JPS6152230B2 - - Google Patents
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- JPS6152230B2 JPS6152230B2 JP9790083A JP9790083A JPS6152230B2 JP S6152230 B2 JPS6152230 B2 JP S6152230B2 JP 9790083 A JP9790083 A JP 9790083A JP 9790083 A JP9790083 A JP 9790083A JP S6152230 B2 JPS6152230 B2 JP S6152230B2
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 11
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 8
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- -1 hydrogen compound Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 208000017983 photosensitivity disease Diseases 0.000 description 1
- 231100000434 photosensitization Toxicity 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は蒸着による被膜形成方法に関するもの
である。
である。
近時、硅素の水素化合物気体に水銀蒸気を混入
した光化学反応性ガスを反応容器内に充填すると
ともにそこに基板を配置し、反応容器外より水銀
ランプの波長253.7nm、184.9nmの紫外線を照射
し、水銀の光増感反応により基板上にアモルフア
スシリコン(以下a−Siと云う)を堆積させた
り、更には酸素分子や窒素分子を含むガスを添加
することにより二酸化硅素や窒化シリコンの絶縁
膜や保護膜を堆積させることが研究されている。
(公開特許公報昭54−163792、日経エレクトロニ
クス.1982年2月15日号) しかし、この方法で形成されたa−Siや二酸化
硅素、窒化硅素などの被膜をマイクロエレクトロ
ニクス回路の形成プロセスに適用する際に、光増
感剤として使用した水銀が悪影響を及ぼす問題点
があつた。
した光化学反応性ガスを反応容器内に充填すると
ともにそこに基板を配置し、反応容器外より水銀
ランプの波長253.7nm、184.9nmの紫外線を照射
し、水銀の光増感反応により基板上にアモルフア
スシリコン(以下a−Siと云う)を堆積させた
り、更には酸素分子や窒素分子を含むガスを添加
することにより二酸化硅素や窒化シリコンの絶縁
膜や保護膜を堆積させることが研究されている。
(公開特許公報昭54−163792、日経エレクトロニ
クス.1982年2月15日号) しかし、この方法で形成されたa−Siや二酸化
硅素、窒化硅素などの被膜をマイクロエレクトロ
ニクス回路の形成プロセスに適用する際に、光増
感剤として使用した水銀が悪影響を及ぼす問題点
があつた。
そこで最近では、水銀光増感剤を使用せずに、
ジシランからなる光化学反応性ガスに低圧水銀灯
の波長184.9nmの紫外線を照射することにより直
接光分解し、a−Siを基板上に堆積させる方法が
発表されている。(Jap.J.Appl.Phys.22(1983)
L46)この方法で形成された被膜は、前述の水銀
の悪影響を除去することができるが、しかしなが
らその被膜形成速度はa−Siの場合で0.025nm/
秒程度と遅く、実用化には程遠いものである。
ジシランからなる光化学反応性ガスに低圧水銀灯
の波長184.9nmの紫外線を照射することにより直
接光分解し、a−Siを基板上に堆積させる方法が
発表されている。(Jap.J.Appl.Phys.22(1983)
L46)この方法で形成された被膜は、前述の水銀
の悪影響を除去することができるが、しかしなが
らその被膜形成速度はa−Siの場合で0.025nm/
秒程度と遅く、実用化には程遠いものである。
そこで本発明の目的は、マイクロエレクトロニ
クス回路の形成プロセスに適用した際に水銀の悪
影響のないa−Siや二酸化硅素、窒化硅素などの
被膜を実用化可能な、十分に早い速度で形成する
方法を提供するものである。そしてその構成は、
