JPS6141408B2 - - Google Patents
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- JPS6141408B2 JPS6141408B2 JP55110439A JP11043980A JPS6141408B2 JP S6141408 B2 JPS6141408 B2 JP S6141408B2 JP 55110439 A JP55110439 A JP 55110439A JP 11043980 A JP11043980 A JP 11043980A JP S6141408 B2 JPS6141408 B2 JP S6141408B2
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- Japan
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- mosfet
- whose
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- drain
- gate
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Power Sources (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の利用分野
本発明は、電界効果トランジスタを用いた回
路、詳しくは高電圧クロツク信号発生器に関す
る。
路、詳しくは高電圧クロツク信号発生器に関す
る。
(2) 発明の背景
記憶回路においては、しばしばクロツクライン
に用いられる最高電圧が電源電圧Vccよりも高い
ことが望まれる。しかし、一般にクロツクライン
には大容量のキヤパシタンスが負荷されているた
めに、クロツクラインを電源電圧Vcc以上に駆動
することを困難にしている。
に用いられる最高電圧が電源電圧Vccよりも高い
ことが望まれる。しかし、一般にクロツクライン
には大容量のキヤパシタンスが負荷されているた
めに、クロツクラインを電源電圧Vcc以上に駆動
することを困難にしている。
そのため、従来見られるものは、負荷キヤパシ
タンスと同じ様に常に充分にチヤージされデイス
チヤージされるブートストラツプキヤパシタンス
を用いている。このブートストラツプキヤパシタ
ンスは負荷キヤパシタンスに対し直接接続されて
いる。
タンスと同じ様に常に充分にチヤージされデイス
チヤージされるブートストラツプキヤパシタンス
を用いている。このブートストラツプキヤパシタ
ンスは負荷キヤパシタンスに対し直接接続されて
いる。
(3) 発明の概要
本発明においては、ブートストラツプキヤパシ
タンスと負荷キヤパシタンスとを互いに無関係に
チヤージする。
タンスと負荷キヤパシタンスとを互いに無関係に
チヤージする。
この方法では、ブートストラツプキヤパシタン
スは、付勢時に電荷を送出し、そしてプリチヤー
ジの間に能動サイクル中に失われた電荷を回復す
る。それゆえ動作速度および電力消費が共に改善
される。
スは、付勢時に電荷を送出し、そしてプリチヤー
ジの間に能動サイクル中に失われた電荷を回復す
る。それゆえ動作速度および電力消費が共に改善
される。
アイソレーシヨン兼プリチヤージ回路は、アイ
ソレーシヨントランジスタがターンオフ時トリガ
され、フルにチヤージされたブートストラツプキ
ヤパシタンスの電荷を保持し、ブートストラツプ
キヤパシタンスをVcc以上に浮動(float up)さ
せ、負荷キヤパシタンスを一層高い電圧に駆動す
る。
ソレーシヨントランジスタがターンオフ時トリガ
され、フルにチヤージされたブートストラツプキ
ヤパシタンスの電荷を保持し、ブートストラツプ
キヤパシタンスをVcc以上に浮動(float up)さ
せ、負荷キヤパシタンスを一層高い電圧に駆動す
る。
その後、そしてプリチヤージの間に、アイソレ
ーシヨン回路は再びブートストラツプキヤパシタ
ンスから電荷が失われるのを防ぐように作用す
る。従つてブートストラツプキヤパシタンスのチ
ヤージ状態が維持されると共に動作速度も改善さ
れる。何故なら、この回路の能動作用は、負荷キ
ヤパシタンスがブートストラツプキヤパシタンス
の動作状態によつて一層高い電圧にブートストラ
ツプされる前に負荷キヤパシタンスを駆動するだ
けでよいからである。
ーシヨン回路は再びブートストラツプキヤパシタ
ンスから電荷が失われるのを防ぐように作用す
る。従つてブートストラツプキヤパシタンスのチ
