JPS6146028B2 - - Google Patents
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- JPS6146028B2 JPS6146028B2 JP56052684A JP5268481A JPS6146028B2 JP S6146028 B2 JPS6146028 B2 JP S6146028B2 JP 56052684 A JP56052684 A JP 56052684A JP 5268481 A JP5268481 A JP 5268481A JP S6146028 B2 JPS6146028 B2 JP S6146028B2
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- -1 silver-activated zinc cadmium sulfide Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims abstract description 3
- UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N zinc;cadmium(2+);disulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[Zn+2].[Cd+2] UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 91
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 19
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 21
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 18
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 89
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 4
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 3
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDCBOTIENDVCBQ-UHFFFAOYSA-N TEPP Chemical compound CCOP(=O)(OCC)OP(=O)(OCC)OCC IDCBOTIENDVCBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 229940100890 silver compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003379 silver compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00013—Fully indexed content
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0103—Zinc [Zn]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低速電子線励起下で高輝度の赤色発光
を示す発光組成物に関する。
を示す発光組成物に関する。
従来、加速電圧が100V以下の低速電子線の励
起によつて高揮度に発光する螢光体として亜鉛付
活酸化亜鉛螢光体（ZnO：Zn）がよく知られてい
る。このZnO：Zn螢光体は低速電子線で励起した
場合高輝度の緑白色発光を示し、低速電子線励起
螢光表示管の螢光膜として実用されている。
起によつて高揮度に発光する螢光体として亜鉛付
活酸化亜鉛螢光体（ZnO：Zn）がよく知られてい
る。このZnO：Zn螢光体は低速電子線で励起した
場合高輝度の緑白色発光を示し、低速電子線励起
螢光表示管の螢光膜として実用されている。
低速電子線励起螢光表示管（以下「螢光表示
管」と略称する）は基本的には片面に螢光膜を有
する陽極プレートと、上記螢光膜に対向するよう
に設けられた陰極とを、その内部が真空で容器内
に封入したものであり、陰極から放射される低速
電子線（一般に加速電圧が100V以下の低速電子
線）によつて陽極プレート上の螢光膜を励起して
発光せしめるものである。上記ZnO：Zn螢光体か
らなる螢光膜を有する螢光表示管は卓上電子計算
器、各種計測機器等の表示素子として広く利用さ
れている。
管」と略称する）は基本的には片面に螢光膜を有
する陽極プレートと、上記螢光膜に対向するよう
に設けられた陰極とを、その内部が真空で容器内
に封入したものであり、陰極から放射される低速
電子線（一般に加速電圧が100V以下の低速電子
線）によつて陽極プレート上の螢光膜を励起して
発光せしめるものである。上記ZnO：Zn螢光体か
らなる螢光膜を有する螢光表示管は卓上電子計算
器、各種計測機器等の表示素子として広く利用さ
れている。
近年、螢光表示管の利用分野が拡大されるにつ
れて螢光表示管の発光色の多様化が望まれるよう
になり、低速電子線励起下で緑色以外の発光を螢
光体の開発が盛んに進められてきた。その結果、
低速電子線励起下で緑色以外の高輝度の発光を示
す螢光体がいくつか見出されたが、それら螢光体
のうちの１種にその組成式が （Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag （但し、ｘは0.65≦ｘ≦１なる条件を満たす数
である。以下同様である。） で表わされる銀付活硫化亜鉛カドミウム螢光体が
ある。
れて螢光表示管の発光色の多様化が望まれるよう
になり、低速電子線励起下で緑色以外の発光を螢
光体の開発が盛んに進められてきた。その結果、
低速電子線励起下で緑色以外の高輝度の発光を示
す螢光体がいくつか見出されたが、それら螢光体
のうちの１種にその組成式が （Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag （但し、ｘは0.65≦ｘ≦１なる条件を満たす数
である。以下同様である。） で表わされる銀付活硫化亜鉛カドミウム螢光体が
ある。
特開昭53−132489号に開示されているように、
上記（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体は低速電子線
励起下で赤色発光を示し、Ag付活量が（Zn1-x，
Cdx）Ｓ母体１ｇに対して８×10-5乃至３×10-4
ｇである時特に高輝度の発光を示す。そしてAg
付活量が上記範囲内にある（Zn1-x，Cdx）Ｓ：
Ag螢光体からなる螢光膜を有する赤色発光螢光
表示管は表元素子として実用されている。
