JPS614146A - Electron beam device - Google Patents
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- JPS614146A JPS614146A JP12574684A JP12574684A JPS614146A JP S614146 A JPS614146 A JP S614146A JP 12574684 A JP12574684 A JP 12574684A JP 12574684 A JP12574684 A JP 12574684A JP S614146 A JPS614146 A JP S614146A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
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- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明はエレクトロンチャンネリングパターンを表示す
ることのできる電子線装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an electron beam device capable of displaying electron channeling patterns.
［従来の技術］
第１図に示すように、試料Ｓに対する電子線の照射点を
入射点Ｐを固定した状態において、電子線をθＸ、θｙ
の２方向に順次角度走査すれば、ブラッグ条件を満す角
度の軌跡として表示画面上に結晶面と平行な２本の線が
表示される。尚、ＯＬは対物レンズを示している。この
ような２本の線の集合から成る像はエレクトロンチャン
ネリングパターンと呼ばれており、このエレクトロンチ
ャンネリングパターンを解析することにより結晶の面癖
、結晶粒界や異相間の結晶方位関係等を知ることができ
るため、近時、このパターンの観察が広く行なわれるよ
うになった。前述したように、このエレクトロンチャン
ネリングパターンを得るためには角度走査が必要である
が、電子線により対物レンズの前焦点面上を走査さゼる
ことにより角度走査を行なうようにした装置においては
、焦点距離Ｆが対物レンズの球面収差のため、ΔＦ＝Ｃ
Ｓ ・θ２
ｃＣ３・（Ｘｉ ２ ＋Ｙｉ ２ ＞・・・（１）だけ
ずれてしまう。但し第（１）式においてＣ８は球面収差
係数、θは電子線のロッキング角を表わしており、Ｘｉ
、Ｙｌは走査信号発生回路より発生するＸ及びＹ方向走
査信号を表わしている。[Prior Art] As shown in FIG. 1, with the electron beam irradiation point on the sample S fixed at the incident point P, the electron beam is
If the angle is sequentially scanned in two directions, two lines parallel to the crystal plane will be displayed on the display screen as angular loci that satisfy the Bragg condition. Note that OL indicates an objective lens. An image made up of a set of two lines like this is called an electron channeling pattern, and by analyzing this electron channeling pattern, we can understand things such as crystal surface habits, crystal grain boundaries, and crystal orientation relationships between different phases. Observation of this pattern has recently become widespread. As mentioned above, angular scanning is necessary to obtain this electron channeling pattern, but in an apparatus that performs angular scanning by scanning the front focal plane of the objective lens with an electron beam, , because the focal length F is the spherical aberration of the objective lens, ΔF=C
S ・θ2 cC3・(Xi 2 +Yi 2 >...(1)). However, in equation (1), C8 is the spherical aberration coefficient, θ is the rocking angle of the electron beam, and Xi
, Yl represent the X and Y direction scanning signals generated by the scanning signal generating circuit.
そのため、従来の装置においては、対物レンズの近傍に
ダイナミックフォーカスレンズを設け、前（配電子線Ｅ
Ｂを角度走査するのに同期してＸｉ・＋Ｙ１２に比例し
た信号をダイナミックフォーカスレンズに供給して、前
記ΔＦを相殺するようにしている。ところで、第（１）
式における球面収差係数Ｃ３は対物レンズの焦点距離Ｆ
の関数であるため、対物レンズと試料間の距離である作
動距離Ｗを変化させようとして対物レンズの焦点距離Ｆ
を変化させるとＣｓの値が変化してしまうため、ΔＦの
値が変化してしまう。同様に電子線ＥＢのロッキング角
θの最大値αを変化させるため、倍率可変回路の増幅率
を変化させた際にもΔＦは変化し、更に加速電圧Ｅを変
化させた際にも球面収差係数Ｃ８の値やダイナミックフ
ォーカスレンズのフォーカスシフト量δＦが変化してし
まい、ダイナミックフォーカスレンズをそのままの励磁
状態にしておいた場合には、ダイナミックフォーカスレ
ンズにより対物レンズの焦点距離のずれを精度良く補正
できなくなる。Therefore, in conventional devices, a dynamic focus lens is provided near the objective lens, and the front (electron beam
In synchronization with the angle scanning of B, a signal proportional to Xi.+Y12 is supplied to the dynamic focus lens to cancel out the ΔF. By the way, No. (1)
The spherical aberration coefficient C3 in the formula is the focal length F of the objective lens.
