JPS6167828A - カイラルスメクティック液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、液晶表示素子や液晶−光シャッタ等で用いる
液晶素子１ｃ関し、更に詳しくは液晶分子の初期配向状
態を改善することにより、表示ならびに駆動特性を改善
した液晶素子に関するものである。

従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し多数の画素を形
成して、画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。

この表示素子の駆動法としては、走査電極群に順次周期
的にアドレス信号を選択印加し、信号電極群には所定の
情報信号をアドレス信号と同期させて並列的に選択印加
する時分割駆動が採用されているが、この表示素子及び
その駆動法には以下に述べる如き致命的とも言える大き
な欠点がある。

即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが稚
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消＊電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆んどが、例えば Ｍ、ＧｃｈａｄｔとＷ、ｌ１ｅｌｆｒｉａｈ著１ムｐｐ
’ｌｉ　＠ｔｌＰｈｙｓｉｏｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　　Ｖ
ｏ、１８．４４（１９７１。

２．１５）、Ｐ１２７−１２８の　”　Ｖｏｌｔａｇｅ
−ＤｅｐｒＭｅｎｔＯｐｔｉｃａｌ　Ａｃｔｉｖｉｔｙ
　ｏｆ　ａ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　ＮｅｍａｔｉｃＬｉｑｕ
ｉｄ　０ｒｙａｔａｌ”に示されたＴＩ　（ｔｗｉｓｔ
Ｍｎｅｍａｔｉａ　）型の液晶を用いたものであり、こ
の型の液晶は、無電界状態で正の誘電異方性をもつネマ
チック液晶の分子が液晶層厚方向で　れた構４（ヘリカ
ル構造）を形成し、両電極面でこの液晶の分子が平行に
配列した構造を形成している。−万、電界印加状態では
、正の誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向く配
列し、この結果光学変調を起すことができる。この型の
液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示素子を構
成１７た場合、走査電極と信号電極が共に選択される領
域（迅択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配列させ
るに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極と信号
電極が共に選択されない領域（非君択点）には電圧は印
加されず、従って液晶分子は電荷面に対して並行な安定
配列を保っている。このような液晶セルの上下に互いに
クロスニコル関係にある直線偏光子を配置することによ
り、選択点では光が透過せず、非選択点では光が透過す
るため、画情素子とすることが可能となる。然し乍ら、
マトリクス電極ｍ造を構成した場合には、走査電極が選
択され、信号電極が選択されない領域、或いは走査電極
が選択されず、信号電極が選択される領域（所！１１”
半選択点”）Ｋも有限に電界がかかつてしまう。選択点
にかかる電圧と、半選択点くかかる電圧の差が充分に大
きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるのに要する電
圧１％旬値がこの中間の電圧［Ｋ設定されるならば、表
示素子は正常に動作するわけであるが、走査線ａ　（Ｍ
）を増やして行った場合、画面全体（１フレーム）を走
査する間に一つの選択点に有効な電界がかかつている時
間（ｉｕｔｙ比）が１７Ｈの割合で減少してしまう。こ
のために、＜り返し走査を行つ九場合の選択点と非選択
点にかかる実効値としての電圧差は、走査線数が増えれ
ば増える程小さくな９、結果的には画像コントラストの
低下やクロストークが避は離い欠点となっている。この
ような現象は、双安定性を有さ々い液晶（′Ｗｔ極面に
対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であ
り、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する
）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、操り返
し走査する）ときに生ずる本質的には避は稚い問題点で
ある。この点を改良するために、電圧平均化法、２周波
駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが
、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化
や高密度化は、走査線数が充分に増やせないととＫよっ
て頭打ちになっているのが現状である。

一方、プリンタ分野を眺めて見るに、電気信号を入力と
してハードコピーを得る手段として、画素密度の点から
もスピードの点からも電気画壇信号を光の形で電子写真
感光体く与えるレーザービームプリンタ（ＬＢＦ）が現
在量も優れている。ところがＬＢＰ　Ｋは、 ｔ　プリンタとしての装置が大型になる＝２　ポリゴン
スキャナの様な高速の駆動部分があり１壜音が発生し、
また厳１．い機械的精度が要求される；など の欠点がある。この様な欠点を解消すべく電気信号を光
信号に変換する素子として、液晶シャッターアレイが提
案されている。ところが、液晶シャッタアレイを用いて
画素信号を与える場合、たとえば２１０５ｍの長さの中
に画素信号を１６　ｄｏｔ／ｍの割合で書き込むために
は、３０００個以上の信号発生部を有していなければな
らず、それぞれに独立した信号を与えるためぺけ、元来
それぞれの信号発生部全てに信号を送る＋７−ド線を配
線しなければならず、製作上困難であった。

そのなめ、工り工Ｎｌ　（ライン）分の画素信号を数行
に分割された信号発生部により、時分割して与える試み
がなされている。この様にすれば、信号を与える電極を
、複数の信号発生部に対して共ＪＩＩ／Ｃすることがで
き、実質配線を大幅に軽減することができるからである
。ところが、この場合通常行われているように双安定性
を有さない液晶を用いて行数（Ｎ）を増して行くと、信
号ＯＮの時間が実質的に１／Ｍとな抄感元体上で得られ
る光量が減少してしまってた、クロストークの問題が生
ずるという雌点がある。

このような従来型の液晶素子の欠点を改善するものとし
て双安定性を有する液晶素子の使用がＱｌａｒｋおよび
Ｌａｇｅｒｗａｌｌによ抄提案されている（特開昭５６
−１０７２１４号公報、米国特許第４５６７９２４号明
細書等）。双安定性液晶としては、一般に、カイラルス
メクテイック０相（ｓｍａ　）又は他のカイラルスメク
テイック相、具体的にはカイラルスメクテイックＨ相（
日ｍＨ＊）カイラルスメクテイック７相（８ｍ　’　勺
、カイラルスメクテイックエ相（ｓｍｘ”）、およびカ
イラルスメクテイックＧ相（８ｍＧ”）を有する強誘電
性液晶が用いられる。

