JPS6134985A - 光半導体ウエツジベ−スランプの製造方法及び製造装置 - Google Patents

光半導体ウエツジベ−スランプの製造方法及び製造装置

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JPS6134985A
JPS6134985A JP15638584A JP15638584A JPS6134985A JP S6134985 A JPS6134985 A JP S6134985A JP 15638584 A JP15638584 A JP 15638584A JP 15638584 A JP15638584 A JP 15638584A JP S6134985 A JPS6134985 A JP S6134985A
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JP
Japan
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mold
resin
split
base
wedge base
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JP15638584A
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Inventor
Tatsuhiko Negoro
根来 立彦
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Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、発光ダイオードチップを用いたウェッジベー
スランプを1造する方法及び製造装置に関するものであ
る。
(技術的背景) ミニランプの一つにウェッジベース型があるが、従来の
はタングステンフイラメン1−を加熱して発光させるガ
ラス封止の構造であり、次のような短所がある。
(1) 消費電力が大きい。
(2) 機械的振動に弱い。
(3) 応答速度が遅い。
(4) 寿命が短い。
(5) 発熱が大きい。
(6) 波長(発光色)が変えられない。
(7) 破損し易い。
このため、発光源として発光ダイオード(t F D 
)チップを用い、これを樹脂モールドした光半導体ウェ
ッジベニスランプが考案されている。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、高品質の光半導体ウェッジベースラン
プを容易に製造、できる製造方法及び製造装冒を提供す
ることにある。
(発明の概要) 本発明は、発光ダイオードチップをボンディングしたリ
ードフレームを、レンズ部には樹脂型、ウェッジベース
部には金属製割型を用いた型の所定位置に支持し、透光
性樹脂の注入、硬化によって一体成形すること、及び複
数のレンズ部用の型部を有する樹脂型を基台に型部の開
口上端が基台上面と面一になるように支持するとともに
、基台上面にウェッジベース部用の金属製割型と位置決
めを兼ねた支持枠を載置し、この支持枠に複数の発光ダ
イオードチップがボンディングされたリードフレームを
保持する保持枠を発光ダイオードチップが前記樹脂型と
割型による型内の所定位置に吊下状態で位置するよう着
脱自在に支持することを特徴とするものである。
〔実施例〕
第1図及び第2図は光半導体ウェッジベースランプ製造
装置の−・実施例を示すもので、レンズ部成形用樹脂型
1は、複数の型部2とフランジ部3を有する。基台4は
その中央部に細長い角穴5が設けられている。この角穴
5は前記樹脂型1をセットするためのもので、樹脂型1
の型部2の外径φ2と略同じ幅で、かつ複数の型部2の
配列の長さfを有する。また、この角穴5の上端周囲に
はフランジ部3の長さ1、幅e、厚みdに相当する段部
6が形成されている。
従って、樹脂型1を基台4の中央部ヘセットした場合、
複数の型部2が角穴5内で長手方向へ一列に配列され、
かつフランジ部3と基台4の表面が面一となる。
前記基台4の左右両端部上面には支持枠11゜12が載
置され、基台4の貫通孔17.〜20に下方から挿入さ
れたねじ13〜16により固定されている。前記支持枠
11.12は、リードフレーム7を保持する四角柱保持
枠8の高さ規制と位置を決めるためのもので、挿入穴9
,10が穿設されている。前記保持枠8の一方の側面に
は、リードフレーム7の左右両側の孔21.22に嵌合
する挿通ピン23.24が突設されている。また、保持
枠8の裏面には、前記支持枠11.12の挿入穴9.1
0に嵌入される挿入ピン25.26が突設されている。
なお、板ばね27.28はリードフレーム7を保持枠8
の側面に挟圧保持するためのものである。
一方、ランプのウェッジベース部分を成形する金属製割
型29.30は両端部に長孔31,32゜37.38を
有しており、一方の割型29は前記基台4の表面にねじ
33.34と基台4のねじ孔35.36の螺合により固
定できるようになっている。この割型29の取付けに際
し、割型29の型形成面側の側面を前記支持枠11.1
2の側面に当接させることで中心設定を行っている。
他方の割型30も前記基台4の表面にねじ39゜40と
基台4のねじ孔41.42の螺合により固定できる。こ
の割型30の取tttプに際しては、割型30の端面が
支持枠11.12の対向面の一部に接し、かつ型形成面
側の側面が一方の割型29の型形成面側の側面に当接し
た状態とする。樹脂型1及び割型29,30を基台4に
取付けた状態では、樹脂型1の複数の型部2と割型29
,30によるウェッジベース部が対応した配置となる。
次に、第3図〜第14図をも参照しながら製造工程につ
いて説明する。まず、基台4に樹脂型1と割型29.3
0を取付け、第3図及び−第4図(第3図のA−A’轢
断面図)に示すように型を形成する。一方、複数個の発
光ダイオードチップ6をリードフレーム7にボンディン
グしく第2図)、このリードフレーム7を保持枠8の側
面に板ばね27.28により挟圧保持しておく(第3図
)。
この保持枠8を第3図の矢印P方向へ垂直に降下させ、
挿入ピン25.26を支持枠11.12の挿入穴9,1
0に嵌入して第5図、第6図(第5図のB−8’線断面
図)の状態にセットする。
