JPS6142177A - 半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ロ）従来の技術 第７図に示す従来の高速応答用のＩｎ１−）（ＧａｘＡ
ｓ＋−ｙＰｙ／ＩｎＰ　のダブルへテロ型の発光ダイオ
ードシζおいて、応答速度を上げるためにｐ−Ｉｎｔ−
）＜Ｇａ）（Ａｓド。

Ｐｙ　活性層４にＰ型不純物であるＺｎを３−１０Ｘ１
０１８ｃＩＩｒ３の高密度でドープし、（１９８８年春
季第３０回応用物理学会関係連合講演会講演予稿集６ｐ
−Ｈ−８鯵）、ｎ型のｎ−１ｎＰクラッド層２上にエピ
タキシャル成長させていた。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 前記ｐ−Ｉｎｔ−ｘＧａｘＡｓ１−ｙＰｙ活性層へのｐ
型不純物であるＺｎ（亜鉛〕のドープは高密度であるた
め、第２図のごとく前記エピタキシャル成長時にはＺｎ
がｎ−ＩｎＰクラッド層２へ拡散し、その一部がｐ−Ｉ
ｎＰとなり、このためｐ−ｎ接合が所定のｐ−１ｎｌ−
）（Ｇａ）（ＡＳｌ−ｙＰｙ活性層４とｎ−１ｎＰクラ
ッド層２の界面から外れ、ｎ＝ＩｎＰクラッド層２内に
ｐ−ｎ接合の移動が生じる。ところで、ｎ−ＩｎＰｎツ
クラッド内に接合が移動すると、第３図に示すごとく一
部のキャリアが発光領域であるＰ−１ｎｌ−ｘＧａｘＡ
ｓ１−ｙＰｙ活性層４からｎ−ＩｎＰクラッド層２に流
れ出すため発光出力が減少し、しかもリモート接合によ
りキャリア閉じ込めが不完全になるためｐ型不純物Ｚｎ
　　を高密度にドープしたにもかかわらず応答速度の低
下をまねく問題があった。

上記リモート接合を回避する一つの方法としては、第４
図に示すごと＜　、ｎ−ＩｎＰ層２上２上−プして無い
Ｉｎ１−ｘＧａＸＡｓｔ−ｙＰｙ　　活性層３を１層積
みその上にＺｎを高密度にドープしたｐ−１ｎＰ　　ク
ラッド層５を積み、ドープしていないＩｎ１−ＸＧａ）
（ＡＳｔ−Ｙｐｙ　活性層３中に結晶成長時にｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層５からＺｎ　　を拡散させ活性層内１ｔ’
Ｃｐ−ｎ接合を形成させる方法が挙げられる。しかし上
記形成法により製作した発光素子では発光スペクトルの
半値巾は第５図（ｂ）に示すごとく広がってしまう。そ
の原因は上記形成法ではＩｎ１−ｘＧａｘＡｓｌ−ｙＰ
ｙ活性層３のほぼ全域にわたってＺｎを拡散させるため
Ｉｎ１−ＸＧａｘＡｓｌ−ｙＰｙ活性層の結晶が歪み、
あるいは全域にわたって拡散されない場合でもｐ−ｎ接
合がＩｎ１−’ＸＧａｘＡｓｌ−ｙＰｙ活性層３のなか
ほどに形成されるためである。

上記のようにして形成した発光素子は、それ自身の応答
速度は大きいにもかかわらず、発光スペクトルの半値幅
が大きいために光ファイバによる高速のデータ伝送には
適さない。すなわち光ファイバによるデータの伝送可能
距離は第６図に示すように発光素子の発光スペクトルの
半値幅に依存しており、第５図において１６０　ｎｍ　
　の半値幅の場合０．８−　以上の伝送は実用上不可能
である。さらに上記のような従来の発光素子では製造上
Ｉｎｌ　−ＸＩＧａｘＡｓｘ−ｙＰｙ活性層３中へのＺ
ｎ　　拡散のばらつきにより、素子の特性がばらつくと
言う問題があった。