この液晶は電界に対１−て第１の光学的安定常態と哨２
の光学安定状態からなる双安定状態を有し、従って前述
のＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは異なり、
例えば一方の電界ペクル）Ｋ対して第１の光学的安定状
態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対して第２の
光学的安定状態に液晶が配向される。またこの型の液晶
は、加えられる電界に応答して、極めて速やかに上記を
２つの安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のな
いときはその状態を維持することによシ、上述した従来
のＴＮ型素子の時題点の多くに対して、かな９本質的な
改善が得られる。この点け、本発明と関連して、以下に
、更に詳細に説明する。しかしながら、この双安定性を
有する液晶を用いる光学変調素子が所定の駆動特性を発
揮するためには、一対の平行基板間に配置される液晶が
、電界の印加状りとは無関係く、上だ２つの安定状態の
間での変換が効果的に起るような分子配列状態にあるこ
とが必要である。たとえばａｍｃ＊又は他のカイラルス
メクテイック相を有する強訴電性液晶についてｔＪ、８
ｍＯ又は他のカイラル、スメクテイツク相を有する液晶
分子層が基板面に対して垂直で、したがって液晶分子軸
が基板面にほぼ千行く配列した領域（モノドメイン）が
形成される必要がある。１７かしながら、従来の双安定
性を有する液晶を用いる光学変調素子においては、この
ようなモノドメイン構造を有する液晶の配向状態が、必
ずしも満足忙形成されなかったために、充分な特性が得
られなかったのが笑ｆ青である。

たとえば、このような配向状態を与える九めに、磁界を
印加する方法、せん断力を印加する方法、などが提案さ
れている。しかしながら、これらは、いずれも必ずしも
満足すべき結果を与えるものではなかった。たとえば、
磁界を印加する方法は、大規模な装置を要求するととも
に作動特性の良好な薄層セルとは両立しがたいという難
点があり、また、せん断力を印加する方法は、セルを作
成後に液晶を注入する方法と両立しないという難点があ
る。

本発明の主要な目的は、上述した事情に憎み高速応答性
、高密度ＷＪ素と大面積を有する表示素子、あるいは高
速度のシャッタスピードを有する光学シャッタ等として
潜在的な適性を有する双安定性を有する液晶を使用する
光学変調素子において、従来問題であったモノドメイン
形成性ないしは初期配向性を改善することＫよれ、その
特性を光分く発揮させ得る液への配向′＠御法を提供す
ることＫある。

本発明者らは、上述の目的で更に研究Ｉ７た結果、特に
液晶材料が別の相（例えば等方相等の高温状態）より、
スメクデイツク相の低温状態へ移行する降温過程に於け
る配向性に着目したところ、降温過程で等方相からコレ
ステリック相、スメクテイックＡ相およびカイラルスメ
クテイック０相、カイラルスメクテイックＨ相（ＳｍＨ
”）、カイラルスメクテイックｙ相（８ｍＧ勺、などの
カイラルスメクテイック相に相転移を生じる液晶（以下
、液晶層という）の少なくと本１種と降温過程で等方相
からコレステリック相およびカイラルスメクティック相
に相転移を生じる液晶（以下、液晶Ｂという）の少なく
とも１種とを含有する液晶組成物を用いた場合、液晶と
界面で接する基板の面に液晶の分子軸方向を優先して一
方向に配列させる効果を付与するととＫよに、液晶分子
が一方向に配列したモノドメインを形成するととができ
、この結果液晶の双安定性に基づく素子の作動特性と液
晶層のモノドメイン性を両立し得る構造の液晶素子が得
られるとともに１長期間に亘った配向安定性を向上させ
ることができることを見い出した。

さらに、本発明者らは、前述の液晶組成物中に降温過程
で等方相からスメクティック人相およびカイラルスメク
ティック相に相転移を生じる液晶（以下、液晶０という
）を別えた液晶組成物は、前述の液晶組成物よシも一層
畏期間に亘った配向の安定性能が得られるととを見い出
した。

従って、本発明は前述の液晶Ａと液晶Ｂ１好まＬ　＜は
液晶０を含有させた液晶組成物を封入したセル構造をな
し、前記一対の基板の５ち、少なくとも一方の基板の面
が界面で接する液晶の分子軸方向１）優先して一方向に
配向させる効果を有していることを特徴としている。

以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を更に詳
細に説明する。

本発明で用いる液晶組成物は、所定温度で強誘電性を示
す。前述の液晶ム、液晶Ｂ及び液晶Ｏの几体例を、それ
ぞれ表１、表２及び表５に示す。

表　１ 液晶ムの具体例 （化合物名、構造式及び相転移点） ４−（２’−メチルブチル）フェニル−４′オクチルオ
キシビフェニル−４−カルボキシレート７８℃　　　　
　８０℃　　　　１２Ｂ３℃結晶！　　８ｍ３　＝　ｓ
ｍｏ”　＋−８ｍＡ１　７１．０℃　　　　　　１７４
．２℃−コレステリック相　−；ａ方相 ４−ペンチルフェニル−４−（４’−メチルヘキシル）
ビフェニル−４′−カルボキシレート ９１．５℃　　　９５℃ 結晶　＝８ｍＣ＊＝ｓｍム １１２℃　　　　　　　　１３１℃ ＝　コレステリック相　に　等方相 （３１ｐ−１１−オクチルオキシ安息香酸−ヅー（２−
メチルブチルオキシ）フェニルエステル結晶：　８ｍＯ
：　８ｍＡ＝コレステリック相＝等方相表２ 液晶Ｂの具体例 （化合物名、構造式及び相転移点） ４−へキシルオキシフェニル−４〜（２１−メチルブチ
ル）ピフェニル−４′−カルボキシレート ４−オクチルオキシフェニル−４−（２’−メチルブチ
ル）ピフェニル−４′−カルボキシレート ７６℃　　８８．６℃　　　　　　　１５５．４℃結晶
ヰ　ｓｍＱ　＝ブレステリツク相＝　等方相４−（２’
−メチルブチル）フェニル−４−（４’−メチルヘキシ
ル）ビフェニル−４′〜カルボ中シレート ８３．４℃　　　　　　　　　１１４℃５５℃　　　　
９５℃　　　　　　　　　１４５℃結晶　：　　９　ｍ
　Ｑ艷にプレステリツク相＝等方相表　　５ 液晶Ｃの具体例 （化合物名、構造式及び相転移点） Ｐ−デシロキシベンジリデン−ｙ−アミノ−２−−メチ
ルプチルシンナメー）（ＤＯＢＡＭＢＯ）７６℃　　　
９５℃ 結晶−４８ｍＯ”　”；ｉ　８ｍＡ　　：　　等方相Ｐ
−へキシロキシベンジリデン−ｙ−アミノ−２−一りロ
ルプロビルシンナメー）（ＨＯＢＡＯＰＯ）６０℃　　
　６４℃　　　７８℃ 結晶ヰＳｍＨヰ　ＳｍＧヰ　ＳｍＡヰ　等方相Ｐ−デシ
ロキシベンジリデン−１−アミノ−２−−メチルブチル
−α−シアノシンナメー）（ＤＯＢＡＭＢＯＯ）９２℃
　　　　１０４℃ 結晶→　１３ｍＡ　：等方相 Ｐ−テトラデシ四キシベンジリデン−ｙ−アミノ−２−
−メチルブチル−α−シアノシンナメート（ＴＤＯＢＡ
ＭＢＯＯ） ７８℃　　　１０４℃ Ｐ−オクチルオキシベンジリデン−１−アミノ−２−一
メチルブチルーα−クロロシンナメート（ＯＯＢＡＭＢ
ＣＯ）４１℃　　　　　６６℃ Ｐ−オクチルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
一メチルブチルーα−メチルシンナメート結晶：　Ｅｌ
ｍＯ：　　８ｍＡ　：　　等方相４．４′−アゾキシシ
ンナミックアシッド−ビス（２−メチルブチル）エステ
ル １２１℃　　　１３４℃　　１６８℃ 結晶；：　ＢｍＯ＊：　　８ｍＡ　：等方相Ｒ ４−０−（２−メチル）−プテルレゾルシリデンー４−
−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ　８　） ２８０℃　　　　５５℃　　　　６２℃結晶、２−　　
Ｂｍ（４１２８ｍＡ　、２−　　等方相これら前述の液
晶ム、液晶Ｂ及び液晶Ｃは、それぞれ２種以上組合せて
使用することができる。

