JPH11121796A

JPH11121796A - 発光ダイオード及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11121796A
Application number: JP28399097A
Authority: JP
Inventors: Seiichiro Kobayashi; 静一郎小林; Masaru Sasakura; 賢笹倉; Junichi Sonoda; 純一園田; Chihiro Funaoka; 千洋船岡
Original assignee: Stanley Electric Co Ltd
Current assignee: Stanley Electric Co Ltd
Priority date: 1997-10-16
Filing date: 1997-10-16
Publication date: 1999-04-30
Anticipated expiration: 2017-10-16
Also published as: JP3966962B2

Abstract

(57)【要約】【課題】発光強度を高めることが可能な発光ダイオー
ド及びその製造方法を提供する。【解決手段】主表面を有する支持基板の主表面上に第
１導電型の第１のクラッド層が形成されている。第１の
クラッド層の上に、該第１のクラッド層よりもバンドギ
ャップの小さな半導体材料からなる活性層が形成されて
いる。活性層の上に、該活性層よりもバンドギャップの
大きな半導体材料からなり、第１導電型とは逆の第２導
電型を付与された第２クラッド層が形成されている。第
１のクラッド層と第２のクラッド層のうち、少なくとも
一方のクラッド層は、活性層に接する一部の厚さ部分に
おいて、その他の厚さ部分よりも不純物濃度の低い低濃
度層とされている。活性層内にｐｎ接合界面が位置す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード及
びその製造方法に関し、特に、ダブルヘテロ構造を有す
る発光ダイオード及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図４内の左側の図は、従来例によるダブ
ルヘテロ構造の発光ダイオードの断面図である。Ｓｉを
添加されたｎ型ＧａＡｓ基板１００の上に、Ｓｅを添加
されたｎ型のＡｌＩｎＰからなる厚さ１．２μｍの第１
のクラッド層１０１が形成されている。第１のクラッド
層１０１の上に、アンドープのＡｌＧａＩｎＰからなる
厚さ０．６μｍの活性層１０２が形成されている。活性
層１０２の上に、Ｍｇを添加されてｐ型とされたＡｌＩ
ｎＰからなる第２のクラッド層１０３が形成されてい
る。第２のクラッド層１０３の上に、Ｍｇを添加されて
ｐ型とされたＧａＰからなる厚さ６μｍの電流拡散層１
０４が形成されている。

【０００３】電流拡散層１０４の上面の一部の領域上
に、ｐ側電極１１０が形成され、ＧａＡｓ基板１００の
下面上にｎ側電極１１１が形成されている。

【０００４】図４内の中央の図は、左側の発光ダイオー
ドの厚さ方向に関するバンドギャップの変化を示す。活
性層１０２が、それよりバンドギャップの大きな第１及
び第２のクラッド層１０１と１０３とで挟み込まれてい
る。クラッド層１０１及び１０３が、活性層１０２に注
入されたキャリアを閉じ込める役割を果たすので、活性
層１０２内のキャリア濃度が上昇する。このため、電
子、正孔の再結合確率が増大し、発光効率を高めること
ができる。

【０００５】電流拡散層１０４は、第２のクラッド層１
０３よりも低抵抗とされ、ｐ側電極１１０から注入され
た正孔を、基板の面内方向に拡散させる役割を果たす。
正孔が面内方向に拡散すると、活性層１０２の広い範囲
に正孔が注入され、広い範囲で発光を生ずる。このた
め、光の取出効率を高めることができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図４に示す発光ダイオ
ードでは、ダブルヘテロ構造が採用され、かつ電流拡散
層が設けられているにもかかわらず、安定して十分な発
光強度を得ることが困難であった。

【０００７】本発明の目的は、発光強度を高めることが
可能な発光ダイオード及びその製造方法を提供すること
である。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、主表面を有する支持基板と、前記支持基板の主表面
上に形成された第１導電型の第１のクラッド層と、前記
第１のクラッド層の上に形成され、該第１のクラッド層
よりもバンドギャップの小さな半導体材料からなる活性
層と、前記活性層の上に形成され、該活性層よりもバン
ドギャップの大きな半導体材料からなり、前記第１導電
型とは逆の第２導電型を付与された第２クラッド層とを
有し、前記第１のクラッド層と第２のクラッド層のう
ち、少なくとも一方のクラッド層は、前記活性層に接す
る一部の厚さ部分において、その他の厚さ部分よりも不
純物濃度の低い低濃度層とされており、前記活性層内に
ｐｎ接合界面が位置する発光ダイオードが提供される。