に）問題点を解決するための手段 この発明は前記事情に基づいてなされたもので、応答速
度を高めると共に、発光出力も高くでき、かつ発光スペ
クトル半値巾も狭くできる半導体発光素子を提供するこ
とを目的として、ｎ−ＩｎＰクラッド層と、このｎ−Ｉ
ｎＰクラッド層上に所定厚さに形成されたドープされて
無いＩｎ１−ＸＧａｘＡｓｌ−ｙＰｙ活性層とこのＩｎ
１−ｘＧａＸＡｓｌ−ｙＰｙ　　活性層上に形成された
ｐ−Ｉｎ１−ｘＧａｘＡＳｌ−ｙＰｙ　　活性層を備え
、前記ｎ−ＩｎＰ層と前記ドープされて無いＩｎ１−Ｘ
Ｇａ）（Ａｓ１−ｙＰ、活性層の界面又はその近傍１ｃ
　ｐ　”　ｎ接合位置が形成されており、上記ドープさ
れて無いＩｎ１−ｘＧａｘＡｓｌ−ｙＰｙ活性層及びｐ
−Ｉｎ１−ｘＧａ）（Ａｓｌ−ｙＰｙ　　活性層はｎ−
１ｎＰクラッド層に対し格子整合したバンドギャップエ
ネルギー０．７５ｅＶ（ｘ＝０．４２．ｙ＝　０．１０
）から１．２ｅＶ（ｘ＝０．０９．ｙ＝０．８０　）の
範囲とし、かつ上記ドープされていないＩｎ＋−ｘＧａ
ｘＡｓｌ−ｙＰｙ　　活性層及びｐ−１ｎｘ−ｘＧａｘ
Ａｓ１−ｙＰｙ　　活性層についてそれぞれ適切なキャ
リア濃度、層厚を実験等により見いだしたものである。

（ホ）実施例 以下、この発明の実施例につき第１図を参照して説明す
る。第１図は半導体発光素子の構成図を示し、同図中１
はＴｅ（テルル）が２　Ｘ　１０１８ｃｔｎ−３の密度
でドープされたｎ−１ｎＰ基板である。このｎ−ＩｎＰ
　基板１上には、Ｔｅが２　ｘ　１０１８ａｙ＋−３の
密度でドープされたｎ−ＩｎＰクラッド層２がエピタキ
シャル成長法により５μｍ　の厚さに形成されている。

このｎ−ＩｎＰクラッド層２上２上、ドープされて無い
ＩｎＧａ）ＨＡｓ　ｔ−ｙ　Ｐｙ活性層３がエピタキシ
ャル成長法にエリ０．５μｍの厚さに形成されている。

このＩｎＧａ）（ＡＳｔ−ｙＰｙ活性層３上にはＺｎを
５×１０１８ｃｆｎ−３の密度でドープしたｐ−Ｉｎｔ
−）（ＧａｘＡｓ□−ｙＰｙ　　活性層４がエピタキシ
ャル成長法により１μｍ　のＨさに形成されている。こ
のｐ−ＩｎＧａｘＡｓｔ−ｙＰｙ活性層４上にはＺｎを
２　Ｘ　１０１８ｃｌｎ−３の密度でドープしたｐ−Ｉ
ｎＰ　　クラッド層５がエピタキシャル成長法により１
μｍの厚さに形成されている。このｐ−ＩｎＰクラッド
層５上にはＺｎを２　Ｘ　１０１８ｃ＋＋＋−３の密度
でドープしたｐ−Ｉｎｌ−ｗＧａｗＡｓｔ−２Ｐｚ　　
コンタクト層６がエピタキシャル成長法により１μｍの
厚さに形成されている。このように各層２．３．４．５
．６．が順次エピタキシャル成長法によって形成されて
いる。

後、Ｚｎがドープされたｐ−１ｎｌ−）（Ｇａ）（Ａｓ
ｌ−ｙＰｙ活性層４及びｐ−１ｎＰクラッド層５を順次
エピタキシャル成長させると、Ｚｎドープのｐ−Ｉｎｘ
−ｘＧａ）（Ａｓ　１−ｙｐｙ　活性層４中のＺｎが、
ドープされて無いＩｎ１−ｘＧａｘＡｓｘ−ｙＰｙ活性
層３中に０．５１１ｍはど拡散する。