本発明で用いる液晶組成物での液晶Ａと液晶Ｂの割合は
、使用する液晶の種類によって相違するが、一般的に１
重を部の液晶ＢＫ対して０．０５〜２０重景部、好まし
くは０．５〜２重量部である。又、液晶Ｃの配合割合は
、液晶組成物中に０．１〜４０重ｔに、好ましくは５〜
２０を鎗にである。

これらの材料を用いて素子を゛構成する場合、液晶組成
物が８ｍＯ”、８ｍＨ”、ｓｍｙ”、Ｓｍ工９、ＳｍＧ
”となるような温度状ＱＫ保持する為、必要に応じて素
子をヒーターが埋め込まれた綱ブロック等により支持す
ることができる。

第１■は、強ｌｉ！電性液晶の動作説明の為に、セルの
例を模式的に描いたものである。１１と、１１′は、Ｉ
ｎ、Ｏｓ、ＢｎＯｇあるいは工Ｔｏ　（工ｎ（ｌｉｕｍ
−Ｔｉｎ　０ｘｌｅ　）等の薄膜からなる透明電極で被
覆された基板（ガラス板）であ抄、その間Ｆｃｇ晶分子
層１２がガラス面に垂直になるよう配向したｓｍｏ傘、
ＢｍＦｉ＊、ｇｍｙ＊、８ｍｌ＊、８ｍＧ傘などのカイ
ラルスメクテイック相の液晶が封入されている。太線で
示した１ｆｓ１３が液晶分子を表わしており、この液晶
分子１Ｓはその分子に直交した方向に双極子モーメン）
　（Ｐ上）１４を有している。

基板１１と１１′上の電極間に一定の閾値以上の電圧を
印加すると、液晶分子１３のらせん構造がほどけ、双極
子モーメント（Ｐ上）１４がすべて電界方向く向くよう
、液晶分子１Ｓは配向方向を変えることができる。液晶
分子１３は、細長い形状を有しており、その長袖方向と
短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面
の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、電圧印
加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子とな
ることは、容易に理解される。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分く薄く（例えば１０μ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄くなることにしたがい
、第２図に示すように′ｒｌ！Ｌ界を印加していない状
態でも液晶分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造と
なり、その双極子モーメン）？またはｙは上向き（２４
）又は下向＠　（２４うのどちらかの状態をとる。この
ようなセルに、４２図に示す如く一定の閾値以上の極性
の異る電界Ｅ又は１を電圧印加手段２１と２１′により
付与すると、双極子モーメントは、電界罵又はｄの電界
ベクトルに対応して上向き２４又は下向き２４′と向き
を変え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態２３
かあるいは第２の安定状！１Ｒ２３’の何れか一方に配
向する。

このような強誘電性を光学変ＦＪＩ！素子として用゛い
ることの利点は、先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことである。第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第２図によって更に説明すると、電界！を
印加すると液晶分子は第１の安定状Ｕ２３に配向するが
、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向きの
電界ゴを印加すると、液晶分子は第２の安定状ｆｆｆ４
２５’ｌｃ配向してその分子の向きを変えるが、やはり
電界を切ってもこの状態に留っている。

又、与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞ
れの配向状態にやはり維持されている。

このような応答速度の速さと、双安定性が有効に実現さ
れるにはセルとしては出来るだけ薄い方が好ましい。

この様な強誘電性を有する液晶で素子を形成するに当た
って最も問題となるのは、先にも述べたよ　うｇ、８ｍ
Ｏ本、８ｍＨ本、ＢｍＦ本、１３ｍＩ本、８ｍＧ傘など
のカイラルスメクテイック相を有する層が基板面に対し
て垂直に配列し且つ液晶分子が基板面に略平行に配向し
た、モノドメイン性の高いセルを形成することが回軸な
ことであり、この点に解決を与えることが大発明の主要
な目的である。

Ｒ５図（ム）とＣＢ）は、本発明の液晶素子の一実施例
を示してｈる。第３図（ム）は、大発明の液晶素子の平
面図で、第Ｓ図（１３）はそのＡ　−Ａ’断面図である
。

第３図で示すセル構造体１００は、ガラス板又はプラス
チック板々どからなる一対の基板１０１と１０１′をス
ペーサ１０４で所定の間隔に保持され、この一対の基板
をシーリングするために接着剤１０６で接着したセル構
造を有！、ており、さらに基板１０１の上には複数の透
ｕＡ電極１０２からなる［極群（例えば、マトリクス′
成極構造のうちの走査電圧印加用電極群）が例えば帯状
パターンなどの所定パターンで形成されている。基板１
０１′の上には前述の透明電極１０２と交差させた複数
の透明′４極１０２′からなる電極群（例えば、マトリ
クス電極拾遺のうちの信号電圧印加用電極ｎ）が形成さ
れている。

この様な透明電極１０２′を設けた基板１０１′には、
例えば、−酸化硅素、二酸化弗素、酸化アルミニウム、
ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ
化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素
窒化物などの無機絶縁物質やポリビニルアルコール、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ボ
リノくラキシレリ／、ポリエステル、ポリカーボネート
、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド
、ポリスチレン、セルロース附脂、メラミン樹脂、エリ
ア樹脂やアクリル樹脂などの有機絶縁物質を用いて被膜
形成した配向制御膜１０５を設けることができる。

