JPS6140371A - 接合用ワニス - Google Patents

接合用ワニス

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JPS6140371A
JPS6140371A JP16208984A JP16208984A JPS6140371A JP S6140371 A JPS6140371 A JP S6140371A JP 16208984 A JP16208984 A JP 16208984A JP 16208984 A JP16208984 A JP 16208984A JP S6140371 A JPS6140371 A JP S6140371A
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resin
organic solvent
bonding
soluble
group
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JP16208984A
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Hiroshi Minamizawa
南沢 寛
Toshiaki Fukushima
利明 福島
Takashi Morinaga
森永 喬
Hisashi Takagame
高亀 寿
Toyoji Oshima
大島 外代次
Toshihide Yamane
山根 敏英
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体装置における支持部材に半導体素子を接
合するのに適した接合用ワニスに関する。
(従来技術) 半導体装置の製造工程の中で、IC,LSTなどの半導
体素子と支持部材の接合(以後ダイボンディングと言う
)には、接合部材として金を用いた金−シリコンの共晶
法あるいはノ・ンダを用いたハンダ法、樹脂接着剤を用
いた接着剤法が用いらnているのは周知である。
接合部材として金が用いられている理由は、耐腐食性に
優れていること及びシリコンと共晶合金を作るため接着
強度に優れていることが挙げられるが、高価格な金を用
いることはコストアップにつながる。一方、接合部材に
ノ・ンダを用いるノ・ンダ法は、コストは安いので一部
実用化されているが、蒸発したノ・ンダやノ・ンダボー
ルが飛散して電極などに付着し、腐食断線の原因となる
可能性がある。これに比べて、有機材料からなる接合部
材が近年急速に実用化されてきていて、コスト面。
作業性の面からダイボンディングの主流となυつつある
(%公50−19436号公報、特開昭57−104,
234号公報、特開昭57−128,933号公報等参
照)。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、従来の有機接合部材では接合時の樹脂の
収縮が大きいために、半導体素子にストレスを与えて素
子自体を反らせてしまい、これに伴って半導体素子上の
回路に亀裂が生じるなど素子の信頼性を著しく低下させ
てしまう。また、見かけ上、欠点がなくても、封止後の
熱シ歴によって同様の問題がおこる。これは大型の素子
になるほど顕著になシ、また。熱膨張係数の大きな銅系
の支持部材を使うと顕著になる。本発明は、このような
問題点を解決するものである。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、上記問題点を解決するために、新規な接合用
材料を提弔するものである。
すなわち9本発明は。
(al  有機溶剤 (bl  (alの有機溶剤に可溶性の樹脂及び (C)  (alの有機溶剤に不溶性でかつ(blの樹
脂と非相溶性の樹脂粒子 を含有してなる接合用ワニスに関する。
上記(alの有機溶剤としては、プチルセロンルプ。
N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド。
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド。
シクロヘキサノン等があシ、上記の(b)の樹脂を溶解
し、(C)の樹脂粒子を溶解しないものであれば。
特に制限はない。
上記(b)の樹脂・とじては、熱分解温度が350℃以
上の耐熱性のものが好ましく、熱可塑性樹脂でも熱硬化
性樹脂でもよい。また、加熱によって可塑化及び硬化反
応しないものでもよい。
上記熱可塑性樹脂としては、ガラス転移点が160℃以