【０００９】発光ダイオード作製工程中の高温処理にお
いて、クラッド層内の不純物が低濃度層部分を通して活
性層内に拡散する。低濃度層部分の厚さを調節すること
により、不純物の活性層内への拡散量を制御することが
できる。不純物の拡散量を適当に制御することにより、
ｐｎ接合界面を活性層内に位置させることができる。

【００１０】本発明の他の観点によると、第１導電型の
半導体基板の表面上に、第１導電型の不純物を添加しつ
つ第１のクラッド層を堆積する工程と、前記第１のクラ
ッド層の上に、該第１のクラッド層よりもバンドギャッ
プの小さな半導体材料からなる活性層を、実質的に不純
物を添加しないで堆積する工程と、前記活性層の上に、
該活性層よりもバンドギャップの大きな半導体材料から
なる第２のクラッド層を堆積する工程であって、堆積当
初は不純物を添加しないか若しくは前記第１導電型とは
逆の第２導電型の不純物を少量添加しつつ成膜を行い、
その後不純物の添加量を増やして成膜を行う第２のクラ
ッド層堆積工程とを有する発光ダイオードの製造方法が
提供される。

【００１１】製造工程の高温処理中に、第２クラッド層
のうち不純物添加量の多い部分の不純物が、添加量の少
ないかまたは無添加の部分を通して活性層内に拡散す
る。添加量の少ないかまたは無添加の部分の厚さを調節
しておくことにより、活性層内への不純物の拡散量を制
御することができる。

【００１２】本発明の他の観点によると、第１導電型の
半導体基板の表面上に、第１のクラッド層を堆積する工
程であって、堆積当初には第１導電型の不純物を添加し
つつ成膜を行い、その後不純物の添加を中止するか若し
くは添加量を減少させて成膜を行う工程と、前記第１の
クラッド層の上に、該第１のクラッド層よりもバンドギ
ャップの小さな半導体材料からなる活性層を、実質的に
不純物を添加しないで堆積する工程と、前記活性層の上
に、該活性層よりもバンドギャップの大きな半導体材料
からなる第２のクラッド層を、第２導電型の不純物を添
加しつつ堆積する工程とを有する発光ダイオードの製造
方法が提供される。

【００１３】製造工程の高温処理中に、第１クラッド層
のうち不純物添加量の多い部分の不純物が、添加量の少
ないかまたは無添加の部分を通して活性層内に拡散す
る。添加量の少ないかまたは無添加の部分の厚さを調節
しておくことにより、活性層内への不純物の拡散量を制
御することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】本願発明者らは、図４内の左図に
示す従来の発光ダイオードにより、十分な発光強度を安
定して得ることが困難である原因を分析検討した。その
結果、第２のクラッド層１０３及び電流拡散層１０４に
添加したｐ型不純物が活性層１０２内に熱拡散し、発光
に寄与しない再結合準位を形成することが原因であると
考えた。

【００１５】図４内の右図は、発光ダイオードの厚さ方
向に関する不純物濃度の分布を示す。図中の破線がｎ型
不純物濃度を示し、実線がｐ型不純物濃度を示す。活性
層１０２の堆積時には不純物を添加していないにもかか
わらず、活性層１０２内にｐ型不純物が含まれている。
これは、第２のクラッド層１０３及び電流拡散層１０４
の堆積中に、第２のクラッド層１０３及び電流拡散層１
０４内のｐ型不純物が活性層１０２内に拡散したためと
考えられる。なお、活性層１０２内の不純物濃度が、第
２のクラッド層１０３内の不純物濃度よりも高くなって
いるのは、活性層１０２内の不純物の活性化率が第２の
クラッド層１０３内のそれよりも高いためと考えられ
る。

【００１６】また、ｐ型不純物の拡散により、ｐｎ接合
界面が第１のクラッド層１０１内の活性層１０２との界
面近傍に位置することがわかった。活性層１０３内への
ｐ型不純物の拡散、及びこの拡散に伴うｐｎ接合界面の
移動が、発光強度低下の要因になっていると考えられ
る。

【００１７】次に、図１を参照して本発明の実施例によ
る発光ダイオードについて説明する。

【００１８】図１内の左図は、実施例による発光ダイオ
ードの断面図を示す。Ｓｉを添加されてｎ型とされたＧ
ａＡｓ基板１の表面上に、第１のクラッド層２、活性層
３、第２のクラッド層４、及び電流拡散層５がこの順番
に積層されている。これら各層は、有機金属を用いた気
相エピタキシャル成長（ＭＯＶＰＥ）により形成され
る。なお、成長中の基板温度は６５０〜８００℃であ
る。