この配向制御膜１０５は、前述の如き無機絶縁物質又は
有機絶縁物質を被膜形成した後に、その表面をビ四−ド
、布や紙で一方向に摺擦（ラビング）するととくよって
得られる。

本発明の別の好ましい具体例ではｓｌｏや８１０ｔなど
の無機絶縁物質を基板１０１′の上に斜め蒸着法によっ
て′ｆＩ！膜形成することＫよって、配向制御膜１０５
を得ることができる。

第５図に示された装置に於いてペルジャー５０１は吸出
口５０５を有すふ絶ｉ基板５０３上に載置され前記吸出
口５０５から伸びる（図示されていない）真空ポンプ〈
よりペルジャー５０１が真空にされる。タングステン葉
又はモリブデン製のるつは５０７はペルジャー５０１の
内部及び底部に配置され、るつぼ５０７には数グラムの
８１０゜８１０ｔ、ＭＰＰｔなどの結晶５０８がａａさ
れる。るつぼ５０７はＴ１の２つのアーム５０７ａ、５
０７ｂを有し、前記アームは夫々溝＠　５０９，５１０
に接続される。

［＄５０６及びスイッチ５０４がペルジャー５０１の外
部導線５０９，５１０間に直列に接続される。基板５０
２はペルジャー５０１の内部でるつぼ５０７の真上にペ
ルジャー５０１の垂直軸に対しθの角度を成して配置さ
れる。

スイッチ５０４が開放されると、ペルジャー５０１はま
ず約１０−５ｍ５＋ＨＦ圧の真空状態にされ、次にスイ
ッチ５０４が閉じられて、るつぼ５０７が適温で白熱し
て結晶５０８が蒸発されるまで電源５０６を調節して電
力が供給される。適温範囲（７００−１ｏｏｏ℃）に対
して必要な電流は約１°ＯＯａｍｐｓである。結晶５０
Ｂは次（蒸発され図中Ｓで示された上向きの分子流を形
放し、流体Ｓは、基板５０２に対してθの角度を成して
基板５０２上に入射され、この結果基板５０２が被膜さ
れる。角度θは上記の１入射角”であり、流体日の方向
は上記１斜め蒸着方向”である。この。

被膜の膜厚は基板５０２ｆペルジヤー５０１に挿入する
前に行なわれるＡ１．ｔの時間に対する厚みのキャリブ
レーションによ妙決定される。適宜な厚みの被膜が形成
されると電源５０６からの電力を減少させ、スイッチ５
０４を開放してペルジャー５０１とその内部を冷却する
。次に圧力を大気圧まで上げ基板５０２をペルジャー５
０１から取シ外す。

ま九、別の具体例ではガラス又はプラスチックからなる
基板１０１′の表面あるいは基板１０１′の上に前述し
た鵞機絶縁物質や有機絶縁物質を被膜形成した後に、該
被膜の表面を斜方エツチング法によりエツチングするこ
とによ妙、その表面に配向制御効果を付与することがで
きる。。

前述の配向制御膜１０５は、同時Ｋｅ繰膜としても機能
されることが好ましく、このためにこの配向制御１！１
０５の膜厚は一般に１００Ａ〜１μ、好ましくは５００
１〜５０００＾の範囲に設定することができる。この絶
縁膜は、液晶層１０３に微ｔ＜含有される不純物等のた
めに生ずる電流の発生を防止できる利点をも有して訃し
、従って動作を繰り返し行なっても液晶化合物を劣化さ
せることがない。

また、本発明の液晶素子では前述の配向制御膜１０５と
同様のものをもう一方の基板１０１に股′けることがで
きる。

第３図に示すセル構造体１００の中の液晶層１０３は、
ｓＩ！、ｃ”、ＳｍＨ”、ｓｍＦ”、８ｍｌ”、　８ｍ
Ｇ”などのカイラルスメクテイック相とすることができ
る。このカイラルスメクテイック液晶層１０５は前述の
液晶層と液晶Ｂが、さらに好ま１．〈は液晶Ｃが含有さ
れている。

本発明で！要な点け、前述の液晶Ａと液晶Ｂを含有する
液晶組成物を用いて、“高温相からスメクテイツク相又
はカイラルスメクテイソク相に相転移させる際、この液
晶分子軸が配向制御膜１０５に付与された配向制御方向
に沿って配列し、この結果均一なモノドメインが形成さ
れ、しかも長期間に亘る保存中でも配向の乱れを全く生
じない点にある。

＠４図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表わしてい
る。第４図で示す液晶素子は、一対の基板１０１と１０
１′の間Ｋｍ数のスペーサ部材２０１が配置されている
。このスペーサ部材２０１は、例えば配向制御＄１０５
が設けられていない基板１０１′の上Ｋ　１３１０．Ｅ
ｌｉＯ，、Ａ／、Ｏ，、Ｔ２Ｏ，すどの無機化合・匈あ
るいはポリビニルアルコール　ポリイミド、ポリアミド
イミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポ
リエステ〃、ポリカーゼネート、ポリビニルアセタール
、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリ
スチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリヤ樹脂
アクリル樹脂やフォトレジスト樹脂などの樹脂類を適当
な方法で被膜形成した後、所定の位置くスペーサ部材２
０１が配置される様にエツチングすることによって得る
ことができる。

この様々セル構造体１００Ｆｉ、基板１０１と１０１′
Ｏ両（１１１Ｋａ／ロスニコル状■又１１　／＜　９レ
ルニコル状態とした偏光子１０７と１０８がそれぞれ配
置されて、電極１０２　　と１０２′の間に電圧を印加
した時に光学変調を生じるととくなる。

次、本発明の液晶素子の作成法について、液晶層１０５
の配向制御法について第５図を用いて具体的に説明する
。

まず、液晶組成物が封入されているセル構造体１００は
、セル１００全体が均一に加熱される様な加熱ケース（
図示せず）Ｋセットされる。

次にセル１０Ｇ中の液晶組成物が等方相となる温度まで
加熱する。しかる後に、加熱ケースの温度を降温させて
、セル１００中の等方相となっている液晶組成物を降温
過程に移す。

第６図は、中間に強誘性液晶化合物が挾まれたマトリク
ス電極構造を有するセル４１の模式図である。４２は走
査電極群であ夛、４３は信号電極群でおる。第７図（ａ
）と（１））は、それぞれ選択された走査電極４２（ａ
）Ｉｃ与えられる電気信号とそれ以外の走□査電極（選
択されない走査電極）　４２　（ｎ）に与えられる電気
信号を示し。

