JPS6147691A - セラミツク複合基板 - Google Patents
セラミツク複合基板Info
- Publication number
- JPS6147691A JPS6147691A JP17021184A JP17021184A JPS6147691A JP S6147691 A JPS6147691 A JP S6147691A JP 17021184 A JP17021184 A JP 17021184A JP 17021184 A JP17021184 A JP 17021184A JP S6147691 A JPS6147691 A JP S6147691A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- composite substrate
- insulating
- ceramic composite
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、セラミック複合基板に係わシ、特にコンデン
サ素子を内蔵したセラミック複合基板の構造に関するも
のでおる。
サ素子を内蔵したセラミック複合基板の構造に関するも
のでおる。
従来のハイブリッドＩＣでは、アルミナ粉末を焼結した
セラミック等の絶縁基板上に蒸着或いは印刷法で抵抗１
％極および配線などのパターンの形成を行ない、かつ同
一の絶縁基板上にチップコンデンサ、半専体ＩＣ等を搭
載していた。そのためハイブリッドＩＣの小形化、高集
化には限界があシ、より高密度のパターンを形成した場
合には、品質の低下若しくは製造コストの上昇を引き起
こす原因となっていた。一方、電子機器の小形化。
セラミック等の絶縁基板上に蒸着或いは印刷法で抵抗１
％極および配線などのパターンの形成を行ない、かつ同
一の絶縁基板上にチップコンデンサ、半専体ＩＣ等を搭
載していた。そのためハイブリッドＩＣの小形化、高集
化には限界があシ、より高密度のパターンを形成した場
合には、品質の低下若しくは製造コストの上昇を引き起
こす原因となっていた。一方、電子機器の小形化。
高集積化は今後ますます促進される状況にあり。
その開発は一層強く望まれている。
本発明は、このような従来技術の欠点および将来動向に
鑑みなされたものでおって、その目的は超小形化された
コンデンサ素子を内蔵したセラミック複合基板を提供す
ることにある。
鑑みなされたものでおって、その目的は超小形化された
コンデンサ素子を内蔵したセラミック複合基板を提供す
ることにある。
本発明に工れは、電極パターンを形成した誘電体を、上
記電極パターンと電気的に接続された内部配線と外部電
極とを有する絶縁性のセラミックで封止一体゛成形した
ことを特徴とするセラミック複合基板が得られる。
記電極パターンと電気的に接続された内部配線と外部電
極とを有する絶縁性のセラミックで封止一体゛成形した
ことを特徴とするセラミック複合基板が得られる。
温度８００°０−１０００℃で焼成した後に、鉄・ニオ
ブ酸鉛や鉄・タンステン酸鉛およびチタン酸鉛やマグネ
シウム・タングステン酸鉛等が主成分結晶粒となる性質
を有する誘電性セラミックグリーンシート（以後誘電性
グリーンシートと略称）の表面に、′α極および配線パ
ターンをスクリーン印刷等の手段で形成したものを一枚
以上積層した誘電性セラミック積層体を外部に蕗出しな
いように酸化アルミニウムとホウケイ酸鉛系ガラスから
なる外層用の複数の絶縁性セラミックグリーンシート（
以後、絶縁偏グリーンシートと略称）の間に挾んで圧着
し未焼成セラミツク複合基板を成形する〇 なお、内部の誘電性セラミック積層体から外部への電極
取多出しは、絶縁性セラミックグリーンシートに予じめ
設けたバイアホールおよび配線パターンで行なう。
ブ酸鉛や鉄・タンステン酸鉛およびチタン酸鉛やマグネ
シウム・タングステン酸鉛等が主成分結晶粒となる性質
を有する誘電性セラミックグリーンシート（以後誘電性
グリーンシートと略称）の表面に、′α極および配線パ
ターンをスクリーン印刷等の手段で形成したものを一枚
以上積層した誘電性セラミック積層体を外部に蕗出しな
いように酸化アルミニウムとホウケイ酸鉛系ガラスから
なる外層用の複数の絶縁性セラミックグリーンシート（
以後、絶縁偏グリーンシートと略称）の間に挾んで圧着
し未焼成セラミツク複合基板を成形する〇 なお、内部の誘電性セラミック積層体から外部への電極
取多出しは、絶縁性セラミックグリーンシートに予じめ
設けたバイアホールおよび配線パターンで行なう。
欠にこの未焼成セラミツク複合基板を温度８００℃〜１
０００℃で焼成することによって周囲が絶縁性セラミッ
ク基板で完全に封止されたコンデンサ形成部を有するセ
ラミック複合基板が形成される。