ヤージ状態が維持されると共に動作速度も改善さ
れる。何故なら、この回路の能動作用は、負荷キ
ヤパシタンスがブートストラツプキヤパシタンス
の動作状態によつて一層高い電圧にブートストラ
ツプされる前に負荷キヤパシタンスを駆動するだ
けでよいからである。
(4) 実施例の説明
以下本発明高電圧クロツク信号発生器の実施例
を添付図面について詳細に説明する。
を添付図面について詳細に説明する。
第1図に、本発明による高電圧クロツク信号発
生器10を示す。負荷キヤパシタンス12は、負
荷となる任意のキヤパシタンスを表わすCLとし
て示してある。好適とする実施例ではCLはワー
ド線の負荷キヤパシタンスを表わす。第1のクロ
ツク信号発生器14は負荷キヤパシタンス12を
約5Vの第1電圧までチヤージするのに用いる。
ブートストラツプキヤパシタンス16はCKとし
て示してある。キヤパシタンス16は負荷キヤパ
シタンス12を第2の所望の一層高い電圧に駆動
するのに用いる。
生器10を示す。負荷キヤパシタンス12は、負
荷となる任意のキヤパシタンスを表わすCLとし
て示してある。好適とする実施例ではCLはワー
ド線の負荷キヤパシタンスを表わす。第1のクロ
ツク信号発生器14は負荷キヤパシタンス12を
約5Vの第1電圧までチヤージするのに用いる。
ブートストラツプキヤパシタンス16はCKとし
て示してある。キヤパシタンス16は負荷キヤパ
シタンス12を第2の所望の一層高い電圧に駆動
するのに用いる。
アイソレーシヨン兼プリチヤージ回路はブロツ
ク18で示してある。この回路は、ブートストラ
ツプキヤパシタンス16を、負荷キヤパシタンス
12を第2の電圧に駆動する前に5Vの第1の電
圧までチヤージする。ブートストラツプキヤパシ
タンス16は、その負荷キヤパシタンス12に及
ぼす作用が適応して変化するが、任意の電圧にチ
ヤージすることができる。ブートストラツプキヤ
パシタンス16は、任意所望の容量に選定できる
が、好適とする実施例では負荷キヤパシタンス1
2にほぼ等しい。アイソレーシヨン兼プリチヤー
ジ回路18と第2のクロツクパルス発生器20と
はブートストラツプキヤパシタンス16にチヤー
ジする作用をする。所望により多数個のクロツク
信号発生器をカスケードに接続しさらに駆動能力
を高めることができるが、図中には2個のクロツ
クパルス発生器14,20だけしか示してない。
ク18で示してある。この回路は、ブートストラ
ツプキヤパシタンス16を、負荷キヤパシタンス
12を第2の電圧に駆動する前に5Vの第1の電
圧までチヤージする。ブートストラツプキヤパシ
タンス16は、その負荷キヤパシタンス12に及
ぼす作用が適応して変化するが、任意の電圧にチ
ヤージすることができる。ブートストラツプキヤ
パシタンス16は、任意所望の容量に選定できる
が、好適とする実施例では負荷キヤパシタンス1
2にほぼ等しい。アイソレーシヨン兼プリチヤー
ジ回路18と第2のクロツクパルス発生器20と
はブートストラツプキヤパシタンス16にチヤー
ジする作用をする。所望により多数個のクロツク
信号発生器をカスケードに接続しさらに駆動能力
を高めることができるが、図中には2個のクロツ
クパルス発生器14,20だけしか示してない。
高電圧クロツク信号発生器10の動作を以下に
述べる。初期には負荷キヤパシタンス12の一方
の電極22はOVである。これはφ2として示し
てある。同様に第1クロツク信号発生器14の入
力端子24におけるφ1は0であり、そしてブー
トストラツプキヤパシタンス16の他方の電極2
6のφ3も0である。このときにはアイソレーシ
ヨン兼プリチヤージ回路18はブートストラツプ
キヤパシタンス16の一方の電極28を第1の電
圧例えば5Vになるまでチヤージする。
述べる。初期には負荷キヤパシタンス12の一方
の電極22はOVである。これはφ2として示し
てある。同様に第1クロツク信号発生器14の入
力端子24におけるφ1は0であり、そしてブー
トストラツプキヤパシタンス16の他方の電極2
6のφ3も0である。このときにはアイソレーシ
ヨン兼プリチヤージ回路18はブートストラツプ
キヤパシタンス16の一方の電極28を第1の電
圧例えば5Vになるまでチヤージする。
回路18のさらに別の動作は第2図に示したタ
イムチヤートから明らかである。φ1は初めに、
第1の電圧になり負荷キヤパシタンス12の一方
の電極22を第1電圧に駆動する。この時間中に
アイソレーシヨン兼プリチヤージ回路18はブー
トストラツプキヤパシタンス16を分離する。ブ
ートストラツプキヤパシタンス16の他方の電極
