェハ表面に混入するのを阻止
し、前記基板ホルダとは反対側面がプラズマシース層外
になるように前記ホルダと対向して前記基板ホルダ上に
配設された防着板を具備してなるものである。従って、
ウェハ表面をスパッタエツチングして、その後大気中に
出さずに継続して真空中でクエ・・表面に電極や配線な
どの金属膜を蒸着する場合に、そのスパッタエツチング
の際に前記ウェハ以外の基板ホルダがスパッタされて飛
散する粒子が前記ウェハ表面に混入するのを前記防着板
により阻止することができると共に前記防着板の対向電
極側はプラズマシース層の外側にあるため殆んどエツチ
ングされないので、前記ウェハ表面に対する被スパッタ
物からの粒子(異物)の混入量を非常に低減させること
ができる。よってスパッタエツチング後の金属膜(金属
蒸着膜)とウエノ・表面との接着力を向上させることが
できると共に、スルーホール抵抗を小さくすることがで
きる。また前記防着板を設けたことにより、プラズマの
たとえばAr+イオンなどがウェハ以外の基板ホルダに
衝突する密度が減少しウエノ・表面上に衝突するAr”
イオンが集中するため、ウェハ上のプラズマ密度を上げ
ることができ、スパッタエツチングレートを従来に比べ
増力口させろことができろものである。
本発明による蒸着装置の一実施例につき、第3図〜第4
図を用いて以下説明する。
図を用いて以下説明する。
第3図(alおよび(b)は夫々本発明による蒸着装置
の一実施例を示す簡略断面図および同図(a)の要部拡
大簡略断面図である。
の一実施例を示す簡略断面図および同図(a)の要部拡
大簡略断面図である。
同図において、蒸着装置は、高周波スパッタエツチング
機能と蒸着機能とを合体したものであり、高周波スパッ
タエツチングを行なうエツチング室21と、被蒸着物を
蒸発させろ蒸発源22を有する蒸発源室23と、ドーム
状の基板ホルダ24に設置された複数個(多数)の81
ウエハ(以下、ウェハと略称する)25に蒸発源室23
からの蒸発物を被着させる蒸着室26からなる真空室2
7が設けられて(・ろ。
機能と蒸着機能とを合体したものであり、高周波スパッ
タエツチングを行なうエツチング室21と、被蒸着物を
蒸発させろ蒸発源22を有する蒸発源室23と、ドーム
状の基板ホルダ24に設置された複数個(多数)の81
ウエハ(以下、ウェハと略称する)25に蒸発源室23
からの蒸発物を被着させる蒸着室26からなる真空室2
7が設けられて(・ろ。
エツチング室21には、土壁28を貫通して基板ホルダ
24の支持部材29が設けられており、この支持部材2
9は回転できると共に上下方向へも移動できろようにな
りている。支持部材29は土壁28にシール部材30に
より気密にシールされろと共に絶縁されている。この支
持部材29の一端に高周波電源31が接続されている。
24の支持部材29が設けられており、この支持部材2
9は回転できると共に上下方向へも移動できろようにな
りている。支持部材29は土壁28にシール部材30に
より気密にシールされろと共に絶縁されている。この支
持部材29の一端に高周波電源31が接続されている。
土壁28に基板ホルダ24と略相似形状をしたドーム状
のアースシールド32が図示の如く取付けられ、このア
ースシールド32の下側即ち対向電極33側にドーム状
の基板ホルダ24が支持部材29に取付けられ、高周波
電源31からの高周波電力が支持部材29を介して基板
ホルダ24に供給されるようになっている。この支持部
材29に基板ホルダ24は着脱自在に取付けられる。こ
の基板ホルダ24に対向して配設された対向電極33は
ドーム状をなし、基板ホルダ24と略相似形状をしてい
る。この対向電極33はエツチング室21の底壁34に
植立した支持部材35によって支持固定されている。そ
して対向電極33は接地されている。また対向電極33
は基板ホルダ24に可児される高周波電力の大きさなど
により電位分布や電界分布を調整することができるよう
にその位置を一定の範囲たとえば20〜200賦の範囲
で上下方向に可変できるように構成してもよい。また3
6はハロゲンランプや赤外線ランプなどの児熱用ランプ
でありて、エツチング室21の要所要所にたとえば一定
間隔をおいて複数個配置されている。また37は排気口
でありて図示しない排気ポンプに接続されており、38
はArガスなどのガス導入口である。39はエツチング
室21と蒸着室26とを連絡するゲートバルブである。
のアースシールド32が図示の如く取付けられ、このア
ースシールド32の下側即ち対向電極33側にドーム状
の基板ホルダ24が支持部材29に取付けられ、高周波
電源31からの高周波電力が支持部材29を介して基板
ホルダ24に供給されるようになっている。この支持部