上記（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体は低速電子線
励起下で赤色発光を示し、Ag付活量が（Zn1-x，
Cdx）Ｓ母体１ｇに対して８×10-5乃至３×10-4
ｇである時特に高輝度の発光を示す。そしてAg
付活量が上記範囲内にある（Zn1-x，Cdx）Ｓ：
Ag螢光体からなる螢光膜を有する赤色発光螢光
表示管は表元素子として実用されている。
ところで螢光表示管の製造に際して陽極プレー
ト上に螢光膜を形成するのに、従来は螢光体を水
中に分散させた懸濁液中に陽極プレートを置き、
螢光体の自重によつて螢光体を陽極プレート上に
沈降させた後水を除去して塗膜を乾燥させる、い
わゆる沈降塗布法が採用されている。上記従来実
用の赤色発光螢光表示管の製造においても、陽極
プレート上に（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体から
なる螢光膜を形成するのにこの沈降塗布法が用い
られている。沈降塗布法による（Zn1-x，Cdx）
Ｓ：Ag螢光体からなる螢光膜の形成については
上記特開昭53−132489号に詳細に説明されてい
る。
ト上に螢光膜を形成するのに、従来は螢光体を水
中に分散させた懸濁液中に陽極プレートを置き、
螢光体の自重によつて螢光体を陽極プレート上に
沈降させた後水を除去して塗膜を乾燥させる、い
わゆる沈降塗布法が採用されている。上記従来実
用の赤色発光螢光表示管の製造においても、陽極
プレート上に（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体から
なる螢光膜を形成するのにこの沈降塗布法が用い
られている。沈降塗布法による（Zn1-x，Cdx）
Ｓ：Ag螢光体からなる螢光膜の形成については
上記特開昭53−132489号に詳細に説明されてい
る。
最近、螢光表示管の製造に際して陽極プレート
上に螢光膜を形成するのに、製造が容易である等
の理由から上記沈降塗布法に代わつてスクリーン
印刷法が採用されるようになつた。このスクリー
ン印刷法は螢光体を適当な有機バインダーと混合
して螢光体インクを調製し、この螢光体インクを
謄写版刷りの方法で陽極プレート上に印刷した
後、得られた塗膜を400乃至500℃の温度でベーキ
ングし有機バインダーを除去して螢光膜を形成す
る方法である。しかしながら、従来沈降塗布法に
よつて螢光膜とされていたAg付活量が（Zn1-x，
Cdx）Ｓ母体１ｇに対して８×10-5乃至３×10-4
ｇである（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体はスクリ
ーン印刷法によつて螢光膜とされる場合、ベーキ
ングによつてその発光揮度が著しく低下すること
が判明した。従つて低速電子線励起下で高輝度の
発光を示すと同時に、スクリーン印刷法によつて
螢光膜とする場合ベーキングによつて発光輝度が
低下しないような（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体
が強く望まれている。
上に螢光膜を形成するのに、製造が容易である等
の理由から上記沈降塗布法に代わつてスクリーン
印刷法が採用されるようになつた。このスクリー
ン印刷法は螢光体を適当な有機バインダーと混合
して螢光体インクを調製し、この螢光体インクを
謄写版刷りの方法で陽極プレート上に印刷した
後、得られた塗膜を400乃至500℃の温度でベーキ
ングし有機バインダーを除去して螢光膜を形成す
る方法である。しかしながら、従来沈降塗布法に
よつて螢光膜とされていたAg付活量が（Zn1-x，
Cdx）Ｓ母体１ｇに対して８×10-5乃至３×10-4
ｇである（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体はスクリ
ーン印刷法によつて螢光膜とされる場合、ベーキ
ングによつてその発光揮度が著しく低下すること
が判明した。従つて低速電子線励起下で高輝度の
発光を示すと同時に、スクリーン印刷法によつて
螢光膜とする場合ベーキングによつて発光輝度が
低下しないような（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体
が強く望まれている。
本発明は上述のような状況に鑑みてなされたも
のであり、低速電子線励起下で高輝度の発光を示
し、またスクリーン印刷法によつて螢光表示管の
螢光膜とする場合、ベーキングによつて発光輝度
が低下しないような（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光
体を提供することを目的とするものである。
のであり、低速電子線励起下で高輝度の発光を示
し、またスクリーン印刷法によつて螢光表示管の
螢光膜とする場合、ベーキングによつて発光輝度
が低下しないような（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光
体を提供することを目的とするものである。
本発明者は上記目的を達成するため（Zn1-x，
Cdx）Ｓ：Ag螢光体について種々の研究を行なつ
た。その結果、従来赤色発光螢光表示管の螢光膜
として実用されているAg付活量が（Zn1-x，
Cdx）Ｓ母体１ｇに対して８×10-5乃至３×10-4
ｇである（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体よりもAg
付活濃度が高い（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体は
意外なことにスクリーン印刷法におけるベーキン
グによつて発光輝度が低下するどころかむしろ向
上することを見出し、またこのAg付活濃度の高
い（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体に適当量の酸化
インジウム（In2O3）を添加混合する場合にはベー
キングによつて該螢光体の発光輝度がさらに向上
することを見出し、これらの発見に基づいて本発
明を完成させるに至つた。
Cdx）Ｓ：Ag螢光体について種々の研究を行なつ
た。その結果、従来赤色発光螢光表示管の螢光膜
として実用されているAg付活量が（Zn1-x，
Cdx）Ｓ母体１ｇに対して８×10-5乃至３×10-4
ｇである（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体よりもAg
付活濃度が高い（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体は
意外なことにスクリーン印刷法におけるベーキン
グによつて発光輝度が低下するどころかむしろ向
上することを見出し、またこのAg付活濃度の高
い（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体に適当量の酸化
インジウム（In2O3）を添加混合する場合にはベー