Therefore, when trying to change the working distance W, which is the distance between the objective lens and the sample, the focal length F of the objective lens
If , the value of Cs changes, and therefore the value of ΔF changes. Similarly, in order to change the maximum value α of the rocking angle θ of the electron beam EB, ΔF also changes when the amplification factor of the variable magnification circuit is changed, and the spherical aberration coefficient also changes when the accelerating voltage E is changed. If the value of C8 or the focus shift amount δF of the dynamic focus lens changes and the dynamic focus lens is left in the same excited state, the shift in the focal length of the objective lens cannot be corrected accurately by the dynamic focus lens. It disappears.
［発明が解決しようとする問題点］
従って、従来の装置においては、対物レンズの焦点距離
Ｆ（あるいは作動距離Ｗ）、ロッキング最大角α（ある
いは倍率可変回路の観察倍率値Ｍ）や加速電圧Ｅを変化
させた際には、その都度ダイナミックフォーカスレンズ
に供給するｘｉ２＋”ｙ’１２なる信号の増幅利得を試
行錯誤により調節しなければならず、操作が極めて繁雑
であった。[Problems to be Solved by the Invention] Therefore, in the conventional apparatus, the focal length F (or working distance W) of the objective lens, the maximum rocking angle α (or the observation magnification value M of the variable magnification circuit), and the acceleration voltage E When changing , the amplification gain of the signal xi2+"y'12 to be supplied to the dynamic focus lens must be adjusted by trial and error each time, making the operation extremely complicated.
本発明は、このような従来の欠点を解決して、前記焦点
距離Ｆ、電子線のロッキング最大角α又は加速電圧Ｅを
切換えても、ダイナミックフォーカスレンズにより自動
的に前記第（１）式で表わされる対物レンズの焦点ずれ
を精度良く相殺することのできる電子線装置を提供する
ことを目的としている。The present invention solves such conventional drawbacks, and even if the focal length F, the maximum rocking angle α of the electron beam, or the acceleration voltage E is changed, the dynamic focus lens automatically calculates the equation (1). It is an object of the present invention to provide an electron beam device that can accurately cancel out the focal shift of an objective lens.
［発明の作用］
以下、本発明において基本になっている考えを詳述する
。[Operation of the Invention] The basic idea of the present invention will be explained in detail below.
ダイナミックフォーカスレンズに供給する励磁電流値を
■、Ｌを対物レンズとダイナミックフォーカスレンズの
主面までの距離、Ｅ＊を電子線の加速電圧の相対論的補
正値、Ａ、ｎをダイナミックフォーカスレンズに固有の
定数とすれば、ダイナミックフォーカスレンズは以下の
式で与えられる量だけ焦点距離をシフトできる。The excitation current value supplied to the dynamic focus lens is ■, L is the distance between the objective lens and the main surface of the dynamic focus lens, E* is the relativistic correction value for the accelerating voltage of the electron beam, and A and n are the values for the dynamic focus lens. If it is a unique constant, the dynamic focus lens can shift the focal length by the amount given by the following equation.
δＦ＝Ａ・ （Ｗ＋１＞” −Ｉ／７丁Ｔ・・・（２
）この式を変形すれば、以下の第（３）式となる。δF=A・(W+1>”-I/7th T...(2
) If this equation is transformed, it becomes the following equation (3).