第６図（０）と（、ｉ）はそれぞれ選択された信号電極
４３　（ｓ）に与えられる電気信号と選択されない信号
電極４５　（ｎ）　Ｉｃ与えられる電気信号を表わす。

第７図（ａ）〜（ａ）　においては、それぞれ横軸が時
間を、縦軸が電圧を表わす。例えば、動画を表示するよ
うな場合に社、走査電極群４２は逐次、周期的に選択さ
れる。今、双安定性を有する液晶セルの第１の安定状態
を与えるための閾値電圧をｖｔｈｌとし、第２の安定状
態を与えるための閾値電圧を−ｖｔｈ２とすると、選択
された走査電極４２　（ｓ）に与えられる電気信号は、
第７図（Ｌ）に示される如く、位相（時間）ｔ。

ではＶを、位相（時間）ｔ２では−Ｖとなるような交番
する電圧である。又、それ以外の走査電極４２　（ｎ）
は、第７図（１））に示す如くアース状ｊｉｈとなって
おり、電気信号０である。一方、選択された信号電極４
５　（ｓ）　Ｋ与えられる電気信号は第７図（０）に示
される如くｖであり、又選択されない信号電極４５　（
ｎ）に与えられる電気信号は第７図（’ｄ）に示される
如（−４である。以上に於て、電圧Ｖは Ｖ＜７ｔｈ、　＜２１　ト−Ｖ＞−Ｖｔｈ２＞−２１を
満足する所望の値に設定される。このような電気信号が
与えられたときの各画素に印加される電圧波形を第８図
に示す。第８図（５Ｌ）　−（、ｉ）は、それぞれ第６
図中の画素Ａ、Ｂ、Ｃ！およびＤと対応しいてる。すな
わち第８図より明らかな如く、選択された走査線上にあ
る画素人では、位相ｔ２に於て閾値ｖｔｈ、を越える電
圧２ｖが印加される。又同一走査線上に存在する画ＸＢ
では位相ｔ１で閾値−ｖｔｈ２を越える電圧−２ｖが印
加される。従って、選択された走査電極線上に於て信号
電極が選択されたか否かく応じて、選択された場合には
液晶分子は第１の安定状態（配向を揃え、選択されない
場合には第２の安定状態に配向を揃える。いずれにして
も各画素の前歴には関係することはない・ 一方、画素○とＤＫ示される如く、選択されない走査線
上では、すべての画素０．！−Ｄに印加される電圧は＋
Ｖ又は−Ｖであって、いずれも閾値電圧を越えない。従
って各画素ＣとＤにおける液晶分子は、配向状態を変え
ることなく前回走査されたときの信号状態に対応した配
向を、そのまま保持している。即ち、走査電極が選択さ
れたときＫその一ライン分の信号の書き込みが行われ、
−フレームが終了して次回選択されるまでの間は、その
信号状態を保持し得るわけである。従って、走査電極数
が増えても、実質的なデユーティ比はかわらず、コント
ラストの低下とり冒ストーク等は全く生じない。この際
。

電圧値Ｖの値及び位相（ｔ、　＋ｔ２）　＝＝　Ｔの値
とし・ては、用いられる液晶材料やセルの厚さにも依存
するが、通常３ボルト〜７０ボルトで０．１μｓｅｃ〜
２ｍａｅａの範囲が用いられる。従って、この場合では
選択された走査電極に与えられる電気信号が第１の安定
状態（光信号に変換されたとき「明」状態であるとする
）から第２の安定状態（光信号に変換されたと′ｆ！「
暗」状態であるとスル）へ、又はその逆のいずれかの変
化をも起すことができる。前述したＥＩｍＯ”　、　８
ＷＩＥ”　、　８ｍＦ”　。

Ｅｌｍｌ”　、　ＢｍＧ”などのカイ２ルスメクテイツ
ク相を示す液晶を単独で用いる場合に較らべ本発明で用
いる液晶組成物を用いると、配向性が良好でしかも配向
欠陥が少ない配向状態が得られる。

特に、セル厚が薄い場合、或いは双安定性（メモリ性）
をもつ８ｍＣ”、　８ｍＨ＊、　８ｍＦ”、　８ｍＩ”
。

ＳｍＧ“　などのカイ２ルスメクテイツク相の場合には
、スイッチング特性（応答速度）の点で基板表面の液晶
分子に対する拘束力（基板の配向処理による効果）は１
弱い方が好ましく、従って一方の基板表面のみを配向処
理する場合の方が、両側等の基板表面を配向処理する場
合に較べ速い応答速度が得られる。この際、セル厚が２
μｍのセルにおいては１片側の基板のみを配向処理した
場合の方が両側の基板を配向処理した場合の応答速度に
較べ約２倍もの速い応答速度が得られる。

以下、本発明を実施例に従って説明する。

〔実施例１〕 ピッチ１００μｍで幅６２．５μｍのストライプ状の工
Ｔｏ膜を電極として設けた正方形ガラス基板を用意し、
これの電極となる工ＴＯ膜が設けられている側を下向゛
きにして第５図に示す斜め蒸着装置にセットし、次いで
モリブデン製るつは内にＳｉＯ□の結晶をセットした。

しかる後に蒸着装置内を１０　”　ＴＯｒｒ程度の真空
状態としてから、所定の方法でガラス基板上に８１０２
を斜め蒸着し、８００人の斜め蒸着膜を形成した（Ａ電
極板）。

一方、同様のストライプ状の工ＴＯ膜が形成されたガラ
ス基板上にポリイミド形成溶液（日立化成工業（株）製
の「Ｐ工Ｑ」：不揮発分濃度１４．５ｗｔ％）をスピナ
ー塗装機で塗布し、１２０℃で３０分間、２００℃で６
０分間そして３３０℃で３０分間加熱を行なって８００
Ｘの被膜を形成した（Ｂ［極板）。

次いでム電極板の周辺部に注入口となる個所を除いて熱
硬化型エポキシ接着剤をスクリーン印刷法によって塗布
し死後Ｋ、ム電極板とＢｔ電極板ストライプ状パターン
電極が直交する様に重ね合せ、２枚の電極板の間隔が２
μとなるようポリイミドスペーサで保守し、セルとした
。

次に４−（２’−メチルブチル）フェニル−４１−オク
チルオキシビフェニル−４−カルボキシレート１００重
量部に対して、４−へキシルオ中ジフェニル−４−（２
’−メチルブチル）ビフェニル−４′−カルボキシレー
トを７５重量部加えて液晶組成物を調整し丸。

