JPS61500756A

JPS61500756A - アミノ基でブロックされたポリイソシアネートを基礎とする架橋剤を含有する陰極析出可能な水性分散液の製法

Info

Publication number: JPS61500756A
Application number: JP85500715A
Authority: JP
Inventors: ヤテス，ダグラス・エイ
Original assignee: モ−ビル・ソラ−・エナ−ジ−・コ−ポレ−ション
Priority date: 1983-12-19
Filing date: 1984-12-14
Publication date: 1986-04-17
Also published as: SE8503833D0; EP0167589A1; GB2162996B; SE456624B; AU574761B2; SE8503833L; WO1985002939A1; NL8420338A; DE3490612T1; AU3888685A; GB2162996A; EP0167589A4; CH669476A5; GB8515901D0

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の名称〕太陽電池の製造方法〔発明の背景〕本勤は、１９８３年１２月１９日出願の米国特許出願第５６３．０６１号の継続出龜である１９８４年１０月１０日出願の米国特許出願第６５９，２７９号の一部継続出願である。

本発厨は、光起電力電池（光電池）の製造法に関し、特に水素不動態化措置において生じる破壊表回層が最終的なめつき（鍍金）工程におけるめっきマスクとして用いられる多結晶シリコン太陽電池の改善された低コストの製造法に関する。

これまでは、シリコン太陽電池を製造する一般的な方法は、シリコン・ウェーハまたはリボンの前面に対して適当なビーパントを拡散し、前記前面に形成された保護のための誘電マスキングにあるグリッド電極パターンのエツチングを行ない、エツチングにより露出した全てのシリコン上にニッケルめっきを施し、このニッケルを銅およびスズで重ねめっきを行ない、前記前面から誘電マスキング層の残部を除去し、前面の新たに露出された部分に反射防止コーティングを施すことによｐＰＮ接合を形成する工程を含んでいる。

これらの製造工程は単結晶および多結晶質の両方のシリコンに対して等しく応用することができるが、コスト面の配慮から後者の方法で太陽電池を製造する方が望ましい。しかし、周知の如く、結晶粒境界における少数キャリアの損失、転位等の故に、多結晶シリコン太陽電池において達成される効率は一般に単結晶電池の場合よシも劣っている。このような状況は、水素の如き一価の元素を構造的な欠陥と関連する愁垂結合と結合するような構造を生じることによシ少数キャリアの再結合損失を最小限度に抑えることに↓つて改善された。

当技術において周知の如く、セルの処理シーケンスを構成する重要な考察は、水素の不動態化工程に続くどの工程における時間および温度の組合せもシリコンに装入される水素を再び不動態化基板から拡散させてはならないことである。このため、例えば、真空中で０．５時間にわたって６００℃の温度に曝された水素不動態化セルは略々全ての結合された水素を失い、その観察された電子ビームが生じたその時の活動度により明らかなように、その不動態化前のレベルに戻ることが判った。この点に関して、太陽電池の製造における接合点拡散工程が９００℃ 程度の温度を含むことが典型的であることに注目すべきである。

また、水素の不動態化措置は通常銅の如き卑金属を接合点から移動させるに充分な高温度までセルを加熱することによシ「ソフトな」ダイオード即ち短絡回路を生じることも判った。