１＝Ａ−０７・δＦ＊／（Ｗ＋Ｌ）”・・・（３）そこ
で、対物レンズの焦点距離Ｆ、電子線のロッキング最大
角α及び加速電圧Ｅを種々変化させた際の対物レンズの
焦点距離のずれΔＦの最大値ΔＦｍａｘを測定し、ΔＦ
ｍａｘとダイナミックフォーカスレンズによる焦点距
離のシフト量の最大値δＦ ｍａｘが一致するように、
ダイナミックフォーカスレンズに供給するＸｉ２＋Ｙｉ
２なる信号の増幅利得を求め、この増幅利得を実現する
ために必要な増幅率可変増幅器への信号値を各Ｆ、α、
Ｅの組に対して記憶装置にテーブルとして記憶させ、対
物レンズの焦点距離（あるいは作動距離Ｗ）。1=A-07・δF*/(W+L)”...(3) Therefore, the focal length of the objective lens when the focal length F of the objective lens, the maximum locking angle α of the electron beam, and the acceleration voltage E are variously changed. Measure the maximum value ΔFmax of distance deviation ΔF, and calculate ΔF
max and the maximum value δF max of the shift amount of the focal length by the dynamic focus lens,
Xi2+Yi supplied to dynamic focus lens
Find the amplification gain of the signal of
For the set E, the focal length (or working distance W) of the objective lens is stored as a table in the storage device.
ロッキング最大角α及び加速電圧Ｅに対応した信号に基
づいてこの記憶装置に記憶された信号のうちから、対応
する増幅利得制御信号を読み出し、この読み出された信
号に基づいて増幅率可変増幅器の増幅利得を制御するよ
うにすれば、繁雑な調節を行なうことなく最適な補正を
行なうことができる。Based on the signals corresponding to the maximum rocking angle α and the accelerating voltage E, a corresponding amplification gain control signal is read out from among the signals stored in this storage device, and based on this read signal, the variable gain amplifier is controlled. By controlling the amplification gain, it is possible to perform optimal correction without making complicated adjustments.
［発明の構成］
本発明はこのような考えに基づくもので、Ｘ方向及びＹ
方向走査信号を各々Ｘｉ 、Ｙｉ とするとき、Ｘ及び
Ｙ方向電子線偏向器にｘｉ、’ｙ’ｉを供給して対物レ
ンズの前焦点面を電子線により走査すると共に、該対物
レンズの近傍に配置されたダイナミックフォーカスレン
ズにｘｉ２＋Ｙｉ２に比例した電流を増幅率可変増幅器
を介して供給して、対物レンズの球面収差に基づく電子
線の照射位置の移動を相殺して電子線を角度走査し、該
角度走査に伴う検出信号を該走査に同期走査されている
表示手段に導いてエレクトロンチャンネリングパターン
を表示するようにした装置において、対物レンズの焦点
距離に対応した値をＦｉ、電子線Ｅ、Ｂのロッキング−
大角に対応した値をαｊ。[Structure of the Invention] The present invention is based on this idea, and
When the direction scanning signals are Xi and Yi, respectively, xi and 'y'i are supplied to the X and Y direction electron beam deflectors to scan the front focal plane of the objective lens with the electron beam, and to scan the front focal plane of the objective lens with the electron beam, and to A current proportional to xi2+Yi2 is supplied to the dynamic focus lens disposed at , via a variable amplification factor amplifier, to offset the movement of the electron beam irradiation position based on the spherical aberration of the objective lens and scan the electron beam angle, In an apparatus that displays an electron channeling pattern by guiding a detection signal accompanying the angle scan to a display means scanned in synchronization with the scan, a value corresponding to the focal length of the objective lens is defined as Fi, the electron beam E, B's rocking-
αj is the value corresponding to the large angle.