キングによつて該螢光体の発光輝度がさらに向上
することを見出し、これらの発見に基づいて本発
明を完成させるに至つた。
本発明の発光組成物は（Zn1-x，Cdx）Ｓ母体
１ｇに対して３×10-4乃至５×10-3ｇのAgが付
活された（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体とIn2O3と
を７：３乃至99：１の重量比で混合したことを特
徴とするものである。
１ｇに対して３×10-4乃至５×10-3ｇのAgが付
活された（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体とIn2O3と
を７：３乃至99：１の重量比で混合したことを特
徴とするものである。
本発明の発光組成物の一方の構成成分である
（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体は一般に以下に述べ
るような方法によつて製造される。すなわち硫化
亜鉛（ZnS）生粉と硫化カドミウム（CdS）生粉
とを、CdS生粉ｘモルに対してZnS生粉が（１−
ｘ）モルとなる割合（但し0.65≦ｘ≦１である）
で混合してなる混合硫化物生粉に塩化銀
（AgCl）、硝酸銀（AgNO3）等の銀化合物を所定
量混合し、場合によつてはさらに塩化ナトリウム
（NaCl）等の融剤を適当量添加し、硫化水素雰囲
気、硫黄零囲気等の硫化性雰囲気中で800乃至
1200℃の温度で１乃至５時間焼成することによつ
て得られる。この（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体
の付活剤Ag量は母体（Zn1-x，Cdx）S1ｇに対し
て３×10-4乃至５×10-3ｇである。なお、ｘの値
が0.65より小さい（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体
は低速電子線励起下での発光輝度が著しく低く、
また発光色が赤色でないので本発明の発光組成物
の構成成分としては好ましくない。なお、付活剤
であるAgの原料としてハロゲン化銀（例えば
AgCl）を使用する場合、あるいは融剤としてハ
ロゲン化物（例えばNaCl）を使用する場合はハ
ロゲンの一部が螢光体中に残存する。
（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体は一般に以下に述べ
るような方法によつて製造される。すなわち硫化
亜鉛（ZnS）生粉と硫化カドミウム（CdS）生粉
とを、CdS生粉ｘモルに対してZnS生粉が（１−
ｘ）モルとなる割合（但し0.65≦ｘ≦１である）
で混合してなる混合硫化物生粉に塩化銀
（AgCl）、硝酸銀（AgNO3）等の銀化合物を所定
量混合し、場合によつてはさらに塩化ナトリウム
（NaCl）等の融剤を適当量添加し、硫化水素雰囲
気、硫黄零囲気等の硫化性雰囲気中で800乃至
1200℃の温度で１乃至５時間焼成することによつ
て得られる。この（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体
の付活剤Ag量は母体（Zn1-x，Cdx）S1ｇに対し
て３×10-4乃至５×10-3ｇである。なお、ｘの値
が0.65より小さい（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体
は低速電子線励起下での発光輝度が著しく低く、
また発光色が赤色でないので本発明の発光組成物
の構成成分としては好ましくない。なお、付活剤
であるAgの原料としてハロゲン化銀（例えば
AgCl）を使用する場合、あるいは融剤としてハ
ロゲン化物（例えばNaCl）を使用する場合はハ
ロゲンの一部が螢光体中に残存する。
本発明の発光組成物のもう一方の構成成分であ
るIn2O3としては一般試薬のIn2O3、あるいは一般
試薬のIn2O3もしくは硫酸塩、硝酸塩、塩化物等
の高温で容易にIn2O3に変わりうるインジウム化
合物を空気中、中性雰囲気中、あるいは弱還元性
雰囲気中で1500℃以下の温度で焼成して得た焼成
In2O3が用いられる。In2O3は平均粒子径が２乃至
10μのものを用いるのが好ましく、篩などによつ
て粒子径をそろえたものを用いるのがより好まし
い。
るIn2O3としては一般試薬のIn2O3、あるいは一般
試薬のIn2O3もしくは硫酸塩、硝酸塩、塩化物等
の高温で容易にIn2O3に変わりうるインジウム化
合物を空気中、中性雰囲気中、あるいは弱還元性
雰囲気中で1500℃以下の温度で焼成して得た焼成
In2O3が用いられる。In2O3は平均粒子径が２乃至
10μのものを用いるのが好ましく、篩などによつ
て粒子径をそろえたものを用いるのがより好まし
い。
本発明の発光組成物は上述の（Zn1-x，Cdx）
Ｓ：Ag螢光体とIn2O3とをボールミル、ミキサ−
ミル等によつて充分混合することによつて得るこ
とができる。両者は（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag／
In2O3の値が7/3乃至99/1の範囲となる重量比で混
合される。（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag／In2O3の値が
7/3より小さい場合には発光組成物中の不発光成
分であるIn2O3による（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光
体の発光の吸収が大きくなるため発光輝度が低下
し、一方（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag／In2O3の値が9
９／１より大きい場合には発光組成物は（Zn1-x，
Cdx）Ｓ：Ag螢光体に近いものとなつてIn2O3を
混合したことによる発光輝度の向上が見られなく
なる。発光輝度の点から（Zn1-x，Cdx）Ｓ：
Ag／In2O3の値は特に17/3乃至19/1の範囲にある
のが好ましい。
Ｓ：Ag螢光体とIn2O3とをボールミル、ミキサ−
ミル等によつて充分混合することによつて得るこ
とができる。両者は（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag／
In2O3の値が7/3乃至99/1の範囲となる重量比で混
合される。（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag／In2O3の値が
7/3より小さい場合には発光組成物中の不発光成
分であるIn2O3による（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光
体の発光の吸収が大きくなるため発光輝度が低下
し、一方（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag／In2O3の値が9
９／１より大きい場合には発光組成物は（Zn1-x，