Ｃ，Ｈ，Ｓｅａｇｅｒ　、　Ｄ、　Ｊ、　５ｈａｒｐ、　Ｊ＋に、　Ｇ、　Ｐａｎ１ｔｚ　およびＲ，Ｖ、　Ｄ’　Ａｉｅｌｌｃ者「真空科学および技術ジャーナル」第２０呑揖３号４３０〜４３５頁（１９８２年３月刊）に示されるように、多結晶シリコンの不動態化は、キロ電子ボルト単位の水素イオンビームの発生に用いられるカウフマン（Ｋａｕｆｍａｎ　）　１１１イオン発生ソースによって得ることができる。高いイオン・エネルギおよびフラックス（作用束）（例えば１乃至３ミリアンに７７口２）における比較的短い露出時間（例えば、０５乃至４分）の範囲が最適であると２、われる。このような露出が、もし基板が慎重に適当なヒートシンクに接触させられるならば、一般に基板の温度を少なくとも約２７５℃まで上昇させる結果となる。さもなければ、４００℃を超える＠度が容易に達成される。しかし、温度はシリコン・マトリックスに対する卑金属の急速な移動を避けるためには温度は約３００℃より低く制限されることが重要である。しかし、不動態化措置の間熱的制御を行なうための基板およびヒートシンクを手操作することは、容易にこのようなイオン供給源による高処理量の操作における速度の制限要因となる。その結果、低コスト、高処理量のプロセスを得るためにはヒートシンク操作を避けることが望ましい。

更に、経済的に作ることができるＥＦＧ法シリコン・リボンの場合には１表面の不規則性がヒートシンク操作を困難なものにする。

更にまた、水素の不動態化操作は基材のシリコン面が露出される時最も効率的である。このため、前面のグリッド電極パターンを画成するため用いられるどんなめっきマスクも不動態化操作前に除去されあるいはその後に付加されねばならない。

〔発明の目的〕

従って、本発明の目的は、水素の不動態化工程が高温度の処理工程の後であってしかも卑金属が構造中に含まれる前に行なわれる太陽電池の製造のための処理法の提供にある。

本発明の別の目的は、部分的に形成されたセルの前面の電極構造部の下側のシリコンおよびニッケル・シリコンの不動態化法を改善するため水素の不動態化工程を盛り込むことにある・本発明の更に別の目的は、不動態化措置の開基板のヒートシンク操作を行なう必要を回避するような方法でＥＦＧ法シリコン・リボンの太陽電池への処理工程に水素の不動態化工程を盛シ込むことにある。

〔発明の詳細な説明〕

上記および他の目的は、シリコン太陽電池の製造法として応用される如き望ましい実施態様において、就中下記の工程、即ち（１）浅い接合のシリコン・リボンの前面上にニッケル（もしくは類似の物質）の薄いグリッド電極パターンを形成し、（２）セルの接合側を水素不動態化措置を行ない、（３）　ニッケルを焼結して部分的にニッケルケイ酸塩を形成し、（４）別の金属をセルの金属で覆った部分に対してめっきし、（５）　シリコンの露出された面に無反射コーティングを施す工程を含むプロセスによって実現される。その後、シリコンを更に処理し、例えば電気回路に結合するよう調製する。

あるいは別のプロセスにおいては、不動態化操作の間サンプルの加熱はニッケル焼結工程のためのエネルギを提供する。

このような製造法はいくつかの主な特徴を肩する。第１に、本出願人は、水素の不動態化操作の間、衝突する水素イオンが変成面上への浸漬めっきにより金属のめっきを妨げるようにシリコン・ウェーハの表面を変成することを発見した。その結果、前面のグリッド電極ノミターンを面取するため最初に用いためつき用マスクは、最初の金属層が基板上にめっきされた後除去することができる。不動態化はこの時露出されたシリコンの基層上に行なわれ、不動態化はセルの性能を改善するのみならず、表面層の変成においても以降の浸漬めっき工程における二次めっきマスクとして作用する。その結果、露出したシリコン基板の不動態化は、浸漬めっきのメタライズ処理に先立って余計なマスキング工程を必要とすることなく卑金属の添付の前に行なうことができる。更に、本出願人はまた不動態化がニッケルの如き金属の薄い層にわたって生じ得ることが判った。このように、前面Ｏ電極の最初の薄いニッケルめっきの下方のシリコンとニッケルケイ酸塩の不動態化を行なうことができる。