電子線の加速電圧に対応した値をＥｋとするとき、６値
Ｆｉ、αｊ、Ｅｋの組に対する前記増幅率可変増幅器の
増幅利得を指定するための信号を記憶するための記憶手
段と、該焦点距離に対応した信号と該ロッキング最大角
に対応した信号と該加速電圧に対応した信号に基づいて
該記憶手段に格納されている信号を読み出し、該読み出
された信号に基づいて該増幅率可変−幅器の増幅利得を
設定するための手段を具備していることを特徴としてい
る。Storage means for storing a signal for specifying the amplification gain of the variable amplification amplifier for a set of six values Fi, αj, and Ek, where Ek is a value corresponding to the accelerating voltage of the electron beam; A signal stored in the storage means is read based on a signal corresponding to the distance, a signal corresponding to the maximum rocking angle, and a signal corresponding to the accelerating voltage, and the amplification factor is varied based on the read signal. - It is characterized by comprising means for setting the amplification gain of the amplifier.
［実施例］ 以下、図面に基づき本発明の実施例を詳述する。[Example] Embodiments of the present invention will be described in detail below based on the drawings.
第２図は本発明の一実施例を示すためδもので、第２図
において１は電子銃であり、この電子銃１には加速電源
２より所定の高圧が印加されている。FIG. 2 shows an example of the present invention. In FIG. 2, reference numeral 1 denotes an electron gun, and a predetermined high voltage is applied to the electron gun 1 from an acceleration power source 2. In FIG.
この電子銃１よりの電子線ＥＢは集束レンズ３ａ。The electron beam EB from this electron gun 1 is focused by a focusing lens 3a.
３ｂにより集束された後、対物絞り４を通過して偏向系
に入射する。この偏向系はＸ及びＹ方向走査用の第１段
の走査コイル５ａｘ、 ５ａｙと同様の第２段の走査コ
イル５ｂｘ、 ５ｂｙとより成っている。これら走査コ
イルによって偏向された電子線ＥＢはダイナミックフォ
ーカスレンズ６及び対物レンズ７を経て試料８上に照射
される。９は対物レンズ７へ供給する励磁電流を調節す
るための対物レンズ電源である。１−ＯＸは第３図（ａ
）に示す如きＸ方向の走査信号を発５生ずるＸ走査信号
発生回路であり、このＸ走査信号発生回路１０Ｘよりの
走査信号はスイッチ回路１１Ｘ及び倍率可変回路１２を
介して走査コイル５ａｘ及び５ｂ×に供給できるように
なっている。１．ＯＹは第３図（、ｂ ）に示す如きＹ
方向の・走査信号を発生するＹ走査信号発生回路であり
、このＹ走査信号発生回路１０Ｙよりの走査信号もスイ
ッチ回路１１Ｙ及び倍率可変回路１２を介して走査コイ
ル５ａｙ及び５ｂｙに供給できるようになっている。こ
れら走査信号発生回路ｊＯＸ、１０ＹよりのＸ及びＹ方
向走査信号は陰極線管１３の走査コイル１３Ｘ、１３ｙ
、にも供給されており、陰極線管１３は電子線ＥＢの足
車に同期して走査されるようになっている。又、走査信
号発生回路１．ＯＸ、ＩＯＹよりの走査信号は各々スイ
ッチ３ｘ、ｓｙを介し長）
て各々二乗回路１４Ｘ、１４Ｙに供給されている。After being focused by lens 3b, it passes through objective aperture 4 and enters the deflection system. This deflection system consists of first-stage scanning coils 5ax, 5ay for scanning in the X and Y directions, and second-stage scanning coils 5bx, 5by similar to the first-stage scanning coils 5ax, 5ay. The electron beam EB deflected by these scanning coils passes through a dynamic focus lens 6 and an objective lens 7 and is irradiated onto a sample 8. Reference numeral 9 denotes an objective lens power source for adjusting the excitation current supplied to the objective lens 7. 1-OX is shown in Figure 3 (a
) is an X-scanning signal generating circuit that generates a scanning signal in the X direction as shown in FIG. It is now possible to supply 1. OY is Y as shown in Figure 3 (,b)
This is a Y scanning signal generation circuit that generates a scanning signal in the direction, and the scanning signal from this Y scanning signal generation circuit 10Y can also be supplied to the scanning coils 5ay and 5by via the switch circuit 11Y and the variable magnification circuit 12. ing. These X and Y direction scanning signals from the scanning signal generation circuits jOX and 10Y are sent to the scanning coils 13X and 13y of the cathode ray tube 13.