この結果、第８図に示すごとく、ＩｎＧａｘＡＳｚ−ｙ
Ｐｙ活性層３とｎ−ＩｎＰクラッド層２との界面近傍に
ｐ−ｎ接合が形成される。このことにより注入キャリア
はｎ−１ｎＰクラッド層２へは流れ出さず、Ｉｎ１−ｘ
ＧａｘＡＳ　１−ｙＰｙ活性層３．４中に完全に閉じ込
められるため、全てのキャリアが発光に寄与し、第９図
の破線によって示す従来の半導体発光素子の発光出力に
比較し、同図実線によって示す本半導体発光素子の発光
出力が増加する。また、第１０図の実線によって示す本
半導体発光素子の応答周波数に関しても同様に注入キャ
リアはｎ−ＩｎＰクラッド層２へ流れ出さず、Ｉｎ１−
ｘＧａｘＡｓｘ−ｙ層活性層３．４中に完全に閉じ込め
られるため破線によって示す従来の半導体発光素子に比
較して大きくなることが示される。

前記実施例に示したものの他に各層の厚み、キャリア濃
度の値はｎ−１ｎＰ基板１のキャリア濃度としてはバル
ク抵抗が小さく、転位密度の少ない、ｌ　Ｘ　１０１８
〜５Ｘ１０１８ｃｙ＋−８，ｎ−ＩｎＰクラッド層２の
キャリア濃度としては１Ｘ１０１８〜５Ｘ１０１８ｃｎ
−８で良く、上記二層のドーパントはＴｅ以外にＳｎ　
（錫）、Ｓ（硫黄）でも良い、又ｎ−ＩｎＰクラッド層
２の層厚は結晶成長時層厚制御の容易な２〜２０μｍの
範囲内であれば良い。

次にｐ−Ｉｎｘ−ｘＧａｘＡｓｘ−ｙＰｌ−ｙ　　活性
層４に関しては、高速応答化するためにはキャリア濃度
はｌＸ１０１８以上とすればドープ量が制御しやすいが
、１Ｘ１０１９以上では拡散深さが深くなりすぎ制御し
にくく、かつ結晶性を乱し発光効率を下げることとなる
のでｌ　ｘ　１０”〜Ｉ　Ｘ　１０１９ｃｍ−３とする
のが良く、その層厚は０．１μｍ以上とすればエピタキ
シャル層厚が制御しやすいが、少数キャリアの拡散長（
通常約２μｍ程度）と同程度がそれより短かくする必要
があるので、０．１〜２μｍであれば良く、そのノ（ン
ドギャップエネルギーは石英ファイバの低損失領域であ
る０、７５〜１．２　ｅＶに取る。又Ｐ型ドーノ々ント
はＺｎ　　以外にＣｄ、−Ｍｇ、Ｂｅ　　でも良い。ｐ
”（ｎｌ−ＸＧａＸＡｓ１−ｙＰｙ活性層４のＰ型ドー
パントは結晶成長中ドープして無い１旧−ｘＧａｘＡｓ
１−ｙＰｙ活性層３中に拡散するが、その拡散深さはＰ
型ドーノくントの濃度に大体比例し、またドーパントの
種類により異なる。この関係を第１１図に示す。Ｐ型ド
ーノぐントであるＺｎは他のＰ型ドーパントであるＣｄ
、Ｍｇ、Ｂｅに比べ、その拡散深さは数倍大きい。

したがってドープされて無いＩｎ−ｘＧａ）（Ａｓｌ−
ｙＰｙ活性層３の厚みの最適値はｐ−Ｉｎ１−ｘＧａｘ
Ａｓｘ−ｙＰｙ活性層４のｐ型ドーパントの種類及び濃
度に依存する。すなわち、ドープされてないＩｎ１−ｘ
Ｇａ）（Ａｓ　１−ｙｐｙ　活性層３の厚みは第１１図
（ａ）よりｐ−Ｉ　ｎ　１−ｙ、Ｇａｚ適である。但し
、上記キャリア濃度Ｐはｌ　ａｎ”　　当３のキャリア
濃度は結晶成長において歩留り良く、かつ容易に実現可
能なｌＸｌ０”ｃｍ−”以下の値であれば良い。

又ｐ−ＩｎＰクラッド層５に関してはキャリア濃度はｐ
−Ｉｎ−）（Ｇａ）（Ａｓｌ−ｙＰｙ　　活性層４のキ
ャリア濃度と同程度のｌＸ１０１８〜ｌＸ１０１Ｇ儒−
８，その厚みはド−プして無いＩｎｘ−ｘＧａｘＡｓｌ
−ｙＰｙ　　活性層３及びｐ−Ｉｎｘ−ｘＧａｘＡｓ１
−ｙＰｙ活性層４に注入キャリアを効率良く閉じ込める
ため０．２〜２．０μｍに取る。