この液晶組成物を加熱して等方相とし、上記で作製して
セル内に注入口から注入し、その注入口を封口した。こ
のセルを徐冷によって降温させた後、一対の偏光子をク
ロスニコル状態で設けてから顕微鏡観祭゛シたところ、
モノドメインの非らせん構造のｓｍｃ　”が形成されて
いる事が確認できた。

さらに、このＢｍＣ”状態の液晶素子を７００時間維持
した後に、再び同様の顕微鏡観察を行なったところ、依
然としてモノドメインの非らせん構造のＢｍＯ”である
ことが確認できた。

一方、比較実験として前述の液晶素子で用いた液晶をそ
れぞれ単独で使用したほかは、前述の方法と同様にして
液晶素子を作成してから。

顕微鏡観察を行なったところ、何れの場合でも初期段初
期段階ではモノドメインの非らせん構造のＢｍＣ”の形
成が確認できたが、７００時間の耐久試験を行なった後
では、ａｍ（！＊がモノドメインを形成していなかった
。

又、前述の実施例で使用した液晶組成物１００Ｉ！量部
に対して２０重量部のＤＯＢＡＭＢＣを加えた液晶組成
物を１ｉｌＪｌｌ！ｔ、、この組成物を用いて前述と同
様の方法で液晶素子を作成してから、顕微鏡観察を行な
ったところ、初期段階でもモノドメインの非らせん構造
のｓｍｃ＊が形成されており、さらに耐久試験を前述の
実施例の場合より１０００時間延長して行った後であっ
てもモノドメインのＳｍＯ”が形成されていた〇 〔実施例２〕 ピッチ１００μｍで６６２．５５ｍのストライプ状の工
ＴＯ膜を電極として設けた正方形ガラス基板上にポリイ
ミド形成溶液（日立化成工業（株）製の「Ｐ工Ｑ」；不
揮発分濃度１４．５ｗｔ％）をスピナー塗布機で塗布し
、１２０℃で３０分間、２００℃で６０分間、そして３
３０℃で５０分間加熱を行なって８００Ｘの被膜を形成
した（Ａｆｆｉ極板）。

次に上記と同様にして得たポリイミド被膜電極板を布に
より、７ビング処理を行った。（Ｂ電極板） 次いでム電極板の周辺部に注入口となる個所を除いて熱
硬化麗エボ中シ接着剤をスクリーン印刷法によって塗布
した後Ｋ、ム電極板とＢ［極板のストライプ状パターン
電極が直交する様に重ね合せ、２枚の電極板の間隔が２
μとなるようポリイミドスペーサで保持し、セルとした
４−ペンチルフェニル−４−（４’−メチルヘキシル）
ビフェニル−４′−カルホキシレー）１００重量部に対
して、４−オクチルオキシフェニル−４−（２’−メチ
ルブチル）ビフェニル−４′−カルボキシレートを７０
重量部加えて液晶組成物を調整した。この液晶組成物を
加熱して等労相としたセル内に注入口から注入し、その
注入口を封口した。このセルを徐冷によって降温させた
後、一対の偏光子をクロスニコル状態で設けてから顕微
鏡観察したところ、モノドメインの非らせん構造のｓｍ
ａ　”が形成されていることが確認できた。

さらに、このＢｍＯ”状態の液晶素子を７００時間維持
した後Ｋ、再び同様の顕微鏡観察を行なったところ、依
然としてモノドメインの非らせん構造のｓｍｃ”である
ことが確認できた。

一方、比較実験として前述の液晶素子で用いた液晶をそ
れぞれ単独で使用したはかは、前述の方法と同様にして
液晶素子を作成してから、顕微鏡観察を行なったところ
何れの場合でも初期段階では七ノドメインの非らせん構
造のＢｍＣ”の形成が確認できたが、７００時間の耐久
試験を行なった後では、ｓｍｃ”がモノドメインを形成
していなかつ九。

又、前述の実施例で使用した液晶組成物１００重量部に
対して２０重量部のＤＯＢＡＭＢＯを加えた液晶組成物
を調製し、この組成物を用いて前述と同様の方法で液晶
素子を作成してから、顕微鏡観察を行なったところ、初
期段階でもモノドメインの非らせん構造のｓｍｃ＊が形
成されておシ。

さらに耐久試験を前述の実施例の場合よ９１０００時間
延長して行つ死後であってもモノドメインのｓｍｏ＊が
形成されていた。

〔実施例３と４〕 実施例１で用いた４−（２’−メチルブチル）フェニル
−４′−オクチルオキシビフェニル−４−カルボキシレ
ートに代えて、４−ペンチルフェニル−４−（４’−メ
チルヘキシル）と７二二ルー４′−カルボキシレート（
実施例５）、ｐ−ｎ−オクチルオキシ安息香酸−ｐ’−
（２−メチルブチルオキシ）フェニルエステルＣ’Ａｔ
１ｌＡ例４）を用いたほかは、実施例１と同様の方法で
液晶素子を作成してから、顕微鏡観察したところ、モノ
ドメインの非らせん構造のｓｍｏ＊が形成されていた。

さらに、各実施例につき前述の実施例２と同様の７００
時間の耐久試験を行なったところ、モノドメインのａｍ
ａ＊であることが確認できた。

さらに、実施例１で用いたＤＯＢＡＭＢＯに代えて。

ＨＯＢＡＣ＋ＰＣを用い九ほかは、前述と同様の方法で
液晶素子を作成してから、同様のテストを行なったとこ
ろ、実施例５と４の何れの場合の初期段階及１７０ｏ時
間耐久後の段階で、モノドメインのＢｍＯ”が確認でき
た。

〔実施例５〕 １００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに酸
化インジウムを主成分とする透明導電膜を低温スパッタ
装置でフィルム表面温度を１２０℃以下に抑えて形成し
たプラスチック基板Ｋ、以下の組成の溶液（溶液組成（
１））を塗布し、１２０℃で３０分乾燥して薄膜を形成
した。

溶液組成（１） アセトメトキシアルミニウムジイソプロピレートポリエ
ステル樹脂（東洋紡：パイロン５０Ｆ）　　　０．５Ｊ
テト２ヒドロフラン　　　　　　　　１００　ｍｉ。

次Ｋ、１００’、９／α２の抑圧下で一方向くラビング
し、このラビングした一対のグラスチック基板を上下の
ラビング方向が平行となる様に重ね合せ、注入口となる
個所を除いた。その周辺をシーリングした。この時の一
対のグラスチック基板の間隔は、１μでｂっ恵。

