JPS6148205A - ミキサ - Google Patents
ミキサInfo
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- JPS6148205A JPS6148205A JP17078884A JP17078884A JPS6148205A JP S6148205 A JPS6148205 A JP S6148205A JP 17078884 A JP17078884 A JP 17078884A JP 17078884 A JP17078884 A JP 17078884A JP S6148205 A JPS6148205 A JP S6148205A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- gate
- drain
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
- H03D7/125—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes with field effect transistors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波帯に使用することができる、モノ
リシック集積回路化に適した、電界効果トランジスタを
用いたミキサに関する。
リシック集積回路化に適した、電界効果トランジスタを
用いたミキサに関する。
従来の技術
マイクロ波帯、例えば、１２ＧＨｚ帯に使用する、電界
効果トランジスタを用いたミキサとして、従来、第７図
及び第８図に示すものが提案されている。
効果トランジスタを用いたミキサとして、従来、第７図
及び第８図に示すものが提案されている。
第７図は３極（シングルゲート型）の１個の電界効果ト
ランジスタを用いたもので、ＧａＡｓで構成された３極
の電界効果トランジスタＦのゲートＧ側に近接して配さ
れた２本のマイクロストリップライン３０Ｍ及び３０Ｓ
からなる方向性結合器（ディレクショナルカプラ）３０
が設けられ、マイクロストリップライン３０Ｍの一端が
コンデンサＣ３０を介して電界効果トランジスタＦのゲ
ートＧに接続され、マイクロストリップライン３０Ｓの
一端が５０Ωの抵抗Ｒを介して接地され、マイクロスト
リップライン３０Ｍの他端に受信信号ＲＦが供給され、
マイクロストリップライン３０Ｓの他端に局発信号Ｌ
Ｏが供給される。電界効果トランジスタＦのゲートＧに
は抵抗Ｒｇを介してバイアス電圧−ＶＧが供給され、ソ
ースＳは接地され、ドレインＤにはマイクロ波回路とし
て構成されたバイパスフィルタ３５を介して動作電源電
圧ＶＤＤが供給され、ドレインＤからマイクロ波回路と
して構成されたローパスフィルタ３３及びマツチング回
路３４を介して中間周波信号ＩＦが取り出される。
ランジスタを用いたもので、ＧａＡｓで構成された３極
の電界効果トランジスタＦのゲートＧ側に近接して配さ
れた２本のマイクロストリップライン３０Ｍ及び３０Ｓ
からなる方向性結合器（ディレクショナルカプラ）３０
が設けられ、マイクロストリップライン３０Ｍの一端が
コンデンサＣ３０を介して電界効果トランジスタＦのゲ
ートＧに接続され、マイクロストリップライン３０Ｓの
一端が５０Ωの抵抗Ｒを介して接地され、マイクロスト
リップライン３０Ｍの他端に受信信号ＲＦが供給され、
マイクロストリップライン３０Ｓの他端に局発信号Ｌ
Ｏが供給される。電界効果トランジスタＦのゲートＧに
は抵抗Ｒｇを介してバイアス電圧−ＶＧが供給され、ソ
ースＳは接地され、ドレインＤにはマイクロ波回路とし
て構成されたバイパスフィルタ３５を介して動作電源電