【００１９】第１のクラッド層２は、Ｓｅを濃度１×１
０¹⁷〜１×１０¹⁸ｃｍ^-3になるように添加しつつＡｌＩ
ｎＰを成長させることにより形成され、１．２μｍの厚
さを有する。活性層３は、不純物を添加することなく
（Ａｌ_xＧａ_1-x）_yＩｎ_1-yＰ（ｘ及びｙは、それぞ
れ０≦ｘ≦１、０＜ｙ＜１を満たす実数）を成長させる
ことにより形成され、約０．６μｍの厚さを有する。

【００２０】第２のクラッド層４は下層４ａと上層４ｂ
の２層構造を有する。下層４ａは、不純物を添加するこ
となくＡｌＩｎＰを成長させることにより形成され、約
０．２μｍの厚さを有する。上層４ｂは、Ｍｇを濃度４
×１０¹⁷ｃｍ^-3になるように添加しつつＡｌＩｎＰを成
長させることにより形成され、約１．０μｍの厚さを有
する。不純物を添加しないで成長した下層４ａを有する
ことが、図４の左図に示す従来の発光ダイオードと異な
る。電流拡散層５は、不純物としてＭｇを濃度１×１０
¹⁸ｃｍ^-3になるように添加しつつＧａＰを成長させるこ
とにより形成され、約６．０μｍの厚さを有する。

【００２１】電流拡散層５の上面の一部の領域上にｐ側
電極６が形成され、ＧａＡｓ基板１の下面上にｎ側電極
７が形成されている。ｐ側電極６は、例えばＡｕ、Ａｕ
Ｚｎ合金により形成され、ｎ側電極７は、例えばＡｕ、
ＡｕＧｅ合金により形成される。

【００２２】図１内の中央の図は、左図に示す発光ダイ
オードの基板の厚さ方向に関するバンドギャップの分布
を示す。第１及び第２のクラッド層２及び４のバンドギ
ャップは、活性層３のバンドギャップよりも大きいた
め、第１及び第２のクラッド層２及び４は、キャリアを
活性層３内に閉じ込める機能を果たす。

【００２３】ｐ側電極６から電流拡散層５内に注入され
た正孔は、基板の面内方向に広がり、活性層３に到達す
る。活性層３の広い領域に正孔の注入が行われるため、
広い領域で発光が生じ、光の取出効率を高めることがで
きる。

【００２４】図１内の右図は、左図に示す発光ダイオー
ドの基板の厚さ方向に関する不純物濃度の分布を示す。
図中の破線はｎ型不純物濃度を示し、実線はｐ型不純物
濃度を示す。

【００２５】電流拡散層５は、注入された正孔を横方向
に拡散しやすくするために、第２のクラッド層４の上層
４ｂよりも低抵抗に、かつ厚く形成することが好まし
い。このため、Ｍｇの添加量を多くし、長時間の成長を
行う。

【００２６】電流拡散層５の成長時に、電流拡散層５内
のＭｇ原子が、第２のクラッド層４内に拡散しついには
活性層３まで達する。また、第２のクラッド層４の上層
４ｂ内のＭｇ原子も、同様に下層４ａ内に拡散し、活性
層３に達する。このため、活性層３の上層部分がｐ型導
電性を有することになる。また、第１のクラッド層２内
のＳｅ原子が活性層３内に拡散するため、活性層３の下
層部分はｎ型導電性を有することになる。

【００２７】第２のクラッド層４の下層４ａを通して活
性層３まで拡散するｐ型不純物の量は、下層４ａの厚さ
に依存する。下層４ａの厚さを変化させることにより、
活性層３内へのｐ型不純物の拡散量を制御することがで
きる。下層４ａの厚さを適当に調節することにより、図
１の右図に示すように、ｐｎ接合界面が活性層３内に位
置するような構成とすることが可能になる。

【００２８】第２のクラッド層４の下層４ａの厚さを種
々変更して作製した発光ダイオードの輝度を測定したと
ころ、ｐｎ接合界面が活性層内に位置する場合であって
も、その位置により輝度にばらつきを生ずることがわか
った。

