JPH10260328A - 光変調素子 - Google Patents
光変調素子Info
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- JPH10260328A JPH10260328A JP9086107A JP8610797A JPH10260328A JP H10260328 A JPH10260328 A JP H10260328A JP 9086107 A JP9086107 A JP 9086107A JP 8610797 A JP8610797 A JP 8610797A JP H10260328 A JPH10260328 A JP H10260328A
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
-
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-
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学バイアス点を容易に制御し、感度及び感
度直線性の高い光変調素子の提供。 【解決手段】 光の反射側の光導波路を含む反射側端面
4と反射板2の接着面の片端にスペーサ3を配し、反射
側端面4と反射板2との間に傾斜角θを設けた光変調素
子。
度直線性の高い光変調素子の提供。 【解決手段】 光の反射側の光導波路を含む反射側端面
4と反射板2の接着面の片端にスペーサ3を配し、反射
側端面4と反射板2との間に傾斜角θを設けた光変調素
子。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学効果を呈
する基板上に形成された光導波路を利用して構成される
光変調素子に関するものである。
する基板上に形成された光導波路を利用して構成される
光変調素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】変調器、光電界センサ等のデバイスに使
われる光変調素子は、ニオブ酸リチウム等の電気光学効
果を呈する材料を基板として製作される。その構成を図
3に示す。
われる光変調素子は、ニオブ酸リチウム等の電気光学効
果を呈する材料を基板として製作される。その構成を図
3に示す。
【0003】図3において、光変調素子10は、ニオブ
酸リチウム基板1上に、Tiの熱拡散によって分岐干渉
型光導波路Aを形成し、この分岐干渉型光導波路Aの近
傍に変調電極Bを形成し、更に、反射側端面4に反射板
2を、例えば、紫外線硬化型接着剤等で接着することに
より製作される。
酸リチウム基板1上に、Tiの熱拡散によって分岐干渉
型光導波路Aを形成し、この分岐干渉型光導波路Aの近
傍に変調電極Bを形成し、更に、反射側端面4に反射板
2を、例えば、紫外線硬化型接着剤等で接着することに
より製作される。
【0004】以上の構成の光変調素子10では、分岐干
渉型光導波路Aを通過するレーザ光は変調電極Bに与え
られる電界に対して、三角関数的に出力変動が起こる。
これを数式で表すと、(1)式に表すことができる。
渉型光導波路Aを通過するレーザ光は変調電極Bに与え
られる電界に対して、三角関数的に出力変動が起こる。
これを数式で表すと、(1)式に表すことができる。
【0005】 Pout=αPin[1+cos(V1・π/Vπ+φ)]/2・・・(1) Pout:出力光強度、Pin:入力光強度、Vπ:半波長
電圧、α:光挿入損失、V1:印加電圧。
電圧、α:光挿入損失、V1:印加電圧。
【0006】上記(1)式において、φは印加電圧0V
での位相バイアス(以後、光学バイアス点と称す)のシ
フト値を示している。又、光変調素子に必要な条件とし
ては、光学バイアス点が、直線性の高い最大値と最小値
の中点付近に位置していることである。
での位相バイアス(以後、光学バイアス点と称す)のシ
フト値を示している。又、光変調素子に必要な条件とし
ては、光学バイアス点が、直線性の高い最大値と最小値
の中点付近に位置していることである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、光学
バイアス点が最大値と最小値の中点付近にある時、光
は、印加電圧に対し、直線的に強度変調される。ところ
が、光学バイアス点が、最大値または最小値に近いもの
ほど、強度変調の直線性は悪くなり、なおかつ、感度も
劣化する。
バイアス点が最大値と最小値の中点付近にある時、光
は、印加電圧に対し、直線的に強度変調される。ところ
が、光学バイアス点が、最大値または最小値に近いもの
ほど、強度変調の直線性は悪くなり、なおかつ、感度も
劣化する。
【0008】この光学バイアス点を光変調素子の製造方
法上で制御するには、非常に高精度の製作条件が要求さ
れ、これが光変調素子の歩留を悪くする最大の要因にな
っていた。
法上で制御するには、非常に高精度の製作条件が要求さ
れ、これが光変調素子の歩留を悪くする最大の要因にな
っていた。
【0009】従って、本発明の課題は、光学バイアス点
を容易に制御し、感度及び感度直線性の高い光変調素子
を提供することにある。
を容易に制御し、感度及び感度直線性の高い光変調素子
を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、電気光学効果
を呈する基板上に形成した分岐干渉型光導波路の近傍に
変調電極を形成し、光の入出射側の光導波路を含む端面
と対向する、光の反射側の光導波路を含む反射側端面に
反射板を接着してなる光変調素子において、前記反射側
端面と前記反射板の接着面の片端にスペーサを配し、前
記反射側端面と前記反射板との間に傾斜角を設けたこと
を特徴とする光変調素子である。
を呈する基板上に形成した分岐干渉型光導波路の近傍に
変調電極を形成し、光の入出射側の光導波路を含む端面
と対向する、光の反射側の光導波路を含む反射側端面に
反射板を接着してなる光変調素子において、前記反射側
端面と前記反射板の接着面の片端にスペーサを配し、前
記反射側端面と前記反射板との間に傾斜角を設けたこと
を特徴とする光変調素子である。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【0012】本発明の第1の実施の形態の光変調素子を
図1に、第2の実施の形態の光変調素子を図2に示す。
図1に、第2の実施の形態の光変調素子を図2に示す。
【0013】図1及び図2に示す光変調素子10は、光
学バイアス点を測定した後、光の反射側の光導波路を含
む反射側端面4と反射板2との片端に、下記の(2)式
で求められる厚みのスペーサ3を配し、光導波路を含む
反射側端面4と反射板2の間に傾斜角θが形成されてい
ることを特徴とする。
学バイアス点を測定した後、光の反射側の光導波路を含
む反射側端面4と反射板2との片端に、下記の(2)式
で求められる厚みのスペーサ3を配し、光導波路を含む