26のφ3は0のままである。負荷キヤパシタン
ス12の一方の電極22のφ2は、φ1が第1電
圧になるのにわずかに遅れて追従する。
イムチヤートから明らかである。φ1は初めに、
第1の電圧になり負荷キヤパシタンス12の一方
の電極22を第1電圧に駆動する。この時間中に
アイソレーシヨン兼プリチヤージ回路18はブー
トストラツプキヤパシタンス16を分離する。ブ
ートストラツプキヤパシタンス16の他方の電極
26のφ3は0のままである。負荷キヤパシタン
ス12の一方の電極22のφ2は、φ1が第1電
圧になるのにわずかに遅れて追従する。
φ3はさらに遅れて追従し、第1電圧まで上昇
する。このとき、ブートストラツプキヤパシタン
スの他方の電極26はφ3に浮動する。これと同
時にアイソレーシヨン兼プリチヤージ回路18は
ブートストラツプキヤパシタンス16を低位のキ
ヤパシタンス12に接続する作用をする。従つて
φ2はブートストラツプキヤパシタンス16の電
荷に従つて上昇する。2個のキヤパシタンス1
2,16が好適とする実施例の場合のように容量
が互いにほぼ等しいときは、φ2は約1/2だけす
なわちこの例では7.5Vに上昇する。
する。このとき、ブートストラツプキヤパシタン
スの他方の電極26はφ3に浮動する。これと同
時にアイソレーシヨン兼プリチヤージ回路18は
ブートストラツプキヤパシタンス16を低位のキ
ヤパシタンス12に接続する作用をする。従つて
φ2はブートストラツプキヤパシタンス16の電
荷に従つて上昇する。2個のキヤパシタンス1
2,16が好適とする実施例の場合のように容量
が互いにほぼ等しいときは、φ2は約1/2だけす
なわちこの例では7.5Vに上昇する。
高電圧クロツク信号発生器10がそのプリチヤ
ージ状態にもどると、φ1,φ2,φ3はふたた
び0にもどるが、アイソレーシヨン兼プリチヤー
ジ回路18はこの場合ブートストラツプキヤパシ
タンス16に電荷を保持するように動作する。こ
の場合サイクルごとにブートストラツプキヤパシ
タンス16を再チヤージする必要を避けることに
より回路の一層早い動作が可能となる。さらに電
力消費が著しく減る。
ージ状態にもどると、φ1,φ2,φ3はふたた
び0にもどるが、アイソレーシヨン兼プリチヤー
ジ回路18はこの場合ブートストラツプキヤパシ
タンス16に電荷を保持するように動作する。こ
の場合サイクルごとにブートストラツプキヤパシ
タンス16を再チヤージする必要を避けることに
より回路の一層早い動作が可能となる。さらに電
力消費が著しく減る。
第3図には高電圧クロツクパルス発生器10を
一層詳しく示してある。プリチヤージ状態中にト
ランジスタ30が導通しトランジスタ32のゲー
トを接地する。これによりトランジスタ32は、
トランジスタ34のゲートに接続した入力端子の
φ1が接地電位にあるのでトランジスタ34と同
様に非導通になる。しかしトランジスタ36はプ
リチヤージ信号により導通する。このようにして
接続点38をVcc−Vtに高める。Vccは電源電圧
であり、Vtはしきい電圧である。トランジスタ
40はこの電源電圧により導通することによりト
ランジスタ42のゲートにVcc−Vtをかける。こ
のようにしてトランジスタ42を導通させ接続点
44をOVにする。トランジスタ46はそのゲー
トの接続点44の0電圧によつて導通しないが、
トランジスタ48は接続点38の電圧によつて導
通する。このようにしてキヤパシタンス52の他
方の電極50は接続点44すなわちキヤパシタン
ス52の一方の電極と同様に0Vになる。又トラ
ンジスタ54は接続点38の正電圧により導通し
従つて接続点22のφ2を接地電位にする。又ト
ランジスタ56はそのゲートにおけるプリチヤー
ジ信号により導通することによつて、接続点58
を接地電位にする。最後にトランジスタ60はそ
のゲートの接続点58が接地電位にあるから非導
通である。
一層詳しく示してある。プリチヤージ状態中にト
ランジスタ30が導通しトランジスタ32のゲー
トを接地する。これによりトランジスタ32は、
トランジスタ34のゲートに接続した入力端子の
φ1が接地電位にあるのでトランジスタ34と同
様に非導通になる。しかしトランジスタ36はプ
リチヤージ信号により導通する。このようにして
接続点38をVcc−Vtに高める。Vccは電源電圧
であり、Vtはしきい電圧である。トランジスタ
40はこの電源電圧により導通することによりト
ランジスタ42のゲートにVcc−Vtをかける。こ
のようにしてトランジスタ42を導通させ接続点
44をOVにする。トランジスタ46はそのゲー