【００２９】図２は、ｐｎ接合界面の位置を種々変化さ
せたときの発光ダイオードの軸上光度を示す。横軸は、
活性層３と第１のクラッド層２との界面を原点とし、活
性層３の厚さをｄとしたときのｐｎ接合界面の位置を表
す。縦軸は、発光ダイオードの軸上光度を単位ｍｃｄで
表す。なお、活性層３の厚さｄを０．６μｍとし、第２
のクラッド層４の下層４ａの厚さを０〜０．５μｍとし
た。

【００３０】ｐｎ接合界面がほぼ（１／３）ｄの位置、
すなわち活性層３と第１のクラッド層２との界面から活
性層３の厚さの１／３だけ活性層３内へ入り込んだ位置
の近傍において、光度が最大値を示す。この位置から離
れるに従って、光度は徐々に低下する。このグラフから
わかるように、ｐｎ接合界面が活性層３の厚さ方向に関
して中央よりも第１のクラッド層２側に位置する構成と
することが好ましい。さらに、（１／３）ｄの位置から
ｐｎ接合界面までの距離が（１／１０）ｄ程度となるよ
うな構成とすることがより好ましい。

【００３１】上記実施例では、第２のクラッド層４の下
層４ａの成長時に不純物を添加しない場合を説明した
が、上層４ａよりも低濃度の不純物を添加してもよい。
または、下層４ａを、活性層３に近づくに従って徐々に
不純物濃度が減少するような低不純物濃度の層としても
よい。

【００３２】また、上記実施例では、ｐ型不純物として
Ｍｇを用いた場合を説明したが、その他のｐ型不純物、
例えばＺｎを用いてもよい。ただし、ｐ型不純物として
Ｍｇを用いるほうが、低抵抗、高キャリア濃度のＧａＰ
層を得やすいため、電流拡散層５の不純物をＭｇとする
ことが好ましい。

【００３３】また、上記実施例では、活性層３内への不
純物の拡散量を制御するためのアンドープの層を、活性
層３の上の第２のクラッド層４内に形成した。これは、
第２のクラッド層４及び電流拡散層５内のｐ型不純物の
拡散による影響が支配的であるためである。第１のクラ
ッド層２内から活性層３内への不純物の拡散が支配的で
ある場合には、アンドープ層を第１のクラッド層４の活
性層３との界面近傍に設けてもよい。

【００３４】次に、図３を参照して、本発明の他の実施
例による発光ダイオードについて説明する。

【００３５】図３は、他の実施例による発光ダイオード
の断面図、及びその左に各層のバンドギャップの分布を
示す。不純物としてＳｉが添加されたｎ型ＧａＡｓ基板
１１の上に、厚さ１．２μｍの第１のクラッド層１２、
厚さ０．６μｍの活性層１３、厚さ１μｍの第２のクラ
ッド層１４、厚さ６μｍの電流拡散層１５が積層されて
いる。電流拡散層１５の上面の一部の領域上にｐ側電極
１６、ＧａＡｓ基板１１の下面にｎ側電極１７が形成さ
れている。図１に示す発光ダイオードでは、第２のクラ
ッド層４が下層４ａと上層４ｂの２層構造とされていた
が、図３の発光ダイオードでは、第２のクラッド層１４
が下層１４ａ、中層１４ｂ及び上層１４ｃの３層構造と
されている。

【００３６】第１のクラッド層１２は、ｎ型不純物とし
てＳｉを濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3となるように添加して成
長したＡｌ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐにより形成されている。活性
層１３は、不純物を添加しないで成長した（Ａｌ_0.25Ｇ
ａ_0.75）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐにより形成されている。第２の
クラッド層１４は（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ
により形成され、その下層１４ａは不純物を添加しない
で成長し、中層１４ｂ及び上層１４ｃは、それぞれｐ型
不純物としてＭｇを濃度５×１０¹⁷ｃｍ^-3及び８×１０
¹⁷ｃｍ^-3となるように添加して成長した層である。

【００３７】電流拡散層１５は、ｐ型不純物としてＭｇ
を濃度７×１０¹⁸ｃｍ^-3となるように添加して成長した
ＧａＰにより形成されている。

【００３８】図３に示す発光ダイオードにおいても、第
２のクラッド層１４の活性層１３に接する一部の厚さ部
分に、アンドープの下層１４ａを配置している。このた
め、下層１４ａの厚さを調節することにより、図１に示
す実施例の場合と同様の効果を得ることができる。