上であるものが好ましい。
以上の条件を満足する場合、封止工程で樹脂の劣化に伴
う半導体素子のはがれや腐食が起こりにくい。
上記Tb)の樹脂としては、エポキシ樹脂、ワニスール
樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド、
ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテル
エーテルケトン。シリコーン樹脂、ポリスルホン、ポリ
フェニルサルファイド。
ポリエーテルスルホ/、ポリアミド、ポリエーテルアミ
ド、ポリカーボネート等がアシ、一種で又は二種以上併
用して使用される。
これらのうち、好ましい熱可塑性樹脂についてさらに詳
述すると次のとおシである。
総括的には、下記一般式+11又は一般式(II)で表
わされる繰シ返し単位を有する樹脂である。
一般式fII) ここに、上記一般式(11中、Xは結合+  O+ル または−C−であシ、114およびルはH,C山。
■ CzHs 、 C5Hy 、 CF3またはCC1!3
で6D、Rsおよびルは同一でも相異っていてもよい。
また、R1゜&、&およびR4は、 H、CHa 、 
 C2H5。
−C3H? 、  0CHs 、 −0CxHs + 
 0C3H7、BrまたけCI!であシ+ Rt + 
R2+ R3およびR4は同一でも相異ってもよい。更
に上記繰シ返し単位は適宜の組み合わせで結合してもよ
い。
上記樹脂の具体例としては次の如きものが挙げられる。
以下余白 上記に於て、商品例として他に、アストレル360(カ
ーボランダム社製、ポリアリーレンスルホン)、エコノ
ール(カーボランダム社製、ポリアリーレンエ・ステル
)も包含される。
上記(a)の有機溶剤と(blの樹脂は、該有機溶剤に
波樹脂が溶解するように、それぞれ適宜選択して夏用さ
れる。
(C)の樹脂粒子としては1本発明の効果を奏するため
に弾性を有するものが好ましく、このために。
熱可塑性樹脂粒子が好ましい。
このような樹脂粒子としては、不飽和重合性単量体の重
合体、ポリアミド、ポリエステル、シリコーンゴム、ポ
リウレタン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ホ
リフエニレンサルファイド等の粒子がらシ、これらは一
種で又は二種以上併用して使用される。
上記不飽和重合性単量体としては、エチレン。
プロピレン等のオレフィン、ブタジェン、イソプレン等
のジオレフィン、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピ
ル、アクリル酸ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシル
等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタク
リル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブ
チル、メタクリル酸2−エチルヘキシル等のメタクリル
酸エステル、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルト
ルエン9.t−ブチルスチレン等のスチレン系単量体。
アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のシアン化ビ
ニルなどがあシ、これらの重合体としては。
単独重合体でも共重合体でもよく、また、架橋されてい
てもよい。また、スチレン系単量体、シアン化ビニル等
の単独重合体が比較的小さい弾性を有するものは、他の
不飽和単量体(例えば、オレフィン、ジオレフィン、ア
クリル酸エステル等)と共重合させたものを使用するの
が好ましい。
(C)の樹脂粒子が、(a)の有機溶剤に不溶性でかつ
(b)の樹脂と非相溶性のものであるように、これらを
適宜選択して使用する。
本発明に係る接合用フェスは、(a)の有機溶剤に(b
)の樹脂が溶解しておシ、この溶液に(C)の樹脂粒子
が分散している。貯蔵中、(C)の樹脂粒子は沈降する
が、この場合は、使用にあたってよく攪拌し。
(C)め樹脂粒子を溶液中に均一に分散させて使用する
のが好ましい。
なお、(b)の樹脂として熱硬化性樹脂を使用する場合
は、適宜硬化剤が添加される。硬化剤としては、エポキ
シ樹脂に対して酸無水物、アミン等があシ、硬化性ポリ
クレタ/としては、主剤のアクリルポリオール、ポリエ
ステルポリオールに対して硬化剤のポリインシアネ・−