本発明の他の目的については一部は明らかであろうし、また一部は以下本文において明らかになるでろろう。従って、不発明は、いくつかの工程と、以下の詳細な開示において例示される他の各々に関する１つ以上のかかる工程の関連からなり、またその応用の範囲については請求の範囲において示される。

〔図面の簡単な説明〕

本発明の性質および目的を更によく理解できるように、本発明の望ましい実施態様に従って太陽電池の製造に際して含まれる多くの工程を示す図面と共に以下の詳細な記述を照合されたい。

全ての図面）でおいては、同じ照合番号は同じ構造部を示している。

図面において、いくつかのコーティングおよび領域の厚さおよび深さは、図示の便のため一定の尺度に従うものでなく、かつその相対的な比率に正確に従う尺度で示されるものではない。

〔発明の詳細な説明〕

次に図面においては、本発明の望ましい実泥態様は、ＥＦＧ法で成長させたＰ型接合のシリコン・リボンから太陽電池を製造する方法に関する。この実施態様においては１部分的に完成したセル１を出発片として提供される。部分的に完成したセル１は、その片側に比較的浅い接合４（約３，０００乃至７，０００人単位の深さ）が設けられたＰ型の導電性シリコン・リボンから形成されることが望ましい基板２と、Ｎｑの導電領域６と。

マスク８とを有する。マスク８は、ニッケルの如き金属が僅かに接着する材料（例えば、籾電体）からなシ、基板２の前面の各部を多くの分岐したグリッド９電極（例えば、１つの電極は米国特許第３，６８６，０３６号に示された形態を有する）のパターンに露出させる形態を呈する。この基板の反対側（以下本文においては、「後側」と呼ぶ）は、基板に対して合金化したアルミニウム層１０とＰ＋領域１２とが設けられることが望ましい。

このＰ＋領域１２は、約１乃至５μの範囲の深さを有することが望ましい。

部分的に完成したセル１は、当技術において公知の多くの手段のいずれかによって製造することができる。伺えば、接合４および領域６はリンの拡散によってＰ型のシリコン基［２に形成することができ、マスク８はフォトリングラフ法または印刷法によってその前面に形成することができる。層１０およびＰ＋領域１２は、基板の後側を蒸発によシ除去可能なテルピネオールの如き揮発性の有機性の担体中のアルミニウム粉からなるアルミニウムイースト層でコーティングし、次に奉板を加熱してペーストの揮発性もしくは熱分解可能な有機化合物を除去して基板に対してアルミニウムを合金化してＰ＋領域を形成することによ多形成することができる。しかし、他の形態の基板、接合および後側の電極、および他の製造方法も同様に部分的に完成したセルｌの提供のため使用することもできる。

このような予め調製された部材から始めて、基板の両側を最初にニッケルでめっきし、ニッケルの接着性析出がアルミニウム層１０の全域にわたって部材の後側にニッケル層１４を形成するが、前面側のニッケルの接着性析出はマスク８を介して露出された領域上においてのみ基板２の直接表面上に層１６を形成する。

ニッケル層１４と１６のめつきは色々な方法で行なうことができる。周知の無電解作用即ち浸漬めっき法、例えばＫ　Ｐａｔｅ：Ｌ等の米国特許第４，３２１，２８３号に記載されたものと類似の浸漬めっき法によって行なわれることが望ましい。本文においては、用語「無電解めっき法」とは、外部から加えられる電界を使用することなく還元剤を保有する浴によるめっき法を指し、また用語「浸漬めっき法」とは外部から加えられる電界を使用することなく対象物を還元剤を保有しないめっき浴中に浸漬することによシ金属をめっきするプロセスを意味し、めっきとは置換作用を含む。