【００３９】さらに、第２のクラッド層１４の電流拡散
層１５に接する一部の厚さ部分に、高濃度の上層１４ｃ
を配置している。第２のクラッド層１４と電流拡散層１
５とを異なる材料で形成すると、両者の界面にエネルギ
バンド端の不連続が生ずる。このバンド端の不連続によ
るポテンシャル障壁が、発光ダイオードの順方向閾値電
圧増大の要因になる。第２のクラッド層１４の電流拡散
層１５に接する一部の厚さ部分の不純物濃度を高くして
おくことにより、このポテンシャル障壁による影響を緩
和し、順方向閾値電圧を減少させることができる。

【００４０】図３では、第２のクラッド層１４の各層１
４ａ、１４ｂ及び１４ｃを（Ａｌ_0. ₇Ｇａ_0.3）_0.5Ｉ
ｎ_0.5Ｐにより形成した場合を説明したが、これらの層
の組成比を調整することによっても、第２のクラッド層
１４と電流拡散層１５との界面のポテンシャル障壁を低
くすることができる。例えば、上層１４ｃのバンドギャ
ップが中間層１４ｂのバンドギャップと電流拡散層１５
のバンドギャップとの中間の値になるような組成比とす
ることにより、ポテンシャル障壁を低くすることができ
る。

【００４１】図３に示す他の実施例では、第２のクラッ
ド層１４の下層１４ａを中層１４ｂ、上層１４ｃと同一
組成比の材料で形成したが、下層１４ａをアンドープの
（Ａｌ_pＧａ_1-p）_qＩｎ_1-qＰ（０≦ｐ≦１、かつ０
＜ｑ≦１、）で形成してもよい。

【００４２】なお、活性層１３に閉じ込められたキャリ
アのオーバフローを防止するためには、下層１４ａを厚
さを０．１μｍ程度とすればよい。

【００４３】図３に示す他の実施例では、第２のクラッ
ド層１４を３層構造とした場合について示したが、４層
以上としてもよい。このとき、第２のクラッド層１４の
活性層１３に接する一部の厚さ部分を、他の厚さ部分よ
りも低不純物濃度とし、電流拡散層１５に接する一部の
厚さ部分を、他の厚さ部分よりも高不純物濃度とする。

【００４４】上記２つの実施例では、活性層をＡｌＧａ
ＩｎＰで形成し、クラッド層をＡｌＩｎＰ若しくはＡｌ
ＧａＩｎＰで形成した場合を説明したが、その他の材料
で形成してもよい。また、電流拡散層をＧａＰ以外の材
料で形成してもよい。このとき、クラッド層のバンドギ
ャップを活性層のバンドギャップより大きくし、電流拡
散層のバンドギャップも活性層のバンドギャプより大き
くする。

【００４５】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
活性層に接するクラッド層の活性層に接する一部の厚さ
部分の不純物濃度を低くするかもしくはアンドープとす
ることにより、活性層内への不純物の拡散量を制御する
ことができる。これにより、ｐｎ接合界面を活性層内の
所望の位置に配置することができ、発光効率を高めるこ
とが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による発光ダイオードの断面
図、バンドギャップの分布を示すグラフ、及び不純物濃
度を示すグラフである。