, and the cathode ray tube 13 is scanned in synchronization with the caster of the electron beam EB. Further, the scanning signal generation circuit 1. The scanning signals from OX and IOY are supplied to squaring circuits 14X and 14Y via switches 3x and sy, respectively.
これら二乗回路１４Ｘ、１４Ｙの出力信号は加算回路１
５に供給されており、加算回路１５の出力信号は増幅率
可変増幅器１６を介して前記ダイナミックフォーカスレ
ンズ６に供給されている。この増１幅率可変増幅器１６
の増幅利得はＤＡ変換器１７を介して中央演算処理装置
１８より供給される一制御信号に基づいて制御できるよ
うになっている。この中央演算処理装置１８には、対物
レンズ電源９より対物レンズ７の焦点距離に対応した信
号がＡＤ変換器１９を介して供給されている午共に、前
記加速電源２よりの加速電圧を表わす信号がＡＤ変換器
２０を介して供給されており、更には倍率可変回路１２
よりのロッキング最大角を表わす信号がＡＤ変換器２４
を介して供給されている。２１はメモリであり、対物レ
ンズの焦点距離をＦ’ｉ （ｉ ＝１．２，３．・・
・、ｐ）、電子線ＥＢのロッキング角度の最大値αｊ（
Ｊ＝１．２．３’、・・・、ｑ）、加速電圧をＥｋ
（ｋ ＝１．２，３．−、ｒ）とするとき、このメモリ
２１には各１’７ｉ、αｊ、Ｅｋの組に対して増幅率可
変増幅器１６の増幅利得を最適に、指、定するためのｐ
−ｘｑｘｒ個の信号が記憶されている。The output signals of these square circuits 14X and 14Y are output from the adder circuit 1.
5, and the output signal of the adder circuit 15 is supplied to the dynamic focus lens 6 via a variable gain amplifier 16. This amplification factor variable amplifier 16
The amplification gain of can be controlled based on a control signal supplied from the central processing unit 18 via the DA converter 17. The central processing unit 18 is supplied with a signal corresponding to the focal length of the objective lens 7 from the objective lens power supply 9 via an AD converter 19, and at the same time, a signal representing the acceleration voltage from the acceleration power supply 2 is supplied. is supplied via the AD converter 20, and is further supplied to the variable magnification circuit 12.
A signal representing the maximum rocking angle is sent to the AD converter 24.
Supplied via. 21 is a memory that stores the focal length of the objective lens F'i (i = 1.2, 3...
・, p), the maximum value αj of the rocking angle of the electron beam EB (
J = 1.2.3', ..., q), the acceleration voltage is Ek
(k = 1.2, 3.-, r), this memory 21 specifies and specifies the amplification gain of the variable gain amplifier 16 for each set of 1'7i, αj, and Ek. p for
-xqxr signals are stored.
２２は二次電子検出器であり、この検出器２２よりの出
力信号は増幅器２３を介して陰極線管１３のグリッド１
３ｇに供給されている。22 is a secondary electron detector, and the output signal from this detector 22 is sent to the grid 1 of the cathode ray tube 13 via an amplifier 23.
It is supplied to 3g.