ｐ−Ｉｎｚ−ｗＧａｗＡｓｚ−Ｚｐｚ　　コンタクト層
６に関してはキャリア濃度はＰ側電極メタルとの接触抵
抗を低減させるためｌＸ１０１８〜Ｉ　Ｘ　１０”ｃｍ
−３に取り、その厚みは０．１〜１．０μｍ　であれば
良い。

なお、前記実施例においてはドープされて無いＩｎｘ−
ｘＧａｘＡｓｌ−ｙＰｙ　　活性層３及びＩ）−Ｉｎ　
ｔ−ｘＧａｘＡｓｔ−ｙｐｙ　活性層４につきＩｎｔ−
ｘＧａｘＡｓｔ−ｙＰｙ　；’　ＩｎＰ系について説明
したが、これに限らずＩｎｘ−ｘＧａＸＡｓ＋＝ｙＳｂ
ｙ　Ｉ　ＩｎＳｂ系（バンドギャップ０．３５ｅＶから
０．７０ｅＶ）又はＧａｚ−ｘＡｊｚＡｓｘ−ｙＳｂｙ
　／　ＧａＳｂ系（バンドギャップ０．７０ｅＶから１
．６０ｅＶについても液相エピタキシャルｍａｐ、分子
線エピタキシャル成長法等を用いて同様に実施すること
ができる。

（へ）効　果 以上説明したように本発明の半導体発光素子は、ｎ−Ｉ
ｎＰクラッド層上）ζドープされて無いＩｎｌ　−ＸＧ
ａＸＡＳｘ−ｙＰｙ活性層　ｐ−Ｉｎｔ−ｘＧａｘＡｓ
１−ｙＰｙ　　活性層なる２層の活性層を備え、上記ｎ
−１ｎＰクラツド層とドープされて無いＩｎ１−ｘＧａ
ｘＡｓｌ−ｙＰｙ　　活性層の界面又はその近傍にｐ−
ｎ接合位置が形成されているため、従来の発光素子で問
題になっていたｐ−ｎ接合位置がｎ−１ｎＰクラッド層
内に形成されるいわゆるリモート接合にもとすく難点が
克服される。したがって本発明の発光素子は応答速度及
び発光出力が高く、かつ発光スペクトルの半値中が狭い
という優れた特性を有し、高速応答用の半導体発光素子
として好適に利用される。