Cdx）Ｓ：Ag螢光体に近いものとなつてIn2O3を
混合したことによる発光輝度の向上が見られなく
なる。発光輝度の点から（Zn1-x，Cdx）Ｓ：
Ag／In2O3の値は特に17/3乃至19/1の範囲にある
のが好ましい。
図面は（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体を使用し
た螢光膜を有する螢光表示管における（Zn0.2，
Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体のAg付活量と螢光膜の発光
輝度との関係を示すグラフであり、曲線ａ，ｂお
よびｃはそれぞれ螢光膜が（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：
Ag螢光体のみからなり、該螢光膜が沈降塗布法
によつて形成された場合、螢光膜が（Zn0.2，
Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体のみからなり該螢光膜がス
クリーン印刷法によつて形成された場合（ベーキ
ング温度は500℃）、および螢光膜が（Zn0.2，
Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体とIn2O3とを９：１の重量
比で混合した発光組成物からなり該螢光膜がスク
リーン印刷法によつて形成された場合（ベーキン
グ温度は500℃）である。なお図面において発光
輝度（縦軸）は相対値で表わされており、またい
ずれの螢光膜も加速電圧が50Vの低速電子線で励
起された。
た螢光膜を有する螢光表示管における（Zn0.2，
Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体のAg付活量と螢光膜の発光
輝度との関係を示すグラフであり、曲線ａ，ｂお
よびｃはそれぞれ螢光膜が（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：
Ag螢光体のみからなり、該螢光膜が沈降塗布法
によつて形成された場合、螢光膜が（Zn0.2，
Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体のみからなり該螢光膜がス
クリーン印刷法によつて形成された場合（ベーキ
ング温度は500℃）、および螢光膜が（Zn0.2，
Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体とIn2O3とを９：１の重量
比で混合した発光組成物からなり該螢光膜がスク
リーン印刷法によつて形成された場合（ベーキン
グ温度は500℃）である。なお図面において発光
輝度（縦軸）は相対値で表わされており、またい
ずれの螢光膜も加速電圧が50Vの低速電子線で励
起された。
曲線ａから明らかなように、（Zn0.2，Cd0.8）
Ｓ：Ag螢光体は沈降塗布法によつて螢光膜とさ
れる場合、すなわちベーキングが施されない場
合、Ag付活量が（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ母体１ｇに対
して８×10-5乃至３×10-4ｇである時高輝度の発
光を示し、特にAg付活量が（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ母
体１ｇに対して約1.5×10-4ｇである時最大発光
輝度を示す。先に説明したように、Ag付活量が
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ母体１ｇに対して８×10-5乃至
３×10-4ｇである（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体
は従来赤色発光螢光表示管の螢光膜として実用さ
れている。しかしながら曲線ｂから明らかなよう
に、上記従来実用の（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光
体はスクリーン印刷法によつて螢光膜とされる場
合、すなわちベーキングが施される場合、発光輝
度が低下する。ところが曲線ｂから明らかなよう
に、上記従来実用の（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光
体よりもAg付活濃度が高い（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：
Ag螢光体（発光輝度が低いために従来実用され
ていなかつた）は意外にもスクリーン印刷法によ
つて螢光膜とされる場合、すなわちベーキングが
施される場合、発光輝度が低下するどころかむし
ろ著しく向上する。そしてAg付活量が（Zn0.2，
Cd0.8）Ｓ母体１ｇに対して８×10-4乃至５×
10-3ｇである（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体はス
クリーン印刷法によつて螢光膜とされる場合、上
記従来実用の（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体の最
大発光輝度と同等もしくはそれ以上の発光輝度を
示す。
Ｓ：Ag螢光体は沈降塗布法によつて螢光膜とさ
れる場合、すなわちベーキングが施されない場
合、Ag付活量が（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ母体１ｇに対
して８×10-5乃至３×10-4ｇである時高輝度の発
光を示し、特にAg付活量が（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ母
体１ｇに対して約1.5×10-4ｇである時最大発光
輝度を示す。先に説明したように、Ag付活量が
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ母体１ｇに対して８×10-5乃至
３×10-4ｇである（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体
は従来赤色発光螢光表示管の螢光膜として実用さ
れている。しかしながら曲線ｂから明らかなよう
に、上記従来実用の（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光
体はスクリーン印刷法によつて螢光膜とされる場
合、すなわちベーキングが施される場合、発光輝
度が低下する。ところが曲線ｂから明らかなよう
に、上記従来実用の（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光
体よりもAg付活濃度が高い（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：
Ag螢光体（発光輝度が低いために従来実用され
