JPS6147929A - 光電圧センサ - Google Patents
光電圧センサInfo
- Publication number
- JPS6147929A JPS6147929A JP17020684A JP17020684A JPS6147929A JP S6147929 A JPS6147929 A JP S6147929A JP 17020684 A JP17020684 A JP 17020684A JP 17020684 A JP17020684 A JP 17020684A JP S6147929 A JPS6147929 A JP S6147929A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- substrate
- electrode
- protective film
- waveguide body
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- Pending
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光電圧センサに関するものであり、詳しくは
、光導波路体を通過する光を測定電界で強度変調するよ
うに構成された光電圧センサにおける耐湿特性の改良に
関するものである。
、光導波路体を通過する光を測定電界で強度変調するよ
うに構成された光電圧センサにおける耐湿特性の改良に
関するものである。
ニオブ峻リチウム（ＬｉＮｂＯ，）のような電気光学材
料よりなる基板にチタン（Ｔｉ）などの全屈不純物を熱
拡散することにより基板よりも屈折率の高い光導波路が
形成され、電気光学効果の効率の極めて高い光導波路体
が得られる。このような光導波路に電界を加えると、先
導波路を通過する光は電気光学効果により強度変調され
る。
料よりなる基板にチタン（Ｔｉ）などの全屈不純物を熱
拡散することにより基板よりも屈折率の高い光導波路が
形成され、電気光学効果の効率の極めて高い光導波路体
が得られる。このような光導波路に電界を加えると、先
導波路を通過する光は電気光学効果により強度変調され
る。
このような光導波路体の一種に、第２図に示すような分
岐干渉形光導波路体がある。
岐干渉形光導波路体がある。
第２図において、１０は基板、２０は先導波路、３０は
電極、４０は信号源である。
電極、４０は信号源である。
基板１０は電気光学効果を有するニオブ酸リチウム（Ｌ
ｉＮｂＯ，）のような電気光学材料で構成されたもので
あり、ｘ、ｚｍが水平面となりＹ軸が垂直面となるよう
にカットされている。光導波路２０は基板ｌＯにチタン
（Ｔｉ）のような金属不純物を熱拡散することにより線
状に形成され基板１０よりも高い屈折率を有するもので
あり、Ｙ字形の分岐部２１．互いに平行な位相推移部２
２及びＹ字形の結合部２３が１ｊｌｌ統的に一体化され
ている。電極３０は光導波路２０を通過する光を強度変
調するために先導波路２０に電界を印加するものであり
、位相推移部２２を挟むようにして第１の電ａｉ３１及
び第２の電極３２が基板１０上に設けられている。これ
ら電極は、例えば金とクロムを所定のパターンに積層す
ることにより形成されている。信号源４０は電界を供給
するものであり、第１の電極３１と第２の電極３２との
間に接続されている。なお、先導波路２０のＹ字形の分
岐部２１の端部にはレーザダイオードなどの光源からの
光を伝送するための光ファイバーが接続され、Ｙ字形の
結合部２３の端部には強度変調された光をフォトトラン
ジスタなどの受光素子に伝送するための光ファイバーが
接続されるが図示しない。
ｉＮｂＯ，）のような電気光学材料で構成されたもので
あり、ｘ、ｚｍが水平面となりＹ軸が垂直面となるよう
にカットされている。光導波路２０は基板ｌＯにチタン
（Ｔｉ）のような金属不純物を熱拡散することにより線
状に形成され基板１０よりも高い屈折率を有するもので
あり、Ｙ字形の分岐部２１．互いに平行な位相推移部２
２及びＹ字形の結合部２３が１ｊｌｌ統的に一体化され
ている。電極３０は光導波路２０を通過する光を強度変
調するために先導波路２０に電界を印加するものであり
、位相推移部２２を挟むようにして第１の電ａｉ３１及
び第２の電極３２が基板１０上に設けられている。これ
ら電極は、例えば金とクロムを所定のパターンに積層す
ることにより形成されている。信号源４０は電界を供給
するものであり、第１の電極３１と第２の電極３２との
間に接続されている。なお、先導波路２０のＹ字形の分
岐部２１の端部にはレーザダイオードなどの光源からの
光を伝送するための光ファイバーが接続され、Ｙ字形の
結合部２３の端部には強度変調された光をフォトトラン
ジスタなどの受光素子に伝送するための光ファイバーが
接続されるが図示しない。
このような構成において、光導波路２０のＹ字形の分岐
部２１の端部に光源からの光が加えらると、光は分岐部
２１で２分割されて位相推移部２２に伝送される。位相
推移部２２では２分割された光の間に電極３０を介して
加えられる信号源４０の出力の大きさに応じた位相差が
与えられる。
部２１の端部に光源からの光が加えらると、光は分岐部
２１で２分割されて位相推移部２２に伝送される。位相
推移部２２では２分割された光の間に電極３０を介して
加えられる信号源４０の出力の大きさに応じた位相差が