このような構成において、加速電源２を操作して加速電
圧をＥａに設定し、次にスイッチ回路１１Ｘ、ＩＩＹを
介して走査コイル５ａＸ、 ５ａｙに走査信号が供給さ
れるようにする。そこで、作動距離Ｗを選択して試料８
を光軸に沿った所定の位置に配置した後、励磁電源９を
操作して、電子線ＥＢが試料８への入射点を固定した状
態においてロッキングされるように対物レンズ７の焦点
距離をＦｂに設定する。更に倍率可変回路１２を調節し
て電子線ＥＢのロッキング角の最大値をαＣに設定する
。そこで、走査信号発生回路１０Ｘ。In such a configuration, the acceleration power supply 2 is operated to set the acceleration voltage to Ea, and then scanning signals are supplied to the scanning coils 5aX and 5ay via the switch circuits 11X and IIY. Therefore, by selecting the working distance W, sample 8
is placed at a predetermined position along the optical axis, the excitation power source 9 is operated to adjust the focal length of the objective lens 7 to Fb so that the electron beam EB is locked with the incident point on the sample 8 fixed. Set to . Furthermore, the variable magnification circuit 12 is adjusted to set the maximum rocking angle of the electron beam EB to αC. Therefore, the scanning signal generation circuit 10X.
１０Ｙより第３図＜ａ）及び（ｂ）に示す如きＸ及びＹ
方向走査信号Ｘｉ 、 Ｙｉを発生すれば、加速電圧Ｅ
ａにより加速された電子線が走査コイル５ａｘ、 ５ａ
ｙにより偏向されて対物レンズ７の−前焦点面を走査し
、電子線ＥＢＧま対物レンズ７により試料８への照射点
を略固定した状態において最大角度αＣでロッキングさ
れる。そこで、スイッチｓｘ、ｓｙを閉じれば、走査信
号発生回路１０Ｘ、ＩＯＹよりの走査信号Ｘｉ 、Ｙｉ
が二乗回路１４Ｘ、１４Ｙに供給されるため、加算回路
１５から増幅率可変増幅器１６へＸｉ２＋Ｙｉ２に比例
した信号が供給される。一方中央演算処理装置１８には
、加速電源２．励磁電源９９倍率可変回路１２より各々
設定した加速電圧Ｅａ、対物レンズの焦点距離Ｆｂ、ロ
ッキング最大角αＣを表わす信号が各々ＡＤ変換器２０
，１９．２４を介して供給されているため、中央演算処
理装置１８はこれら供給された信号に基づいてメモリ２
１に格納されている増幅率可変増幅器１６の増幅利得を
指定するための信号のうち、（Ｅａ 、 Ｆｂ 、αＣ
）に対応した信号を読み出し、この信号をＤ’Ａ変換器
１７を介して増幅率可変増幅器１６に供給する。そのた
め、増幅率可変増幅器１６はこのＥａ、Ｆｂ、αＣの条
件において、前記第（２）式で表わされるダイナミック
フォーカスレンズによる焦点シフトδＦによって前記第
（１）式で表わされる対物レンズの焦点ずれΔＦが相殺
されるように、最適な増幅利得に設定される。このため
、増幅率可変増幅器１６によって増幅された信号がダイ
ナミックフォーカスレンズ６に供給されるため、対物レ
ンズ７の焦点ずれは高精度に補正され、電子線ＥＢのロ
ッキングに伴う電子線照射位置の移動は極めて小さなも
のになる。そのため、検出□器２２の出力信号を増幅器
２３を介して陰極線管１３に導けば、試料１８の極微小
領域のエレクトロンチャンネリングパターンを隘８ｉ線
管７３に表示することができる。From 10Y, X and Y as shown in Figure 3<a) and (b)
If the direction scanning signals Xi and Yi are generated, the acceleration voltage E
The electron beam accelerated by the scanning coil 5ax, 5a
The electron beam EBG is deflected by y to scan the -front focal plane of the objective lens 7, and the electron beam EBG is locked at the maximum angle αC with the irradiation point on the sample 8 substantially fixed by the objective lens 7. Therefore, if the switches sx and sy are closed, the scanning signals Xi and Yi from the scanning signal generation circuits 10X and IOY are
is supplied to the squaring circuits 14X and 14Y, and therefore a signal proportional to Xi2+Yi2 is supplied from the adder circuit 15 to the variable gain amplifier 16. On the other hand, the central processing unit 18 includes an acceleration power source 2. Signals representing the acceleration voltage Ea, the focal length Fb of the objective lens, and the maximum rocking angle αC respectively set from the excitation power source 99 and the variable magnification circuit 12 are sent to the AD converter 20.