材29に基板ホルダ24は着脱自在に取付けられる。こ
の基板ホルダ24に対向して配設された対向電極33は
ドーム状をなし、基板ホルダ24と略相似形状をしてい
る。この対向電極33はエツチング室21の底壁34に
植立した支持部材35によって支持固定されている。そ
して対向電極33は接地されている。また対向電極33
は基板ホルダ24に可児される高周波電力の大きさなど
により電位分布や電界分布を調整することができるよう
にその位置を一定の範囲たとえば20〜200賦の範囲
で上下方向に可変できるように構成してもよい。また3
6はハロゲンランプや赤外線ランプなどの児熱用ランプ
でありて、エツチング室21の要所要所にたとえば一定
間隔をおいて複数個配置されている。また37は排気口
でありて図示しない排気ポンプに接続されており、38
はArガスなどのガス導入口である。39はエツチング
室21と蒸着室26とを連絡するゲートバルブである。
なお、基板ホルダ24のドーム状の内側の各所定位置に
は夫々ウェハ25が設置されている。即ち同図(b)に
示す如く基板ホルダ240所定位tKウェハ25の大き
さよりも大きな貫通孔40が穿設されており、この貫通
孔40につば部41を有し底部にウェハ25の太きさよ
りもわずかに小さなテーバ状をなした孔42が穿設され
た皿状の石英部材43が基板ホルダ24の外側即ち裏側
から挿入された形でつば部41を貫通孔40周部の基板
ホルダ24で支持している。そして前記石英部材43の
底部にウェハ25を設置し、この上に裏面電極板44を
載置し、前記基板ホルダ24の裏面側にたとえばビス止
めなどにより取付けられたたとえば厚さ0.2mμ程度
のアルミニウム板などを用いた押え金具45が石英部材
43のつば部41に設けた溝46に沿って延在し、裏面
電極板44および石英部材43を、その押え金具45の
ばね性を利用して固定して〜・る。更に基板ホルダ24
には図示の如く内側に即ち対向電極33側に、基板ホル
ダ24に対向して防着板47が配設され、この防着板4
7は基板ホルダ24との間に絶縁碍子48を介在させ、
この絶縁碍子48の一端はねじ49で基板ホルダ24に
ねじ止めされ、かつその他端はねじ50で防着板47に
ねじ止めされて℃・る。この防着板47はスパッタされ
にくい物質、タトエばステンレス材や石英やSiCなど
が用℃・られる。この防着板47はウェハ25表面上に
おいて図示の如くウェハ25表面に向って突出しウェハ
25表面上が開口して〜・ろ開口部47aを有して(・
る。従ってスパッタエツチング時にはA r +イオン
51によりウェハ25表面(絶縁膜としてたとえばS1
0.膜が被覆されている)をスパッタしてSiQ、粒子
52を周囲に飛散させろと同時にAr ′″イオン51
よりウェハ25以外の基板ホルダ24の材質である5U
S−304のFe、 Ni 。
は夫々ウェハ25が設置されている。即ち同図(b)に
示す如く基板ホルダ240所定位tKウェハ25の大き
さよりも大きな貫通孔40が穿設されており、この貫通
孔40につば部41を有し底部にウェハ25の太きさよ
りもわずかに小さなテーバ状をなした孔42が穿設され
た皿状の石英部材43が基板ホルダ24の外側即ち裏側
から挿入された形でつば部41を貫通孔40周部の基板
ホルダ24で支持している。そして前記石英部材43の
底部にウェハ25を設置し、この上に裏面電極板44を
載置し、前記基板ホルダ24の裏面側にたとえばビス止
めなどにより取付けられたたとえば厚さ0.2mμ程度
のアルミニウム板などを用いた押え金具45が石英部材
43のつば部41に設けた溝46に沿って延在し、裏面
電極板44および石英部材43を、その押え金具45の
ばね性を利用して固定して〜・る。更に基板ホルダ24
には図示の如く内側に即ち対向電極33側に、基板ホル
ダ24に対向して防着板47が配設され、この防着板4
7は基板ホルダ24との間に絶縁碍子48を介在させ、
この絶縁碍子48の一端はねじ49で基板ホルダ24に
ねじ止めされ、かつその他端はねじ50で防着板47に
ねじ止めされて℃・る。この防着板47はスパッタされ
にくい物質、タトエばステンレス材や石英やSiCなど
が用℃・られる。この防着板47はウェハ25表面上に
おいて図示の如くウェハ25表面に向って突出しウェハ
25表面上が開口して〜・ろ開口部47aを有して(・
る。従ってスパッタエツチング時にはA r +イオン
51によりウェハ25表面(絶縁膜としてたとえばS1
0.膜が被覆されている)をスパッタしてSiQ、粒子
52を周囲に飛散させろと同時にAr ′″イオン51
よりウェハ25以外の基板ホルダ24の材質である5U
S−304のFe、 Ni 。
Cr(ステンレス材)をスパッタしてその金属粒子53
を飛散させろ。しかし後者の金属粒子53がウェハ25