圧ＶＤＤが供給され、ドレインＤからマイクロ波回路と
して構成されたローパスフィルタ３３及びマツチング回
路３４を介して中間周波信号ＩＦが取り出される。
第８図は４極（デュアルゲ−１・型）の１個の電界効果
トランジスタを用いたもので、受信信号ＲＦ及び局発信
号Ｌ Ｏがマツチング回路３１及び３２を介しコンデン
４ＪＣ３１及びＣ３２を介してＧａＡｓで構成された４
極の電界効果トランジスタＤＦの第１ゲートＧ、及び第
２ゲー）Ｇ２に供給される。電界効果ｌ・ランジスタＤ
Ｆの第１ゲートＧＩ及び第２ゲートＧ２には電圧−Ｖの
抵抗分割により得られるバイアス電圧ＶＧ、及びＶＯ２
が供給され、ソースＳは接地され、ドレインＤにはマイ
クロ波回路として構成されたバイパスフィルタ３５を介
して動作電源電圧ＶＤＤが供給され、ドレインＤからマ
イクロ波回路として構成されたローパスフィルタ３３及
びマツチング回路３４を介して中間周波信号ＩＦが取り
出される。
トランジスタを用いたもので、受信信号ＲＦ及び局発信
号Ｌ Ｏがマツチング回路３１及び３２を介しコンデン
４ＪＣ３１及びＣ３２を介してＧａＡｓで構成された４
極の電界効果トランジスタＤＦの第１ゲートＧ、及び第
２ゲー）Ｇ２に供給される。電界効果ｌ・ランジスタＤ
Ｆの第１ゲートＧＩ及び第２ゲートＧ２には電圧−Ｖの
抵抗分割により得られるバイアス電圧ＶＧ、及びＶＯ２
が供給され、ソースＳは接地され、ドレインＤにはマイ
クロ波回路として構成されたバイパスフィルタ３５を介
して動作電源電圧ＶＤＤが供給され、ドレインＤからマ
イクロ波回路として構成されたローパスフィルタ３３及
びマツチング回路３４を介して中間周波信号ＩＦが取り
出される。
発明が解決しようとする問題点
しかし、これら従来のミキサは、モノリシック集積回路
化には適するものの、３極の電界効果トランジスタＦま
たは４極の電界効果トランジスタＤＦのドレインＤにソ
ースＳに対して所定の動作電源電圧ＶＤＤを供給してド
レインＤに所定の動作電流を流すことによりミキシング
動作をさせる必要があり、その分の消費電力を必要とす
る不都合がある。
化には適するものの、３極の電界効果トランジスタＦま
たは４極の電界効果トランジスタＤＦのドレインＤにソ
ースＳに対して所定の動作電源電圧ＶＤＤを供給してド
レインＤに所定の動作電流を流すことによりミキシング
動作をさせる必要があり、その分の消費電力を必要とす
る不都合がある。
本発明は、かかる点に鑑み、電界効果トランジスタのド
レインに直流動作電流を流さなくても受信信号が正の変
換利得をもって中間周波信号に周波数変換される所期の
ミキシング動作がなされるようにして、低消費電力化を
はかった、マイクロ波帯に使用することができる、モノ
リシック集積回路化に適した、新規なミキサを提供する
ものである。
レインに直流動作電流を流さなくても受信信号が正の変
換利得をもって中間周波信号に周波数変換される所期の
ミキシング動作がなされるようにして、低消費電力化を
はかった、マイクロ波帯に使用することができる、モノ
リシック集積回路化に適した、新規なミキサを提供する
ものである。
問題点を解決するための手段
本発明では、３極の２個の電界効果トランジスタを設け
、第１の電界効果トランジスタのドレインと第２の電界
効果トランジスタのソースを共通に接続してアイランド
部を形成し、第１の電界効果トランジスタのソースと第
２の電界効果トランジスタのドレインを同じ電圧にし、
即ら第２の電界効果トランジスタのトレインに第１の電
界効果１−ランジスタのソースに対して零の電圧を与え
、第１の電界効果トランジスタのケートに受信信号を供
給し、第２の電界効果トランジスタのゲートに局発信号
を供給して、第１の電界効果トランジスタのトレインと
