JPS6136936A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6136936A JPS6136936A JP59159659A JP15965984A JPS6136936A JP S6136936 A JPS6136936 A JP S6136936A JP 59159659 A JP59159659 A JP 59159659A JP 15965984 A JP15965984 A JP 15965984A JP S6136936 A JPS6136936 A JP S6136936A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
-
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- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、シリコン基板との界面近傍における膜質のば
らつきが少なく、かつレーザー照射のみによる酸化膜成
長に比べて処理時間の短いゲート酸化膜の形成方法に関
するものである。
らつきが少なく、かつレーザー照射のみによる酸化膜成
長に比べて処理時間の短いゲート酸化膜の形成方法に関
するものである。
従来例の構成とその問題点
MO8型半導体装置のゲート酸化膜は、現在一般にシリ
コン基板を電気炉中で熱酸化することにより形成してい
る。この熱酸化によるゲート酸化膜は、膜厚の均一性や
電気的な耐圧に関して良好な特性を有している。しかし
ながら、膜質のばら2べ−7 つきは存在し、特にシリコン基板との界面近傍における
わずかな電子準位のばらつきもデバイス特性に悪影響を
与えることがある。
コン基板を電気炉中で熱酸化することにより形成してい
る。この熱酸化によるゲート酸化膜は、膜厚の均一性や
電気的な耐圧に関して良好な特性を有している。しかし
ながら、膜質のばら2べ−7 つきは存在し、特にシリコン基板との界面近傍における
わずかな電子準位のばらつきもデバイス特性に悪影響を
与えることがある。
一方、近年酸素雰囲気中でシリコン基板上へアルゴンイ
オンレーザ−やCO2レーザーを照射することによって
酸化膜を形成する方法が開発され電気炉による熱酸化膜
より膜質のばらつきの少ない良質の酸化膜を得ることが
できるようになり、より特性の良いデバイスを作ること
が可能になった。
オンレーザ−やCO2レーザーを照射することによって
酸化膜を形成する方法が開発され電気炉による熱酸化膜
より膜質のばらつきの少ない良質の酸化膜を得ることが
できるようになり、より特性の良いデバイスを作ること
が可能になった。
しかし、このレーザーによる酸化膜の形成方法は、レー
ザーのスポットサイズを大きくすることができないため
、スライス当たりの処理時間が長く、量産には適してい
なかった。
ザーのスポットサイズを大きくすることができないため
、スライス当たりの処理時間が長く、量産には適してい
なかった。
発明の目的
本発明は、このような従来の問題点の解決を図ったもの
であり、シリコン基板上へ、まず電気炉中マの熱酸化に
より酸化膜全形成し、その後酸素雰囲気中で、酸化膜上
ヘレーザーを照射することにより、シリコン基板との界
面に膜質の良い酸化膜を薄く形成することから成る半導
体装置の裳造3 \一 方法の提供全目的とするものである。
であり、シリコン基板上へ、まず電気炉中マの熱酸化に
より酸化膜全形成し、その後酸素雰囲気中で、酸化膜上
ヘレーザーを照射することにより、シリコン基板との界
面に膜質の良い酸化膜を薄く形成することから成る半導
体装置の裳造3 \一 方法の提供全目的とするものである。
発明の構成
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の主面上
に第1の酸化膜を電気炉中での熱酸化により、所望の膜
厚より少し薄く形成し、次いで酸素雰囲気中にて第1の
酸化膜上からアルゴンイオンレーザ−又はC02レーザ
ーを走査して照射することにより、半導体基板との界面
に第2の酸化膜を薄く形成させ、所望の酸化膜膜厚を得
ることを特徴とする半導体装置の製造方法である。これ
により、良質の薄い酸化膜を得ることができ、例えば、
MO3型半導体装置にこれを用いると安定な特性が得ら
れる。
に第1の酸化膜を電気炉中での熱酸化により、所望の膜
厚より少し薄く形成し、次いで酸素雰囲気中にて第1の
酸化膜上からアルゴンイオンレーザ−又はC02レーザ
ーを走査して照射することにより、半導体基板との界面
に第2の酸化膜を薄く形成させ、所望の酸化膜膜厚を得
ることを特徴とする半導体装置の製造方法である。これ
により、良質の薄い酸化膜を得ることができ、例えば、
MO3型半導体装置にこれを用いると安定な特性が得ら
れる。
発明り実施例の説明
本発明の半導体装置の製造方法を、厚さ400人のゲー
ト酸化膜を形成する場合を例にして以下に説明する。
ト酸化膜を形成する場合を例にして以下に説明する。
1ず、第1図のように、900′Cドライ酸化にて、シ
リコン基板1上に第1回目のゲート酸化膜2を380人
形成させる。この第1のゲート酸化膜2の形成は、電気
炉中で行うため、バッチ処理が可能である。次に、シリ
コン基板1を300℃〜4o○℃に予備加熱し、酸素雰
囲気中でCO2レーザーをパワー25W、走査速度毎分
10cmで先に形成した酸化膜1土から照射し第2図の
ように第2回目のゲート酸化膜3をシリコン基板1との
界面に2o人成長させる。この結果、シリコン基板1と
の界面に膜質のばらつきの少ない酸化膜3を有する厚さ
4o○人のゲート酸化膜を得ることができる。
リコン基板1上に第1回目のゲート酸化膜2を380人
形成させる。この第1のゲート酸化膜2の形成は、電気
炉中で行うため、バッチ処理が可能である。次に、シリ
コン基板1を300℃〜4o○℃に予備加熱し、酸素雰
囲気中でCO2レーザーをパワー25W、走査速度毎分
10cmで先に形成した酸化膜1土から照射し第2図の
ように第2回目のゲート酸化膜3をシリコン基板1との
界面に2o人成長させる。この結果、シリコン基板1と
の界面に膜質のばらつきの少ない酸化膜3を有する厚さ
4o○人のゲート酸化膜を得ることができる。
以上の方法で形成したゲート酸化膜上ヘポリシリコン層
を被着させたMO3型ダイオードと従来の電気炉中での