トがある。硬化剤を添加する時は、(a)の有機溶剤に
可溶性のものが好ましい。
(alの有機溶剤と(b)及び(C1の樹脂総量は前者
/後者が重量比で90/10〜40/60になるように
配合されるのが好ましい。この比が大きすぎると樹脂分
が小さくなシ接合しにくくなる傾向があシ、小さすぎる
と粘度が高くな多9作業性に劣る傾向がある。
本発明に係る接合用フェスには、充填剤及び、′又は密
着性改善剤が含まれていてもよい。
充填剤としては導電性または絶縁性の粉末状充横割が例
示されるが、半導体素子から発生する熱を特に支持部材
に放散させる必要がある場合には。
充填剤として銀粉、グラファイトやカーボンブラック等
の炭素粉末、又は炭素粉末と銀粉末との混合物を使用す
ることによシ接合部材の熱伝導率を向上させることがで
きる。更には接着力の向上。
揺変性の付与等を目的として、必要に応じてシリカ、金
属酸化物1石英ガラス粉末を使用することも可能である
。これらの使用量は適宜決定されるが、(b)の樹脂及
び(C)の樹脂粒子の総量に対して0〜10重量%が好
ましく、場合により30重量%まで含有することができ
る。
密着性改善剤としては、シラン系、アルミ系。
チタン系等の各種カップリング剤がちシ、これらは1分
散相樹脂に予め1分散又は付着させておくのが好ましい
。これらの使用量は(b)の樹脂及び(C)の樹脂粒子
の総量に対して0〜0.3重量%が好ましい。
本発明に係る接合用ワニスを用いて、半導体装置におけ
る支持部材に半導体素子を接合するには。
次のような方法がある。
(1)上記接合用ワニスを支持部材に塗布又は滴下して
、その上に半導体素子を載置して加熱処理をする。
(2)支持部材に、上記接合用ワニスを塗布又は滴下し
て溶剤を除去して、支持部材上に接合部材を形成し、こ
れに半導体素子を載置して、熱処理する。
(3)半導体素子の接合面に、上記接合用ワニスを塗布
又は滴下して溶剤を除去して、半導体素子の接合面上に
接合部材を形成し、これを支持部材に載置して熱処理す
る。
このような処理の後、適宜に封止工程が施される。封止
方法としては、樹脂封止、ガラス封止。
セラミック封上等がある。
このようにして得られた半導体装置の一例を第1図に示
す。第1図は、樹脂封止型中導体装置の一例を示す断面
図でアシ、支持部材(リードフレーム)1に、接合部材
2を介して半導体素子3が接合されておシ、半導体素子
3と外部引出し線4はワイヤ5によってワイヤボンディ
ングされている。全体がエポキシ樹脂6で封止されてい
る。
上記支持部材としては、金属支持体(リードフレーム)
、ガラスエポキシ基板、セラミック基板等、半導体装置
の基板として知られているものが使用できるが、特に、
金属支持体、なかでも銅リードフレームを用いた時に9
本発明に係る接合用ワニスを使用することによる効果が
顕著である。
(作用) 本発明に係る接合用ワニスは、溶剤を除去することによ
り 、 (blの樹脂からなる樹脂連続相内に該樹脂と
相溶性のない(C1の樹脂粒子が分散された樹脂の二相
構造、いわゆる海(連続相)−島(分散相)構造を形成
する。分散している(C1の樹脂粒子は1球状、フレー
ク状等の任意の形状で樹脂マトリックス(樹脂連続相)
内に分散している。
本発明に係る接合用ワニスを支持部材と半導体素子の接
合に使用したとき、上記のような構造を形成して接合部
材となるため、接合時における接合部材の硬化収縮が小
さく、従って、支持部材に接合された半導体素子にそシ
がなく、半導体素子の信頼性を低下させることがない。
この効果を得るために、樹脂連続相を形成する(b)の
樹脂に対して樹脂分散相を形成する(C1の樹脂粒子が
2〜50重量−の割合で使用されるのが好ましく、特に
10〜30重量係使用されるのが好ましい。
(実施例) 次に本発明の実施例及び比較例を示す。
比較例1 下記(al〜(f)成分のうち、エポキシ樹脂、硬化剤
及び溶媒である下記(al、 (b)及び(C1成分を
300艷の還流器を付けたフラスコ中で100℃で加熱
下に1時間攪拌し、均一な溶液を得た。次いでこの溶液
を1.7の乳鉢に仕込み、この後、硬化促進剤。
充填剤及びシランカップリング剤である下記(d)。
+e)及び(f)の各成分を所定量仕込み、らいかい機
で2時間攪拌して銀粉末を含む接合用ワニスを調整した
。・ (a)シェル社製エピコート1001   100重量
部(C1プチルセロンルブ        75重量部
(e)銀粉末(平均粒子径1.2μml   ioo重
量部(fl  信越化学社製KBM403    0.