放電エネルギーをQ(Joule)、有効放電体積をV
(cm3)、電流半値巾をt(msec)とした時、Q/
V・t≧102Joule/cm3・msecに制御して、この
条件下でヘリウムもしくは水素ガスから選ばれた
紫外線放射用放電ガスを閃光発光せしめ、この閃
光を光化学反応性ガスに照射して、光化学反応性
ガスの分解生成物よりなる膜を基板に形成させる
ことを特徴とするものである。
クス回路の形成プロセスに適用した際に水銀の悪
影響のないa−Siや二酸化硅素、窒化硅素などの
被膜を実用化可能な、十分に早い速度で形成する
方法を提供するものである。そしてその構成は、
放電エネルギーをQ(Joule)、有効放電体積をV
(cm3)、電流半値巾をt(msec)とした時、Q/
V・t≧102Joule/cm3・msecに制御して、この
条件下でヘリウムもしくは水素ガスから選ばれた
紫外線放射用放電ガスを閃光発光せしめ、この閃
光を光化学反応性ガスに照射して、光化学反応性
ガスの分解生成物よりなる膜を基板に形成させる
ことを特徴とするものである。
以下に図面に基いて本発明の実施例のいくつか
を説明する。
を説明する。
第1図において、閃光放電灯1はその両端に電
極2が配設され、その中央部の下方にフツ化リチ
ウムからなる窓3が設けられている。各数値の一
例をあげればこの閃光放電灯1の電極2,2間距
離Lが10cm、管内径Dは1cmであり、従つて有効
放電体積はπ/4・D2・L=8cm3であつて、電
源としては、放電用コンデンサーの容量が20π
F、放電電圧が10000V、従つて放電エネルギー
がQ=1000Jouleであり、尖高電流値の1/2の高さ
における時間巾である電流半値巾が0.2m・secに
制御されて放電される。閃光放電灯1内部には紫
外線放射用放電ガスが封入されており、その空間
が閃光発光する放電領域4を構成している。一
方、反応容器5内の中央部には支持台6に支持さ
れて基板7が配置されており、反応容器5の一方
からシランやジシランからなる光化学反応性ガス
ガスGが供給され、基板7は光化学反応性ガスG
によつて覆れた状態となつている。そして反応容
器5の中央部上方にはフツ化リチウムからなる窓
8が設けられているが、この窓8は閃光放電灯1
の窓3と距離dだけ離間して対向しており、閃光
放電により発生する紫外線が窓3,8を透過して
基板7に照射されるようになつている。従つて光
化学反応性ガスが紫外線領域9である反応容器5
内部で光分解されてその生成物が基板7上に堆積
されて被膜が形成される。閃光放電灯1内に放電
ガスとしてヘリウムガスを10Torrの圧力で封入
している場合は可視光以外にも200nm以下の紫外
線が強く放射され、シランやジシランは効率よく
光分解されて基板7上におよそ0.1nm/1回の速
度で被膜が形成される。従つて閃光発光のサイク
ルを3〜5回/秒程度にすると、被膜形成速度は
およそ0.4nm/秒となり、水銀光増感剤を使用し
ない前述の従来例に比べて16倍の大きな速度が得
られ、十分に実用に供し得る。
極2が配設され、その中央部の下方にフツ化リチ
ウムからなる窓3が設けられている。各数値の一
例をあげればこの閃光放電灯1の電極2,2間距
離Lが10cm、管内径Dは1cmであり、従つて有効
放電体積はπ/4・D2・L=8cm3であつて、電
源としては、放電用コンデンサーの容量が20π
F、放電電圧が10000V、従つて放電エネルギー
がQ=1000Jouleであり、尖高電流値の1/2の高さ
における時間巾である電流半値巾が0.2m・secに
制御されて放電される。閃光放電灯1内部には紫
外線放射用放電ガスが封入されており、その空間
が閃光発光する放電領域4を構成している。一
方、反応容器5内の中央部には支持台6に支持さ
れて基板7が配置されており、反応容器5の一方
からシランやジシランからなる光化学反応性ガス
ガスGが供給され、基板7は光化学反応性ガスG
によつて覆れた状態となつている。そして反応容
器5の中央部上方にはフツ化リチウムからなる窓
8が設けられているが、この窓8は閃光放電灯1
の窓3と距離dだけ離間して対向しており、閃光
放電により発生する紫外線が窓3,8を透過して
基板7に照射されるようになつている。従つて光
化学反応性ガスが紫外線領域9である反応容器5
内部で光分解されてその生成物が基板7上に堆積
されて被膜が形成される。閃光放電灯1内に放電
ガスとしてヘリウムガスを10Torrの圧力で封入
