JPS6149521A - スイツチ回路 - Google Patents
スイツチ回路Info
- Publication number
- JPS6149521A JPS6149521A JP59172010A JP17201084A JPS6149521A JP S6149521 A JPS6149521 A JP S6149521A JP 59172010 A JP59172010 A JP 59172010A JP 17201084 A JP17201084 A JP 17201084A JP S6149521 A JPS6149521 A JP S6149521A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- npn transistor
- diode
- base
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/042—Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0422—Anti-saturation measures
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、高速動作でTTLY直接駆動可能にしたス
イッチ回路に関するものである。
イッチ回路に関するものである。
第1図は従来の高速スイッチ回路を示すものである。
′ 第1図において、■1は電源を示す入力電圧、R+、R
2は第1.第2の抵抗体(以下、第1゜第2.・・・・
・・は省略し単に抵抗体という。他の符号についても同
様とする。ま7j、 R+ r R2+ ・・・・・
・はその抵抗値をも表わ丁。)、Q、はスイッチ用のN
PN トランジスタ、vccは電源電圧、■は出力端子
である。
′ 第1図において、■1は電源を示す入力電圧、R+、R
2は第1.第2の抵抗体(以下、第1゜第2.・・・・
・・は省略し単に抵抗体という。他の符号についても同
様とする。ま7j、 R+ r R2+ ・・・・・
・はその抵抗値をも表わ丁。)、Q、はスイッチ用のN
PN トランジスタ、vccは電源電圧、■は出力端子
である。
次に動作について説明する。
第1図忙おい箋、入力電圧V1=V、が印加さnると、
NPNトランジスタQ+のパシ弓1←ゆベースVCはベ
ース電流IBlが流n、 トtx ル(7,: r L、■+ > Vmg+ a
Vmz+ 4’:CN P N トランジスタQ、の
ベース・エミッタ順方向電圧である)。
NPNトランジスタQ+のパシ弓1←ゆベースVCはベ
ース電流IBlが流n、 トtx ル(7,: r L、■+ > Vmg+ a
Vmz+ 4’:CN P N トランジスタQ、の
ベース・エミッタ順方向電圧である)。
また、ベース電流Illが次の第(2)式ン満丁時、N
PNトランジスタQ、は導通し”ON”となる。
PNトランジスタQ、は導通し”ON”となる。
にgし、h□、はNPNトランジスタQ、の電離増幅率
、■cE8、はコレクタ・エミッタ間の飽和電圧である
。
、■cE8、はコレクタ・エミッタ間の飽和電圧である
。
この時、出力端子Tの電圧■T は
vT ”VC1!81 ・・・・・・・・・・・・
・・・・・・−・・・・−・(3)となる。
・・・・・・−・・・・−・(3)となる。
次に、入力電圧v11に〇の時、ベース電流IB+二〇
となり、NPN トランジスタQ、はカットオフとなり
、 vT =voc ・・・・・・・・・・・・・・・
・・ ・・・・・・・・・(4)となり、入力電圧vI
11の大きさに応じてNPNトランジスタQ、は0N1
0FFのスイッチ動作ケする。
となり、NPN トランジスタQ、はカットオフとなり
、 vT =voc ・・・・・・・・・・・・・・・
・・ ・・・・・・・・・(4)となり、入力電圧vI
11の大きさに応じてNPNトランジスタQ、は0N1
0FFのスイッチ動作ケする。
従来の回路において、前記第(2)式を満に丁“ON”
状態のとき、NPNトランジスタQ、は飽和する。この
為、NPNトランジスタQ+ のベース内で多数キャリ
アが残る為、入力電圧V、、=OとなってNPNトラン
ジスタQ、がOFF″”に反転する時、前記多数キャリ
ア?再結合するのに必要な時間は長(、この時間が遅f
時間の太半乞占め、高速動作が必要とさnるときは性能
上達成できないというような欠点があった。
状態のとき、NPNトランジスタQ、は飽和する。この
為、NPNトランジスタQ+ のベース内で多数キャリ
アが残る為、入力電圧V、、=OとなってNPNトラン
ジスタQ、がOFF″”に反転する時、前記多数キャリ
ア?再結合するのに必要な時間は長(、この時間が遅f
時間の太半乞占め、高速動作が必要とさnるときは性能