1重量部実施例^ 比較例1で調整した銀粉末を含む樹脂組成物100重量
部と平均粒径が5μのポリエチレンの球状粒子を14重
量部ホモジナイザーで1時間攪拌してポリエチレンの粒
子が分散した銀粉末を含む接合用ワニスを調整した。
実施例2 比較例1で調整した銀粉末を含む樹脂組成物100重量
部と平均粒径が10μの6−ナイロンのフレーク状粒子
を14重量部ホモジナイザーで1時間攪拌して6−ナイ
ロンの粒子が分散した銀粉末を含む接合用ワニスを調整
した。
応用例1〜3 比較例1及び実施例1〜2で得られた接合用ワニス約0
.2 ccをディスペンサーを用いて銅系の支持部材(
リードフレーム)上に塗布した後、半導体素子(シリコ
ンペレット5m角)を載置して。
荷重100 gW/am”を負荷しつつ、180℃で5
秒間加熱処理して接合した。得られた半導体素子が接合
された支持部材を用いて、ペレットの支持部材への接着
強度及びそシを調べた。この結果を表1に示す。
なお、応用例2〜3で別に得られた半導体素子が接合さ
れた支持部材をエポキシ樹脂で封止して第1図に示すよ
うな半導体装置としたが、半導体素子に異常はなく、ヒ
ートサイクル試験しても異常はなかった。
表1 試験結果 *1)  接着強度試験 半導体素子が接合された支持部材を水平に200℃又は
250℃に保り扛だヒートブロック上に固定し、ダッシ
ュグルゲージのロッドが支持部材上を水平に移動するよ
うにして、半導体素子の側面を抑圧、シ、ペレットがは
がれた時のプッシュプルゲージの目盛シを読んだ。
*2)  顕微鏡に多重干渉装置を対物レンズ側に取9
付けて、ベレット表面にできた干渉しまの最初の間隔を
測定し。
(ただし、λは波長、Xは干渉しまの間隔である)で求
めたものである。
(発明の効果) 本発明に係る接合用ワニスを使用して支持部材に接合さ
れた半導体素子は、そシがなく、半導体素子表面の回路
に亀裂を生じるようなことがなく。
半導体装置として信頼性が高いものf:得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面図で
ある。 符号の説明

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(a)有機溶剤、 (b)(a)の有機溶剤に可溶性の樹脂 及び (c)(a)の有機溶剤に不溶性でかつ(b)の樹脂と
    非相溶性の樹脂粒子 を含有してなる接合用ワニス。 2、(a)の有機溶剤に可溶性の樹脂が、熱分解開始温
    度が350℃以上の樹脂である特許請求の範囲第1項記
    載の接合用ワニス。 3、(a)の有機溶剤に可溶性の樹脂が、エポキシ樹脂
    、フエノール樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、
    ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、
    ポリエーテルエーテルケトン、シリコーン樹脂、ポリス
    ルホン、ポリフエニルサルフアイド、ポリエーテルスル
    ホン、ポリアミド、ポリエーテルアミド及びポリカーボ
    ネートからなる群から選ばれた少なくとも一種の樹脂で
    ある特許請求の範囲第1項又は第2項記載の接合用ワニ
    ス。 4、(a)の有機溶剤に可溶性の樹脂がガラス転移点1
    60℃以上の熱可塑性樹脂である特許請求の範囲第1項
    又は第2項記載の接合用ワニス。 5、(a)の有機溶剤に可溶性の樹脂が芳香族ポリエー
    テルアミド、ポリカーボネート、芳香族ポリエステル、
    ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフエニレン
    サルフアイド、ポリエーテルイミド及びポリエーテルエ
    ーテルケトンからなる群から選ばれた少なくとも一種の
    樹脂である特許請求の範囲第4項記載の接合用ワニス。 6、(a)の有機溶剤に不溶性でかつ(b)の樹脂と非
    相溶性である樹脂が、熱可塑性樹脂である特許請求の範
    囲第1項記載の接合用ワニス。 7、(a)の有機溶剤に不溶性でかつ(b)の樹脂と非
    相溶性である樹脂が、不飽和重合性単量体の重合体、ポ
    リアミド、ポリエステル、ポリウレタン、シリコーンゴ
    ム、ポリスルホン、ポリフエニレンサルフアイド及びポ
    リエーテルスルホンからなる群から選ばれた少なくとも
    一種の樹脂である特許請求の範囲第6項記載の接合用ワ
    ニス。 8、不飽和重合性単量体の重合体が、オレフイン、ジオ
    レフイン、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステ
    ルからなる群から選ばれた少なくとも一種の単量体の重
    合体及び共重合体並びに該単量体とスチレン系単量体又
    はシアン化ビニルの共重合体からなる群から選ばれた少
    なくとも一種の重合体である特許請求の範囲第7項記載
    の接合用ワニス。
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