している場合は可視光以外にも200nm以下の紫外
線が強く放射され、シランやジシランは効率よく
光分解されて基板7上におよそ0.1nm/1回の速
度で被膜が形成される。従つて閃光発光のサイク
ルを3〜5回/秒程度にすると、被膜形成速度は
およそ0.4nm/秒となり、水銀光増感剤を使用し
ない前述の従来例に比べて16倍の大きな速度が得
られ、十分に実用に供し得る。
ところで、閃光発光において、紫外線の放射量
は、Q/V・tに依存するので、Q/V・tを要因とし
てとら え、十分な被膜形成速度が得られるように、Q/V・t も十分大きな値を採用することが良い。種々の実
験によれば、放電ガスがヘリウムおよび水素ガス
の場合は102Joule/cm3・msec以上で十分な効果
を得ることができる。
は、Q/V・tに依存するので、Q/V・tを要因とし
てとら え、十分な被膜形成速度が得られるように、Q/V・t も十分大きな値を採用することが良い。種々の実
験によれば、放電ガスがヘリウムおよび水素ガス
の場合は102Joule/cm3・msec以上で十分な効果
を得ることができる。
次にこれらの放電ガスにおいて、ある放電条件
で放射される紫外線の一例をあげれば、ヘリウム
では、Q=500Joule、T=0.05msec、電圧20KV
にて波長400〜100nmの紫外線が、水素では、Q
=500Joule、t=0.05msec、電圧20KVにて120〜
170nmの紫外線がそれぞれ強く照射された。そし
ていずれの場合も、1秒間に1〜5回のサイクル
で閃光発光させたのでa−Siの被膜は0.1〜
1.0nm/秒の範囲の速度で形成された。
で放射される紫外線の一例をあげれば、ヘリウム
では、Q=500Joule、T=0.05msec、電圧20KV
にて波長400〜100nmの紫外線が、水素では、Q
=500Joule、t=0.05msec、電圧20KVにて120〜
170nmの紫外線がそれぞれ強く照射された。そし
ていずれの場合も、1秒間に1〜5回のサイクル
で閃光発光させたのでa−Siの被膜は0.1〜
1.0nm/秒の範囲の速度で形成された。
ところで、紫外線は空気中での透過度が極めて
悪いため、第1図に示す実施例では窓3と窓8の
間隙dは出来るだけ小さい方が良く、実質上d=
0になるように近接させてある。従つて他の実施
例として第2図に示すように、放電領域4と反応
領域9とを一つの反応容器5内に設けると更に効
率を上げることができる。この実施例では放電領
域4と反応領域9とがフツ化リチウムの窓3を有
する区画板10で区画されているが、窓3はシー
ル15を介して締付金具16によりフランジ17
間に挾圧保持されており、締付金具16をめるめ
ることにより窓3を交換できるようになつてい
る。これは第1図に示す実施例では窓8の内面に
もa−Siが堆積して紫外線の透過を阻害すること
があるためであり、窓3を交換自在として、これ
にa−Siが堆積すると交換し、常に紫外線が容易
に透過し得る状態にすることができる。ところ
で、有効放電体積Vの計算は、第1図の実施例の
ように放電領域4が閃光放電灯1単体で構成され
ているときは、単純にπ/4・D2・Lで計算す
ることができるが、第2図の実施例のように反応
容器5に電極2を配設して放電領域4を構成した
場合は、電極2,2間の放電軸線の可視光の強度
が1/10に減衰する軸線に対して直角方向の距離を
放電半径として計算すればよい。但し、この放電
半径は軸線上の位置によつて異るのでその平均値
を採用する。一般に市販されている直管状の閃光
放電灯では放電半径は発光管内面にて規定されて
いるので、上記の可視光が1/10に減衰する平均距
離を直管状閃光放電灯の放電半径と近似的に同一
にみなすことができる。
悪いため、第1図に示す実施例では窓3と窓8の
間隙dは出来るだけ小さい方が良く、実質上d=
0になるように近接させてある。従つて他の実施
例として第2図に示すように、放電領域4と反応
領域9とを一つの反応容器5内に設けると更に効
率を上げることができる。この実施例では放電領
域4と反応領域9とがフツ化リチウムの窓3を有
する区画板10で区画されているが、窓3はシー
ル15を介して締付金具16によりフランジ17
間に挾圧保持されており、締付金具16をめるめ
ることにより窓3を交換できるようになつてい
る。これは第1図に示す実施例では窓8の内面に
もa−Siが堆積して紫外線の透過を阻害すること
があるためであり、窓3を交換自在として、これ
にa−Siが堆積すると交換し、常に紫外線が容易