表面に向って飛び散っても防着板47や石英部材43に
より阻止され、これらに付着することになるので、ウエ
ノ・25表面に金属粒子53が混入するのを低減できろ
。更に防着板47は、プラズマシース層外に位置するよ
うに配役されて(・ろので、スパッタエネルギーが減少
されており防着板47に、以前に蒸着された蒸着被膜5
4が殆んどエツチングされることがないようになってい
る。
を飛散させろ。しかし後者の金属粒子53がウェハ25
表面に向って飛び散っても防着板47や石英部材43に
より阻止され、これらに付着することになるので、ウエ
ノ・25表面に金属粒子53が混入するのを低減できろ
。更に防着板47は、プラズマシース層外に位置するよ
うに配役されて(・ろので、スパッタエネルギーが減少
されており防着板47に、以前に蒸着された蒸着被膜5
4が殆んどエツチングされることがないようになってい
る。
また蒸発源室23には排気口55が設けられ排気ポンプ
に接続されており排気できるようになっている。
に接続されており排気できるようになっている。
更に蒸着室26においては、底部に蒸発源室23と蒸着
室26とを連絡するゲートバルブ56が設けられ?:l
、・る。またハロゲンランプや赤外線ランプなどの加熱
用ランプ57が要所要所に、たとえば所定間隔で周囲に
複数配設されてυ・る。また58は排気ポンプに接続さ
れた排気口で排気ができるようになっている。60は上
壁59を貫通して設けられた支持部材であって、この支
持部材60に蒸着の際にはウェハ25を設置した基板ホ
ルダ24が取付けられるようになって〜・る。なお、支
持部材60の端部に基板ホルダ24が着脱自在になるよ
うに構成されて(・る。また支持部材60は上壁59に
シール部材61により気密シールされ、かつ回転できる
ように構成されて℃・る。
室26とを連絡するゲートバルブ56が設けられ?:l
、・る。またハロゲンランプや赤外線ランプなどの加熱
用ランプ57が要所要所に、たとえば所定間隔で周囲に
複数配設されてυ・る。また58は排気ポンプに接続さ
れた排気口で排気ができるようになっている。60は上
壁59を貫通して設けられた支持部材であって、この支
持部材60に蒸着の際にはウェハ25を設置した基板ホ
ルダ24が取付けられるようになって〜・る。なお、支
持部材60の端部に基板ホルダ24が着脱自在になるよ
うに構成されて(・る。また支持部材60は上壁59に
シール部材61により気密シールされ、かつ回転できる
ように構成されて℃・る。
更にまた、上壁59を貫通して設けられた搬送機構62
の支持部材62aが回転でき、かつ上下方向に移動でき
るようになって℃・る。この支持部材62 aはシール
部材63により気密シールされている。この搬送機構6
2は基板ホルダ24を蒸着室26からエツチング室21
へ、またエツチング室21から蒸着室26へ搬送するだ
めのものである、支持部材62aの端部に水平方向にス
イングするスイングアームが取付けられ、更にこのスイ
ングアームの端部に回転アーム62cが取付けられ、必
要な長さに延びるように構成されている。
の支持部材62aが回転でき、かつ上下方向に移動でき
るようになって℃・る。この支持部材62 aはシール
部材63により気密シールされている。この搬送機構6
2は基板ホルダ24を蒸着室26からエツチング室21
へ、またエツチング室21から蒸着室26へ搬送するだ
めのものである、支持部材62aの端部に水平方向にス
イングするスイングアームが取付けられ、更にこのスイ
ングアームの端部に回転アーム62cが取付けられ、必
要な長さに延びるように構成されている。
これらのスイングアームと回転アーム62cとでアーム
部62bが構成され、回転アーム62cの先端部はU字
形状をなし、その開口部分に、基板ホルダ24の24a
部分に¥1けられているが図示省略の保合部分を引っ掛
けられるようになっている。そこで、支持部材29や6
0に基板ホルダ24を取付ける場合は、図示省略されて
いるが、支持部材29や60の端部に開閉可屈なチャッ
ク(つかみ)が設けられ℃おり、このチャックで前記基
板ホルダ24の図示省略の前記係合部分を挟持すること
によりなされる。また基板ホルダ24を支持部材29や
60から取りはずして搬送するときは、まず搬送機構6
2のアーム部62bの回転アーム62cのU字状部の開
口部分に前記基板ホルダ24の図示省略の保合部分を引
っ掛けて支持してから前記チャックを開き、その後搬送
機構62により搬送されることになる。
部62bが構成され、回転アーム62cの先端部はU字
形状をなし、その開口部分に、基板ホルダ24の24a
部分に¥1けられているが図示省略の保合部分を引っ掛
けられるようになっている。そこで、支持部材29や6