与えられる。
そして、位相差を有するこれら光は結合″ａＩ１２３で
再び結合される。これにより、結合部２３の端部から強
度変調された光が送出されることになる。
再び結合される。これにより、結合部２３の端部から強
度変調された光が送出されることになる。
ここで、位相推移部２２にλ／４の位相差を与えて強度
変調された光を受光素子に加えることにより電極３０を
介して加えられる信号源４０の出力の大きさに応じた電
気信号を得ることができる。
変調された光を受光素子に加えることにより電極３０を
介して加えられる信号源４０の出力の大きさに応じた電
気信号を得ることができる。
ところで、従来のこのような装置では、第３図の拡大断
面図に示すように、光導波路２０および電極３０が形成
された基板１０の表面および外周面は外部；囲気に曝さ
れていた。
面図に示すように、光導波路２０および電極３０が形成
された基板１０の表面および外周面は外部；囲気に曝さ
れていた。
そこで、外部雰囲気の湿度を変えながら光出力特性を測
定したところ、外部雰囲気の湿度が高くなると基板１０
と電極３０および外部雰囲気との境界部にイオンが引き
寄せられてイオンによる電界が形成されることにより表
面から電荷がリークすることが確認でき、外部雰囲気の
湿度が低くなるのに従って誘電体緩和現象により表面電
荷が外部にリークする時定数が大きくなることが確認で
きた。すなわち、従来の構成によれば、外部雰囲気の湿
度変化に応じて光出力が大きく変化することになる。
定したところ、外部雰囲気の湿度が高くなると基板１０
と電極３０および外部雰囲気との境界部にイオンが引き
寄せられてイオンによる電界が形成されることにより表
面から電荷がリークすることが確認でき、外部雰囲気の
湿度が低くなるのに従って誘電体緩和現象により表面電
荷が外部にリークする時定数が大きくなることが確認で
きた。すなわち、従来の構成によれば、外部雰囲気の湿
度変化に応じて光出力が大きく変化することになる。
本発明は、このような従来の欠点を解決したものであり
、その目的は、光導波路体を用いた光電圧センサにおい
て、外部雰囲気の湿度変化による特性変化を小さくする
ことにある。
、その目的は、光導波路体を用いた光電圧センサにおい
て、外部雰囲気の湿度変化による特性変化を小さくする
ことにある。
このような目的を達成する本発明は、電気光学材料より
なる基板に光導波路体とこの光導波路体に測定電界を印
加する電極が形成され、曲記光導波路体を通過する光を
測定電界で強度変調するように構成された光電圧センサ
において、前記光導波路体および電極が形成された基板
の表面および外周面に連続的に耐湿保護膜を設けたこと
を特徴とする。
なる基板に光導波路体とこの光導波路体に測定電界を印
加する電極が形成され、曲記光導波路体を通過する光を
測定電界で強度変調するように構成された光電圧センサ
において、前記光導波路体および電極が形成された基板
の表面および外周面に連続的に耐湿保護膜を設けたこと
を特徴とする。
（実施例〕
以下、図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例の要部を示す拡大断面図であ
り、第３図と同等部分には同一符号を付けている。第１
図において、５０は耐湿保護膜であり、光導波路体２０
および電極３０が形成された基板１０の表面および外周
面に連続的に設けられている。このような耐湿保護膜５
０としては、例えばＳ ｔ ＊ Ｎ＊ （窒化シリコ
ン〕やＳｉｎ。
り、第３図と同等部分には同一符号を付けている。第１
図において、５０は耐湿保護膜であり、光導波路体２０
および電極３０が形成された基板１０の表面および外周
面に連続的に設けられている。このような耐湿保護膜５
０としては、例えばＳ ｔ ＊ Ｎ＊ （窒化シリコ
ン〕やＳｉｎ。
（酸化シリコン）などの絶縁体をスパッタリングにより
被着してもよいし、耐湿有機絶縁体を０布してもよい。
被着してもよいし、耐湿有機絶縁体を０布してもよい。
このように構成することにより、光導波路体２０および
電極３０が形成された基板１０の表面および外周面は耐
湿保！ｉ膜５０で外部雰囲気から遮断されることになり
、従来のような外部雰囲気の湿度変化による影響を大幅
に軽減でき、光出力変化を小さくすることができる。
電極３０が形成された基板１０の表面および外周面は耐
湿保！ｉ膜５０で外部雰囲気から遮断されることになり
、従来のような外部雰囲気の湿度変化による影響を大幅
に軽減でき、光出力変化を小さくすることができる。
なお、基板としては、タンタｆｖ酸リチウム〔Ｌｔ Ｔ
ａ Ｏ＠ ）で構成されたものを用いてもよい。
ａ Ｏ＠ ）で構成されたものを用いてもよい。
〔晃明の効果］
これらから明らかなように、本発明によれば、光導波路
体を用いた光電圧センサにおいて、外部雰囲気の湿度変
化による特性変化を小さくすることができ、光出力変動
の少ない特性の優れた光電圧センサが実現できる。
体を用いた光電圧センサにおいて、外部雰囲気の湿度変
化による特性変化を小さくすることができ、光出力変動
の少ない特性の優れた光電圧センサが実現できる。
第１図は本発明の一実施例の要部を示す拡大断面図、第
２図は光電圧センサの一例を示す構成説明図、第３図は
従来の光電圧センサの要部を示す拡大断面図である。 １０・・・基板、２０・・・光導波路、３０・・・電極