第２の電界効果トランジスタのソースの接続点のアイラ
ンド部から中間周波信号を取り出すようにする。
、第１の電界効果トランジスタのドレインと第２の電界
効果トランジスタのソースを共通に接続してアイランド
部を形成し、第１の電界効果トランジスタのソースと第
２の電界効果トランジスタのドレインを同じ電圧にし、
即ら第２の電界効果トランジスタのトレインに第１の電
界効果１−ランジスタのソースに対して零の電圧を与え
、第１の電界効果トランジスタのケートに受信信号を供
給し、第２の電界効果トランジスタのゲートに局発信号
を供給して、第１の電界効果トランジスタのトレインと
第２の電界効果トランジスタのソースの接続点のアイラ
ンド部から中間周波信号を取り出すようにする。
作用
」二記の構成によれば、第１の電界効果トランジスタの
ゲートと第２の電界効果ｌ−ランジスタのゲ−ｌ−に各
々所定範囲のバイアス電圧を供給することによって、受
信信号が正の変換利得をもって中間周波信号に周波数変
換される所期のミキシング動作を行わせることができる
。このことは、後述のように実験により確認された。
ゲートと第２の電界効果ｌ−ランジスタのゲ−ｌ−に各
々所定範囲のバイアス電圧を供給することによって、受
信信号が正の変換利得をもって中間周波信号に周波数変
換される所期のミキシング動作を行わせることができる
。このことは、後述のように実験により確認された。
実施例
第１図は本発明のミキサの一例で、それぞれＧａＡｓで
構成されたＮチャンネルのディプリーション型の３極（
シングルゲート型）の２個の電界効果トランジスタＦ１
及びＦ２が設けられ、第１の電界効果トランジスタＦ１
のドレインＤＩと第２の電界効果トランジスタＦ２のソ
ースＳ２が共通に接続されてアイランド部Ｉが形成され
る。第１の電界効果トランジスタＦ１のソースＳ１は接
地され、かつ第２の電界効果トランジスタＦ２のドレイ
ンＤ２も接地される。即ち、第２の電界効果トランジス
タＦ２のドレインＤ２の電圧ＶＤＤが第１の電界効果ト
ランジスタＦ１のソースＳ１の電圧と同じく接地電位に
される。第１及び第２の電界効果トランジスタＦ１及び
Ｆ２のゲートＧ１及びＧ２には電圧−■の抵抗分割によ
り得られるバイアス電圧ＶＧＩ及びＶＯ２が供給される
。
構成されたＮチャンネルのディプリーション型の３極（
シングルゲート型）の２個の電界効果トランジスタＦ１
及びＦ２が設けられ、第１の電界効果トランジスタＦ１
のドレインＤＩと第２の電界効果トランジスタＦ２のソ
ースＳ２が共通に接続されてアイランド部Ｉが形成され
る。第１の電界効果トランジスタＦ１のソースＳ１は接
地され、かつ第２の電界効果トランジスタＦ２のドレイ
ンＤ２も接地される。即ち、第２の電界効果トランジス
タＦ２のドレインＤ２の電圧ＶＤＤが第１の電界効果ト
ランジスタＦ１のソースＳ１の電圧と同じく接地電位に
される。第１及び第２の電界効果トランジスタＦ１及び
Ｆ２のゲートＧ１及びＧ２には電圧−■の抵抗分割によ
り得られるバイアス電圧ＶＧＩ及びＶＯ２が供給される
。
そして、受信信号ＲＦ及び局発信号ＬＯがマツチング回
路１及び２を介しコンデンサＣ１及びＣ２を介して第１
及び第２の電界効果トランジスタＦ１及びＦ２のゲー）
Ｇｌ及びＧ２に供給され、第１の電界効果トランジスタ
Ｆ１のドレインＤＩと第２の電界効果トランジスタＦ２
のソースＳ２の接続点のアイランド部■からマイクロ波
回路として構成されたローパスフィルタ３及びマツチン
グ回路４を介して中間周波信号ＩＦが取り出される。
路１及び２を介しコンデンサＣ１及びＣ２を介して第１
及び第２の電界効果トランジスタＦ１及びＦ２のゲー）
Ｇｌ及びＧ２に供給され、第１の電界効果トランジスタ
Ｆ１のドレインＤＩと第２の電界効果トランジスタＦ２