反射側端面4と反射板2の間に傾斜角θが形成されてい
ることを特徴とする。
【0014】 d=Va/Vπ×λ/4n×w/L・・・・・(2)
【0015】ここで、必要なスペーサ厚みを得るには、
スペーサ厚みd、傾斜角θが0゜の時に、中点までの位
相シフトに必要な印加電圧Va、光の波長λ、接着剤の
屈折率n、分岐した光導波路間距離L、光変調素子幅w
として与えられる。
スペーサ厚みd、傾斜角θが0゜の時に、中点までの位
相シフトに必要な印加電圧Va、光の波長λ、接着剤の
屈折率n、分岐した光導波路間距離L、光変調素子幅w
として与えられる。
【0016】このようにして製作された光変調素子10
では、反射部Cにおいて、分岐した光導波路の間に、V
a/Vπ×λ/2nの光路差を生じる。この結果、印加
電圧V1が0Vにおいて、光導波路を通過して反射部C
で反射して再び合波される光は、最大値と最小値の中点
近傍の強度となる。
では、反射部Cにおいて、分岐した光導波路の間に、V
a/Vπ×λ/2nの光路差を生じる。この結果、印加
電圧V1が0Vにおいて、光導波路を通過して反射部C
で反射して再び合波される光は、最大値と最小値の中点
近傍の強度となる。
【0017】
【実施例】光変調素子幅6mm、分岐した光導波路間距
離36μmで、図1に示す第1の実施の形態の光変調素
子10を製作した。この光変調素子10の特性を測定し
たところ、Vπ=5V、光学バイアス点は最大値近傍で
あった。
離36μmで、図1に示す第1の実施の形態の光変調素
子10を製作した。この光変調素子10の特性を測定し
たところ、Vπ=5V、光学バイアス点は最大値近傍で
あった。
【0018】この光変調素子10の反射部Cに厚さ15
μmのスペーサ3により、光導波路を含む端面5と反射
板2の間に傾斜を設けた結果、光学バイアス点は最大値
より1/2の位置まで修正された。
μmのスペーサ3により、光導波路を含む端面5と反射
板2の間に傾斜を設けた結果、光学バイアス点は最大値
より1/2の位置まで修正された。
【0019】
【発明の効果】以上、述べたように、本発明によれば、
容易に光学バイアス点を制御し、感度及び感度直線性の
高い光変調素子を歩留よく得ることができる。
容易に光学バイアス点を制御し、感度及び感度直線性の
高い光変調素子を歩留よく得ることができる。
【図1】本発明による第1の実施の形態の光変調素子の
説明図。
説明図。
【図2】本発明による第2の実施の形態の光変調素子の
説明図。
説明図。
【図3】従来の光変調素子の説明図。
1 ニオブ酸リチウム基板 2 反射板 3 スペーサ 4 反射側端面 5 端面 10 光変調素子 A (分岐干渉型)光導波路 B 変調電極 C 反射部 θ 傾斜角
Claims (1)
- 【請求項1】 電気光学効果を呈する基板上に形成した
分岐干渉型光導波路の近傍に変調電極を形成し、光の入
出射側の光導波路を含む端面と対向する、光の反射側の
光導波路を含む反射側端面に反射板を接着してなる光変
調素子において、前記反射側端面と前記反射板の接着面
の片端にスペーサを配し、前記反射側端面と前記反射板
との間に傾斜角を設けたことを特徴とする光変調素子。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9086107A JPH10260328A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | 光変調素子 |
DE69800341T DE69800341T2 (de) | 1997-03-19 | 1998-03-18 | Verzweigt interferometrischer elektrooptischer Wellenleitermodulator mit geneigtem Reflektor |
EP98104957A EP0866356B1 (en) | 1997-03-19 | 1998-03-18 | Optical modulator having a reflection plate mounted on a reflection end with an inclined angle against the reflection end |
KR10-1998-0009403A KR100496309B1 (ko) | 1997-03-19 | 1998-03-19 | 광도파로의반사측단면에대해경사진반사판을구비한광변조소자 |
US09/044,755 US6038354A (en) | 1997-03-19 | 1998-03-19 | Optical modulator having a reflection plate mounted on a reflection end with an inclined angle against the reflection end |
CA002232734A CA2232734C (en) | 1997-03-19 | 1998-03-19 | Optical modulator having a reflection plate mounted on a reflection end with an inclined angle against the reflection end |
CN98109208A CN1132044C (zh) | 1997-03-19 | 1998-03-19 | 具有倾斜的反射板的光调制元件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9086107A JPH10260328A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | 光変調素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10260328A true JPH10260328A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13877491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9086107A Withdrawn JPH10260328A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | 光変調素子 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6038354A (ja) |
EP (1) | EP0866356B1 (ja) |
JP (1) | JPH10260328A (ja) |
KR (1) | KR100496309B1 (ja) |
CN (1) | CN1132044C (ja) |
CA (1) | CA2232734C (ja) |