, 19.24, the central processing unit 18 uses the signals supplied to the memory 2.
Among the signals for specifying the amplification gain of the variable gain amplifier 16 stored in 1, (Ea, Fb, αC
) is read out, and this signal is supplied to the variable gain amplifier 16 via the D'A converter 17. Therefore, under the conditions of Ea, Fb, and αC, the variable amplification amplifier 16 generates a focus shift ΔF of the objective lens expressed by the above equation (1) by the focus shift δF by the dynamic focus lens expressed by the above equation (2). The optimum amplification gain is set so that the Therefore, since the signal amplified by the variable amplification amplifier 16 is supplied to the dynamic focus lens 6, the defocus of the objective lens 7 is corrected with high precision, and the electron beam irradiation position is moved due to locking of the electron beam EB. becomes extremely small. Therefore, by guiding the output signal of the detector 22 to the cathode ray tube 13 via the amplifier 23, the electron channeling pattern in the extremely small area of the sample 18 can be displayed on the narrow 8i-ray tube 73.
尚、対物レンズの焦点距離と作動距離は一定の関数関係
にあるため、焦点距離を表わす信号として作動距離を表
わす信号を用いるようにしても良い。Note that since the focal length and working distance of the objective lens have a fixed functional relationship, a signal representing the working distance may be used as a signal representing the focal length.
［発明の効果］
上述した説明から明らかなように、本発明に基づく装置
においては、加速電圧、対物レンズの焦点距離や電子線
゛のロッキング最大角を変化させた際にも、自動的にダ
イナミックフォーカスレンズによる最適な補正を行なう
ことができ、操作性を向上させることができる。[Effects of the Invention] As is clear from the above explanation, in the apparatus based on the present invention, even when the accelerating voltage, the focal length of the objective lens, or the maximum rocking angle of the electron beam is changed, the dynamic adjustment is automatically performed. Optimal correction can be performed using the focus lens, and operability can be improved.
第１図はエレクトロンチャンネリングパターンを得るた
めの電子線の走査を説明するための図、第２図は本発明
の一実施例を示すための図、第３図は第２図に示した一
実施例装置の各回路の出力信号を例示するための図であ
る。
１：電子銃、２：加速電源、３ａ、３ｂ：集束レンズ、
４：絞り、５ａｘ、’５ａｙ、５ｂｘ、５ｂｙ：走査コ
イル、６：ダイナミックフォーカスレンズ、７：対物レ
ンズ、８：試料、９：励磁電源、１’ＯＸ、１０Ｙ：走
査信号発生回路、１１Ｘ。
１１Ｙ：スイッチ回路、１２：倍率可変回路、１３：陰
極線管、１’４Ｘ’、 ’１４Ｙ：二乗回路、１５：加
算回路、１６：増幅率可変増幅器、１７：、０’Ａ変換
器、１８：中央演算処理装置、１９．２０゜２４：’Ａ
Ｄ変換器、２２：検出器、２３：増幅器。
第３図FIG. 1 is a diagram for explaining scanning of an electron beam to obtain an electron channeling pattern, FIG. 2 is a diagram for showing an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 3 is a diagram for illustrating output signals of each circuit of the embodiment device. 1: Electron gun, 2: Acceleration power source, 3a, 3b: Focusing lens,
4: Aperture, 5ax, '5ay, 5bx, 5by: Scanning coil, 6: Dynamic focus lens, 7: Objective lens, 8: Sample, 9: Excitation power supply, 1'OX, 10Y: Scanning signal generation circuit, 11X. 11Y: switch circuit, 12: variable magnification circuit, 13: cathode ray tube, 1'4X', '14Y: square circuit, 15: addition circuit, 16: variable gain amplifier, 17:, 0'A converter, 18: Central processing unit, 19.20°24:'A
D converter, 22: detector, 23: amplifier. Figure 3
Claims (1)
、Ｘ及びＹ方向電子線偏向器にＸｉ、Ｙｉを供給して対
物レンズの前焦点面を電子線により走査すると共に、該
対物レンズの近傍に配置されたダイナミックフォーカス
レンズにＸｉ＾２＋Ｙｉ＾２に比例した電流を増幅率可
変増幅器を介して供給して、対物レンズの球面収差に基
づく電子線の照射位置の移動を相殺して電子線を角度走
査し、該角度走査に伴う検出信号を該走査に同期走査さ
れている表示手段に導いてエレクトロンチャンネリング
パターンを表示するようにした装置において、対物レン
ズの焦点距離に対応した値をＦｉ、電子線ＥＢのロッキ
ング最大角に対応した値をαｊ、電子線の加速電圧に対