のソースＳ２の接続点のアイランド部■からマイクロ波
回路として構成されたローパスフィルタ３及びマツチン
グ回路４を介して中間周波信号ＩＦが取り出される。
かかる構成によると、第１及び第２の電界効果ｌ・ラン
ジスタＦ１及びＦ２のゲー１− Ｇ １及びＧ２に供給
されるバイアス電圧ＶＧＩ及びＶＯ２を所定範囲に選定
することによって、受信信号ＲＦが正の変換利得をもっ
て中間周波信号ＩＦに周波数変換される所期のミキシン
グ動作を行わせることができる。このことは、以下に詳
述するように実験により確認、された。
ジスタＦ１及びＦ２のゲー１− Ｇ １及びＧ２に供給
されるバイアス電圧ＶＧＩ及びＶＯ２を所定範囲に選定
することによって、受信信号ＲＦが正の変換利得をもっ
て中間周波信号ＩＦに周波数変換される所期のミキシン
グ動作を行わせることができる。このことは、以下に詳
述するように実験により確認、された。
第２図はその実験回路で、高周波特性か良好な比誘電率
が２．６のガラス入りのテフロンからなる基板ｔｏ−ｈ
にミキサ集積回路２０が配される。ミキサ集積回路２０
は、前述のＧａＡｓで構成されたＮチャンネルのディプ
リーション型の３極の２個の電界効果トランジスタＦ１
及びＦ２が半導体集積回路としてパッケージ内に組み込
まれたもので、第３図に示すように第１の電界効果１ラ
ンジスタＦ１のゲートＧｌ、第２の電界効果トランジス
タＦ２のゲートＧ２．第１の電界効果トランジスタＦ１
のソース３１．アイランド部Ｉ及び第２の電界効果トラ
ンジスタＦ２のドレインＤ２に外部端子が設？、ｆられ
ており、第１の電界効果トランジスタＦ１のソースＳ１
の外部端子が接地される。
が２．６のガラス入りのテフロンからなる基板ｔｏ−ｈ
にミキサ集積回路２０が配される。ミキサ集積回路２０
は、前述のＧａＡｓで構成されたＮチャンネルのディプ
リーション型の３極の２個の電界効果トランジスタＦ１
及びＦ２が半導体集積回路としてパッケージ内に組み込
まれたもので、第３図に示すように第１の電界効果１ラ
ンジスタＦ１のゲートＧｌ、第２の電界効果トランジス
タＦ２のゲートＧ２．第１の電界効果トランジスタＦ１
のソース３１．アイランド部Ｉ及び第２の電界効果トラ
ンジスタＦ２のドレインＤ２に外部端子が設？、ｆられ
ており、第１の電界効果トランジスタＦ１のソースＳ１
の外部端子が接地される。
基板１０には、ミキサ集積回路２ｏのゲートＧ１及びＧ
２の外部端子側において３ｏΩのマイクロストリップラ
インＳＬＩ及びＳ Ｌ ２と５０Ωのマイクロストリッ
プラインＳＬ５及びＳＬ６が形成され、ミキサ集積回路
２０のアイランド部■の外部端子側において３０Ωのマ
イクロストリップラインＳ Ｌ ３と５０Ωのマイクロ
ストリップラインＳ Ｌ ４が形成され、ラインＬ５に
よりマイクロストリップラインＳＬ５に接続されるアイ
ランドＩ５がマイクロストリップラインＳＬ５に対して
受信信号の１７４波長の距離を隔てて形成され、ライン
Ｌ６によりマイクロストリップラインＳ Ｌ ６に接続
されるアイランドＩ６がマイクロストリップラインＳ
Ｌ ６に対して局発信号の１／４波長の距離を隔てて形
成され、またアイランドＩ７が形成される。アイランド
■７は２０ｐＦのコンデンサＣ１９を介して接地される
。そして、マイクロストリップラインＳＬＩ及びＳＬ５
の対向する一端が０．５ｐＦのコンデンサＣ１ｌを介し
て接続され、マイクロストリップラインＳＬ２及びＳ
１．、６０対向する一端が０．５９ＦのコンデンサＣＩ
２を介しで接続され、マイクロストリップラインＳ Ｌ
３及びＳＬ４の対向する一端が２０９Ｆのコンデンサ
Ｃ１３を介して接続され、マイクロストリップラインＳ
ＬＩ、ＳＬ２及びＳ Ｌ ４の他端が基板１０の端部に
設けられる端子１１．１２及び１３に接続され、マイク