トの接続点44の0電圧によつて導通しないが、
トランジスタ48は接続点38の電圧によつて導
通する。このようにしてキヤパシタンス52の他
方の電極50は接続点44すなわちキヤパシタン
ス52の一方の電極と同様に0Vになる。又トラ
ンジスタ54は接続点38の正電圧により導通し
従つて接続点22のφ2を接地電位にする。又ト
ランジスタ56はそのゲートにおけるプリチヤー
ジ信号により導通することによつて、接続点58
を接地電位にする。最後にトランジスタ60はそ
のゲートの接続点58が接地電位にあるから非導
通である。
第2のクロツク信号発生器20は同じ構成を持
ちプリチヤージ中に同じように作用する。トラン
ジスタ61は導通しトランジスタ62を非導通に
する。トランジスタ64は非導通になるがトラン
ジスタ66は導通し接続点63がVcc−Vtにな
る。トランジスタ70は導通しトランジスタ72
を導通させ接続点74を0Vにする。トランジス
タ76はこれにより非導通になる。トランジスタ
78は導通しコンデンサ82の他方の電極80を
接地電位にする。トランジスタ84は導通するが
トランジスタ86は非導通になりφ3とブートス
トラツプキヤパシタンス16の他方の電極26と
を接地電位にする。
ちプリチヤージ中に同じように作用する。トラン
ジスタ61は導通しトランジスタ62を非導通に
する。トランジスタ64は非導通になるがトラン
ジスタ66は導通し接続点63がVcc−Vtにな
る。トランジスタ70は導通しトランジスタ72
を導通させ接続点74を0Vにする。トランジス
タ76はこれにより非導通になる。トランジスタ
78は導通しコンデンサ82の他方の電極80を
接地電位にする。トランジスタ84は導通するが
トランジスタ86は非導通になりφ3とブートス
トラツプキヤパシタンス16の他方の電極26と
を接地電位にする。
プリチヤージ中にトランジスタ90は導通する
が、トランジスタ92は非導通になる。トランジ
スタ92は接続点88から信号を受ける。接続点
88はトランジスタ61のドレインとトランジス
タ62のゲートとに接続してある。このようにし
て接続点94はVcc−Vtになる。接続点94から
キヤパシタンス96にチヤージしトランジスタ9
8,100を導通させる。各トランジスタ98,
100はデプレツシヨン型MOSFET(MOS型電
界効果トランジスタ)である。このような
MOSFETは回路の動作を一層速めるが必須のも
のではない。こうして接続点28はVccになる
が、トランジスタ60は接続点22を接続点28
から分離するように動作する。すなわちブートス
トラツプキヤパシタンス16はVcc又は5Vまでチ
ヤージされるが、負荷キヤパシタンス12は0V
のままである。
が、トランジスタ92は非導通になる。トランジ
スタ92は接続点88から信号を受ける。接続点
88はトランジスタ61のドレインとトランジス
タ62のゲートとに接続してある。このようにし
て接続点94はVcc−Vtになる。接続点94から
キヤパシタンス96にチヤージしトランジスタ9
8,100を導通させる。各トランジスタ98,
100はデプレツシヨン型MOSFET(MOS型電
界効果トランジスタ)である。このような
MOSFETは回路の動作を一層速めるが必須のも
のではない。こうして接続点28はVccになる
が、トランジスタ60は接続点22を接続点28
から分離するように動作する。すなわちブートス
トラツプキヤパシタンス16はVcc又は5Vまでチ
ヤージされるが、負荷キヤパシタンス12は0V
のままである。
φ1がVccに上昇すると、接続点24はVccに
なるがキヤパシタンス96の電極102も又Vcc
になる。これと同時にプリチヤージ信号が0Vに
もどる。このようにしてトランジスタ34は導通
するが、トランジスタ30は非導通になる。この
場合トランジスタ32を導通させ、接続点38を
接地電位にする。トランジスタ36は非導通にな
つているが、トランジスタ40は導通状態のまま
になつている。トランジスタ40とトランジスタ
42のゲートとの固有のキヤパシタンスにより、
トランジスタ42は若干の遅延後にカツトオフす
る。トランジスタ48,54はこの場合非導通に
なると共に接続点44はVccまでチヤージされ
る。これと同時にトランジスタ46は導通しコン
デンサ52の電極50をVccとする。そしてトラ
ンジスタ56は非導通になるが、トランジスタ6
0は導通し接続点22のφ2をVcc−Vtにする。
なるがキヤパシタンス96の電極102も又Vcc
になる。これと同時にプリチヤージ信号が0Vに
もどる。このようにしてトランジスタ34は導通