ていなかつた）は意外にもスクリーン印刷法によ
つて螢光膜とされる場合、すなわちベーキングが
施される場合、発光輝度が低下するどころかむし
ろ著しく向上する。そしてAg付活量が（Zn0.2，
Cd0.8）Ｓ母体１ｇに対して８×10-4乃至５×
10-3ｇである（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体はス
クリーン印刷法によつて螢光膜とされる場合、上
記従来実用の（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体の最
大発光輝度と同等もしくはそれ以上の発光輝度を
示す。
このように従来実用の（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag
螢光体よりもAg付活濃度が高い（Zn0.2，Cd0.8）
Ｓ：Ag螢光体の発光輝度はスクリーン印刷法に
おけるベーキングによつて向上するが、この発光
輝度の向上は該螢光体にIn2O3を適当量混合する
ことによつて助長される。その様子は曲線ｃによ
つて示される。
螢光体よりもAg付活濃度が高い（Zn0.2，Cd0.8）
Ｓ：Ag螢光体の発光輝度はスクリーン印刷法に
おけるベーキングによつて向上するが、この発光
輝度の向上は該螢光体にIn2O3を適当量混合する
ことによつて助長される。その様子は曲線ｃによ
つて示される。
なお曲線ａと曲線ｂの比較から明らかなよう
に、Ag付活量が（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ母体１ｇに対
して２×10-4乃至３×10-4ｇである（Zn0.2，
Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体はスクリーン印刷法によつ
て螢光膜とされる場合、発光輝度が低下する。し
かしながら曲線ｃから明らかなように、Ag付活
量が上記範囲にある（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光
体にIn2O3を混合することによる該螢光体の発光
輝度の向上はスクリーン印刷法によつて螢光膜と
されることによる発光輝度の低下よりも大きなも
のであり、従つてAg付活量が上記範囲にある
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体にIn2O3を混合した
発光組成物はスクリーン印刷法によつて螢光膜さ
れる場合、ベーキングが施されていないAg付活
量が同じである（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体
（曲線ａ）よりも高輝度の発光を示す。そして曲
線ｃと曲線ａから明らかなように、Ag付活量が
（Zn0.2，Cd0.8）S1ｇに対して３×10-4乃至５×
10-3ｇである（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体と
In2O3とを混合した発光組成物はスクリーン印刷
法によつて螢光膜とされる場合、上記従来実用の
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体の最大発光輝度以
上の発光輝度を示す。本発明の発光組成物に用い
られる（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体のAg付活量
が（Zn1-x，Cdx）Ｓ母体１ｇに対して３×10-4乃
至５×10-3ｇと限定されるのはこのような知見に
基づいてである。
に、Ag付活量が（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ母体１ｇに対
して２×10-4乃至３×10-4ｇである（Zn0.2，
Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体はスクリーン印刷法によつ
て螢光膜とされる場合、発光輝度が低下する。し
かしながら曲線ｃから明らかなように、Ag付活
量が上記範囲にある（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光
体にIn2O3を混合することによる該螢光体の発光
輝度の向上はスクリーン印刷法によつて螢光膜と
されることによる発光輝度の低下よりも大きなも
のであり、従つてAg付活量が上記範囲にある
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体にIn2O3を混合した
発光組成物はスクリーン印刷法によつて螢光膜さ
れる場合、ベーキングが施されていないAg付活
量が同じである（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体
（曲線ａ）よりも高輝度の発光を示す。そして曲
線ｃと曲線ａから明らかなように、Ag付活量が
（Zn0.2，Cd0.8）S1ｇに対して３×10-4乃至５×
10-3ｇである（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体と
In2O3とを混合した発光組成物はスクリーン印刷
法によつて螢光膜とされる場合、上記従来実用の
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体の最大発光輝度以
上の発光輝度を示す。本発明の発光組成物に用い
られる（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体のAg付活量
が（Zn1-x，Cdx）Ｓ母体１ｇに対して３×10-4乃
至５×10-3ｇと限定されるのはこのような知見に
基づいてである。
なお、（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体にIn2O3を
適当量混合することによつて（Zn1-x，Cdx）
Ｓ：Ag螢光体の低速電子線励起下における発光
輝度が向上するのは、（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光
体に比較して導電性の高いIn2O3を混合すること
によつて（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体の導電性
が向上し、このために低速電子線で励起する場合
（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体がチヤージアツプ現
象を示さなくなり、（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体
の励起効率が向上するためであると考えられる。
適当量混合することによつて（Zn1-x，Cdx）
Ｓ：Ag螢光体の低速電子線励起下における発光
輝度が向上するのは、（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光