応した値をＥｋとするとき、各値Ｆｉ、αｊ、Ｅｋの組
に対する前記増幅率可変増幅器の増幅利得を指定するた
めの信号を記憶するための記憶手段と、該焦点距離に対
応した信号と該ロッキング最大角に対応した信号と該加
速電圧に対応した信号に基づいて該記憶手段に格納され
ている信号を読み出し、該読み出された信号に基づいて
該増幅率可変増幅器の増幅利得を設定するための手段を
具備していることを特徴とする電子線装置。When the X-direction and Y-direction scanning signals are Xi and Yi, respectively, Xi and Yi are supplied to the X- and Y-direction electron beam deflectors to scan the front focal plane of the objective lens with the electron beam, and to scan the front focal plane of the objective lens with the electron beam. A current proportional to Xi^2+Yi^2 is supplied to the dynamic focus lens placed nearby via a variable amplification amplifier to cancel out the movement of the electron beam irradiation position due to the spherical aberration of the objective lens. In an apparatus that displays an electron channeling pattern by angularly scanning the angle and guiding a detection signal associated with the angular scanning to a display means that is scanned in synchronization with the scanning, a value corresponding to the focal length of the objective lens is determined as Fi. , where αj is the value corresponding to the maximum rocking angle of the electron beam EB, and Ek is the value corresponding to the accelerating voltage of the electron beam, specify the amplification gain of the variable amplification factor amplifier for each set of values Fi, αj, and Ek. a storage means for storing a signal for accelerating, and a signal stored in the storage means based on a signal corresponding to the focal length, a signal corresponding to the maximum rocking angle, and a signal corresponding to the accelerating voltage; An electron beam apparatus comprising means for reading a signal and setting an amplification gain of the variable amplification factor amplifier based on the read signal.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12574684A JPS614146A (en) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | Electron beam device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12574684A JPS614146A (en) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | Electron beam device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614146A true JPS614146A (en) | 1986-01-10 |
| JPH035022B2 JPH035022B2 (en) | 1991-01-24 |
Family
ID=14917775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12574684A Granted JPS614146A (en) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | Electron beam device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614146A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0432143A (en) * | 1990-05-25 | 1992-02-04 | Hitachi Ltd | Electron beam device |
| JP2012142299A (en) * | 2012-03-19 | 2012-07-26 | Hitachi High-Technologies Corp | Scanning charged particle microscope device, and processing method of image taken by scanning charged particle microscope device |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP12574684A patent/JPS614146A/en active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0432143A (en) * | 1990-05-25 | 1992-02-04 | Hitachi Ltd | Electron beam device |
| JP2012142299A (en) * | 2012-03-19 | 2012-07-26 | Hitachi High-Technologies Corp | Scanning charged particle microscope device, and processing method of image taken by scanning charged particle microscope device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH035022B2 (en) | 1991-01-24 |
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