するが、トランジスタ30は非導通になる。この
場合トランジスタ32を導通させ、接続点38を
接地電位にする。トランジスタ36は非導通にな
つているが、トランジスタ40は導通状態のまま
になつている。トランジスタ40とトランジスタ
42のゲートとの固有のキヤパシタンスにより、
トランジスタ42は若干の遅延後にカツトオフす
る。トランジスタ48,54はこの場合非導通に
なると共に接続点44はVccまでチヤージされ
る。これと同時にトランジスタ46は導通しコン
デンサ52の電極50をVccとする。そしてトラ
ンジスタ56は非導通になるが、トランジスタ6
0は導通し接続点22のφ2をVcc−Vtにする。
クロツク信号発生器20は同様に作用し、第2
図のタイムチヤートに示したような若干の遅れを
伴うが接続点26のφ3をVcc−Vtにする。第2
クロツクパルス発生器20から接続点88で取出
しアイソレーシヨン兼プリチヤージ回路18のト
ランジスタ92のゲートに送る信号はこの場合、
トランジスタ92を導通させるように作用する
が、トランジスタ90は非導通になつている。こ
れにより接続点94は接地電位になり各トランジ
スタ98,100を非導通にする。これ等はデプ
レツシヨン型トランジスタであるから、この状態
は若干の遅れを伴つて生じ、ブートストラツプキ
ヤパシタンス16を負荷キヤパシタンス12に加
える前に短いためらいを生ずる。次でφ2はキヤ
パシタンス16CKによりVccより高くはね上げ
られる。キヤパシタンス16CK及びキヤパシタ
ンス12CLが互いにほぼ等しい場合には、φ2
は約7ないし7.5Vになる。
図のタイムチヤートに示したような若干の遅れを
伴うが接続点26のφ3をVcc−Vtにする。第2
クロツクパルス発生器20から接続点88で取出
しアイソレーシヨン兼プリチヤージ回路18のト
ランジスタ92のゲートに送る信号はこの場合、
トランジスタ92を導通させるように作用する
が、トランジスタ90は非導通になつている。こ
れにより接続点94は接地電位になり各トランジ
スタ98,100を非導通にする。これ等はデプ
レツシヨン型トランジスタであるから、この状態
は若干の遅れを伴つて生じ、ブートストラツプキ
ヤパシタンス16を負荷キヤパシタンス12に加
える前に短いためらいを生ずる。次でφ2はキヤ
パシタンス16CKによりVccより高くはね上げ
られる。キヤパシタンス16CK及びキヤパシタ
ンス12CLが互いにほぼ等しい場合には、φ2
は約7ないし7.5Vになる。
次のプリチヤージ中にキヤパシタンスCKはふ
たたびキヤパシタンスCLから分離する。
たたびキヤパシタンスCLから分離する。
(5) 発明の効果
このようにしてφ2はキヤパシタンスCLにチ
ヤージするだけでよい。プリチヤージ回路はキヤ
パシタンスCKに所要量だけしかチヤージしない
ように作用する。キヤパシタンスCKは全放電は
せずにその電荷を保持する。このようにして電力
を保持する。さらにφ2はキヤパシタンスCLに
チヤージするだけでよいから、時定数がキヤパシ
タンスに比例するときは動作速度が増す。
ヤージするだけでよい。プリチヤージ回路はキヤ
パシタンスCKに所要量だけしかチヤージしない
ように作用する。キヤパシタンスCKは全放電は
せずにその電荷を保持する。このようにして電力
を保持する。さらにφ2はキヤパシタンスCLに
チヤージするだけでよいから、時定数がキヤパシ
タンスに比例するときは動作速度が増す。
以上本発明をその実施例について詳細に説明し
たが本発明はなおその精神を逸脱しないで種種の
変化変型を行うことができるのはもちろんであ
る。
たが本発明はなおその精神を逸脱しないで種種の
変化変型を行うことができるのはもちろんであ
る。
第1図は本発明高電圧クロツク信号発生器の1
実施例のブロツク図、第2図は本発明発生器のタ
イムチヤート、第3図は第1図の発生器の電気配
線図である。 10……高電圧クロツク信号発生器、12……
負荷キヤパシタンス、14……第1クロツク信号
発生器、16……ブートストラツプキヤパシタン
ス、18……アイソレーシヨン兼プリチヤージ回
路、20……第2クロツク信号発生器。
実施例のブロツク図、第2図は本発明発生器のタ
イムチヤート、第3図は第1図の発生器の電気配
線図である。 10……高電圧クロツク信号発生器、12……
負荷キヤパシタンス、14……第1クロツク信号
発生器、16……ブートストラツプキヤパシタン
ス、18……アイソレーシヨン兼プリチヤージ回