体に比較して導電性の高いIn2O3を混合すること
によつて（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体の導電性
が向上し、このために低速電子線で励起する場合
（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体がチヤージアツプ現
象を示さなくなり、（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体
の励起効率が向上するためであると考えられる。
以上（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体および
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag／In2O3の値が9/1である
発光組成物について詳述したが、ｘが0.8以外の
（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体およびｘが0.8以外
の（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体とIn2O3との混合
物からなる発光組成物についても、（Zn1-x，
Cdx）Ｓ：Ag螢光体のAg付活量と、ベーキング
の前後における低速電子線励起下での相対発光輝
度との関係は（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体およ
び（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag／In2O3の値が9/1であ
る発光組成物の場合と同様の傾向にあり、また
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag／In2O3の値が7/3乃至99/
１の範囲内で変化しても（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢
光体のAg付活量と発光輝度との関係はほとんど
変化しないことが確認された。
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag／In2O3の値が9/1である
発光組成物について詳述したが、ｘが0.8以外の
（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体およびｘが0.8以外
の（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体とIn2O3との混合
物からなる発光組成物についても、（Zn1-x，
Cdx）Ｓ：Ag螢光体のAg付活量と、ベーキング
の前後における低速電子線励起下での相対発光輝
度との関係は（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体およ
び（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag／In2O3の値が9/1であ
る発光組成物の場合と同様の傾向にあり、また
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag／In2O3の値が7/3乃至99/
１の範囲内で変化しても（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢
光体のAg付活量と発光輝度との関係はほとんど
変化しないことが確認された。
以上説明したように、本発明はスクリーン印刷
法によつて螢光表示管の螢光膜とされる場合高輝
度の発光を螢光膜を与える発光組成物を提供する
ものである。本発明の発光組成物は従来赤色発光
螢光表示管の螢光膜として実用されていた
（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体に代わるものとして
その工業的利用価値は大きなものである。
法によつて螢光表示管の螢光膜とされる場合高輝
度の発光を螢光膜を与える発光組成物を提供する
ものである。本発明の発光組成物は従来赤色発光
螢光表示管の螢光膜として実用されていた
（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体に代わるものとして
その工業的利用価値は大きなものである。
次に実施例によつて本発明を説明する。
実施例 １
Ag付活量が（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ母体１ｇに対し
て10-3ｇである（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体９
重量部と、平均粒子径３μのIn2O3粉末（守隨彦
太郎商店製試薬）１重量部とを、ボールミルで充
分混合して（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag／In2O3の混
合重量比が9/1である発光組成物を得た。
て10-3ｇである（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体９
重量部と、平均粒子径３μのIn2O3粉末（守隨彦
太郎商店製試薬）１重量部とを、ボールミルで充
分混合して（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag／In2O3の混
合重量比が9/1である発光組成物を得た。
このようにして得た発光組成物20ｇをジアセト
ンアルコール10ｇとニトロセルロース0.1ｇから
なるバインダーと共にボールミルで充分に混練し
て発光組成物インクを調製した。次に300メツシ
ユのテトロン製網状スクリーンを用いて２cm平方
のアルミニウム製陽極プレートの片側全面にベー
キング後の塗布密度が約３mg／cm2となるように上
記発光組成物インクを印刷した後、塗膜を500℃
の温度に保つた電気炉中で30分間ベーキングして
バインダーを分解除去し、螢光膜（以下螢光膜Ａ
という）を形成した。
ンアルコール10ｇとニトロセルロース0.1ｇから
なるバインダーと共にボールミルで充分に混練し
て発光組成物インクを調製した。次に300メツシ
ユのテトロン製網状スクリーンを用いて２cm平方
のアルミニウム製陽極プレートの片側全面にベー
キング後の塗布密度が約３mg／cm2となるように上
記発光組成物インクを印刷した後、塗膜を500℃
の温度に保つた電気炉中で30分間ベーキングして
バインダーを分解除去し、螢光膜（以下螢光膜Ａ
という）を形成した。
これとは別に比較のため、Ag付活量が
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ母体１ｇに対して1.5×10-4ｇ