熱酸化のみで形成したゲート酸化膜を有するMO3型ダ
イオードとで、それらの各界面準位密度を比較すると従
来法の場合、5×10 cm であったのに対し、本
発明の方法による場合は2×1Q crn となり少な
い界面準位密度を示した。
を被着させたMO3型ダイオードと従来の電気炉中での
熱酸化のみで形成したゲート酸化膜を有するMO3型ダ
イオードとで、それらの各界面準位密度を比較すると従
来法の場合、5×10 cm であったのに対し、本
発明の方法による場合は2×1Q crn となり少な
い界面準位密度を示した。
以上、本発明の方法を一例を示して説明したのであるが
、電気炉中での熱酸化による膜厚と、し5へ− 一ザーにより成長させた酸化膜の膜厚との比は、上述し
たもの以外でもよい。本発明において大切なことは、レ
ーザーによる酸化のみの場合より、電気炉による熱酸化
を併用することにより処理時間が短くなり、かつ、電気
炉中での熱酸化のみの場合より、シリコン基板との界面
での酸化膜の膜質のばらつきが少ないということである
。
、電気炉中での熱酸化による膜厚と、し5へ− 一ザーにより成長させた酸化膜の膜厚との比は、上述し
たもの以外でもよい。本発明において大切なことは、レ
ーザーによる酸化のみの場合より、電気炉による熱酸化
を併用することにより処理時間が短くなり、かつ、電気
炉中での熱酸化のみの場合より、シリコン基板との界面
での酸化膜の膜質のばらつきが少ないということである
。
発明の効果
以上、本発明の方法によると、シリコン基板との界面近
傍で、膜質のばらつきの少ない酸化膜をレーザー照射の
みの場合より短時間の処理で得ることが可能となる。
傍で、膜質のばらつきの少ない酸化膜をレーザー照射の
みの場合より短時間の処理で得ることが可能となる。
第1図、第2図は本発明の製造方法を説明するための製
造過程における断面形状を示す図である。 1・・・・・・シリコン基板、2・・・・・・電気炉中
での熱酸化により形成した第1のゲート酸化膜、3・・
・・・・レーザー照射により形成した第2のゲート酸化
膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名勇
1図 第2図
造過程における断面形状を示す図である。 1・・・・・・シリコン基板、2・・・・・・電気炉中
での熱酸化により形成した第1のゲート酸化膜、3・・
・・・・レーザー照射により形成した第2のゲート酸化
膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名勇
1図 第2図
Claims (1)
- 半導体基板上に、第1の酸化膜を電気炉中での熱酸化
により形成する工程、及び前記第1の酸化膜上へ、酸素
雰囲気中でレーザー照射する工程から成ることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59159659A JPS6136936A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59159659A JPS6136936A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6136936A true JPS6136936A (ja) | 1986-02-21 |
Family
ID=15698533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59159659A Pending JPS6136936A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6136936A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5028560A (en) * | 1988-06-21 | 1991-07-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate |
US5178682A (en) * | 1988-06-21 | 1993-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate and apparatus therefor |
US5908321A (en) * | 1994-01-06 | 1999-06-01 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure with stable pre-reacted particle and method for making |
US7754286B2 (en) * | 2001-12-06 | 2010-07-13 | Kst World Corp. | Method of forming a silicon dioxide film |
-
1984
- 1984-07-30 JP JP59159659A patent/JPS6136936A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5028560A (en) * | 1988-06-21 | 1991-07-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate |
US5178682A (en) * | 1988-06-21 | 1993-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate and apparatus therefor |
US5908321A (en) * | 1994-01-06 | 1999-06-01 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure with stable pre-reacted particle and method for making |
US7754286B2 (en) * | 2001-12-06 | 2010-07-13 | Kst World Corp. | Method of forming a silicon dioxide film |
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