0に基板ホルダ24を取付ける場合は、図示省略されて
いるが、支持部材29や60の端部に開閉可屈なチャッ
ク(つかみ)が設けられ℃おり、このチャックで前記基
板ホルダ24の図示省略の前記係合部分を挟持すること
によりなされる。また基板ホルダ24を支持部材29や
60から取りはずして搬送するときは、まず搬送機構6
2のアーム部62bの回転アーム62cのU字状部の開
口部分に前記基板ホルダ24の図示省略の保合部分を引
っ掛けて支持してから前記チャックを開き、その後搬送
機構62により搬送されることになる。
以上のように構成された蒸着装置により、たとえばLS
Iのウェハ25上に形成された下層Al配線上に更に上
層AJ配線を形成する場合を例にとると、まず下層kl
配線上にたとえば絶縁膜としてSiQ、膜を形成した上
で、以下に述べるようにエツチング室21で図示の如く
基板ホルダ24に設置したウェハ24のSiQ□膜をス
パッタエツチングして、この後蒸着室26にその基板ホ
ルダ24を移して、ウェハ25KAd蒸着を行なうこと
になる。
Iのウェハ25上に形成された下層Al配線上に更に上
層AJ配線を形成する場合を例にとると、まず下層kl
配線上にたとえば絶縁膜としてSiQ、膜を形成した上
で、以下に述べるようにエツチング室21で図示の如く
基板ホルダ24に設置したウェハ24のSiQ□膜をス
パッタエツチングして、この後蒸着室26にその基板ホ
ルダ24を移して、ウェハ25KAd蒸着を行なうこと
になる。
即ち、まず、基板ホルダ24に同図(b)に示す如くウ
ェハ25を設置した後、この基板ホルダ24を蒸着室2
6内の支持部材60に前述したようにして取付け、排気
口58により大気を排気して高真空にしてから、赤外線
ランプ57で刃口熱しガス出しを行ない、次に排気口3
7により常時真空排気をしているエツチング室21のゲ
ートバルブ39を開口する。搬送機構62のアーム部6
2bの回転アーム62cで基板ホルダ24の前記係合部
分を引っ掛けて支持した後、支持部材60の端部に設け
たチャックを開き基板ホルダ24の挟持を解く。そして
搬送機構62の支持部材62aは所定位置まで下降する
と、アーム部62bの動作により回転アーム62cはエ
ツチング室21内に延びて、前記係合部分が支持部材2
9の略真下にくるような位置で停止する。支持部材29
は下降してチャックで基板ホルダ24の前記係合部分を
挾持して元の所定位置に戻る。そしてアーム部62bは
蒸着室26に戻り、ゲートバルブ39が閉じる。次にエ
ツチング室21の真空排気により到達真空度がlXl0
−’Pa以下罠なったら710熱用ランプ36で710
熱を行ない、ガス出しを行なう。
ェハ25を設置した後、この基板ホルダ24を蒸着室2
6内の支持部材60に前述したようにして取付け、排気
口58により大気を排気して高真空にしてから、赤外線
ランプ57で刃口熱しガス出しを行ない、次に排気口3
7により常時真空排気をしているエツチング室21のゲ
ートバルブ39を開口する。搬送機構62のアーム部6
2bの回転アーム62cで基板ホルダ24の前記係合部
分を引っ掛けて支持した後、支持部材60の端部に設け
たチャックを開き基板ホルダ24の挟持を解く。そして
搬送機構62の支持部材62aは所定位置まで下降する
と、アーム部62bの動作により回転アーム62cはエ
ツチング室21内に延びて、前記係合部分が支持部材2
9の略真下にくるような位置で停止する。支持部材29
は下降してチャックで基板ホルダ24の前記係合部分を
挾持して元の所定位置に戻る。そしてアーム部62bは
蒸着室26に戻り、ゲートバルブ39が閉じる。次にエ
ツチング室21の真空排気により到達真空度がlXl0
−’Pa以下罠なったら710熱用ランプ36で710
熱を行ない、ガス出しを行なう。
矢にArガスを導入口38から導入し、Ar圧力をIP
a〜5X10−’Paに設定する。次に高周波電源31
を基板ホルダ24に印加して高周波グロー放電を行な〜
・、同図(bJに示すウェハ25をAr”イオンでスパ
ッタエツチングする。このとき基板ホルダ24も同時に
スパッタエッチされるが、石英部材43および防着板4
7により阻止され、ウェハ25の表面に混入する量をき
わめて低く抑えることができる。また防着板47に前回
蒸着された蒸着被膜54はプラズマシースボテンシセル
の外にあるため、スパッタエネルギーが減少され殆んど
エツチングされない。また対向電極33は基板ホルダ2
4と略相似形状をしており、このため電位分布や電界分
布がバランスよくとれ、放電の安定性が確保でき、装置
内部からの異常放電による異物混入を低減できる。また
ウェハ25は石英部材43の凹部内に設置されており、
ウェハ25以外の基板ホルダ24などからスパッタされ