次に、４−（２’−メチルブチル）フェニル−＃）ピフ
ェニル−４′−カルボキシレート８０重量部加えて液晶
組成物を調整した。

この液晶組成物を加熱して等労相とし、上記で作製して
セル内に減圧下で注入口から注入し、その注入口を封口
した。このセルを徐冷によって降温させた後Ｋ、一対の
偏光子をクロスニコル状態で設けてから顕微鏡観察した
ところ、モノドメインの非らせん構造のＳｍＯ”が形成
されている事が確認できた。

さらに、このＳｍＯ”状態の液晶素子を５００時間維持
した後に、再び同様の顕微鏡観察を行なったところ、依
然としてモノドメインの非らせん構造のＢｍＣ＊である
ことが確認できた。

一方、比較実験として前述の液晶素子で用いた液晶をそ
れぞれ単独で使用したほかは、前述の方法と同様にして
液晶素子を作成してから、顕微鏡観察を行なったところ
、何れの場合でも初期段階ではモノドメインの非らせん
構造の１３ｍＧ　＊の形成が確認できたが、５００時間
の耐久試験を行なった後では、ＳｍＣ”がモノドメイン
を形成していなかった。

又、前述の実施例で使用した液晶組成物１００重量部に
対して２０重量部のＯＯＢＡＭＢＯＯを加えた液晶組成
物を調製し、この組成物を用いて前述と同様の方法で液
晶素子を作成してから、顕微鏡観察を行なったところ、
初期段階でもモノドメインの非らせん構造のａｍｃ＊が
形成されており、さらに耐久試験を前述の実施例の場合
より６ｏ。

時間延長して行った後であってもモノドメインのＢｍＣ
が形成されていた。

〔実施例６と７〕 実施例５で用いた４　−（２’−メチルブチル）フェニ
ル−４′−オフデルオキシビフェニル−４−カルボキシ
レートに化工て、４−ペンチルフェニル−４−（４’−
メチルヘキシル）ピフェニル−４′−カルボキシレート
（実施例６）、ｐ−ｎ−オクチルオキシ安息香酸−ｐ’
−（２−メチルブチルオキシ）フェニルエステル（実Ｍ
Ａ例７）を用いたほかは、実施例５と同様の方法で液晶
素子を作成してから、顕微鏡観察したところ、モノドメ
インの非らせん構造のＳｍＣ”が形成されていた。さら
Ｋ、各実施例につき前述の実施例２と同様の７００時間
の耐久試験を行なったところ、モノドメインのＥ３ｍＯ
＊であることが確認できた。

さらＫ、実施例５で用いたＯＯＢＡＭＢＯＯＫ代えて、
ＤＯＢＡＭＢＣｔを用いたほかは、前述と同様の方法で
液晶素子を作成してから、同様のテストを行なったとこ
ろ、実施例５と７の何れの場合の初期段階及２０００時
間耐久後の段階で、モノドメインのｓｍｃ”が確認でき
た。

〔実施例８と９〕 実ｍ例２で用いた４−ペンチルフェニル−４−（ａｌ−
メチルヘキシル）ビフェニル−４′−カルボキシレート
に代えて、４−　（２’−メチルブチル）フェニル−４
′−オクチルオキシビフェニル−４−カルボキシレート
（実施例日）、ｐ−ｎ−オクチルオキシ安息香酸−ｐ’
−（２−メチルブチルオキシ）フェニルエステル（実ｍ
ｆＦｌ１９）を用いたほかは、実施例２と同様の方法で
液晶素子を作成してから、顕微鏡観察したところ、モノ
ドメインの非らせん構造のＳｍＯ＊が形成されていた。