【図２】発光ダイオードの光度の、ｐｎ接合界面位置依
存性を示すグラフである。

【図３】本発明の他の実施例による発光ダイオードの断
面図、及びバンドギャップの分布を示すグラフである。

【図４】従来例による発光ダイオードの断面図、バンド
ギャップの分布を示すグラフ、及び不純物濃度を示すグ
ラフである。

【符号の説明】

１、１１、１００ＧａＡｓ基板２、１２、１０１第１のクラッド層３、１３、１０２活性層４、１４、１０３第２のクラッド層５、１５、１０４電流拡散層６、１６、１１０ｐ側電極７、１７、１１１ｎ側電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】主表面を有する支持基板と、前記支持基板の主表面上に形成された第１導電型の第１
のクラッド層と、前記第１のクラッド層の上に形成され、該第１のクラッ
ド層よりもバンドギャップの小さな半導体材料からなる
活性層と、前記活性層の上に形成され、該活性層よりもバンドギャ
ップの大きな半導体材料からなり、前記第１導電型とは
逆の第２導電型を付与された第２クラッド層とを有し、前記第１のクラッド層と第２のクラッド層のうち、少な
くとも一方のクラッド層は、前記活性層に接する一部の
厚さ部分において、その他の厚さ部分よりも不純物濃度
の低い低濃度層とされており、前記活性層内にｐｎ接合界面が位置する発光ダイオー
ド。
【請求項２】前記ｐｎ接合界面が、前記活性層の厚さ
方向に関して、中央よりも前記第１のクラッド層側に位
置している請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】前記一方のクラッド層の前記低濃度層の
不純物濃度が、厚さ方向に関し、前記活性層に近づくに
従って徐々に減少するような分布を有する請求項１また
は２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】前記活性層が、（Ａｌ_pＧａ_1-p）_qＩ
ｎ_1-qＰ（０≦ｐ≦１、０＜ｑ≦１）により形成され、前記第１及び第２のクラッド層が、（Ａｌ_xＧａ_1-x）
_yＩｎ_1-yＰ（ｘ及びｙは、それぞれ０≦ｘ≦１、０＜
ｙ＜１を満たす実数）により形成されている請求項１〜
３のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項５】前記一方のクラッド層が前記第２のクラ
ッド層である請求項１〜４のいずれかに記載の発光ダイ
オード。
【請求項６】前記第２のクラッド層がｐ型導電性を有
し、その不純物がＭｇまたはＺｎである請求項１〜５の
いずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項７】前記活性層と前記第１のクラッド層との
界面から該活性層の厚さの１／３だけ活性層側へ入り込
んだ位置を基準面としたとき、前記ｐｎ接合界面の位置
と前記基準面との距離が、該活性層の厚さの１／１０以
下である請求項５または６に記載の発光ダイオード。
【請求項８】さらに、前記第２のクラッド層の上に形
成され、前記活性層よりもバンドギャップの大きな半導
体材料からなり、第２導電型を付与され、前記第２のク
ラッド層よりも低抵抗の電流拡散層を有する請求項１〜
７のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項９】前記電流拡散層がＧａＰにより形成され
ている請求項８に記載の発光ダイオード。
【請求項１０】前記第２のクラッド層が、前記電流拡
散層に接する一部の厚さ部分において、他の厚さ部分よ
りも高い不純物濃度を有する請求項８または９に記載の
発光ダイオード。
【請求項１１】前記第２のクラッド層が、前記活性層
側の下層と前記電流拡散層側の上層を含んで構成され、
該上層のバンドギャップが該下層のバンドギャップと前
記電流拡散層のバンドギャップとの中間の値とされてい
る請求項８または９に記載の発光ダイオード。
【請求項１２】第１導電型の半導体基板の表面上に、
第１導電型の不純物を添加しつつ第１のクラッド層を堆
積する工程と、前記第１のクラッド層の上に、該第１のクラッド層より
もバンドギャップの小さな半導体材料からなる活性層
を、実質的に不純物を添加しないで堆積する工程と、前記活性層の上に、該活性層よりもバンドギャップの大
きな半導体材料からなる第２のクラッド層を堆積する工
程であって、堆積当初は不純物を添加しないか若しくは
前記第１導電型とは逆の第２導電型の不純物を少量添加
しつつ成膜を行い、その後不純物の添加量を増やして成
膜を行う第２のクラッド層堆積工程とを有する発光ダイ
オードの製造方法。
【請求項１３】前記第２のクラッド層堆積工程の後、
さらに、前記活性層よりもバンドギャップの大きな半導
体材料からなる電流拡散層を、前記第２のクラッド層よ
りも低抵抗になるように第２導電型の不純物を添加しつ
つ堆積する工程を有する請求項１２に記載の発光ダイオ
ードの製造方法。
【請求項１４】第１導電型の半導体基板の表面上に、
第１のクラッド層を堆積する工程であって、堆積当初に
は第１導電型の不純物を添加しつつ成膜を行い、その後
不純物の添加を中止するか若しくは添加量を減少させて
成膜を行う工程と、前記第１のクラッド層の上に、該第１のクラッド層より
もバンドギャップの小さな半導体材料からなる活性層
を、実質的に不純物を添加しないで堆積する工程と、前記活性層の上に、該活性層よりもバンドギャップの大
きな半導体材料からなる第２のクラッド層を、第２導電
型の不純物を添加しつつ堆積する工程とを有する発光ダ
イオードの製造方法。
【請求項１５】前記第２のクラッド層を堆積する工程
の後、さらに、前記活性層よりもバンドギャップの大き
な半導体材料からなる電流拡散層を、前記第２のクラッ
ド層よりも低抵抗になるように第２導電型の不純物を添
加しつつ堆積する工程を有する請求項１４に記載の発光
ダイオードの製造方法。