上達成できないというような欠点があった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
為になさnたもので、NPN トランジスタがON”の
時に飽和しないようにしにスイッチ回路ヶ提供するもの
である。以下、この発明の一実施例を図面乞用いて説明
する。
為になさnたもので、NPN トランジスタがON”の
時に飽和しないようにしにスイッチ回路ヶ提供するもの
である。以下、この発明の一実施例を図面乞用いて説明
する。
第2図はこの発明の一実施例を示す回路図であ゛る。
第2図において、DI、D2は前記NPNトランジスタ
Q、のベースに直列に接続さ7’L f、−タイオード
である。また、ダイオードD1 の1ノードと抵抗体8
10間の端子′I!:To として、この端子T。
Q、のベースに直列に接続さ7’L f、−タイオード
である。また、ダイオードD1 の1ノードと抵抗体8
10間の端子′I!:To として、この端子T。
より電路を2つに分岐し、その一方の電路に前述したダ
イオードD + 、Dz、’r 2測置列に接続し、そ
の先端のダイオードD2のカソードをスイッチ用のNP
、NトランジスタQ、のベースに接続し、また、分岐し
た電路の他方にけNPN トランジスタQ2のコレクタ
と抵抗体R4の一端に接続さn、NPNトランジスタQ
2のベースと抵抗体R,の他端と抵抗体R8の一端が接
続さn、NPNトランジスタQ2のエミッタと抵抗体R
sの他端とダイオードD、のアノードが接続さrl、ダ
イオードD3のカソードはNPNトランジスタQ、のコ
レクタに接続さjlている。このタイオードD3はNP
NトランジスタQ1が” OF F ”時の回り込み防
止用のダイオードで、NPN トランジスタQ2゜抵抗
体Rs、Raは定電圧を発生させる為のものである。
イオードD + 、Dz、’r 2測置列に接続し、そ
の先端のダイオードD2のカソードをスイッチ用のNP
、NトランジスタQ、のベースに接続し、また、分岐し
た電路の他方にけNPN トランジスタQ2のコレクタ
と抵抗体R4の一端に接続さn、NPNトランジスタQ
2のベースと抵抗体R,の他端と抵抗体R8の一端が接
続さn、NPNトランジスタQ2のエミッタと抵抗体R
sの他端とダイオードD、のアノードが接続さrl、ダ
イオードD3のカソードはNPNトランジスタQ、のコ
レクタに接続さjlている。このタイオードD3はNP
NトランジスタQ1が” OF F ”時の回り込み防
止用のダイオードで、NPN トランジスタQ2゜抵抗
体Rs、Raは定電圧を発生させる為のものである。
第3図、第4図は第2図の動作説明図であり、以下第3
図、第4図を用いて第2図の動作ケ説明する。
図、第4図を用いて第2図の動作ケ説明する。
第2図において、入力電圧Vい=VBが印加さnると、
NPNトランジスタQ+<流nるベースlIL流より□
は である。rs r L、Vow + Va2に’f:
、 f イt −)−C+ +D2の順方向電圧である
。この時、NPNトランジスタQ、のコレクタ・エミッ
タ間の電圧VT ’?:約0.4〜0.5v程度に設定
すると、導通時でも一非飽和で高速動作させることがで
きる。ここで、NPNトランジスタQ、のベース電流■
B3はとなり、NPN トランジスタQ2+ ダイオ
ードD3に流nる電流IB4は IB4 ” ll12 IBg ・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・(7)となり、NPNトラ
ンジスタQ2のコレクタ・エミッタ間電圧vcE2
は となる。Lxし、NPNトランジスタQ2の電流増幅率
tlfe2は、hget > 1で、ペース電流は無視
できるものとする。この時、抵抗体H3,R4に流fる
電流■Rは となり、NPNトランジスタQ2のフレフタ電流IC2
は・ IC2” IR4IR ・・・・・・・・・・・・(10) となる。
NPNトランジスタQ+<流nるベースlIL流より□
は である。rs r L、Vow + Va2に’f:
、 f イt −)−C+ +D2の順方向電圧である
。この時、NPNトランジスタQ、のコレクタ・エミッ
タ間の電圧VT ’?:約0.4〜0.5v程度に設定
すると、導通時でも一非飽和で高速動作させることがで
きる。ここで、NPNトランジスタQ、のベース電流■
B3はとなり、NPN トランジスタQ2+ ダイオ
ードD3に流nる電流IB4は IB4 ” ll12 IBg ・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・(7)となり、NPNトラ
ンジスタQ2のコレクタ・エミッタ間電圧vcE2
は となる。Lxし、NPNトランジスタQ2の電流増幅率
tlfe2は、hget > 1で、ペース電流は無視
できるものとする。この時、抵抗体H3,R4に流fる