さらＫ、各実施例につき前述の実施例２と同様の７００
時間の耐久試験を行なったところ、モノドメインのａｍ
ａ“であることが確認できた。

さらに、実施例２で用いたＤＯＢＡＭＢＯに代えて、Ｍ
ＢＲＡ　８を用いたほかは、前述と同様の方法で液晶素
子を作成してから、同様のテストを行なったところ、実
施例３と４の何れの場合の初期段階及１５０口時間耐久
後の段階で、モノドメインのＳｍＯ”が確認できた。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明で用いる液晶セルを表わ
す斜視図である。第３図（ム）は本発明の液晶素子を表
わす平面図で、第３図ＣＢ）はその人−ム′断面図であ
る。第４図は１本発明の液晶素子の別の具体例を表わす
断面図である。 第５図は本発明の液晶素子を作成する際に用いる斜め蒸
着装置を模式的に表わす断面図である。 第６図は、本発明で用いる液晶素子の電極構造を模式的
に示す平面図である。第７図ＣＬ）〜（ｄ）は、本発明
で用いる液晶素子を駆動するための信号を示す説明図で
ある。第８図（ａ）〜（ｄ）は。 各画素に印加される電圧波形を示す説明図である。 １００・・・セル構造体 １０１．１０１’・・・基板 １０２．１０２’・・・電極 １０３・・・液晶層 １０４．２０１　・・・スペーサ部材 １０５・・・配向制御膜 １０６　・・・接着剤 １０７．１０８・・・偏向子 １０９　・・・発熱体 ２１′ １０Ｚ　　　　１０ｊ； （’）））　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　（ｄン（ｂ） Ｃ） −−Ｖｔｋｔ （ｄ） −−−−７ｔｈ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）一対の基板に、降温過程で等方相からコレステリ
   ック相、スメクテイックＡ相およびカイラルスメクテイ
   ック相に相転移を生じる液晶の少なくとも１種と降温過
   程で等方相からコレステリック相およびカイラルスメク
   テイック相に相転移を生じる液晶の少なくとも１種を含
   有する液晶組成物を封入したセル構造をなし、前記一対
   の基板のうち、少なくとも一方の基板の面が界面で接す
   る液晶の分子軸方向を優先して一方向に配列させる効果
   を有していることを特徴とする液晶素子。 （２）前記カイラルスメテイック相がＣ相、Ｈ相、Ｆ相
   、Ｊ相、Ｋ相、Ｉ相又はＧ相である特許請求の範囲第１
   項記載の液晶素子。 （３）前記カイラルスメテイック相が非らせん構造をも
   つ相である特許請求の範囲第１項又は第２項記載の液晶
   素子。 （４）前記一対の基板のうち一方の基板の面が液晶の分
   子軸方向を優先して一方向に配列させる効果を有し、他
   方の基板の面が該効果を有していない特許請求の範囲第
   １項記載の液晶素子。 （５）前記効果を有する面が基板の面を摺擦することに
   よつて得られた面である特許請求の範囲第１項又は第４
   項記載の液晶素子。 （６）前記面が有機絶縁物質又は無機絶縁物質の被膜に
   よつて形成された面である特許請求の範囲第５項記載の
   液晶素子。 （７）前記有機絶縁物質がポリビニルアルコール、ポリ
   イミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリ
   パラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
   リビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル
   、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミ
   ン樹脂、ユリヤ樹脂、アクリル樹脂およびフォトレジス
   ト樹脂からなる樹脂群から少なくとも１種を選択した樹
   脂である特許請求の範囲第６項記載の液晶素子。 （８）前記無機絶縁物質がＳｉＯ、ＳｉＯ＿２又はＴｉ
   Ｏ＿２である特許請求の範囲第６項記載の液晶素子。 （９）前記効果を有する面が基板の面に絶縁物質を斜め
   蒸着することによつて得られた面である特許請求の範囲
   第１項又は第４項記載の液晶素子。 （１０）前記絶縁物質がＳｉＯ又はＳｉＯ＿２である特
   許請求の範囲第９項記載の液晶素子。 （１１）前記効果を有する面が基板の面を斜方エッチン
   グすることによつて得られた面である特許請求の範囲第
   １項又は第４項記載の液晶素子。 （１２）前記面が有機絶縁物質又は無機絶縁物質の被膜
   又は基板によつて形成された面である特許請求の範囲第
   １１項記載の液晶素子。 （１３）前記有機絶縁物質がポリビニルアルコール、ポ
   リイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポ
   リパラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボネート、
   ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニ
   ル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラ
   ミン樹脂、ユリヤ樹脂、アクリル樹脂およびフォトレジ
   スト樹脂からなる樹脂群から少なくとも１種を選択した
   樹脂である特許請求の範囲第１２項記載の液晶素子。 （１４）前記無機絶縁物質がガラス、ＳｉＯ、ＳｉＯ＿
   ２又はＴｉＯ＿２である特許請求の範囲第１２項記載の
   液晶素子。 （１５）前記他方の基板が絶縁物質を被膜形成した後に
   所定の位置を除いてエッチングすることにより得たスペ
   ーサ部材を備えている基板である特許請求の範囲第１項
   記載の液晶素子。 （１６）前記スペーサ部材が帯状形状の部材である特許
   請求の範囲第１５項記載の液晶素子。 （１７）前記帯状形状のスペーサ部材を複数個備えた素
   子である特許請求の範囲第１６項記載の液晶素子。 （１８）一対の基板に、降温過程で等方相からスメクテ
   イックＡ相およびカイラルスメクテイック相に相転移を
   生じる液晶の少なくとも１種、降温過程で等方相からコ
   レステリック相、スメクテイックＡ相およびカイラルス
   メクテイック相に相転移を生じる液晶の少なくとも１種
   と降温過程で等方相からコレステリック相およびカイラ
   ルスメクテイック相に相転移を生じる液晶の少なくとも
   １種を含有する液晶組成物を封入したセル構造をなし、
   前記一対の基板のうち、少なくとも一方の基板の面が界
   面で接する液晶の分子軸方向を優先して一方向に配列さ
   せる効果を有していることを特徴とする液晶素子。 （１９）前記カイラルスメテイック相がＣ相、Ｈ相、Ｆ
   相、Ｊ相、Ｋ相、Ｉ相又はＧ相である特許請求の範囲第
   １８項記載の液晶素子。 （２０）前記カイラルスメテイック相が非らせん構造を
   もつ相である特許請求の範囲第１８項又は第１９項記載
   の液晶素子。 （２１）前記一対の基板のうち一方の基板の面が液晶の
   分子軸方向を優先して一方向に配列させる効果を有し、
   他方の基板の面が該効果を有していない特許請求の範囲
   第１８項記載の液晶素子。 （２２）前記効果を有する面が基板の面を摺擦すること
   によつて得られた面である特許請求の範囲第１８項又は
   第２１項記載の液晶素子。 （２５）前記面が有機絶縁物質又は無機絶縁物質の被膜
   によつて形成された面である特許請求の範囲第２２項記
   載の液晶素子。 （２４）前記有機絶縁物質がポリビニルアルコール、ポ
   リイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポ
   リパラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボネート、
   ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニ
   ル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラ
   ミン樹脂、ユリヤ樹脂、アクリル樹脂およびフォトレジ
   スト樹脂からなる樹脂群から少なくとも１種を選択した
   樹脂である特許請求の範囲第２３項記載の液晶素子。 （２５）前記無機絶縁物質がＳｉＯ、ＳｉＯ＿２又はＴ
   ｉＯ＿２である特許請求の範囲第２３項記載の液晶素子
   。 （２６）前記効果を有する面が基板の面に絶縁物質を斜
   め蒸着することによつて得られた面である特許請求の範
   囲第１８項又は第２１項記載の液晶素子。 （２７）前記絶縁物質がＳｉＯ又はＳｉＯ＿２である特
   許請求の範囲第２６項記載の液晶素子。 （２８）前記効果を有する面が基板の面を斜方エッチン
   グすることによつて得られた面である特許請求の範囲第
   １８項又は第２１項記載の液晶素子。 （２９）前記面が有機絶縁物質又は無機絶縁物質の被膜
   又は基板によつて形成された面である特許請求の範囲第
   ２８項記載の液晶素子。 （３０）前記有機絶縁物質がポリビニルアルコール、ポ
   リイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポ
   リパラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボネート、
   ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニ
   ル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラ
   ミン樹脂、ユリヤ樹脂、アクリル樹脂およびフォトレジ
   スト樹脂からなる樹脂群から少なくとも１種を選択した
   樹脂である特許請求の範囲第２９項記載の液晶素子。 （３１）前記無機絶縁物質がガラス、ＳｉＯ、ＳｉＯ＿
   ２又はＴｉＯ＿２である特許請求の範囲第３０項記載の
   液晶素子。 （３２）前記他方の基板が絶縁物質を被膜形成した後に
   所定の位置を除いてエッチングすることにより得たスペ
   ーサ部材を備えている基板である特許請求の範囲第１８
   項記載の液晶素子。 （３３）前記スペーサ部材が帯状形状の部材である特許
   請求の範囲第３２項記載の液晶素子。 （３４）前記帯状形状のスペーサ部材を複数個備えた素
   子である特許請求の範囲第３３項記載の液晶素子。