なお、かつｐ−ｎ接合位置がｎ−ＩｎＰクラッド層とド
ープされて無いＩｎ１−ｘＧａｘＡｓｌ−ｙＰｙ　　活
性層の界面又はその近傍に容易に形成できろため、結晶
成長時、制御が容易になり、かつ素子の歩留及び信頼性
を格段に向上させることが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は下記
第７図の各層におけるキャリア濃度プロファイル及び接
合位置を示す。 第８図は上記第２図のバンドプロファイルを示す。 第４図は他の従来構造の各層におけるキャリア濃度プロ
ファイル及び接合位置を示す。 第５図は発光スペクトル 第６図は高速変調時における可能伝送距離の発光スペク
トル半値巾依存性である。 第８図は上記第１図の各層におけるキャリア濃度プロフ
ァイル及び接合位置を示す。 第１１図は結晶成長時ドープして無いＩｎ１−）（Ｇａ
ｘＡｓｘ−ｙＰｙ活性層内に拡散する深さのキャリア、
濃度依存性である。 第７図は従来構造の構成図、第９図は半導体発光素子の
電流・発光出力特性図、第１０図は半導体発光素子ｐ電
流一応答速度特性図である。 １−・ｎ−ＩｎＰ基板、 ２−−−　ｎ−ＩｎＰクラッド層、 ３−、ドープされて無いＩｎ１−）（Ｇａ）（ＡＳｌ−
ｙＰｙ　　活性層、 ４−−−　Ｉｎｌ−３ｃＧａｘＡｓｘ−ｙＰｙ活性層、
５−−−　ｐ−ＩｎＰクラッド層、 ６−−−　ｐ−Ｉｎｘ−ｗＧａｗＡｓｘ−ｚＰｚ　　コ
ンタクト層。 升３１２１ １−６＋５＋４＋　２−１−１　−＋ ２友長（ｎｍ） オ８目 介９凹 第１０図 手　　続　　補　　正　　書 昭和５９年９月１３日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１６４１５２号 ２、発明の名称 半導体発光素子 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住所　　　　大阪市東区北浜５丁目１５番地名称（２１
３）　　住人電気工“業株式会社社長　　川　上　哲　
部 生代理人 住　所　　　　　大阪市此花区島屋１丁目１番３号住友
電気工業株式会社内 （電話　大阪４６１−１０３１） 氏名（７８８１）弁理士　上代性用 ６、補正の対象 明細書中、特許請求の範囲の欄、発明の詳細な説明の欄
、および図面 ７、補正の内容 （１）明細書中特許請求の範囲を別紙の如く訂正する。 （２）明細書、第６頁、１８行目、および１９〜２０行
目、ｒＩｎＧａｘＡｓ＋　−ｙ　ＰｙｊをＩ’Ｉｎ＋−
ｘＧａｘＡｓｌ−ｙＰｙＪに訂正する。 （３）明細書、第７頁、３行目、１２行目および１９行
目、　ｒｌ　ｎＧａ　ｘＡｓ　＋　−ｙ　Ｐ幻をＩ’Ｉ
ｎ＋−ｘＧａｘＡｓｌ−ｙ層幻　に訂正する。 （４）明細書、第８頁、１０行目、ｒＩ　ｎ　１−ｘＧ
ａ　ｘＡｓ　ｒ　−ｙ層」をｒＩｎ＋−ｘＧａｘＡｓｌ
−ｙＰｙｊに訂正する。 （５）明細書、第８頁、１３行目、「とが示される−の
次に［本発明の発光素子は、発光スペクトルの半値幅も
第５図（ａ）に示す通り、従来の構造を有する素子の半
値幅（同図（ｂ））に比べて小さくなっており、第６図
から高速長距離の伝送に充分適用できることが明らかで
ある。」を挿入する。 （６）明細書、第９頁、２０行目、「・・・・・第１１
図に示す。」の次に「同図において（ａ）はＰ型ドーパ
ントとしてＺｎ１（ｂ）はＰ型ドーパントとしてＣｄ、
Ｍｇ。 Ｂｅとした場合である。」を挿入する。 （７）明細書、第１２頁、１１行目、［なお、か３を「
なお、」に訂正する。 （８）図面中第５図を別紙の如く訂正する。 特許請求の範囲 ｒ（１）ｎ−１ｎＰクラッド層と、このｎ−ＩｎＰクラ
ッド層上に所定厚さに形成されたドープされて゛無いＩ
ｎｒｘＧａｘＡｓ＋−ｙＰｙ活性層とこのＩ　ｎ　１−
ｘＧａｘＡｓ　１−ｙＰｙ活性層上に形成されたｐ−Ｉ
ｎ＋−ｘＧａｘＡｓｌ−ｙ、Ｐｙ活性層を備え、前記ｎ
−１ｎＰ層と前記ドープされて無いＩ　ｎ　＋−ｘＧａ
ｘＡｓ　１−ｙＰｙ活性層の界面又はその近傍にｐ１接