電流■Rは となり、NPNトランジスタQ2のフレフタ電流IC2
は・ IC2” IR4IR ・・・・・・・・・・・・(10) となる。
次に゛第3図を用いて、瑞子T、−T間に発生する電圧
の説明乞する。
の説明乞する。
曲線(A)はダイオードD3の順方向特性、曲線(B)
はNPNトランジスタQ、のコレクタ・エミッタ間電圧
Vc、2 の順方向特性1曲線(A+B)はNPNトラ
ンジスタQ零、ダイオードD3が直列接続さn、、rs
状態の順方向特性であり、前記第(社)ン式で求め7j
Iciが、Ici>Iceの時、NPNトランジスタQ
2、ダイオード03は定電圧領域に入つており、その電
圧vT−Toは、 となり、動作点はP、 K位置する。なお、Iceは
第3図における定電圧領域における最小コレクタ電流を
示す。
はNPNトランジスタQ、のコレクタ・エミッタ間電圧
Vc、2 の順方向特性1曲線(A+B)はNPNトラ
ンジスタQ零、ダイオードD3が直列接続さn、、rs
状態の順方向特性であり、前記第(社)ン式で求め7j
Iciが、Ici>Iceの時、NPNトランジスタQ
2、ダイオード03は定電圧領域に入つており、その電
圧vT−Toは、 となり、動作点はP、 K位置する。なお、Iceは
第3図における定電圧領域における最小コレクタ電流を
示す。
第4図乞用いて出力電圧vT乞求める。第2図の端子T
。の電圧はVToユ3vB、2となり、その電位より第
(11)式で求め7CV T−T 11の電位だけ低く
なり、 VT =V、O−V丁−,。
。の電圧はVToユ3vB、2となり、その電位より第
(11)式で求め7CV T−T 11の電位だけ低く
なり、 VT =V、O−V丁−,。
となる。動作点は1/R2で示す破線との交点P2とな
る。
る。
ココテ、V 5g2 ” 700 m Ve Rs ”
4 KΩ、R4=10にΩに選ぶとき、第(12)式
に代入してvTよ420mVとなり、次段のTTLv”
OFF″にすることは可能である。
4 KΩ、R4=10にΩに選ぶとき、第(12)式
に代入してvTよ420mVとなり、次段のTTLv”
OFF″にすることは可能である。
次に、第2図においてvIn=0が印加さnると、NP
NトランジスタQ、はオフとなる。次段のTTLY″O
N″にすることは可能でスイッチ回路として充分な動作
をする。
NトランジスタQ、はオフとなる。次段のTTLY″O
N″にすることは可能でスイッチ回路として充分な動作
をする。
以上説明L 7Cよ5Vc、この発明は、第1の抵抗体
の一端を入力電圧に接続し、この第1の抵抗体の他端よ
り電路を2つに分岐し、その一方の電路に第1.第2の
ダイオードを直列接続してその端部Zスイッチ用の第1
のNPljトランジスタのベース忙接続し、この第1の
NPNトランジスタのエミッタを接地し、また、前記分
岐し定電路の他端は第2のNPNトランジスタのコレク
タと第4の抵抗体の一端VC接続し、前記第2のNPN
トランジスタのベースと第4の抵抗体の他端に第3の抵
抗体の一端を接続し、前記第2のNPNトランジスタの
エミッタと第3の抵抗体の他端と第3のダイオードのア
ノードを接続し、前記第3のダイオードのカソードと、
第1のNPN トランジスタのコレクタと第2の抵抗体
の一端を接続し、この第2の抵抗体の他端と電源端子を
接続しているので、次段でTTLy!l−駆動させると
き高速動作させることができ、民生用、産業用の分野に
幅広(用いることができる。まL、集積回路に構成する
とき、ショットギトランジスタが不要となるので、安価
な標準プロセスにより、高速のスイッチ回路第1図は従
来のスイッチ回路図、第2図はこの乞a成できる利点が
ある。
の一端を入力電圧に接続し、この第1の抵抗体の他端よ
り電路を2つに分岐し、その一方の電路に第1.第2の
ダイオードを直列接続してその端部Zスイッチ用の第1
のNPljトランジスタのベース忙接続し、この第1の
NPNトランジスタのエミッタを接地し、また、前記分
岐し定電路の他端は第2のNPNトランジスタのコレク
タと第4の抵抗体の一端VC接続し、前記第2のNPN
トランジスタのベースと第4の抵抗体の他端に第3の抵
抗体の一端を接続し、前記第2のNPNトランジスタの
エミッタと第3の抵抗体の他端と第3のダイオードのア
ノードを接続し、前記第3のダイオードのカソードと、
第1のNPN トランジスタのコレクタと第2の抵抗体
の一端を接続し、この第2の抵抗体の他端と電源端子を
接続しているので、次段でTTLy!l−駆動させると
き高速動作させることができ、民生用、産業用の分野に
幅広(用いることができる。まL、集積回路に構成する
とき、ショットギトランジスタが不要となるので、安価
な標準プロセスにより、高速のスイッチ回路第1図は従
来のスイッチ回路図、第2図はこの乞a成できる利点が
ある。
発明の一実施例によるスイッチ回路、第3図、第4図は