路、20……第2クロツク信号発生器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 負荷キヤパシタンスを第1の電圧にチヤージ
する第1のクロツク信号発生器と、前記負荷キヤ
パシタンスを第2の電圧に駆動するブートストラ
ツプキヤパシタンスと、前記負荷キヤパシタンス
を第2の電圧に駆動する前に前記ブートストラツ
プキヤパシタンスをチヤージするアイソレーシヨ
ン兼プリチヤージ回路と、前記ブートストラツプ
キヤパシタンスの電極を駆動してこのブートスト
ラツプキヤパシタンスにより前記負荷キヤパシタ
ンスを第2の電圧に駆動するようにする第2のク
ロツク信号発生器とを含んで成る高電圧クロツク
信号発生器。 2 第1のクロツク信号発生器を、ソースは接地
しゲートはプリチヤージ信号を受けるようにした
第1のMOSFETと、ソースは第1MOSFETのド
レインに接続しドレインは電圧源に接続しゲート
は第1クロツク信号を受けるようにした第2の
MOSFETと、ゲートは第1MOSFETのドレイン
に接続しソースは接地した第3のMOSFETと、
ソースは第3MOSFETのドレインに接続しドレイ
ンは電圧源に接続しゲートはプリチヤージ信号を
受けるようにした第4のMOSFETと、ソースは
第3MOSFETのドレインに接続しゲートは電圧源
に接続した第5のMOSFETと、ドレインは第1
クロツク信号を受けるようにしゲートは第
5MOSFETのドレインに接続した第6の
MOSFETと、ソースは接地しゲートは第
3MOSFETのドレインに接続した第7の
MOSFETと、第1の端子は第6MOSFETのソー
スに接続し第2の端子は第7MOSFETのドレイン
に接続したキヤパシタンスと、ゲートは第
6MOSFETのソースに接続しソースは前記キヤパ
シタンスの第2端子に接続しドレインは電圧源に
接続した第8のMOSFETと、ゲートは第
3MOSFETのドレインに接続しソースは接地した
第9のMOSFETと、ソースは第9のMOSFETの
ドレインに接続しドレインはアイソレーシヨン兼
プリチヤージ回路とブートストラツプキヤパシタ
ンスとに接続した第10のMOSFETと、ドレイン
は第10MOSFETのゲートと前記アイソレーシヨ
ン兼プリチヤージ回路とに接続しソースは接地し
ゲートはプリチヤージ信号を受けるようにした第
11のMOSFETとにより構成した前項1に記載の
高電圧クロツク信号発生器。 3 第2のクロツク信号発生器を、ソースは接地
しゲートはプリチヤージ信号を受けるようにした
第1のMOSFETと、ソースは第1MOSFETのド
レインに接続しドレインは電圧源に接続しゲート
は第1クロツク信号を受けるようにした第2の
MOSFETと、ゲートは第1MOSFETのドレイン
に接続しソースは接地した第3のMOSFETと、
ソースは第3MOSFETのドレインに接続しドレイ
ンは電圧源に接続しゲートはプリチヤージ信号を
受けるようにした第4のMOSFETと、ソースは
第3MOSFETのドレインに接続しゲートは電圧源
に接続した第5のMOSFETと、ドレインは第1
クロツク信号を受けるようにしゲートは第
5MOSFETのドレインに接続した第6の
MOSFETと、ソースは接地しゲートは第
3MOSFETのドレインに接続した第7の
MOSFETと、第1の端子は第6MOSFETのソー
スに接続し第2の端子は第7MOSFETのドレイン
に接続したキヤパシタンスと、ゲートは第
6MOSFETのソースに接続しソースは前記キヤパ
シタンスの第2端子に接続しドレインは電圧源に
接続した第8のMOSFETと、ゲートは第
3MOSFETのドレインに接続しソースは接地した
第9のMOSFETと、ドレインは電圧源に接続し
ゲートは前記キヤパシタンスの第1端子に接続し
た第10のMOSFETと、ドレインは第10MOSFET
のゲートとアイソレーシヨン兼プリチヤージ回路
とに接続しソースは接地しゲートはプリチヤージ
信号を受けるようにした第11のMOSFETとによ
り構成した前項1に記載の高電圧クロツク信号発
生器。 4 アイソレーシヨン兼プリチヤージ回路を、ド
レインは電圧源に接続しゲートはプリチヤージ信
号を受けるようにした第1のMOSFETと、ドレ
インは第1MOSFETのソースに接続しゲートは第
2クロツク信号発生器に接続しソースは接地した
第2のMOSFETと、第1の端子は第1クロツク
信号を受けるようにし第2の端子は第1MOSFET
のソースに接続したキヤパシタンスと、ゲートは
第1MOSFETのソースに接続しソース及びドレイ
ンは第1クロツク信号発生器に接続した第1のデ
プレツシヨンMOSFETと、ドレインは電圧源に