合位置が形成されており、上記ドープされて無いＩｎ＋
−ｘＧａｘＡｓｌ　ｙＰｙ活性層及びｐ−Ｉ　ｎ　１−
ｘＧａｚＡｓ　ｒ−ｙｐｙ活性層はｎ−ＩｎＰクラッド
層に対し格子整合したバンドギャップエネルギー０．７
５ｅＶ（ｘ＝０．４２　、　ｙ層０．１０）から１．．
２　ｅＶ　（ｘ＝０．０９　、　ｙ層　０．８０　）の
範囲のものであることを特徴とする半導体発光素子。 （２）上記ドープされて無いＩ　ｎ　１−ｘＧａ）（Ａ
ｓ　ｒｙＰｙ活性層のキャリア濃度は１×１０１７ＣＩ
Ｔｒ−３以下であり、ｐ　Ｉｎ＋−ｘＧａｘＡｓ　１−
ｙＰｙ活性層のキャリア濃度はＩＸＩＯ１３Ｃｍ　３か
らｌ　Ｘ　１０”ａｎ−３の範囲であることを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の半導体発光素子。 （３）上記ドープされて無いＩ　ｎ　＋−ｘＧａｘＡｓ
　１−ｙＰｙ活性。 層の層厚ｄはｐ−１ｎ＋−ｘＧａ）（Ａｓ　］−ｙＰｙ
活性層のキャリ範囲に取り、Ａ、Ｂの値としてはｐ−Ｉ
ｎ＋−ｘＧａｘＡｓ＋−ｙｐｙ活性層のドーパントとし
てＺｎ（亜鉛）の場合Ａ＝０．３、Ｂ＝１．５に取り、
Ｃｄ（カドミウム）Ｍｇ（マグネシウム）及びＢｅ　（
ベリリウム）の場合Ａ＝０．１　、　Ｂ＝０．５に取る
。 そしてｐ−１ｎ　１−ｘＧａ）（Ａｓ　１−ｙＰｙ活性
層の層厚としては０．１μｍから２．０μｍの範囲に取
ることを特徴とする特許請求の範囲第（２）項記載の半
導体発光素子。」汁５図 （ａ）木発蛸の辛子 板長（ｎｍ） ＧＩ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）ｎ−ＩｎＰクラッド層と、このｎ−ＩｎＰクラッ
   ド層上に所定厚さに形成されたドープされて無いＩｎ＿
   １＿−＿ｘＧａ＿ｘＡｓ＿１＿−＿ｙＰｙ活性層とこの
   Ｉｎ＿１＿−＿ｘＧａ＿ｘＡｓ＿１＿−＿ｙＰｙ活性層
   上に形成されたＰ−Ｉｎ＿１＿−＿ｘＧａ＿ｘＡｓ＿１
   ＿−＿ｙＰｙ活性層を備え、前記ｎ−ＩｎＰ層と前記ド
   ープされて無いＩｎ＿１＿−＿ｘＧａ＿ｘＡｓ＿１＿−
   ＿ｙＰｙ活性層の界面又はその近傍にｐ−ｎ接合位置が
   形成されており、上記ドープされて無いＩｎ＿１＿−＿
   ｘＧａ＿ｘＡｓ＿１＿−＿ｙＰ＿ｙ活性層及びＰ−Ｉｎ
   ＿１＿−＿ｘＧａ＿ｘＡｓ＿１＿−＿ｙＰｙ活性層はｎ
   −ＩｎＰクラッド層に対し格子整合したバンドギャップ
   エネルギー０．７５ｅＶ（ｘ＝０．４２、ｙ＝０．１０
   ）から１．２ｅＶ（ｘ＝０．０９、ｙ＝０．８０）の範
   囲のものであることを特徴とする半導体発光素子。
2. （２）上記ドープされて無いＩｎ＿１＿−＿ｘＧａ＿ｘ
   Ａｓ＿１＿−＿ｙＰｙ活性層のキャリア濃度は１×１０
   ＾１＾７ｃｍ＾−＾３以下であり、ｐ−Ｉｎ＿１＿−＿
   ｘＧａ＿ｘＡｓ＿１＿−＿ｙＰｙ活性層のキャリア濃度
   は１×１０＾１＾８ｃｍ＾−＾３から１×１０＾１＾９
   ｃｍ＾−＾３の範囲であることを特徴とする特許請求の
   範囲第（１）項記載の半導体発光素子。
3. （３）上記ドープされて無いＩｎ＿１＿−＿ｘＧａ＿ｘ
   Ａｓ＿１＿−＿ｙＰｙ活性層の層厚ｄはＰ−Ｉｎ＿１＿
   −＿ｘＧａ＿ｘＡｓ＿１＿−＿ｙＰｙ活性層のキャリア
   濃度をＰとすると、Ａ〔Ｐ〕／〔１０＾１＾９〕μｍ≦
   ｄ≦Ｂ〔Ｐ〕／〔１０＾１＾９〕μｍの範囲に取り、Ａ
   、Ｂの値としてはｐ−Ｉｎ＿１＿−＿ｘＧａ＿ｘＡｓ＿
   １＿−＿ｙＰｙ活性層のドーパントとしてＺｎ（亜鉛）
   の場合Ａ＝０．３、Ｂ＝１．５に取り、Ｃｄ（カドミウ
   ム）Ｍｇ（マグネシウム）及びＢｅ（ベリリウム）の場
   合Ａ＝０．１ｃｍ＾−＾２、Ｂ＝０．５ｃｍ＾−＾２に
   取る。 そしてＰ−Ｉｎ＿１＿−＿ｘＧａ＿ｘＡｓ＿１＿−＿ｙ
   Ｐｙ活性層の層厚としては０．１μｍから２．０μｍの
   範囲に取ることを特徴とする特許請求の範囲第（２）項
   記載の半導体発光素子。