DE (1) | DE69800341T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005091072A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Sureway Inc | 電界測定装置 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6584240B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-06-24 | Fujitsu Limited | Optical modulator having ridge and associated structure on substrate |
WO2004068221A1 (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-12 | Fujitsu Limited | 光変調器 |
US7212326B2 (en) | 2003-05-30 | 2007-05-01 | Jds Uniphase Corporation | Optical external modulator |
JP4771451B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2011-09-14 | 日本碍子株式会社 | 進行波型光変調器 |
JP4751601B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-08-17 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
JP4792276B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2011-10-12 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
CN100362387C (zh) * | 2005-11-18 | 2008-01-16 | 重庆大学 | 静电简支梁式干涉光调制器 |
JP2017083608A (ja) * | 2015-10-27 | 2017-05-18 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
CN106125351A (zh) * | 2016-08-12 | 2016-11-16 | 全球能源互联网研究院 | 一种反射式电光相位调制器 |
WO2023141626A1 (en) * | 2022-01-21 | 2023-07-27 | Luminous Computing, Inc. | Optical modulator and method of operation |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2866186B2 (ja) * | 1990-11-05 | 1999-03-08 | 株式会社豊田中央研究所 | 電磁界強度測定装置 |
JPH05232417A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-10 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
JP3020340B2 (ja) * | 1992-03-10 | 2000-03-15 | 日本放送協会 | 光導波路型光デバイス |
JPH05273260A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-22 | Yokogawa Electric Corp | 電圧センサ |
JPH0954128A (ja) * | 1995-08-09 | 1997-02-25 | Tokin Corp | 反射型光電界センサ |
-
1997
- 1997-03-19 JP JP9086107A patent/JPH10260328A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-03-18 DE DE69800341T patent/DE69800341T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-18 EP EP98104957A patent/EP0866356B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-19 US US09/044,755 patent/US6038354A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-19 CA CA002232734A patent/CA2232734C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-19 KR KR10-1998-0009403A patent/KR100496309B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-03-19 CN CN98109208A patent/CN1132044C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005091072A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Sureway Inc | 電界測定装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6038354A (en) | 2000-03-14 |
CA2232734C (en) | 2004-05-18 |
KR100496309B1 (ko) | 2005-09-08 |
CN1132044C (zh) | 2003-12-24 |
DE69800341T2 (de) | 2001-04-12 |
EP0866356A1 (en) | 1998-09-23 |
KR19980080439A (ko) | 1998-11-25 |
DE69800341D1 (de) | 2000-11-16 |
CA2232734A1 (en) | 1998-09-19 |
EP0866356B1 (en) | 2000-10-11 |
CN1206119A (zh) | 1999-01-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050823 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20051026 |