に透過し得る状態にすることができる。ところ
で、有効放電体積Vの計算は、第1図の実施例の
ように放電領域4が閃光放電灯1単体で構成され
ているときは、単純にπ/4・D2・Lで計算す
ることができるが、第2図の実施例のように反応
容器5に電極2を配設して放電領域4を構成した
場合は、電極2,2間の放電軸線の可視光の強度
が1/10に減衰する軸線に対して直角方向の距離を
放電半径として計算すればよい。但し、この放電
半径は軸線上の位置によつて異るのでその平均値
を採用する。一般に市販されている直管状の閃光
放電灯では放電半径は発光管内面にて規定されて
いるので、上記の可視光が1/10に減衰する平均距
離を直管状閃光放電灯の放電半径と近似的に同一
にみなすことができる。
次に第3図は更に別の実施例を示すが、この実
施例では閃光発光する放電領域と光化学反応性ガ
スが光分解する反応領域とが区画されることな
く、従つて閃光発光がフツ化リチウムの窓などの
物体を透過することなく光化学反応性ガスを直射
するようにしたものである。第3図において、ス
テンレス製の反応容器5の上面中央に第1ガスパ
イプ11が、そして上面の両端近傍に2本の第2
ガスパイプ12がそれぞれ設けられており、第1
ガスパイプ11からシランやジシランなどの光化
学反応性ガスが、そして第2ガスパイプ12から
紫外線放射用放電ガスが供給される。反応容器5
の側面上方には一対の電極2が対向して配設さ
れ、電極2,2間の空間が放電領域4であるとと
もに反応領域9となつているが、電極2近傍の第
2ガスパイプ12から吹き出た放電ガスが光化学
反応性ガスと混合して放電領域4に所定量充満さ
れ、真空ポンプ13によつて反応容器5外に排出
される。更に、電極2の近傍には第3ガスパイプ
14が設けられ、電極保護用ガスが供給されるよ
うになつている。そして放電領域4の中央にはア
ルミナ製の支持台6が上下動可能に配設され、こ
の上に被膜が形成される基板7が載置される。
施例では閃光発光する放電領域と光化学反応性ガ
スが光分解する反応領域とが区画されることな
く、従つて閃光発光がフツ化リチウムの窓などの
物体を透過することなく光化学反応性ガスを直射
するようにしたものである。第3図において、ス
テンレス製の反応容器5の上面中央に第1ガスパ
イプ11が、そして上面の両端近傍に2本の第2
ガスパイプ12がそれぞれ設けられており、第1
ガスパイプ11からシランやジシランなどの光化
学反応性ガスが、そして第2ガスパイプ12から
紫外線放射用放電ガスが供給される。反応容器5
の側面上方には一対の電極2が対向して配設さ
れ、電極2,2間の空間が放電領域4であるとと
もに反応領域9となつているが、電極2近傍の第
2ガスパイプ12から吹き出た放電ガスが光化学
反応性ガスと混合して放電領域4に所定量充満さ
れ、真空ポンプ13によつて反応容器5外に排出
される。更に、電極2の近傍には第3ガスパイプ
14が設けられ、電極保護用ガスが供給されるよ
うになつている。そして放電領域4の中央にはア
ルミナ製の支持台6が上下動可能に配設され、こ
の上に被膜が形成される基板7が載置される。
上記構成の装置における操作例を示すと、基板
7は厚さ1mm、直径100mmのガラス板であつて、
第1ガスパイプ11からシランガスを2c.c./分、
第2ガスパイプ12から放電ガスとしてヘリウム
ガス1c.c./分の流量で供給し、電極2をタングス
テンで構成し、Q=1000Joule、t=0.05msec、
V=150cm3、即ちQ/V・t=133Joule/cm3・
msecに制御して、最大電流3KA、初期電圧
10KV、1回/秒の放電条件で閃光放電させる
と、基板7は放電のプラズマ中に取り囲まれ、そ
の表面には約1分間で36nmの厚さのa−Siが堆
積する。つまり、約0.6nm/秒の被膜形成速度で
基板7上にa−Siの膜を形成することができる。
7は厚さ1mm、直径100mmのガラス板であつて、
第1ガスパイプ11からシランガスを2c.c./分、
第2ガスパイプ12から放電ガスとしてヘリウム
ガス1c.c./分の流量で供給し、電極2をタングス
テンで構成し、Q=1000Joule、t=0.05msec、
V=150cm3、即ちQ/V・t=133Joule/cm3・
msecに制御して、最大電流3KA、初期電圧
10KV、1回/秒の放電条件で閃光放電させる
と、基板7は放電のプラズマ中に取り囲まれ、そ
の表面には約1分間で36nmの厚さのa−Siが堆