接続しゲートは第1MOSFETのソースに接続しソ
ースはブートストラツプキヤパシタンス及び第1
クロツク信号発生器に接続した第2のデプレツシ
ヨンMOSFETとにより構成した前項1に記載の
高電圧クロツク信号発生器。 5 アイソレーシヨン兼プリチヤージ回路に、ド
レインは電圧源に接続しゲートはプリチヤージ信
号を受けるようにした第12のMOSFETと、ドレ
インは第12MOSFETのソースに接続しゲートは
第2クロツク信号発生器に接続しソースは接地し
た第13MOSFETと、第1の端子は第1クロツク
信号を受けるようにし第2の端子は第
12MOSFETのソースに接続したキヤパシタンス
と、ゲートは第12MOSFETのソースに接続しソ
ース及びドレインは第1クロツク信号発生器に接
続した第1のデプレツシヨンMOSFETと、ドレ
インは電圧源に接続しゲートは第12MOSFETの
ソースに接続しソースはブートストラツプキヤパ
シタンス及び第1クロツク信号発生器に接続した
第2のデプレツシヨンMOSFETとを設けた前項
2に記載の高電圧クロツク信号発生器。 6 第1クロツク信号発生器及び第2クロツク信
号発生器を互いに同様な単位とした前項1に記載
の高電圧クロツク信号発生器。 7 アイソレーシヨン兼プリチヤージ回路を、ド
レインは電圧源に接続しゲートはプリチヤージ信
号を受けるようにした第1のMOSFETと、ドレ
インは第1MOSFETのソースに接続しゲートは第
2クロツク信号発生器に接続しソースは接地した
第2のMOSFETと、第1の端子は第1クロツク
信号を受けるようにし第2の端子は第1MOSFET
のソースに接続したキヤパシタンスと、ゲートは
第1MOSFETのソースに接続しソース及びドレイ
ンは第1クロツク信号発生器に接続した第1のデ
プレツシヨンMOSFETと、ドレインは電圧源に
接続しゲートは第1MOSFETのソースに接続しソ
ースはブートストラツプキヤパシタンス及び第1
クロツク信号発生器に接続した第2のデプレツシ
ヨンMOSFETとにより構成した前項6に記載の
高電圧クロツク信号発生器。 8 ソースは接地しゲートはプリチヤージ信号を
受けるようにした第1のMOSFETと、ソースは
第1のMOSFETのドレインに接続しドレインは
電圧源に接続しゲートは第1クロツク信号を受け
るようにした第2のMOSFETと、ゲートは第
1MOSFETのドレインに接続しソースは接地した
第3のMOSFETと、ソースは第3MOSFETのド
レインに接続しドレインは電圧源に接続しゲート
はプリチヤージ信号を受けるようにした第4の
MOSFETと、ソースは第3MOSFETのドレイン
に接続しゲートは電圧源に接続した第5の
MOSFETと、ドレインは第1クロツク信号を受
けるようにしゲートは第5MOSFETのドレインに
接続した第6のMOSFETと、ソースは接地しゲ
ートは第3MOSFETのドレインに接続した第7の
MOSFETと、第1の端子は第6MOSFETのソー
スに接続し第2の端子は第7MOSFETのドレイン
に接続したキヤパシタンスと、ゲートは第
6MOSFETのソースに接続しソースは前記キヤパ
シタンスの第2端子に接続しドレインは電圧源に
接続した第8のMOSFETと、ゲートは第
3MOSFETのドレインに接続しソースは接地した
第9のMOSFETと、ソースは第9MOSFETのド
レインに接続しドレインはアイソレーシヨン兼プ
リチヤージ回路とブートストラツプキヤパシタン
スとに接続した第10のMOSFETと、ドレインは
第10MOSFETのゲートと前記アイソレーシヨン
兼プリチヤージ回路とに接続しソースは接地しゲ
ートはプリチヤージ信号を受けるようにした第11
のMOSFETと、負荷キヤパシタンスを第2の電
圧に駆動するブートストラツプキヤパシタンス
と、ドレインは電圧源に接続しゲートはプリチヤ
ージ信号を受けるようにした第12のMOSFET
と、ドレインは第12MOSFETのソースに接続し
ゲートは第2クロツク信号発生器に接続しソース
は接地した第13のMOSFETと、第1の端子は第
1クロツク信号を受けるようにし第2の端子は第
12MOSFETのソースに接続した第2のキヤパシ
タンスと、ゲートは第12MOSFETのソースに接
続しソース及びドレインは第1クロツク信号発生
器に接続した第1のデプレツシヨンMOSFET
と、ドレインは電圧源に接続しゲートは第
12MOSFETのソースに接続しソースはブートス
トラツプキヤパシタンス及び第1クロツク信号発
生器に接続した第2のデプレツシヨンMOSFET