ロストリ・ノブラインＳＬ５．ＳＬ６及びＳ Ｌ ３の
他端がミキサ集積回路２０のゲー１−Ｇｌ、Ｇ２及びア
イランド部Ｉの外部端子に接続され、アイランドｒ５及
び■６が基板１０の端部に設けられる端子１５及び１６
に接続され、アイランド■７がミキサ集積回路２０のド
レインＤ２の外部端子と基板１０の端部に設けられる端
子１７に接続される。Ｆ１５．Ｆ１６及びＣ１７はそれ
ぞれ１０００ｐＦの貫通バイパスコンデンザである。
２の外部端子側において３ｏΩのマイクロストリップラ
インＳＬＩ及びＳ Ｌ ２と５０Ωのマイクロストリッ
プラインＳＬ５及びＳＬ６が形成され、ミキサ集積回路
２０のアイランド部■の外部端子側において３０Ωのマ
イクロストリップラインＳ Ｌ ３と５０Ωのマイクロ
ストリップラインＳ Ｌ ４が形成され、ラインＬ５に
よりマイクロストリップラインＳＬ５に接続されるアイ
ランドＩ５がマイクロストリップラインＳＬ５に対して
受信信号の１７４波長の距離を隔てて形成され、ライン
Ｌ６によりマイクロストリップラインＳ Ｌ ６に接続
されるアイランドＩ６がマイクロストリップラインＳ
Ｌ ６に対して局発信号の１／４波長の距離を隔てて形
成され、またアイランドＩ７が形成される。アイランド
■７は２０ｐＦのコンデンサＣ１９を介して接地される
。そして、マイクロストリップラインＳＬＩ及びＳＬ５
の対向する一端が０．５ｐＦのコンデンサＣ１ｌを介し
て接続され、マイクロストリップラインＳＬ２及びＳ
１．、６０対向する一端が０．５９ＦのコンデンサＣＩ
２を介しで接続され、マイクロストリップラインＳ Ｌ
３及びＳＬ４の対向する一端が２０９Ｆのコンデンサ
Ｃ１３を介して接続され、マイクロストリップラインＳ
ＬＩ、ＳＬ２及びＳ Ｌ ４の他端が基板１０の端部に
設けられる端子１１．１２及び１３に接続され、マイク
ロストリ・ノブラインＳＬ５．ＳＬ６及びＳ Ｌ ３の
他端がミキサ集積回路２０のゲー１−Ｇｌ、Ｇ２及びア
イランド部Ｉの外部端子に接続され、アイランドｒ５及
び■６が基板１０の端部に設けられる端子１５及び１６
に接続され、アイランド■７がミキサ集積回路２０のド
レインＤ２の外部端子と基板１０の端部に設けられる端
子１７に接続される。Ｆ１５．Ｆ１６及びＣ１７はそれ
ぞれ１０００ｐＦの貫通バイパスコンデンザである。
端子Ｉ５には、従って、ミキサ集積回路２ｏの前述の第
１の電界効果トランジスタＦ１のゲートＧ１にはバイア
ス電圧ＶＧＩが供給される。端子１６には、従ってミキ
サ集積回路２ｏの前述の第２の電界効果トランジスタＦ
２のゲートＧ２にはバイアス電圧ＶＣ２が供給される。
１の電界効果トランジスタＦ１のゲートＧ１にはバイア
ス電圧ＶＧＩが供給される。端子１６には、従ってミキ
サ集積回路２ｏの前述の第２の電界効果トランジスタＦ
２のゲートＧ２にはバイアス電圧ＶＣ２が供給される。
また、端子１７は接地される。即ち、ミキサ集積回路２
ｏの前述の第２の電界効果トランジスタＦ２のドレイン
Ｄ２の電圧ＶＤＤは第２の電界効果トランジスタＦ１の
ソースＳ１の電圧と同しく接地電位にされる。そして、
受信信号ＲＦの信号′ａ２５がマツチング回路２１を介
して端子１１に接続され、従って受信信号ＲＦがマツチ
ング回路２１．マイクロストリップラインＳＬＩ、
コンデンサＣ１ｌ及びマイクロストリップラインＳ Ｌ
５を介して前述の第１の電界効果トランジスタＦ１の
ゲートＧ１に供給される。また、局発信号Ｌ Ｏの信号
源２６がマツチング回路２２を介して端子１２に接続さ
れ、従って局発信号ＬＯがマツチング回路２２．マイク
ロストリップラインＳ Ｌ ２ 、 コンデンサＣＩ
２及びマイクロストリップラインＳ Ｌ ６を介して前
述の第２の電界効果トランジスタＦ２のゲー１−０２に
供給される。そして、端子１３がマイクロ波回路として