た金属粒子などは石英部材43によっ℃阻止されろので
、従来の如くウェハ25の端部や裏面にスパッタされた
金属粒子などの異物が被着することがなくなり、品質の
向上が図れる。更に防着板47を配設したことにより、
プラズマのAr+イオンが、ウェハ25以外の基板ホル
ダ24に衝突する密度が減少し、ウェハ25表面上に衝
突するAr+イオンが集中するため、ウェハ25上のプ
ラズマ密度を上げろことができ、SiQ、のスパッタエ
ツチングレートを、高周波電力0.8KWでかつAr圧
力5X10−’Paで、従来40A/分であったのを5
5A/分といったように増大させることができる。
a〜5X10−’Paに設定する。次に高周波電源31
を基板ホルダ24に印加して高周波グロー放電を行な〜
・、同図(bJに示すウェハ25をAr”イオンでスパ
ッタエツチングする。このとき基板ホルダ24も同時に
スパッタエッチされるが、石英部材43および防着板4
7により阻止され、ウェハ25の表面に混入する量をき
わめて低く抑えることができる。また防着板47に前回
蒸着された蒸着被膜54はプラズマシースボテンシセル
の外にあるため、スパッタエネルギーが減少され殆んど
エツチングされない。また対向電極33は基板ホルダ2
4と略相似形状をしており、このため電位分布や電界分
布がバランスよくとれ、放電の安定性が確保でき、装置
内部からの異常放電による異物混入を低減できる。また
ウェハ25は石英部材43の凹部内に設置されており、
ウェハ25以外の基板ホルダ24などからスパッタされ
た金属粒子などは石英部材43によっ℃阻止されろので
、従来の如くウェハ25の端部や裏面にスパッタされた
金属粒子などの異物が被着することがなくなり、品質の
向上が図れる。更に防着板47を配設したことにより、
プラズマのAr+イオンが、ウェハ25以外の基板ホル
ダ24に衝突する密度が減少し、ウェハ25表面上に衝
突するAr+イオンが集中するため、ウェハ25上のプ
ラズマ密度を上げろことができ、SiQ、のスパッタエ
ツチングレートを、高周波電力0.8KWでかつAr圧
力5X10−’Paで、従来40A/分であったのを5
5A/分といったように増大させることができる。
以上のようにエツチング室21でスパッタエツチングを
行なった後に、高真空にしてゲートバルブ39を開口し
、支持部材29を所定位置まで下降させろ。そして搬送
機構62のアーム部62bの動作によりアーム162b
がエツチング室21内の所定位置まで延びてきてその回
転アーム62cの開口部分で基板ホルダ24の前記係合
部分を引っ掛けて支持すると、支持部材29の端部の前
記チャックが開き基板ホルダ24の挾持を解く。アーム
部62bは基板ホルダ24と共に元の蒸着室26内に戻
り、基板ホルダ24を図示点線の基板ホルダ24の真下
の位置に配置した上で支持部材62aを上昇させて図示
点線で示す基板ホルダ24位置に来たら、支持部材60
の端部に設けた前記チャックにより基板ホルダ24の前
記保合部分を挟持する。この後搬送機構62のアーム部
、62bはその回転アーム62cを引っ込めることによ
り基板ホルダ24に対する支持が解かれる。
行なった後に、高真空にしてゲートバルブ39を開口し
、支持部材29を所定位置まで下降させろ。そして搬送
機構62のアーム部62bの動作によりアーム162b
がエツチング室21内の所定位置まで延びてきてその回
転アーム62cの開口部分で基板ホルダ24の前記係合
部分を引っ掛けて支持すると、支持部材29の端部の前
記チャックが開き基板ホルダ24の挾持を解く。アーム
部62bは基板ホルダ24と共に元の蒸着室26内に戻
り、基板ホルダ24を図示点線の基板ホルダ24の真下
の位置に配置した上で支持部材62aを上昇させて図示
点線で示す基板ホルダ24位置に来たら、支持部材60
の端部に設けた前記チャックにより基板ホルダ24の前
記保合部分を挟持する。この後搬送機構62のアーム部
、62bはその回転アーム62cを引っ込めることによ
り基板ホルダ24に対する支持が解かれる。
次にゲートバルブ39を閉じ、蒸着室26で再度排気口
55により高真空に排気し、加熱用ランプ57で加熱を
しガス出しを行なう。次に蒸発原案23のゲートバルブ
56を開口し、被着丁べき金属物(ここではAl)を蒸
発させ、ウェハ25表面に被着させて、前述のスパッタ
エツチングによりSiQ、膜が除去された箇所も含めて
全面にAl膜が形成される。更に別工程でバターニング
を行なえば上層Al配線が形成され、しかもSiQ、膜
を除去したスルーホール箇所で下Ml配縁と上層Al配
線とが良好に接続される。即ち、前記工人チング室21
・でのスパッタエツチングの際、前述したようにウェハ
25表面に被スパッタ物からの粒子(異物)の混入量を