積する。つまり、約0.6nm/秒の被膜形成速度で
基板7上にa−Siの膜を形成することができる。
ところでこの実施例では水素またはヘリウム放
電からの170nm以下の放射光によつてシランが効
率よく光分解される訳であるが、シラン自体も放
電に寄与し、この放電によつてもa−Siの膜が形
成されることが知られている。しかし、水素また
はヘリウム放電を利用することなく、シラン自体
の放電のみによつて被膜を形成する場合は、供給
エネルギーが平均電力で3.3W/cm3のときの被膜
形成速度は0.1nm/秒程度であり、水素またはヘ
リウム放電を利用する本実施例では供給エネルギ
ーが平均電力で3.3W/cm3で被膜形成速度は
0.017nm/秒であつて、約6倍向上することが分
る。
電からの170nm以下の放射光によつてシランが効
率よく光分解される訳であるが、シラン自体も放
電に寄与し、この放電によつてもa−Siの膜が形
成されることが知られている。しかし、水素また
はヘリウム放電を利用することなく、シラン自体
の放電のみによつて被膜を形成する場合は、供給
エネルギーが平均電力で3.3W/cm3のときの被膜
形成速度は0.1nm/秒程度であり、水素またはヘ
リウム放電を利用する本実施例では供給エネルギ
ーが平均電力で3.3W/cm3で被膜形成速度は
0.017nm/秒であつて、約6倍向上することが分
る。
次に、光化学反応性ガスが光分解して生成され
るa−Siは、放電によつて生じる電子やイオンの
平均自由行程内で基板7以外の場所にも堆積する
が、長時間にわたつて装置を作動させると電極2
にも堆積し、電極2の性能を劣化させることがあ
るため、電極2の近傍に設けられた電極保護用ガ
ス供給機構である第3ガスパイプ14より保護用
ガスが吹き出され、これにより電極2への接近を
抑制するようになつている。もつとも、第3ガス
パイプ14を設けることなく、第2ガスパイプ1
2からの放電ガスが電極保護用ガスを兼ねるよう
に電極2の近傍から吹き出して放電領域4に拡が
るようにしてもよい。
るa−Siは、放電によつて生じる電子やイオンの
平均自由行程内で基板7以外の場所にも堆積する
が、長時間にわたつて装置を作動させると電極2
にも堆積し、電極2の性能を劣化させることがあ
るため、電極2の近傍に設けられた電極保護用ガ
ス供給機構である第3ガスパイプ14より保護用
ガスが吹き出され、これにより電極2への接近を
抑制するようになつている。もつとも、第3ガス
パイプ14を設けることなく、第2ガスパイプ1
2からの放電ガスが電極保護用ガスを兼ねるよう
に電極2の近傍から吹き出して放電領域4に拡が
るようにしてもよい。
他の実施例を述べるならば、光化学反応性ガス
として、シランやジシランを選び、そのガス中
に、更に、燐化水素、もしくは硼化水素もしくは
砒化水素を微量混入させておけばa−Siの被膜に
硼素や、燐、砒素をドープたものも得られる。
として、シランやジシランを選び、そのガス中
に、更に、燐化水素、もしくは硼化水素もしくは
砒化水素を微量混入させておけばa−Siの被膜に
硼素や、燐、砒素をドープたものも得られる。
上記実施例は、いづれも太陽電池や半導体素子
に利用されるa−Siや、或は、他の元素がドープ
されたa−Siの被膜形成例であるが、窒化硅素や
二酸化硅素のような絶縁膜の形成もできる。例え
ば、第1ガスパイプ11からシランを2c.c./分、
ヒドラジンを5c.c./分の流量で混合して流し、第
2ガスパイプ12から紫外線放射用放電ガスとし
てヘリウムガスを1c.c./分の流量で流し、Q=
500Joule、t=0.01msec、V=150cm3、即ちQ/
V・t=330に制御して1回/秒のサイクルで閃
光放電させると放電領域4中に配置された基板7
には窒化硅素の被膜が約3nm/秒の速度で形成さ
れる。このとき供給エネルギーは3.3W/cm3であ
つてインプツトされたエネルギーから考えてその
被膜形成速度は非常に優れたものである。そして
ヒドラジンの他に窒素、アンモニアなども使用で
きる。
に利用されるa−Siや、或は、他の元素がドープ
されたa−Siの被膜形成例であるが、窒化硅素や
二酸化硅素のような絶縁膜の形成もできる。例え
ば、第1ガスパイプ11からシランを2c.c./分、
ヒドラジンを5c.c./分の流量で混合して流し、第
2ガスパイプ12から紫外線放射用放電ガスとし
てヘリウムガスを1c.c./分の流量で流し、Q=
500Joule、t=0.01msec、V=150cm3、即ちQ/