と、ソースは接地しゲートはプリチヤージ信号を
受けるようにした第14のMOSFETと、ソースは
第14MOSFETのドレインに接続しドレインは電
圧源に接続しゲートは第1クロツク信号を受ける
ようにした第15のMOSFETと、ゲートは第
14MOSFETのドレインに接続しソースは接地し
た第16のMOSFETと、ソースは第16MOSFETの
ドレインに接続しドレインは電圧源に接続しゲー
トはプリチヤージ信号を受けるようにした第17の
MOSFETと、ソースは第16MOSEFTのドレイン
に接続しゲートは電圧源に接続した第18の
MOSFETと、ドレインは第1クロツク信号を受
けるようにしゲートは第18MOSFETのドレイン
に接続した第19のMOSFETと、ソースは接地し
ゲートは第16MOSFETのドレインに接続した第
20のMOSFETと、第1の端子は第19MOSFETの
ソースに接続し第2の端子は第20MOSFETのド
レインに接続した第3のキヤパシタンスと、ゲー
トは第19MOSFETのソースに接続しソースは第
3キヤパシタンスの第2端子に接続しドレインは
電圧源に接続した第21のMOSFETと、ゲートは
第16MOSFETのドレインに接続しソースは接地
した第22のMOSFETと、ドレインは電圧源に接
続しゲートは第3キヤパシタンスの第1端子に接
続した第23のMOSFETと、ドレインは第
23MOSFETのゲートに接続しソースは接地しゲ
ートはプリチヤージ信号を受けるようにした第24
のMOSFETとを含んで成る高電圧クロツク信号
発生器。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/066,148 US4354123A (en) | 1979-08-13 | 1979-08-13 | High voltage clock generator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5659332A JPS5659332A (en) | 1981-05-22 |
JPS6141408B2 true JPS6141408B2 (ja) | 1986-09-16 |
Family
ID=22067554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11043980A Granted JPS5659332A (en) | 1979-08-13 | 1980-08-13 | Signal generator for recordingtime of high voltage |
Country Status (5)
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---|---|
US (1) | US4354123A (ja) |
JP (1) | JPS5659332A (ja) |
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DE (1) | DE3030380C2 (ja) |
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DE2243671A1 (de) * | 1972-09-06 | 1974-03-28 | Ibm Deutschland | Monolithisch integrierbare inverterschaltung |
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-
1979
- 1979-08-13 US US06/066,148 patent/US4354123A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
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- 1980-08-11 DE DE3030380A patent/DE3030380C2/de not_active Expired
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- 1980-08-13 JP JP11043980A patent/JPS5659332A/ja active Granted
Also Published As
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