０００℃で焼成することによって周囲が絶縁性セラミッ
ク基板で完全に封止されたコンデンサ形成部を有するセ
ラミック複合基板が形成される。
次に第１図に前述手段で形成された本発明によるセラミ
ック複合基板の第１の例を説明する。絶縁性グリーンシ
ート１に用いるセラミック利料は、この中に含有される
ガラス材料の浴融効果によシ、誘電性グリーンシート２
に用いる誘電性セラミック材料に比較して外気１例えば
湿気に対する遮へい効果は著しく良好なものを用いる。
ック複合基板の第１の例を説明する。絶縁性グリーンシ
ート１に用いるセラミック利料は、この中に含有される
ガラス材料の浴融効果によシ、誘電性グリーンシート２
に用いる誘電性セラミック材料に比較して外気１例えば
湿気に対する遮へい効果は著しく良好なものを用いる。
このため、セラミック基板内に内蔵された誘電性セラミ
ックグリーンシート２からなるコンデンサ素子は、コン
デンサ素子の周辺が、絶縁性グリーンシート１で完全に
封止された構造にある。したがって、電子テバイスとし
て要求される耐湿特性などの湿気に対する長期信頼性に
関しては、著しく改善される。
ックグリーンシート２からなるコンデンサ素子は、コン
デンサ素子の周辺が、絶縁性グリーンシート１で完全に
封止された構造にある。したがって、電子テバイスとし
て要求される耐湿特性などの湿気に対する長期信頼性に
関しては、著しく改善される。
久に第２図に本発明によるセラミック複合基板の第２の
例を説明する。
例を説明する。
第２図に示す如くあらかじ既知の手段で形成されたチッ
プ型の積層セラミックコンデンサ素子３を複数の絶縁性
グリーンシート１で挾持し、このコンデンサ素子３が外
部に繕出しないように配置して圧着成形する。もちろん
、このコンデンサ素子３からの電極ｑｂ出しはＰ３縁性
グリ−／シートに予め設けたバイアホールおよび配線パ
ターン４を辿して外部電極５へ接続する。この圧着成形
した状態で前述の第１の例同様な手段で焼成する。
プ型の積層セラミックコンデンサ素子３を複数の絶縁性
グリーンシート１で挾持し、このコンデンサ素子３が外
部に繕出しないように配置して圧着成形する。もちろん
、このコンデンサ素子３からの電極ｑｂ出しはＰ３縁性
グリ−／シートに予め設けたバイアホールおよび配線パ
ターン４を辿して外部電極５へ接続する。この圧着成形
した状態で前述の第１の例同様な手段で焼成する。
その他、誘電性セラミックを絶縁性セラミックで封止す
る手段は棟々考見られるが、本発明の構成によれば、耐
湿特性など信頼性に著しく優れたセラミック複合基板が
得られる。
る手段は棟々考見られるが、本発明の構成によれば、耐
湿特性など信頼性に著しく優れたセラミック複合基板が
得られる。
以下の実施例では、本発明の一実施例として最初に述べ
た未焼成の誘電性セラミック積層体を未焼成の絶縁性セ
ラミックで一体成型し、その後同時焼成する手段につい
て詳細説明する。
た未焼成の誘電性セラミック積層体を未焼成の絶縁性セ
ラミックで一体成型し、その後同時焼成する手段につい
て詳細説明する。
以下、本発明実施例を第３図〜第６図によシ説明する。
第３図は前述の本発明の第１０実施例、すなわち第１図
の誘電性積層体の積層構造を示す斜視図で必シ、第４図
は絶縁性セラミック基板の積層構造を示す斜視図である
。
の誘電性積層体の積層構造を示す斜視図で必シ、第４図
は絶縁性セラミック基板の積層構造を示す斜視図である
。
先ず鉄・ニオブ酸鉛や鉄・タングステン酸鉛およびチタ
ン酸鉛やマグネシウム・タングステン酸鉛等を主成分と
する無機誘電性粉末に、ポリビニルプチラ・−ル等の有
機バインダーとエチルセロソルブ等の有機溶媒を加えて
攪拌し泥漿化状態にする。この泥漿を、ドクターブレー
ドを用いたキャスティング成膜法等によって第３図に示
すような未焼成の誘電性グリーンシー）１１を複数枚（
例えば３枚）形成して、ステンレス等から成る金型で外
形と複数個の孔部６とを同時にパンチングして形成する
。次に銀、パラジウム等を主成分とする導体ペーストを
印刷形成して孔部６を囲んだランド部１２と孔部６を付
設した電極パターン１３を設ける。次にこの構成の誘電
性グリーンシート１１の複数枚を積み重ねて、熱プレス
機等？用いて上下面から仮圧着して誘電性の積層体ｌＯ
を形成する。
ン酸鉛やマグネシウム・タングステン酸鉛等を主成分と
する無機誘電性粉末に、ポリビニルプチラ・−ル等の有
機バインダーとエチルセロソルブ等の有機溶媒を加えて
攪拌し泥漿化状態にする。この泥漿を、ドクターブレー
ドを用いたキャスティング成膜法等によって第３図に示
すような未焼成の誘電性グリーンシー）１１を複数枚（
例えば３枚）形成して、ステンレス等から成る金型で外