非常に低減させることができるので、スパッタエツチン
グ後のAl膜(Al蒸着膜)とウェハ25表面との接着
力がよく、SIO!膜のスパッタエッチ量が多くても第
4図のデータに示す如<Al蒸着膜とウエノ・25表面
との接着力が良好な一定の状態を維持することができ、
従来の第2図のデータに比べて前記接着力が著しく向上
させることができた。更Kまたスパッタエツチング・の
際、Sin、膜を除去したスルーホール箇所の下層AJ
配線の表面上の酸化物であるAl2O,もきれいに除去
されているので、前述のAl蒸着膜を形成してもスルー
ホール抵抗を小さくてることができる。
55により高真空に排気し、加熱用ランプ57で加熱を
しガス出しを行なう。次に蒸発原案23のゲートバルブ
56を開口し、被着丁べき金属物(ここではAl)を蒸
発させ、ウェハ25表面に被着させて、前述のスパッタ
エツチングによりSiQ、膜が除去された箇所も含めて
全面にAl膜が形成される。更に別工程でバターニング
を行なえば上層Al配線が形成され、しかもSiQ、膜
を除去したスルーホール箇所で下Ml配縁と上層Al配
線とが良好に接続される。即ち、前記工人チング室21
・でのスパッタエツチングの際、前述したようにウェハ
25表面に被スパッタ物からの粒子(異物)の混入量を
非常に低減させることができるので、スパッタエツチン
グ後のAl膜(Al蒸着膜)とウェハ25表面との接着
力がよく、SIO!膜のスパッタエッチ量が多くても第
4図のデータに示す如<Al蒸着膜とウエノ・25表面
との接着力が良好な一定の状態を維持することができ、
従来の第2図のデータに比べて前記接着力が著しく向上
させることができた。更Kまたスパッタエツチング・の
際、Sin、膜を除去したスルーホール箇所の下層AJ
配線の表面上の酸化物であるAl2O,もきれいに除去
されているので、前述のAl蒸着膜を形成してもスルー
ホール抵抗を小さくてることができる。
本発明による蒸着装置を用いれば、次のような種々の効
果を奏する。
果を奏する。
(1)被処理物である基板(半導体ウエノ・など)表面
を高周波スパッタエツチングをして後、引き続き真空中
でその基板表面に電極や配線などの金属膜を蒸Njる場
合に、その高周波スパッタエツチングの際に、前記基板
表面に対して前記基板以外の被スパッタ物(基板ホルダ
など)からの異物粒子が混入するのを防着板により阻止
することかできるので、前記基板表面に対する被スパッ
タ物からの異物粒子の混入量を非常に低減させることが
テキる。従っゼスバッタエソチング後の金属蒸着膜と前
記基板表面との接着力を、スパッタエッチ量が増加して
も良好な状態に維持することかでき、従来釦比べ前記接
着力を著しく向上させることができる。またスルーホー
ル箇所の下層配線の表面が酸化されていてもスパッタエ
ツチングの際、その酸化物までもきれいに除去されるの
で、その後に上層配線を形成した場合にスルーホール抵
抗を小さくてることができる。
を高周波スパッタエツチングをして後、引き続き真空中
でその基板表面に電極や配線などの金属膜を蒸Njる場
合に、その高周波スパッタエツチングの際に、前記基板
表面に対して前記基板以外の被スパッタ物(基板ホルダ
など)からの異物粒子が混入するのを防着板により阻止
することかできるので、前記基板表面に対する被スパッ
タ物からの異物粒子の混入量を非常に低減させることが
テキる。従っゼスバッタエソチング後の金属蒸着膜と前
記基板表面との接着力を、スパッタエッチ量が増加して
も良好な状態に維持することかでき、従来釦比べ前記接
着力を著しく向上させることができる。またスルーホー
ル箇所の下層配線の表面が酸化されていてもスパッタエ
ツチングの際、その酸化物までもきれいに除去されるの
で、その後に上層配線を形成した場合にスルーホール抵
抗を小さくてることができる。
(2) また防着板を設けたことにより、プラズマの
たとえばAr+イオンなどが前記基板以外の基板ホルダ
に衝突する密度を減少させることができ、前記基板表面
上に衝突するたとえばAr+イオンが集中するため、前
記基板上のプラズマ密度を上げることができ、スパッタ
エツチングレートを従来に比べ増加させることができる
。
たとえばAr+イオンなどが前記基板以外の基板ホルダ
に衝突する密度を減少させることができ、前記基板表面
上に衝突するたとえばAr+イオンが集中するため、前
記基板上のプラズマ密度を上げることができ、スパッタ
エツチングレートを従来に比べ増加させることができる
。
(3)なお、たとえば第3図(b)に示す如く前記基板
(半導体ウエノ・など)を石英部材43の如きもので保
持丁れば、前記基板の端面や裏面に、前記基板以外の基
板ホルダなどからスパッタされた金属粒子などによる異