この後、複数の樹脂注入口43からそれぞれ規定量の透
光性樹脂44を注入し、硬化させる(第7図、第8図(
第7図のC−C′線断面図))。
硬化完了後、割型29,30のねじ、?t’3.34゜
39.40を各々緩め、第9図及び第10図(第9図の
D−D’線断面図)に示すように割型29をY方向へ、
割型30をY′方向へそれぞれ移動さける。そして、第
11図のように保持枠8を矢印P′方向に持上げて11
を型する。
離型後、板ばね27.28を取外しリードフレーム7を
保持枠8から取出す(第12図)。この後、レンズ部4
5、ウェッジベース部46が一体成形された多数のラン
プを第12図の点線付近で切断して各ランプ毎に切離し
、第13図のように2本のリード線47.48を互いに
反対側に折り曲げると、光半導体ウェッジベースランプ
50が完成する(第14図)。
このようにして得られた光半導体ウェッジベースランプ
は次のような利点がある。
(1) 低電圧、低電流で動作する。
(2) 消費電力が少ない。
(3) 寿命が長い。
(4) 信頼性がきわめて高い。
(5) 機械的振動に強い。
(6) 応答速度が速い。
(7) カラフルな発光が得られる。
(8) 樹脂モールド構造のため堅牢である。
(9) 無色透明はもちろん、散乱剤でコントラストが
変えられる。
(10)  パルス点灯が可能で、駆動回路が簡単にな
る。
〔効 果〕
以上のように本発明によれば、型のレンズ部を樹脂型、
ウェッジベース部を金属製割型とし、この型の中に発光
ダイオードチップがボンディングされたリードフレーム
を支持した状態で透光性樹脂の注入、硬化を行って一体
成形するので、高品質の光半導体ウェッジベースランプ
を容易に製造でき、しかも量産できるためコストの低減
が可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明に係る光半導体ウェッジベー
スランプの製造装置の一実施例を示す分冊斜視図、第3
図〜第14図は製造工程を説明するための斜視図、断面
図及び側面図である。 1・・・レンズ部成形用樹脂型 2・・・型部       3・・・7ランプ部4・・
・基台 6・・・発光ダイオードチップ 7・・・リードフレーム  8・・・保持枠9及び10
・・・挿入穴 11及び12由支持枠25及び26・・
・挿入ビン 27及び28・・・板ばね43・・・樹脂
注入口   44・・・透光性樹脂45・・・レンズ部
    46・・・ウェッジベース部47及び48・・
・リード線 50・・・光半導体ウエッジベースランプ第6図 P 第8図 第9図    第10図 第11図 第12図 第13図 第14図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)発光ダイオードチップをボンディングしたリード
    フレームを、レンズ部には樹脂型、ウェッジベース部に
    は金属製割型を用いた型の所定位置に支持し、透光性樹
    脂の注入、硬化によって一体成形することを特徴とする
    光半導体ウェッジベースランプの製造方法。
  2. (2)複数のレンズ部用型部を有する樹脂型と、この樹
    脂型をその型部の開口端が上面と面一になるように支持
    する基台と、この基台上面に載置されるウェッジベース
    部用の金属製割型と、前記樹脂型及び割型の位置決めを
    兼ねて前記基台上に固定された支持枠と、複数の発光ダ
    イオードチップがボンディングされたリードフレームを
    保持し、発光ダイオードチップが前記樹脂型と割型とに
    よる型内の所定位置に吊下状態で位置するよう前記支持
    枠に着脱自在に支持される保持枠とを備えてなる光半導
    体ウェッジベースランプの製造装置。
JP15638584A 1984-07-26 1984-07-26 光半導体ウエツジベ−スランプの製造方法及び製造装置 Granted JPS6134985A (ja)

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JPS6134985A true JPS6134985A (ja) 1986-02-19
JPH0422349B2 JPH0422349B2 (ja) 1992-04-16

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JP15638584A Granted JPS6134985A (ja) 1984-07-26 1984-07-26 光半導体ウエツジベ−スランプの製造方法及び製造装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7496270B2 (en) * 2006-06-09 2009-02-24 Lg Electronics Inc. Light emitting unit, apparatus and method for manufacturing the same, apparatus for molding lens thereof, and light emitting device package thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7496270B2 (en) * 2006-06-09 2009-02-24 Lg Electronics Inc. Light emitting unit, apparatus and method for manufacturing the same, apparatus for molding lens thereof, and light emitting device package thereof
US7869674B2 (en) 2006-06-09 2011-01-11 Lg Electronics Inc. Light emitting unit, apparatus and method for manufacturing the same, apparatus for molding lens thereof, and light emitting device package thereof

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