である（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体100mgを
0.01％の水ガラスを含む蒸留水100c.c.中に分散さ
せた懸濁液を用いて、沈降塗布法によつて２cm平
方のアルミニウム製陽極プレートの片側全面に乾
燥後の塗布密度が約３mg／cm2となるように上記
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体を沈降塗布した
後、これを100℃で30分間乾燥して螢光膜（以
下、螢光膜Ｒという）を形成した。
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ母体１ｇに対して1.5×10-4ｇ
である（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体100mgを
0.01％の水ガラスを含む蒸留水100c.c.中に分散さ
せた懸濁液を用いて、沈降塗布法によつて２cm平
方のアルミニウム製陽極プレートの片側全面に乾
燥後の塗布密度が約３mg／cm2となるように上記
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光体を沈降塗布した
後、これを100℃で30分間乾燥して螢光膜（以
下、螢光膜Ｒという）を形成した。
上述のようにして得た螢光膜Ａおよび螢光膜Ｒ
を50Vの低速電子線で励起した時、螢光膜Ａは螢
光膜Ｒの約1.7倍の発光輝度を示した。
を50Vの低速電子線で励起した時、螢光膜Ａは螢
光膜Ｒの約1.7倍の発光輝度を示した。
実施例 ２
Ag付活量が（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ母体１ｇに対し
て５×10-3ｇである（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光
体を使用し、実施例１と同様にして得た
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag／In2O3の混合重量比が9/
１である発光組成物を用いること以外は実施例１
と同様にして２cm平方のアルミニウム製陽極プレ
ートの片側全面にスクリーン印刷法により螢光膜
（以下、螢光膜Ｂという）を形成した。
て５×10-3ｇである（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光
体を使用し、実施例１と同様にして得た
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag／In2O3の混合重量比が9/
１である発光組成物を用いること以外は実施例１
と同様にして２cm平方のアルミニウム製陽極プレ
ートの片側全面にスクリーン印刷法により螢光膜
（以下、螢光膜Ｂという）を形成した。
上述のようにして得た螢光膜Ｂと実施例１で沈
降塗布法によつて形成した螢光膜Ｒとを50Vの低
速電子線で励起した時、螢光膜Ｂは螢光膜Ｒの約
1.3倍の発光輝度を示した。
降塗布法によつて形成した螢光膜Ｒとを50Vの低
速電子線で励起した時、螢光膜Ｂは螢光膜Ｒの約
1.3倍の発光輝度を示した。
実施例 ３
Ag付活量が（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ母体１ｇに対し
て３×10-4ｇである（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光
体を使用し、実施例１と同様にして得た
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag／In2O3の混合重量比が9/
１である発光組成物を用いること以外は実施例１
と同様にして２cm平方のアルミニウム製陽極プレ
ートの片側全面にスクリーン印刷法により螢光膜
（以下螢光膜Ｃという）を形成した。
て３×10-4ｇである（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag螢光
体を使用し、実施例１と同様にして得た
（Zn0.2，Cd0.8）Ｓ：Ag／In2O3の混合重量比が9/
１である発光組成物を用いること以外は実施例１
と同様にして２cm平方のアルミニウム製陽極プレ
ートの片側全面にスクリーン印刷法により螢光膜
（以下螢光膜Ｃという）を形成した。
上述のようにして得た螢光膜Ｃと実施例１で沈
降塗布法によつて形成した螢光膜Ｒとを50Vの低
速電子線で励起した時、螢光膜Ｃは螢光膜Ｒの約
1.2倍の発光輝度を示した。
降塗布法によつて形成した螢光膜Ｒとを50Vの低
速電子線で励起した時、螢光膜Ｃは螢光膜Ｒの約
1.2倍の発光輝度を示した。
実施例 ４
Ag付活量が（Zn0.25，Cd0.75）Ｓ母体１ｇに対
して８×10-4ｇである（Zn0.25，Cd0.75）Ｓ：Ag
螢光体17重量部と、In2O3試薬（守隨彦太郎商店
製）を空気中で1400℃の温度で１時間焼成後篩に
かけて粒子径をそろえて得た平均粒子径５μの焼
成In2O33重量部とを使用し、実施例１と同様にし
て得た（Zn0.25，Cd0.75）Ｓ：Ag／In2O3の混合
重量比が17/3である発光組成物を用いること以外
は実施例１と同様にして２cm平方のアルミニウム
製陽極プレートの片側全面にスクリーン印刷法に
より螢光膜（以下螢光膜Ｄという）を形成した。
して８×10-4ｇである（Zn0.25，Cd0.75）Ｓ：Ag
螢光体17重量部と、In2O3試薬（守隨彦太郎商店
製）を空気中で1400℃の温度で１時間焼成後篩に
かけて粒子径をそろえて得た平均粒子径５μの焼
成In2O33重量部とを使用し、実施例１と同様にし
て得た（Zn0.25，Cd0.75）Ｓ：Ag／In2O3の混合
重量比が17/3である発光組成物を用いること以外
は実施例１と同様にして２cm平方のアルミニウム
製陽極プレートの片側全面にスクリーン印刷法に
より螢光膜（以下螢光膜Ｄという）を形成した。
これとは別に比較のため、Ag付活量が
（Zn0.25，Cd0.75）Ｓ母体１ｇに対して1.5×10-4ｇ
である（Zn0.25，Cd0.75）Ｓ：Ag螢光体を使用す
ること以外は実施例１の螢光膜形成法と同様にし
て２cm平方のアルミニウム製陽極プレートの片側
全面に沈降塗布法によつて螢光膜（以下螢光膜Ｓ
という）を形成した。
（Zn0.25，Cd0.75）Ｓ母体１ｇに対して1.5×10-4ｇ
である（Zn0.25，Cd0.75）Ｓ：Ag螢光体を使用す
ること以外は実施例１の螢光膜形成法と同様にし
て２cm平方のアルミニウム製陽極プレートの片側
全面に沈降塗布法によつて螢光膜（以下螢光膜Ｓ
という）を形成した。
上述のようにして得た螢光膜Ｄおよび螢光膜Ｓ
を50Vの低速電子線で励起した時、螢光膜Ｄは螢
光膜Ｓの約1.6倍の発光輝度を示した。
を50Vの低速電子線で励起した時、螢光膜Ｄは螢