物の被着を防止することかでき、品質の向上を図ること
ができる。
(半導体ウエノ・など)を石英部材43の如きもので保
持丁れば、前記基板の端面や裏面に、前記基板以外の基
板ホルダなどからスパッタされた金属粒子などによる異
物の被着を防止することかでき、品質の向上を図ること
ができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、上記実施例で
は基板としてS1ウエハを用いているが、これに限定さ
れろことなくたとえばS i Cits Mやアルミナ
基板などの絶縁基板でもよい。また上記実施例において
は石英部材43を用(・ているが、石英以外のスパッタ
さfllcくい物質を用いて同形状のものを構成しても
よい。
具体的に説明したが本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、上記実施例で
は基板としてS1ウエハを用いているが、これに限定さ
れろことなくたとえばS i Cits Mやアルミナ
基板などの絶縁基板でもよい。また上記実施例において
は石英部材43を用(・ているが、石英以外のスパッタ
さfllcくい物質を用いて同形状のものを構成しても
よい。
また上記実施例においては基板ホルダ24の搬送手段と
して搬送機構62を用い℃〜・るが、本発明はこれに限
定されろことなく種々の搬送機構が考えられろし、また
ロボットを制御して搬送させることもできろ。
して搬送機構62を用い℃〜・るが、本発明はこれに限
定されろことなく種々の搬送機構が考えられろし、また
ロボットを制御して搬送させることもできろ。
し利用分野]
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるLSIの配線の形成
に適用した場合につ−・て説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえばLSI以外の半導体装置全般
の配線形成はもちろん、LSIを含めた半導体装置の電
極(たとえばCCBt極など)形成、更には半導体装置
以外の装置の電極や配線などの形成にも適用できる。
をその背景となった利用分野であるLSIの配線の形成
に適用した場合につ−・て説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえばLSI以外の半導体装置全般
の配線形成はもちろん、LSIを含めた半導体装置の電
極(たとえばCCBt極など)形成、更には半導体装置
以外の装置の電極や配線などの形成にも適用できる。
第1図fa)および(b)は夫々従来の蒸着装置の一例
を示す簡略断面図および同図(alの要部拡大簡略断面
図、 第2図は従来装置による5iQ2エツチ量対エツチ後の
蒸着膜接着力(相対須)の関係を示す図、第3図(al
および(blは夫々本発明による蒸着装置の一実施例を
示す闇路断面図および同図(aJの要部拡大簡略断面図
、 第4図は本発明装置によろSin、エッチ量対エッチ後
の蒸着膜接着力(相対値)の関係を示す図である。 21・・・エツチング室、23・・・蒸発源室、24・
・・基板ホルダ、25・・・ウエノ・、26・・・蒸着
室、31・・・高周波電源、33・・・アースシールド
、40・・・貫通孔、41・・・つば部、42・・・孔
、43・・石英部材、44・・・裏面電極、45・・・
押え金具、47・・・防着板、47a・・・開口部。 第 1 図 第 1 図 第 2 図 第 4 図
を示す簡略断面図および同図(alの要部拡大簡略断面
図、 第2図は従来装置による5iQ2エツチ量対エツチ後の
蒸着膜接着力(相対須)の関係を示す図、第3図(al
および(blは夫々本発明による蒸着装置の一実施例を
示す闇路断面図および同図(aJの要部拡大簡略断面図
、 第4図は本発明装置によろSin、エッチ量対エッチ後
の蒸着膜接着力(相対値)の関係を示す図である。 21・・・エツチング室、23・・・蒸発源室、24・
・・基板ホルダ、25・・・ウエノ・、26・・・蒸着
室、31・・・高周波電源、33・・・アースシールド
、40・・・貫通孔、41・・・つば部、42・・・孔
、43・・石英部材、44・・・裏面電極、45・・・
押え金具、47・・・防着板、47a・・・開口部。 第 1 図 第 1 図 第 2 図 第 4 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、1個以上の基板が所定位置に設置された基板ホルダ
を、アースシールドの対向電極側に配置して前記基板裏
面に前記基板ホルダを介して高周波電力を印加してスパ
ッタエッチングを行なうエッチング室と、被蒸着物を蒸
発させる蒸発源室と、前記基板ホルダの前記基板に前記