構成されたローパスフィルタ２３を介して出力端子２４
に接続され、従って前述の第１の電界効果トランジスタ
Ｆ１のドレインＤ１と第２の電界効果トランジスタＦ２
のソースＳ２の接続点のアイランド部■からマイクロス
Ｉ・リソプラインＳｌ、３．コンデンサＣ１３，マイク
ロストリップラインＳ １．、４及びローパスフィルタ
２３を介して出力端子２４に中間周波信号ＩＦが取り出
される。
ｏの前述の第２の電界効果トランジスタＦ２のドレイン
Ｄ２の電圧ＶＤＤは第２の電界効果トランジスタＦ１の
ソースＳ１の電圧と同しく接地電位にされる。そして、
受信信号ＲＦの信号′ａ２５がマツチング回路２１を介
して端子１１に接続され、従って受信信号ＲＦがマツチ
ング回路２１．マイクロストリップラインＳＬＩ、
コンデンサＣ１ｌ及びマイクロストリップラインＳ Ｌ
５を介して前述の第１の電界効果トランジスタＦ１の
ゲートＧ１に供給される。また、局発信号Ｌ Ｏの信号
源２６がマツチング回路２２を介して端子１２に接続さ
れ、従って局発信号ＬＯがマツチング回路２２．マイク
ロストリップラインＳ Ｌ ２ 、 コンデンサＣＩ
２及びマイクロストリップラインＳ Ｌ ６を介して前
述の第２の電界効果トランジスタＦ２のゲー１−０２に
供給される。そして、端子１３がマイクロ波回路として
構成されたローパスフィルタ２３を介して出力端子２４
に接続され、従って前述の第１の電界効果トランジスタ
Ｆ１のドレインＤ１と第２の電界効果トランジスタＦ２
のソースＳ２の接続点のアイランド部■からマイクロス
Ｉ・リソプラインＳｌ、３．コンデンサＣ１３，マイク
ロストリップラインＳ １．、４及びローパスフィルタ
２３を介して出力端子２４に中間周波信号ＩＦが取り出
される。
以」二の実験回路において、第１の電界効果ｌ・ランジ
スクＦ１のケー１−Ｇｌに供給されるバイアス電圧ＶＧ
１に対する変換利得Ｇｃの関係を測定したところ、第４
図に示すような結果を得た。ただし、第２の電界効果ト
ランジスタＦ２のゲートＧ２に供給されるバイアス電圧
ＶＣ２が−４，０Ｖ、受信信号ＲＦの周波数が１２．０
Ｇ Ｈｚ、注入パワーが−２０ｄ Ｂｍ、局発信号の周
波数が１１．０Ｇ Ｈｚ、注入パワーが＋１３ｄＢｍ、
中間周波信号ＩＦの周波数が１．０ＧＨｚの場合である
。これより明らかなように、上の条件のもとにおいては
、バイアス電圧ＶＧＩが−０，７７Ｖのときに変換利得
Ｇｃが最大の＋４．７ｄＢになり、バイアス電圧ＶＧＩ
が一〇、７７Ｖの前後の一定範囲のときに変換利得Ｇｃ
が正になる。
スクＦ１のケー１−Ｇｌに供給されるバイアス電圧ＶＧ
１に対する変換利得Ｇｃの関係を測定したところ、第４
図に示すような結果を得た。ただし、第２の電界効果ト
ランジスタＦ２のゲートＧ２に供給されるバイアス電圧
ＶＣ２が−４，０Ｖ、受信信号ＲＦの周波数が１２．０
Ｇ Ｈｚ、注入パワーが−２０ｄ Ｂｍ、局発信号の周
波数が１１．０Ｇ Ｈｚ、注入パワーが＋１３ｄＢｍ、
中間周波信号ＩＦの周波数が１．０ＧＨｚの場合である
。これより明らかなように、上の条件のもとにおいては
、バイアス電圧ＶＧＩが−０，７７Ｖのときに変換利得
Ｇｃが最大の＋４．７ｄＢになり、バイアス電圧ＶＧＩ
が一〇、７７Ｖの前後の一定範囲のときに変換利得Ｇｃ
が正になる。
同し実験回路において、第２の電界効果トランジスタＦ
２のゲートＧ２に供給されるバイアス電圧ＶＣ２に対す
る変換利得Ｇｃの関係を測定したところ、第５図に示す
ような結果を得た。ただし、第１の電界効果トランジス
タＦ１のゲートＧ１に供給されるバイアス電圧ＶＧＩが
−０，７７Ｖで、他の条件が上述と同じ場合である。こ
れより明らかなように、バイアス電圧ＶＧ２の絶対値が
大きくバイアスが深くなるにつれて変換利得Ｇｃがほぼ