光膜Ｓの約1.6倍の発光輝度を示した。
図面は（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体を使用し
た螢光膜を有する螢光表示管における（Zn1-x，
Cdx）Ｓ：Ag螢光体のAg付活量と螢光膜の発光
輝度との関係を例示するグラフであり、曲線ａ，
ｂおよびｃはそれぞれ螢光膜が（Zn1-x，Cdx）
Ｓ：Ag螢光体のみからなり該螢光膜が沈降塗布
法によつて形成された場合、螢光膜が（Zn1-x，
Cdx）Ｓ：Ag螢光体のみからなり該螢光膜がスク
リーン印刷法によつて形成された場合、および螢
光膜が（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体とIn2O3とを
混合した発光組成物からなり該螢光膜がスクリー
ン印刷法によつて形成された場合である。
た螢光膜を有する螢光表示管における（Zn1-x，
Cdx）Ｓ：Ag螢光体のAg付活量と螢光膜の発光
輝度との関係を例示するグラフであり、曲線ａ，
ｂおよびｃはそれぞれ螢光膜が（Zn1-x，Cdx）
Ｓ：Ag螢光体のみからなり該螢光膜が沈降塗布
法によつて形成された場合、螢光膜が（Zn1-x，
Cdx）Ｓ：Ag螢光体のみからなり該螢光膜がスク
リーン印刷法によつて形成された場合、および螢
光膜が（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag螢光体とIn2O3とを
混合した発光組成物からなり該螢光膜がスクリー
ン印刷法によつて形成された場合である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 組成式が （Zn1-x，Cdx）Ｓ （但し、ｘは0.65≦ｘ≦1.0なる条件を満たす
数である） で表わされる硫化亜鉛カドミウムを母体とし、こ
の母体１ｇに対して３×10-4乃至５×10-3ｇの銀
を付活剤として含む銀付活硫化亜鉛カドミウム蛍
光体［（Zn1-x，Cdx）Ｓ：Ag］と、酸化インジ
ウム（In2O3）とを、７：３乃至99：１の重量比で
混合してなる発光組成物。 ２ 上記銀付活硫化亜鉛カドミウム蛍光体と上記
酸化インジウムとの混合重量比が17：３乃至19：
１であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の発光組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5268481A JPS57167381A (en) | 1981-04-08 | 1981-04-08 | Luminescent composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5268481A JPS57167381A (en) | 1981-04-08 | 1981-04-08 | Luminescent composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57167381A JPS57167381A (en) | 1982-10-15 |
| JPS6146028B2 true JPS6146028B2 (ja) | 1986-10-11 |
Family
ID=12921707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5268481A Granted JPS57167381A (en) | 1981-04-08 | 1981-04-08 | Luminescent composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57167381A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0178976B1 (ko) * | 1990-07-24 | 1999-04-01 | 손욱 | 저속전자선용 적색형광체 및 그 제조방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53132489A (en) * | 1977-04-26 | 1978-11-18 | Dainippon Toryo Co Ltd | Fluorescent display tube excited by low speed electron beams |
| JPS5523104A (en) * | 1978-02-20 | 1980-02-19 | Kasei Optonix Co Ltd | Luminescent composition and low speed electron beam-exciting fluorescent display tube |
| JPS5592788A (en) * | 1979-01-05 | 1980-07-14 | Nec Corp | Light-emitting material |
| JPS5599990A (en) * | 1979-01-23 | 1980-07-30 | Futaba Corp | Fluorescent material and fluorescent display using the same |
-
1981
- 1981-04-08 JP JP5268481A patent/JPS57167381A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53132489A (en) * | 1977-04-26 | 1978-11-18 | Dainippon Toryo Co Ltd | Fluorescent display tube excited by low speed electron beams |
| JPS5523104A (en) * | 1978-02-20 | 1980-02-19 | Kasei Optonix Co Ltd | Luminescent composition and low speed electron beam-exciting fluorescent display tube |
| JPS5592788A (en) * | 1979-01-05 | 1980-07-14 | Nec Corp | Light-emitting material |
| JPS5599990A (en) * | 1979-01-23 | 1980-07-30 | Futaba Corp | Fluorescent material and fluorescent display using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57167381A (en) | 1982-10-15 |
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