V・t=330に制御して1回/秒のサイクルで閃
光放電させると放電領域4中に配置された基板7
には窒化硅素の被膜が約3nm/秒の速度で形成さ
れる。このとき供給エネルギーは3.3W/cm3であ
つてインプツトされたエネルギーから考えてその
被膜形成速度は非常に優れたものである。そして
ヒドラジンの他に窒素、アンモニアなども使用で
きる。
同様に、二酸化硅素のような絶縁被膜を形成す
る場合は、例えば第1ガスパイプ11よりシラン
を2c.c./分の流量で、第2ガスパイプ12より
N2Oガスを4c.c./分の流量で流して同様に閃光放
電すればよい。この様に光化学反応性ガス中に窒
素成分や酸素成分を添加したときに、もしこれら
の成分が電極2を劣化させる場合には電極保護用
ガスを流すか、もしくは閃光発光する放電領域4
と光分解する反応領域9とを区画した第1図や第
2図に例示した方法を採用すればよい。
る場合は、例えば第1ガスパイプ11よりシラン
を2c.c./分の流量で、第2ガスパイプ12より
N2Oガスを4c.c./分の流量で流して同様に閃光放
電すればよい。この様に光化学反応性ガス中に窒
素成分や酸素成分を添加したときに、もしこれら
の成分が電極2を劣化させる場合には電極保護用
ガスを流すか、もしくは閃光発光する放電領域4
と光分解する反応領域9とを区画した第1図や第
2図に例示した方法を採用すればよい。
なお、本実施例は被膜形成速度が大きい長所を
有するが、閃光放電の際に生じるイオンや電子が
被膜に取込まれて被膜特性を低下させることがあ
り、このような低下が問題となる場合は、被膜形
成速度を多少犠牲にしても、光化学反応性ガスと
基板7との距離をイオンや電子の平均自由行程よ
りも十分大きく取れば良い。
有するが、閃光放電の際に生じるイオンや電子が
被膜に取込まれて被膜特性を低下させることがあ
り、このような低下が問題となる場合は、被膜形
成速度を多少犠牲にしても、光化学反応性ガスと
基板7との距離をイオンや電子の平均自由行程よ
りも十分大きく取れば良い。
以上幾つかの実施例に基いて説明したように、
本発明は、紫外線を効率よく放射するように放電
ガスを、ヘリウムまたは水素ガスから選び、放電
エネルギーをQJoule、有効放電体積をVcm3、電
流半値巾をtmsecとしたときQ/V・t≧
102Joule/cm3・msecの如く制御して発光せし
め、該紫外線の閃光を光化学反応性ガスに照射
し、該反応性ガスの反応生成物よりなる膜を基板
に形成させるものであつて、マイクロエレクトロ
ニクス回路の形成プロセスに適用しても水銀の悪
影響がない被膜を非常に大きな速度で形成できる
被膜形成方法を提供することができる。
本発明は、紫外線を効率よく放射するように放電
ガスを、ヘリウムまたは水素ガスから選び、放電
エネルギーをQJoule、有効放電体積をVcm3、電
流半値巾をtmsecとしたときQ/V・t≧
102Joule/cm3・msecの如く制御して発光せし
め、該紫外線の閃光を光化学反応性ガスに照射
し、該反応性ガスの反応生成物よりなる膜を基板
に形成させるものであつて、マイクロエレクトロ
ニクス回路の形成プロセスに適用しても水銀の悪
影響がない被膜を非常に大きな速度で形成できる
被膜形成方法を提供することができる。
なお、本発明は、放電領域と反応領域を区画し
た特許請求の範囲第3項記載の方法、および両領
域を電子やイオンの平均自由行程よりも十分に分
離した第5項記載の方法において紫外線放射用放
電ガスとして水銀を微量添加することを除外する
ものではない。
た特許請求の範囲第3項記載の方法、および両領
域を電子やイオンの平均自由行程よりも十分に分
離した第5項記載の方法において紫外線放射用放
電ガスとして水銀を微量添加することを除外する
ものではない。
第1図、第2図、第3図はいずれも本発明の実
施例に使用される装置の断面図である。 1……閃光放電灯、2……電極、3,8……
窓、4……放電領域、5……反応容器、7……基
板、9……反応領域、10……区画板、11……
第1ガスパイプ、12……第2ガスパイプ、13
……真空ポンプ、14……第3ガスパイプ(電極
保護用ガス供給機構)。
施例に使用される装置の断面図である。 1……閃光放電灯、2……電極、3,8……
窓、4……放電領域、5……反応容器、7……基
板、9……反応領域、10……区画板、11……
第1ガスパイプ、12……第2ガスパイプ、13
……真空ポンプ、14……第3ガスパイプ(電極