予備的工程として、洗浄されたシリコン基板の表面を適当な薬品を用いて予め活性化される。この予備活性法は、シリコンの表面がそれ自体無電解めっき法を支持せず、未処理の表面上にめっきされたニッケルは一般にこれに対して僅かに接着するため望ましいものである。活性剤としては、塩化プラチナ、塩化スズ−塩化パラジウム、あるいは％ｊえば米国特許第３．４８９，６０３号に示されるような他の周知の活性剤でもよいが、塩化金が活性剤として使用される。その後、シリコン・リボンの両側は、望ましくは、前記米国特許第４，３２１，２８３号において記載した水溶液浴もしくはｐＨが約２９であるニッケルサルファメートとアンモニウムフッ化物の水溶液浴中で、約２乃至６分の期間略々室温においてリボンの浸漬めっき法によりニッケル層で覆われる。

この段階において、マスク８は基板２から剥離される。マスクの性質に従って、この剥離は、例えば緩衝液エツチングの使用による等公知の多くの方法のいずれかで行なうことができる。

マスクを除去した結果、基板２の前面はニッケル層１６で形成されたグリッド電極パターンに沿って露出される。

次に、セルは水素により不動態化される。望ましい方法としては、基板２（およびニッケル層１６）の前面が、基板から約１５ｃ７ｎの位置に置かれたカウフマン型（広いビームの）イオン・ソースの水素イオンビームに対して露出される。

このイオン・ソースは、約２０乃至５０ミリトール（水素）の範囲内つ圧力において毎分２５乃至４０５ｃｃＱｉの水素流量で、ソースと基板間で約１．７００ＤＣボルトの電位において、また基板において約１乃至３ミリアン〈ア／ｃｒｎ２の範囲内のビーム量を以て作動することが望ましい。約１乃至４分のに小時間が、Ｅ１’Ｇ法シリコンセルの場合（約２０乃至８０μの深さ、即ち接合４の深さの約１００倍で不動態化区域を提供する）において、同時に基板２の露出てれた部分に対して約２００Ｘ単位の深さで変成された表面層１８を提供しながら典型的に経験される少数キャリアの再結合損失を最小限度に抑えるために共に充分であることが判った。また、イオン・ビームを５０％の使用サイクルにおいて断続・ξルスを生じるため機械的シャッタを用いた結果、不動態化操作の間基板の＠度上昇が最小限度に抑えられることも判った。

変成表面層１８の正確な性質に知られていない。しかし、結晶構造がやや崩壊されたシリコンは一部がイオン・ビームから水素を取ってＳｉＨまたはＳ　Ｉ　Ｈ２を形成するが、物質はおそらくはアモルファスである破壊相であると考えられる。所要の変成表面層の形成のためには真空系内で少量の炭素または１つ以上の炭化水素が必要とされる。最初に組立てられたように、使用されたカウフマンのイオン・ソースは直径が約１３ｃｍ（５インチ）のグラファイトの支持段が設けられ、その上に典型的には５乃至１０ｃｍ（２乃至４インチ）の基板が片側の中央に配置される。このグラファイト段の代シにシリコン支持段を設ける場合には、グラファイト段が使用された場合のように形成される変成層はめつきマスクとしては形成しない。これに基づいて、グラファイト股上の水素イオン・ビームの衝突によシ生じる炭素または炭化水素が基板の表面上の誘電層の形成を強化するという仮説がなされた。その性質の如何に拘らず、約１４００乃至１７００ボルトの範囲内の加速電圧および１分間という楚い露出時間によるこの過程により生じた変成表面層１８はニッケル層１６間のシリコン基板のそれ以降の浸漬めっきを阻止するに充分であることが判った。

次に、基板を不活性ガス即ち窒素雰囲気内でニッケル層を焼結して基板の前面におけるニッケル層１６を隣接するシリコンと反応させてニッケルケイ酸塩のオーミック接触を形成するに充分な時間ある温度まで加熱される。この目的のため、基板は約１５乃至４０分間約３００℃の温度まで加熱されることが望ましい。このため、ニッケルケイ酸塩層２０に対してニッケル層１６と基板２間の空隙に約２００Ｘ単位の深さを生じる。後側のニッケル層１４はアルミニウム層１０との合金を形成する。