第2図の動作説明のための特性曲線図である。 図中、R,−R,t2抵抗体、v、fiit入力電圧、
、Q、、Q、はNPNトランジスタ
、01〜D3はダイオードである。 なお、図中の同一符号は同一まy:は相当部分を示す。 代理人 大岩 増 雄 (外2名)第1図 第3図 第4図 ccm 1、事件の表示 特願昭59−.172010号2
、発明の名称 スイッチ回路 3、補正をする者 5、補正の対象 図面 6、補正の内容 第3図を別紙のように補正する。 以 上
第2図の動作説明のための特性曲線図である。 図中、R,−R,t2抵抗体、v、fiit入力電圧、
、Q、、Q、はNPNトランジスタ
、01〜D3はダイオードである。 なお、図中の同一符号は同一まy:は相当部分を示す。 代理人 大岩 増 雄 (外2名)第1図 第3図 第4図 ccm 1、事件の表示 特願昭59−.172010号2
、発明の名称 スイッチ回路 3、補正をする者 5、補正の対象 図面 6、補正の内容 第3図を別紙のように補正する。 以 上
Claims (1)
- 第1の抵抗体の一端を入力電圧に接続し、この抵抗体の
他端より電路を2つに分岐し、その一方の電路に第1、
第2のダイオードを直列接続してその端部をスイッチ用
の第1のNPNトランジスタのベースに接続し、この第
1のNPNトランジスタのエミッタを接地し、また、前
記分岐した他方の電路に第2のNPNトランジスタのコ
レクタと第4の抵抗体の一端を接続し、前記第2のNP
Nトランジスタのベースと前記第4の抵抗体の他端に第
3の抵抗体の一端を接続し、前記第2のNPNトランジ
スタのエミッタと前記第3の抵抗体の他端と第3のダイ
オードのアノードを接続し、この第3のダイオードのカ
ソードと、第1のNPNトランジスタのコレクタと第2
の抵抗体の一端を接続し、さらに前記第2の抵抗体の他
端を電源端子に接続したことを特徴とするスイッチ回路
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59172010A JPS6149521A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | スイツチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59172010A JPS6149521A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | スイツチ回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6149521A true JPS6149521A (ja) | 1986-03-11 |
Family
ID=15933849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59172010A Pending JPS6149521A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | スイツチ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6149521A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0277306U (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-13 | ||
US5481216A (en) * | 1994-05-31 | 1996-01-02 | National Semiconductor Corporation | Transistor drive circuit with shunt transistor saturation control |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP59172010A patent/JPS6149521A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0277306U (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-13 | ||
US5481216A (en) * | 1994-05-31 | 1996-01-02 | National Semiconductor Corporation | Transistor drive circuit with shunt transistor saturation control |
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