単調に増大し、バイアス電圧ＶＧ２が一４ｖ以下のとき
に変換利得Ｇｃが最大の＋４．７ｄＢになる。
２のゲートＧ２に供給されるバイアス電圧ＶＣ２に対す
る変換利得Ｇｃの関係を測定したところ、第５図に示す
ような結果を得た。ただし、第１の電界効果トランジス
タＦ１のゲートＧ１に供給されるバイアス電圧ＶＧＩが
−０，７７Ｖで、他の条件が上述と同じ場合である。こ
れより明らかなように、バイアス電圧ＶＧ２の絶対値が
大きくバイアスが深くなるにつれて変換利得Ｇｃがほぼ
単調に増大し、バイアス電圧ＶＧ２が一４ｖ以下のとき
に変換利得Ｇｃが最大の＋４．７ｄＢになる。
さらに、局発信号Ｌ Ｏの注入パワーＰｏに対する変換
利得Ｇｃの関係を測定したところ、第６図に示すような
結果を得た。ただし、バイアス電圧ＶＧＩが−０，７７
Ｖ、バイアス電圧ＶＧ２が−４，ＯＶで、他の条件が上
述と同じ場合である。
利得Ｇｃの関係を測定したところ、第６図に示すような
結果を得た。ただし、バイアス電圧ＶＧＩが−０，７７
Ｖ、バイアス電圧ＶＧ２が−４，ＯＶで、他の条件が上
述と同じ場合である。
以上のように、第２の電界効果トランジスタＦ２のドレ
インＤ２の電圧ＶＤＤが第１の電界効果トランジスタＦ
１のソースＳ１の電圧と同じく接地電位で、第１及び第
２の電界効果トランジスタＦ１及びＦ２のドレインＤＩ
及びＤ２に直流動作電流が流れなくても、受信信号ＲＦ
が中間周波信号ＩＦに周波数変換されるミキシング動が
なされるのは、第１及び第２の電界効果トランジスタＦ
１及びＦ２のケー）Ｇｌ及びＧ２から交流パワーが供給
されることによるパラメトリンク効果によるものと思わ
れる。
インＤ２の電圧ＶＤＤが第１の電界効果トランジスタＦ
１のソースＳ１の電圧と同じく接地電位で、第１及び第
２の電界効果トランジスタＦ１及びＦ２のドレインＤＩ
及びＤ２に直流動作電流が流れなくても、受信信号ＲＦ
が中間周波信号ＩＦに周波数変換されるミキシング動が
なされるのは、第１及び第２の電界効果トランジスタＦ
１及びＦ２のケー）Ｇｌ及びＧ２から交流パワーが供給
されることによるパラメトリンク効果によるものと思わ
れる。
発明の効果
本発明によれば、３極の２個の電界効果１〜ランジスタ
を設け、第１の電界効果トランジスタのドレインと第２
の電界効果トランジスタのソースを共通に接続してアイ
ランド部を形成し、第１の電界効果トランジスタのソー
スと第２の電界効果トランジスタのドレインを同じ電圧
にし、即ち第２の電界効果トランジスタのドレインに第
１の電界効果トランジスタのソースに対して零の電圧を
与え、第１の電界効果トランジスタのゲートに受信信号
を供給し、第２の電界効果トランジスタのゲートに局発
信号を供給して、第１の電界効果トランジスタのドレイ
ンと第２の電界効果トランジスタのソースの接続点のア
イランド部から中間周波信号を取り出すようにして、電
界効果トランジスタのドレインに直流電流を流さなくて
も受信信号が正の変換利得をもって中間周波信号に周波
数変換される所期のミキシング動作がなされるようにし
たので、システムの低消費電力化をはかることができる
。
を設け、第１の電界効果トランジスタのドレインと第２
の電界効果トランジスタのソースを共通に接続してアイ
ランド部を形成し、第１の電界効果トランジスタのソー
スと第２の電界効果トランジスタのドレインを同じ電圧
にし、即ち第２の電界効果トランジスタのドレインに第
１の電界効果トランジスタのソースに対して零の電圧を
与え、第１の電界効果トランジスタのゲートに受信信号
を供給し、第２の電界効果トランジスタのゲートに局発
信号を供給して、第１の電界効果トランジスタのドレイ
ンと第２の電界効果トランジスタのソースの接続点のア
イランド部から中間周波信号を取り出すようにして、電