この焼結工程の温度は、温度が高くなるに伴ってシリコンに対するニッケル層１６の過度の浸透を生じるため、３００℃を大きく越えてはならない。この熱処理は１だ、もし形反ガス申（窒素９５％および水素５％）で行なわれるならば、ニッケル層１６に対し緩く結合した水素を剥離させることによりそれ以降のめっきの接着力を強化するように思われる。

これに続いて、層１４と１６のニッケルは高温の薄い硝酸によるエツチング作用を受け、その後超音波況浄が行なわれて過剰量のニッケルを基板の両面から除去する。このニッケルのエツチングは過剰量のニッケルを除去する許シでなく、焼結工程中すほの後９・ｊに形成されたニッケルとアルミニウムの合金の一部の除去をも行なう。ニッケルのエツチング工程の後、層１４はアルミニウム電極層１０上に重なるニッケルーアルミニウム合金層を特徴とするが１層１６は予め選択されたグリッド電極パターンと対応するニッケルケイ酸塩層２０を露出させるため剥離される。

その後、ニッケルケイ酸塩層２０とニッケルーアルミニウムライズされて、適当な接触状態を提供する。このようなメタライズ工程において、基板２の変成された表面層１８はめっきマスクとして作用して金属が既に付着したニッケルケイ酸塩層２０の−ξターン間で基板の表面に対して接着することを阻止する。この別のメタライズ工程が層１４．２０に対するニッケルの第２の層の付着をもたらすことが必須０要件ではないが望ましい。更に別のニッケル層がニッケル層１４．１６の形成と関連して上記の方法において浸漬めっき法にょシ添着されるが、これは浸漬めっき法によ、？ニッケル層１４．１６上には付着するが変成面１８には付着しないためである。その直後に、１つ以上の銅の層が（浸漬めっき法および（または→電気めっき法により、ｌた轟技術において周知の諸技術によって）露出されたニッケルに河し基板の両側に添着されてニッケル層に対して結合し、またこれによりこれらの層を酸化から保護し、かつ高い導電性を保証する。銅メッキを行なうために変成表面層１８にマスクを設ける必要はない。これは鍋が変成層に接着しないためである。その後、できたものは周知の目的のため他の処理を受けることがでさる、例えば、スズおよびはんだ層を前に添着した金属層上に連続的に添着することもできる。メタライズ工程に続いて、セルの縁部（口承せず）を整え、無反射コーティング２６がセルの前面に対して添着される。この後者の工程は、多くの公知の方法、例えばＴｌＯ２の化学的な蒸着法等によって行なうことができる。あるいはまた、無反射コーティング２６は、シリコン亜硝酸塩のプラズマ析出法により形成することができる。

事例として１本発明を実施する望ましい方法は、各工程毎に詳細に述べた望ましい方法においてかつ前述のシーケンスにおいて前述の如き個々の工程を実施することからなる。

本発明の望ましい方法は、詳細に述べた個々の望ましい工程を冥胎し１．これらの工程は本文に示した順序において実施されることが判るであろう。

ＥＦＧ法で成長したリボンから上記の工程ＩＣ従って作られた太陽電池は平均効率において１０乃至２０％の増加を呈することが判った。更に、このような物質の場合に、水素不動態化工程はまた電池の効率の分布を著しく狭めることも判った。

上記のプロセスは他の多くのオリ点を有する。第１に、浸漬めっき法、例えば上記の如きニッケルめっき法による以降のめっきのだめのマスクとして水素の不動態化操作の間生じる基板の変成表面層の使用に際して、本方法はこのような以降のメタライズ工程に先立って露出した基板の不動態化措置を可能にする。

このため、清潔な基板の不動態化操作（めっきのマスク層を介する不動態化操作の代りに）を可能にし、（不動態化操作中の卑金属から生じる）「ソフトな」即ち短絡状態の電池を避け。