保護用ガス供給機構)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 放電エネルギーをQ(Joule)、有効放電体積
をV(cm3)、電流半値巾をt(msec)とした時、 Q/Vt≧102Joule/cm3msec に制御して、この条件下でヘリウムもしくは水素
ガスから選ばれた紫外線放射用放電ガスを閃光発
光せしめ、この閃光を光化学反応性ガスに照射し
て、光化学反応性ガスの分解生成物よりなる膜を
基板に形成させることを特徴とする被膜形成方
法。 2 前記閃光が物体によつてさえぎられることな
く光化学反応性ガスを直射するよう構成された容
器内で発光される特許請求の範囲第1項記載の被
膜形成方法。 3 閃光発光する放電領域を含む空間と、光化学
反応性ガスが光分解する反応領域を含む空間とが
区画されている特許請求の範囲第1項記載の被膜
形成方法。 4 前記光化学反応性ガスと基板とが有効放電体
積内もしくはその近傍に位置した特許請求の範囲
第2項記載の被膜形成方法。 5 同一容器内に放電領域と基板が配置される反
応領域とを設け、両領域の間を閃光発光にともな
つて生ずる電子やイオンの平均自由行程よりも十
分に離れてなる特許請求の範囲第2項記載の被膜
形成方法。 6 電極近傍に電極保護用ガス供給機構が設けら
れて、そこより保護用ガスが供給される特許請求
の範囲第2項記載の被膜形成方法。 7 前記光化学反応性ガスがシリコンの水素化合
物を含む特許請求の範囲第1項記載の被膜形成方
法。 8 前記放電ガス中に、更に、砒素、燐、硼素の
内から選ばれた化合物の少なくとも一種を含む特
許請求の範囲第7項記載の被膜形成方法。 9 前記光化学反応性ガス中に更に窒素もしくは
アンモニアもしくは窒素酸化物を含む特許請求の
範囲第7項記載の被膜形成方法。 10 前記光化学反応性ガスが、シリコンの水素
化合物と酸素もしくは酸素の化合物を含む特許請
求の範囲第3項もしくは第6項記載の被膜形成方
法。 11 前記シリコンの水素化合物がシランもしく
はジシランである特許請求の範囲第7項記載の被
膜形成方法。 12 砒素、燐、硼素の化合物が夫々砒化水素、
燐化水素、硼化水素である特許請求の範囲第8項
記載の被膜形成方法。 13 前記放電ガスに水銀が含まれている特許請
求の範囲第3項または第5項記載の被膜形成方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9790083A JPS59225736A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 被膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9790083A JPS59225736A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 被膜形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59225736A JPS59225736A (ja) | 1984-12-18 |
JPS6152230B2 true JPS6152230B2 (ja) | 1986-11-12 |
Family
ID=14204608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9790083A Granted JPS59225736A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 被膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59225736A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6274084A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 周期構造膜の製造方法 |
-
1983
- 1983-06-03 JP JP9790083A patent/JPS59225736A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59225736A (ja) | 1984-12-18 |
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