形と複数個の孔部６とを同時にパンチングして形成する
。次に銀、パラジウム等を主成分とする導体ペーストを
印刷形成して孔部６を囲んだランド部１２と孔部６を付
設した電極パターン１３を設ける。次にこの構成の誘電
性グリーンシート１１の複数枚を積み重ねて、熱プレス
機等？用いて上下面から仮圧着して誘電性の積層体ｌＯ
を形成する。
一方、第４図に示すように酸化アルミニウムやホウケ酸
鉛等を主成分とする無機絶縁性粉末にボリビニルプチラ
ール等の有機バインダーとエテルセロンルプ等の肩機溶
媒を加えて泥漿化状態にしたものをドクターブレードを
用いたキャスティング成膜法等によって第４図に示すよ
うに未焼成の絶縁性グリーンシート２１を形成してステ
ンレス等から成る金型外形と複欽個の孔部２２とを同時
にパンチングして形成する。さらに銀、パラジウム等を
主成分とする黒体ペーストケ印刷形成して孔部２２を囲
む電極パターン２３と隣接する電極パターン２３同士の
間を迂回して接続するコの字状の配線パターン２４とを
設ける。次に中間に位置する絶縁性グリーンシート２１
の中央部２１ａの斜線で示した位置に前述の誘電性積層
体を載置して絶縁性グリーン７−）２１同士を積み重ね
熱プレス機を用いて温度１００〜１５０℃、圧力２００
〜３００＃／ｃ！Ｉ＃の条件で焼成前の熱圧着をする。
鉛等を主成分とする無機絶縁性粉末にボリビニルプチラ
ール等の有機バインダーとエテルセロンルプ等の肩機溶
媒を加えて泥漿化状態にしたものをドクターブレードを
用いたキャスティング成膜法等によって第４図に示すよ
うに未焼成の絶縁性グリーンシート２１を形成してステ
ンレス等から成る金型外形と複欽個の孔部２２とを同時
にパンチングして形成する。さらに銀、パラジウム等を
主成分とする黒体ペーストケ印刷形成して孔部２２を囲
む電極パターン２３と隣接する電極パターン２３同士の
間を迂回して接続するコの字状の配線パターン２４とを
設ける。次に中間に位置する絶縁性グリーンシート２１
の中央部２１ａの斜線で示した位置に前述の誘電性積層
体を載置して絶縁性グリーン７−）２１同士を積み重ね
熱プレス機を用いて温度１００〜１５０℃、圧力２００
〜３００＃／ｃ！Ｉ＃の条件で焼成前の熱圧着をする。
この熱圧着によって誘電性積層体１０を内部に埋め込ん
だ状態の未焼成のセラミック複合基板が出来る。次にこ
れを温度８００〜１ｏｏｏ℃で焼成しセラミック基板内
にコンデンサ素子を内蔵したセラミック複合基板が完成
する。
だ状態の未焼成のセラミック複合基板が出来る。次にこ
れを温度８００〜１ｏｏｏ℃で焼成しセラミック基板内
にコンデンサ素子を内蔵したセラミック複合基板が完成
する。
第５図および第６図は１本発明セラミック複合基板の耐
湿負荷寿命試験の結果を示すグラフである。試験条件は
、温度８５℃、相対湿度９０〜９５チで直流電圧５０Ｖ
を２０００時間まで印加して行なった。グラフに示すよ
うに静電容量やｔａｎδおよび絶縁抵抗の変化の非常に
少ないコンデンサ内蔵のセラミック複合基板が得られた
。
湿負荷寿命試験の結果を示すグラフである。試験条件は
、温度８５℃、相対湿度９０〜９５チで直流電圧５０Ｖ
を２０００時間まで印加して行なった。グラフに示すよ
うに静電容量やｔａｎδおよび絶縁抵抗の変化の非常に
少ないコンデンサ内蔵のセラミック複合基板が得られた
。
なお、本発明の第１の例の実施例では、ネットワーク構
成のコンデンサ素子形成の例について説明したが、個単
位の単独のコンデンサ素子形成でも本発明が適用できる
のはぎうまでもない。
成のコンデンサ素子形成の例について説明したが、個単
位の単独のコンデンサ素子形成でも本発明が適用できる
のはぎうまでもない。
また、第２図は本発明の第２実施例で焼成断みのチップ
コンデンサ等を内蔵することも容易に考えられる。
コンデンサ等を内蔵することも容易に考えられる。
以上、本発明により、コンデンサ部や電極パターンおよ
び配線パターンがセラミックの絶縁層内部に層状に形成
できるので小形化、集積化の進−展が容易であシ、かつ
高性能な複合部品が得られる効果がある。
び配線パターンがセラミックの絶縁層内部に層状に形成
できるので小形化、集積化の進−展が容易であシ、かつ
高性能な複合部品が得られる効果がある。
第１図、第２図はそれぞれ本発明の第１および第２の実
施例の断面図。第３図、第４図は第１図の第１の実施例
構造を示す分解斜視図。第５図。 第６図は本発明の第１の実施例セラミック複合基板の耐
湿負荷寿命試１Ｉ）Ｌ％性示すグラフである。 １・・・・・・絶縁性グリーンシー）、２．１１・・・
・・・誘電性グリーンシート、３・旧・・チップ型積層
セラミツクコ／デンサ素子、４．２４・・・・・・配線
パターン、５・・・・・・外部電極、６．２２・旧・・
孔部、１０・・・・・・誘電性の積層体、１２・・・・