かつこれ以上のマスキング工程を必要としないため浸漬めっき法に：る不動態化とその後のメタライズ工程間の諸工程の経済性を図るものである。前記の水素不動態化領域はまた浸漬めっき法または電気めっき法による銅の付着を妨げるマスクとしても作用する。更にまた、薄い層の前面の電極物質を介して不動態化措置を施すことにより、最初のニッケル層の厚さが予め基板もまた同様に不動態化措置を行なうことができる。また、本発明の方法が、電池の以降の処理が不動態化操作の効果に悪影響を及はさない電池の製造の段階、における不動態化操作を含むものであることも理解されよう。

本文に述べた本発明の範囲から逸脱することなく多くの変更が本プロセスに対して行なうことができることが理解されよう。

このため、望ましい実施態様；（おいてはニッケル焼結工程１２不動態化工程に続いて行なわれたが、この焼結工程は不動態化操作の直前に行なうこともできる。このような場合には、浅い接合の電池の場合には、適当なヒートシンクによる基板の熱管理の肩無に拘らず、ニッケルケイ酸塩の接合に対する移動の阻止を保証するため短いイオン・ビーム露出が望ましい。このような制御はまた他のケイ化物（ＮｉＳｉまたはＮ１５ｔ。）ではなくＮｉ□Ｓ１を生じ、これによシケイ化物の分子当シ比教的少ないシリコンを包含し、ケイ化物によるＮ十領域の完全な浸透の阻止を保証する。また、もしニッケルの焼結操作が不動態化操作の前に行なわれるならば、緩く結合した水素をこれ以上の処理に先立ってニッケルの追出しのため不動態化操作に続く焙焼工程を必要とする場合もあることが理解されよう。

また、不動態化操作の間電池の加熱がニッケルの焼結工程の少なくとも一部を行うため使用することができることも明らかであろう。

また更に、本発明の方法の望ましい実施態様は前にめっきされたニッケルを除いて以降の＆漬ニッケルめっき部をマスクするため水素の不動態化操作によシ形成される変成表面層を利用するものであるが、本方法はニッケル以外の他の金属と共に使用することもできる。例えば、当業者には理解されるように、浅い接合のシリコン素子における前面の電極の最初の層は当業者には周知つ種々の方法において、オーミック接触を（望ましくは低い温度において）形成しかつ以降の工程で付着される鍋もしくは他の年金属の拡散に対する障壁として作用し得る多くの反応が比較的小さなどんな物質でもめつきすることによって付着することができる。銅と共に使用される適当な金属には。

パラジウム、プラチナ、コバルト、ロジウム、ならびにニッケルが含まれる。これらの物質は全てケイ化物を形成するが、ケイ化物層は必ずしも必須ではない。

しかし、最初の金属層が適正に接着してオーミック接触をもたらし、後に付着される金属の移動に対する障壁として作用し、かつ接合自体に対する著しい移動を生じないことが重要である。

熱論、本発明によシ提供されるプロセスはＥＦＧ法の基板からの太陽電池の製造に限定されるものではない。従って、例えば、鋳造された多結晶のライン基鈑、冶金処理レベルのシリコン上のエピタキシャル・シリコンもしくは化学的また（２物理的な蒸着法１てよシ形成された繊細レベルのポリシリコン層を本発明によるＤＮＳの比較的高い太陽電池の形成のため用いることができる。また、本プロセスは単結晶シリコンに対して適用可能である。また更に１本プロセスはＮ型ならびにＰ型接合物質を用いて実施することもできる。

本文に含まれる本発明の範囲から逸脱することなく上記のプロセスにおいて上記および他の変更が可能であるため、本文の記述および図面に含まれる全ての事柄は例示であって限定の意味に解釈されるべきものではない。

