JPS6134737Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は電子同調チユーナの局部発振周波数安
定化回路に係り、例えばテレビジヨン受像機に使
用されるVHF電子同調チユーナの局部発振回路
内に設けられるスイツチングダイオードに印加さ
れるバイアス電圧を、周囲温度の変動により変化
するように制御する構成としたことにより、周囲
温度の変動による局部発振周波数の変動（ドリフ
ト）を補償すべくなした電子同調チユーナの局部
発振周波数安定化回路を提供することを目的とす
る。

第１図は、一般的な電子同調チユーナの局部発
振回路を示すもので、同図において、１は低チヤ
ンネル用同調コイル、２は高チヤンネル用同調コ
イル、３は低，高両チヤンネルの切換え用のスイ
ツチングダイオードで、該スイツチングダイオー
ド３に端子４から印加するバイアス電圧の極性に
よつて、何れかのチヤンネルに切換え作用が行な
われる。５はバラクタダイオードであり、端子６
から印加する逆方向バイアス電圧を変化して発振
周波数を制御する。１１は発振用トランジスタ
で、該トランジスタ１１には端子１２からバイア
ス電圧が供給される。９，１０は帰還用コンデン
サ、８は発振周波数同調共振回路と発振用トラン
ジスタ１１との結合コンデンサ、７は同調容量の
変化割合を決めるコンデンサである。

上述のような局部発振回路において、発振周波
数の温度変化によるドリフトは、各端子４，６，
１２から印加する電圧に温度依存性がないとする
と、バラクタダイオード５の接合容量の温度係
数、発振用トランジスタ１１のパラメータの温度
係数及び各コンデンサ７，８，９，１０の容量の
温度係数に起因する。そこで、従来では、各コン
デンサ７，８，９，１０の容量の温度係数を適当
に選定することによつて、局部発振周波数の温度
変動によるドリフトを補償することが行なわれて
いる。

ところで、上記温度変動によるドリフトの原因
となる温度係数について見るに、バラクタダイオ
ード５と各コンデンサ７，８，９，１０について
は、低チヤンネルと高チヤンネルとでは殆んど変
化することがないが、発振用トランジスタ１１の
パラメータについては、使用周波数帯の相違によ
つて大いなる差異が存在することが知られてい
る。

したがつて、ある程度の温度変動によるドリフ
トの補償をした後においても、第２図に明示され
るように温度変動による発振周波数のドリフト量
の変化特性は、低チヤンネルと高チヤンネルとで
は変化する場合が多く、例えば低チヤンネルのド
リフト量が高チヤンネルに比べて大きい場合、低
チヤンネルのドリフト量をさらに補償しようとす
ると高チヤンネルでは過補償となり、反対にドリ
フト量が増加してしまう欠点があつた。

本考案は上述のような欠点を除去すべくなした
考案であつて、図面につきその詳細を説明する。

第１図に示すような電子同調チユーナの局部発
振回路において、低，高両チヤンネルの切換え用
のスイツチングダイオード３に着目すると、低チ
ヤンネルの受信時に、該スイツチングダイオード
には端子４から負電圧である逆方向バイアス電圧
が印加されてオフ状態となつているが、前記スイ
ツチングダイオード３の逆方向接合容量が高チヤ
ンネル用同調コイル２を通じて同調共振回路の一
部分を構成している。

いま、スイツチングダイオード３の逆方向接合
容量をＣ_jとすれば、 Ｃ_j＝Ｋ／（Ｖ_Ｏ＋Ｖ_Ｒ）〓 の関係式が存在する。ここで、Ｋは比例定数、Ｖ
_Oはスイツチングダイオード３の接合電位、Ｖ_Rは
逆方向バイアス電圧で、前記スイツチングダイオ
ード３のアノードを基準にした時のカソードの電
圧値であり、またγは前記スイツチングダイオー
ド３の接合によつて決まる定数である。すなわ
ち、逆方向接合容量Ｃ_jは逆方向バイアス電圧Ｖ_R
に依存し、該電圧Ｖ_Rが大きい程逆方向接合容量
Ｃ_jは小さくなる。