、４０・・・信号源、５０・・・耐湿保護膜。
２図は光電圧センサの一例を示す構成説明図、第３図は
従来の光電圧センサの要部を示す拡大断面図である。 １０・・・基板、２０・・・光導波路、３０・・・電極
、４０・・・信号源、５０・・・耐湿保護膜。
Claims (1)
- 電気光学材料よりなる基板に光導波路体とこの光導波路
体に測定電界を印加する電極が形成され、前記光導波路
体を通過する光を測定電界で強度変調するように構成さ
れた光電圧センサにおいて、前記光導波路体および電極
が形成された基板の表面および外周面に連続的に耐湿保
護膜を設けたことを特徴とする光電圧センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17020684A JPS6147929A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 光電圧センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17020684A JPS6147929A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 光電圧センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6147929A true JPS6147929A (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=15900630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17020684A Pending JPS6147929A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 光電圧センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6147929A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01128037A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-19 | Nec Corp | 光スイッチ・変調器 |
| JPH01134423A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光変調器 |
| JPH0258202U (ja) * | 1988-06-28 | 1990-04-26 | ||
| JPH02104321U (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-20 | ||
| JPH02250043A (ja) * | 1987-02-13 | 1990-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換素子 |
| WO2002023261A1 (fr) * | 2000-09-18 | 2002-03-21 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Modulateur optique de type guide d'onde optique et son procede de production |
| EP1197784A1 (en) * | 1999-06-28 | 2002-04-17 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrooptical device and method of manufacturing the same |
| JP2005181871A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | 光導波路基板 |
| JP2009276810A (ja) * | 2009-08-28 | 2009-11-26 | Kyocera Corp | 光導波路基板の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5569102A (en) * | 1978-11-17 | 1980-05-24 | Seiko Epson Corp | Optical parts |
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| JPS5950402A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 合成樹脂製光学部品への薄膜形成方法 |
-
1984
- 1984-08-15 JP JP17020684A patent/JPS6147929A/ja active Pending
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| JP2641053B2 (ja) * | 1987-02-13 | 1997-08-13 | 富士写真フイルム株式会社 | 光波長変換素子 |
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