蒸発源室からの蒸発物を被着させる蒸着室とからなる蒸
着装置において、前記エッチング室内の前記アースシー
ルドおよび対向電極を夫々基板ホルダと略相似形状とす
ると共に、前記基板ホルダの所定位置に前記基板をスパ
ッタされにくい部材にて保持してなり、更に前記基板表
面に向って突出し前記基板表面上が開口している開口部
を有し、かつスパッタエッチング時に前記基板以外の被
スパッタ物が前記ウェハ表面に混入するのを阻止し、前
記基板ホルダとは反対側面がプラズマシース層外になる
ように前記基板ホルダと対向して前記基板ホルダ上に配
設された防着板を具備してなることを特徴とする蒸着装
置。 2、前記対向電極の位置を可変できるようにした特許請
求の範囲第1項記載の蒸着装置。 3、前記スパッタされにくい部材として石英部材を用い
てなる特許請求の範囲第1項又は第2項記載の蒸着装置
。 4、前記基板ホルダの所定位置に前記基板をスパッタさ
れにくい部材にて保持するに当り、前記基板ホルダの所
定位置に貫通孔を設け、この貫通孔に、つば部を有し底
部に前記基板の大きさよりも小さい孔が穿設された皿状
の石英部材が、前記基板ホルダの裏側から挿入された形
で前記つば部を前記貫通孔周部の基板ホルダで支持し、
前記石英部材の底部に前記基板を設置してなる特許請求
の範囲第1項又は第2項記載の蒸着装置。 5、前記基板の裏面側に裏面電極を載置し、前記基板ホ
ルダに取付けた押え金具により前記石英部材および前記
裏面電極を固定してなる特許請求の範囲第4項記載の蒸
着装置。 6、前記基板として半導体ウェハ又はアルミナ基板など
の絶縁基板を用いてなる特許請求の範囲第1項記載の蒸
着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19956684A JPS6179762A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19956684A JPS6179762A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 蒸着装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6179762A true JPS6179762A (ja) | 1986-04-23 |
Family
ID=16409956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19956684A Pending JPS6179762A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6179762A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62154733A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Nec Kyushu Ltd | ドライエツチング装置 |
JPH02118063A (ja) * | 1988-10-27 | 1990-05-02 | Fujikura Ltd | 酸化物超電導体の製造方法 |
CN112522672A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-03-19 | 东莞市华升真空镀膜科技有限公司 | 一种非平衡磁场的高能脉冲磁控镀膜机及其制作加工工艺 |
-
1984
- 1984-09-26 JP JP19956684A patent/JPS6179762A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62154733A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Nec Kyushu Ltd | ドライエツチング装置 |
JPH02118063A (ja) * | 1988-10-27 | 1990-05-02 | Fujikura Ltd | 酸化物超電導体の製造方法 |
CN112522672A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-03-19 | 东莞市华升真空镀膜科技有限公司 | 一种非平衡磁场的高能脉冲磁控镀膜机及其制作加工工艺 |
CN112522672B (zh) * | 2020-11-18 | 2022-05-17 | 东莞市华升真空镀膜科技有限公司 | 一种非平衡磁场的高能脉冲磁控镀膜机及其制作加工工艺 |
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