国隙ｖ４食報告

Claims

【特許請求の範囲】

１．ソリツドステート半導体素子を製造する方法において、（ａ）第１と第２の対向する面を有するシリコン基板を提供し、（ｂ）ある強さの水素イオン・ビームに対して、選択された金属が僅かに接着する前記第１の面上にある表面層を形成するに充分なある期間だけ前記第１の面の選択された領域を露出し、および（ｃ）前記の選択された領域を除く前記第１の面を前記の選択された金属の少なくとも１つのメタライズ処理する工程をこの順序で含む方法。
２．前記第１の面と隣接する前記基板の接合を形成する工程を含む請求の範囲第１項記載の方法。
３．前記素子が光起電力電池であり、前記第１の面に対して無反射コーテイングを添着する工程を含む請求の範囲第１項記載の方法。
４．前記メタライズ処理が、ニツケル、パラジウム、コバルト、プラチナおよびロジウムを含む金属のグループから選択された金属を用いて行衣われる請求の範囲第１項記載の方法。
５．ソリツドステート半導体素子を製造する方法において、（ａ）第１と第２の対向する面を有し、かつ前記第１の面と隣接する接合と前記第１の面の選択された部分を露出するめつきマスクとを有するシリコン基板を提供し、（ｂ）前記第２の面に対してアルミニウムのコーテイングを添着し、（ｃ）前記アルミニウムのコーテイングのアルミニウムを前記シリコン基板と合金化させるに充分な時間前記シリコン基板をある温度に加熱し、（ｄ）ニツケルのコーテイングを前記第１の面の前記の選択された部分に添着させ、（ｅ）前記めつきマスクを除去し、（ｆ）ある強さの水素イオン・ビームに対して、選択された導電性金属が値かに接着する前記第１の面上にある表面層を形成するに充分なある期間だけ前記第１の面を露出し、（ｇ）前記の選択された領域における前記ニツケルとシリコンがその境界においてニツケルケイ酸塩を形成するため反応するように前記ニツケル・コーテイングを焼結し、および（ｈ）前記ニツケルとアルミニウムのコーテイングを前記の導電性金属の少なくとも１つの層により覆う工程をこの順序で含む方法。
６．前記の少なくとも１つの層が、（ａ）結合されないニツケルを除去するためエツチヤントにより前記ニツケル・コーテイングと接触させ、および（ｂ）前記ニツケル・コーテイングを銅で更に覆うことにより添着される請求の範囲第５項記載の方法。
７．前記第１の面に対する前記無反射コーテイングの添着の工程を含む請求の範囲第５項記載の方法。
８．前記水素イオン・ビームに対して前記基板を更に露出する工程が、前記基板の少数キヤリア損失を波少させるに充分な時間と強さである請求の範囲第５項記載の方法。
９．ソリツドステート半導体素子を製造する方法において、（ａ）第１と第２の対向する面を有し、かつ前記第１の面と隣接する接合と前記第１の面の選択された部分を露出するめつきマスクとを有するシリコン基板を提供し、（ｂ）前記第１の面の前記の選択された部分に対してニツケルのコーテイングを添着し、（ｃ）前記めつきマスクを除去し、（ｄ）ある弦さの水素イオン・ビームに対して、金属か僅かに接着する前記第１の面上にある表面層を形成するに充分なある期間だけ前記第１の面を露出し、（ａ）前記の選択された領域における前記ニツケルとシリコンがその境界においてニツケルケイ酸塩を形成するため反応する上うに前記ニツケル・コーテイングを焼結し、および（ｆ）前記ニツケル・コーテイングを少なくとも１つの別の導電性金属層により覆う工程をこの順序で含む方法。
１０．前記の少なくとも１つの別の導電性金属層が浸漬めつき法により形成されるニツケル履からなる請求の範囲第９項記載の方法。
１１．前記めつき法がニツケル酸塩とフツ化物のイオンからなる浴を用いる請求の範囲第１０項記載の方法。
１２．前記の少なくとも１つの別の導電性金属層が、浸漬めつき法または電気めつき法により形成される１層の銅からなる請求の範囲第７項記載の方法。