・・ランド部、１３．２３・・・・・・電極パターン、
２１・・・・・・絶縁性グリーンシート、２１ａ・・・
・・・誘電性積層体載置部。 第 １ 図 差２図 亭 ３ 図 革 ４ 凹 ＩＮ？−閂 ［ｈｒ］ 茶 ５ ｒＭ １１１４ ３’［ｔと〕 茅 乙 訝］
施例の断面図。第３図、第４図は第１図の第１の実施例
構造を示す分解斜視図。第５図。 第６図は本発明の第１の実施例セラミック複合基板の耐
湿負荷寿命試１Ｉ）Ｌ％性示すグラフである。 １・・・・・・絶縁性グリーンシー）、２．１１・・・
・・・誘電性グリーンシート、３・旧・・チップ型積層
セラミツクコ／デンサ素子、４．２４・・・・・・配線
パターン、５・・・・・・外部電極、６．２２・旧・・
孔部、１０・・・・・・誘電性の積層体、１２・・・・
・・ランド部、１３．２３・・・・・・電極パターン、
２１・・・・・・絶縁性グリーンシート、２１ａ・・・
・・・誘電性積層体載置部。 第 １ 図 差２図 亭 ３ 図 革 ４ 凹 ＩＮ？−閂 ［ｈｒ］ 茶 ５ ｒＭ １１１４ ３’［ｔと〕 茅 乙 訝］
Claims (1)
- コンデンサ素子と、前記コンデンサ素子および外部電極
間を電気的に接続した導体配線とを、絶縁性のセラミッ
クスで一体成形封止したことを特徴とするセラミック複
合基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17021184A JPS6147691A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | セラミツク複合基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17021184A JPS6147691A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | セラミツク複合基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6147691A true JPS6147691A (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=15900726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17021184A Pending JPS6147691A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | セラミツク複合基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6147691A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01101656A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Tdk Corp | 積層集積回路 |
| US5177670A (en) * | 1991-02-08 | 1993-01-05 | Hitachi, Ltd. | Capacitor-carrying semiconductor module |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59132611A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-30 | 日本電気株式会社 | コンデンサ複合基板 |
-
1984
- 1984-08-15 JP JP17021184A patent/JPS6147691A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59132611A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-30 | 日本電気株式会社 | コンデンサ複合基板 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01101656A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Tdk Corp | 積層集積回路 |
| US5177670A (en) * | 1991-02-08 | 1993-01-05 | Hitachi, Ltd. | Capacitor-carrying semiconductor module |
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