界効果トランジスタのドレインに直流電流を流さなくて
も受信信号が正の変換利得をもって中間周波信号に周波
数変換される所期のミキシング動作がなされるようにし
たので、システムの低消費電力化をはかることができる
。
第１図は本発明のミキサの一例を示す接続図、第２図は
実験回路の構成を示す図、第３図はそのミキサ集積回路
を示す接続図、第４図〜第６図は実験結果を示す図、第
７図及び第８図はそれぞれ従来のミキサの一例を示す接
続図である。 図中、Ｆｌは第１の電界効果トランジスタ、Ｆ２は第２
の電界効果トランジスタ、ｒはアイランド部である。
実験回路の構成を示す図、第３図はそのミキサ集積回路
を示す接続図、第４図〜第６図は実験結果を示す図、第
７図及び第８図はそれぞれ従来のミキサの一例を示す接
続図である。 図中、Ｆｌは第１の電界効果トランジスタ、Ｆ２は第２
の電界効果トランジスタ、ｒはアイランド部である。
Claims (1)
- 第１の電界効果トランジスタのドレインと第２の電界効
果トランジスタのソースが共通に接続されてアイランド
部が形成され、上記第１の電界効果トランジスタのソー
スと上記第２の電界効果トランジスタのドレインが同じ
電圧にされ、上記第１の電界効果トランジスタのゲート
に受信信号が供給され、上記第２の電界効果トランジス
タのゲートに局発信号が供給されて、上記アイランド部
から中間周波信号が取り出されるミキサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17078884A JPS6148205A (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | ミキサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17078884A JPS6148205A (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | ミキサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148205A true JPS6148205A (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=15911372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17078884A Pending JPS6148205A (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | ミキサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6148205A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0488257A1 (en) * | 1990-11-30 | 1992-06-03 | Fujitsu Limited | Frequency conversion circuit |
-
1984
- 1984-08-16 JP JP17078884A patent/JPS6148205A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0488257A1 (en) * | 1990-11-30 | 1992-06-03 | Fujitsu Limited | Frequency conversion circuit |
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