一般的に、スイツチングダイオード３として
は、その逆方向接合容量は回路構成上小さいこと
が要求されており、実際の使用に際しても、逆方
向バイアス電圧を大きくして接合容量をできる限
り小さくするように計られる。

本考案は、前述の説明で明らかなようにスイツ
チングダイオード３の逆方向接合容量は、低チヤ
ンネルの受信時のみ局部発振周波数に影響を与え
ること、及び上記のごとく電圧依存性を有するこ
とを利用して、逆方向バイアス電圧Ｖ_Rを比較的
小さくとり、前記逆方向接合容量が発振周波数に
与える影響を大きくした上で、前記逆方向バイア
ス電圧Ｖ_Rに温度に対する依存性をもたせて、低
チヤンネルのみを独立して温度変動によるドリフ
トの補償をしようとしたものである。

さらに、これを具体的に説明すると、温度変動
によるドリフト量が低チヤンネルと高チヤンネル
とで第２図に示すような変化特性を呈する場合、
スイツチングダイオード３に印加する逆方向バイ
アス電圧Ｖ_Rに対して第３図に示すような温度変
動に依存するような特性をもたせることにより、
負の容量温度係数を実現することができ、この結
果第４図に示すように高チヤンネルの温度変動に
よるドリフト量を増加させることなく低チヤンネ
ルのドリフト量を独立して減少させることができ
る。

なお、本考案の適用される第１図に示す局部発
振回路においては、スイツチングダイオード３に
そのアノード側へ端子４から逆方向バイアス電圧
としての負電圧を印加しているが、これに反して
前記スイツチングダイオード３のカソード側に正
電圧を印加するようにしても、該正電圧からなる
逆方向バイアス電圧に温度依存性をもたせること
により、同様の結果が得られることは容易に理解
され得る。

以上詳述したように、本考案によれば、電子同
調チユーナの局部発振回路内に設けられるスイツ
チングダイオードのバイアス電圧入力端子に、低
チヤンネル選択時にドリフト量を補償する温度依
存性を有する逆方向バイアス電圧を供給し、高チ
ヤンネル選択時に順方向バイアス電圧を供給する
構成となした極めて簡単な構成をもつて、周囲温
度の変動によるドリフト量を、低チヤンネルと高
チヤンネルともそれぞれ独立して補償することが
できるようにしたものであるから、容易に電子同
調チユーナの局部発振周波数を安定化することが
できるという優れた効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の適用されるVHF電子同調チ
ユーナの局部発振回路を示す結線図、第２図は局
部発振周波数の温度変動によるドリフト量の変化
特性の一例を示す特性図、第３図は本考案の局部
発振周波数安定化回路に適用するスイツチングダ
イオードの逆方向バイアス電圧に対する温度依存
性の一例を示す特性図、第４図は本考案の局部発
振周波数安定化回路を適用した場合の、局部発振
周波数の温度変動によるドリフト量の変化特性の
一例を示す特性図である。 １……低チヤンネル用同調コイル、２……高チ
ヤンネル用同調コイル、３……スイツチングダイ
オード、５……バラクタダイオード、１１……発
振用トランジスタ、４，６，１２……端子、７，
８，９，１０……コンデンサ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 並列に接続された低チヤンネル用同調コイル及
   び高チヤンネル用同調コイルと、該高チヤンネル
   用同調コイルに直列に接続された低チヤンネル及
   び高チヤンネルを切換えるスイツチングダイオー
   ドと、該スイツチングダイオードに極性の異なる
   バイアス電圧を印加して該スイツチングダイオー
   ドをオン及びオフに切換えるバイアス電圧入力端
   子と、上記低チヤンネル用同調コイルと高チヤン
   ネル用同調コイルとの接続点に接続されバイアス
   電圧に応じて発振周波数を可変する回路とを設け
   られた電子同調チユーナにおいて、上記バイアス
   電圧入力端子に上記低チヤンネル選択時にドリフ
   ト量を補償する温度依存性を有する逆方向バイア
   ス電圧を供給し、上記高チヤンネル選択時に順方
   向バイアス電圧を供給する構成としてなる電子同
   調チユーナの局部発振周波数安定化回路。