JPS6132222A - デイスクの傷検出装置 - Google Patents
デイスクの傷検出装置Info
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- JPS6132222A JPS6132222A JP15121384A JP15121384A JPS6132222A JP S6132222 A JPS6132222 A JP S6132222A JP 15121384 A JP15121384 A JP 15121384A JP 15121384 A JP15121384 A JP 15121384A JP S6132222 A JPS6132222 A JP S6132222A
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- flaw
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- disk
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B19/00—Driving, starting, stopping record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor; Control thereof; Control of operating function ; Driving both disc and head
- G11B19/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
- G11B19/04—Arrangements for preventing, inhibiting, or warning against double recording on the same blank or against other recording or reproducing malfunctions
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、光学式のディジタルオーディオディスク（Ｄ
ＡＤ）プレーヤ、ピグオディスクプ。
ＡＤ）プレーヤ、ピグオディスクプ。
レーキに係Ｑ、特にディスクの欠陥、傷に対す。
るトラ、り飛びを補償する装置の傷検出装置に。
関するものである。
ディスクの欠陥、傷に対するトラ、り飛び補。
償の方法として、例えば特開昭５７−１６９９５２号公
報に示されるように、ＲＦ倍信号ビット情報のレベルを
検出すると共にトラッキング誤差情報を蓄積し、ビット
情報が所定のレベル以上のときはと、ト情報から検出さ
れる通常のトラッキング誤差情報でトラッキング制御を
行ない、ビ、ト情報がドロ、プアクト等によシ所定のレ
ペノνよ〕も小さくなったときはその直前に蓄積したト
ラッキング誤差情報によシトラ、キング制卿を行なうよ
うにした装置とか、或いは特開昭。
報に示されるように、ＲＦ倍信号ビット情報のレベルを
検出すると共にトラッキング誤差情報を蓄積し、ビット
情報が所定のレベル以上のときはと、ト情報から検出さ
れる通常のトラッキング誤差情報でトラッキング制御を
行ない、ビ、ト情報がドロ、プアクト等によシ所定のレ
ペノνよ〕も小さくなったときはその直前に蓄積したト
ラッキング誤差情報によシトラ、キング制卿を行なうよ
うにした装置とか、或いは特開昭。
５９−４０５２６号で示されているようにＲＦ倍信号。
ピーク値を検出する検波器とＲＦ倍信号ピーク、値のレ
ベルの変化を検出する検波器とのレベル比較を行ない、
ディスクに傷がある場合は上記−レペノシ比較器の制御
信号によりトラッキング制御信号を傷の直前のトラ、キ
ング誤差信号に前値ホールドし、トラッキング制御を行
なう装置などが知られている。
ベルの変化を検出する検波器とのレベル比較を行ない、
ディスクに傷がある場合は上記−レペノシ比較器の制御
信号によりトラッキング制御信号を傷の直前のトラ、キ
ング誤差信号に前値ホールドし、トラッキング制御を行
なう装置などが知られている。
これらの方法は、ディスクの欠陥、傷を検知し、傷の期
間トラッキング誤差信号を前値ホールドしてトラ、キン
グ制御を行なうものであり、ドロ、プアウト等の発生に
よる再生ＲＦ信号の欠落が起って所要のトラッキング誤
差信号が得られない場合でも、ディスク上の信号トラ、
りを追跡する対物レンズがノイズなどにより不必要に駆
動されるのを防止することがでキ、トラック飛びを補償
できるものである。
間トラッキング誤差信号を前値ホールドしてトラ、キン
グ制御を行なうものであり、ドロ、プアウト等の発生に
よる再生ＲＦ信号の欠落が起って所要のトラッキング誤
差信号が得られない場合でも、ディスク上の信号トラ、
りを追跡する対物レンズがノイズなどにより不必要に駆
動されるのを防止することがでキ、トラック飛びを補償
できるものである。
ところで、ディスクの傷には製造プロセスに起因する黒
点とか、ユーザがつける傷、指紋など色々なものが指摘
されている。黒点などの欠陥では再生ＲＦ信号が完全に
欠落してトラッキング誤差信号が無くなるためトラック
飛び補償。
点とか、ユーザがつける傷、指紋など色々なものが指摘
されている。黒点などの欠陥では再生ＲＦ信号が完全に
欠落してトラッキング誤差信号が無くなるためトラック
飛び補償。
が必要であるが、一方指紋などの汚れではグイ。
スフへの入射光およびディスクからの反射光が１−減少
してＲ，Ｆ信号のレベルが落ちトラ、キング。
してＲ，Ｆ信号のレベルが落ちトラ、キング。
誤差信号も騎の劣化を起たすだけで欠落は生。
しないため、トラック飛びは起こさず元々補償。
を必要としない。逆に黒点などと同様に傷検出。
を行なってトラッキング誤差信号の前値ホールｌＩノ
ドなどの補償を行なうと傷幅が非常に長い（黒点などの
１騙程度に対し２０層程度にも及ぶ）ためにトラック飛
びを起こすという弊害を生ずるが、上記した従来の補償
装置の傷検出回路ではこの点については配慮されていな
かった。
１騙程度に対し２０層程度にも及ぶ）ためにトラック飛
びを起こすという弊害を生ずるが、上記した従来の補償
装置の傷検出回路ではこの点については配慮されていな
かった。
本発明の目的は上述の欠点をなくシ、ディスクの欠陥、
傷に対するトラ、り飛びを補償する装置に係シ、指紋な
どのディスクの汚れなどに対してもトラック飛びを起こ
すことのない好適・ ３ ・ なディスクの傷検出装置を提供することにある。。
傷に対するトラ、り飛びを補償する装置に係シ、指紋な
どのディスクの汚れなどに対してもトラック飛びを起こ
すことのない好適・ ３ ・ なディスクの傷検出装置を提供することにある。。
上記目的を達成するため本発明は、ピックア。
、プ再生信号の最大値レベルの変化から傷検出。
を行なう第１の傷検出部と、最大値レベノνの変４化量
から傷の種類を判別する第２の傷検出部を。
から傷の種類を判別する第２の傷検出部を。
設け、上記第１の傷検出部出力をう、子回路を、介して
この出力により傷検出信号を得ると同時。
この出力により傷検出信号を得ると同時。
に、上記第２の傷検出部よりの信号、すなわち。
傷の種類に応じて上記う、ｆ回路を制御し指紋１．。
などのディスクの汚れに対する傷検出時間幅を制限する
ようにしたことを特徴とする。
ようにしたことを特徴とする。
以下図面を参照して本発明を説明する。
第１図は本発明による傷検出装置のプロ、り図を示した
ものである。同図において１は情報記録ディスク、２は
ディスクモータ、３は信号読み取り装置である光学式ビ
、クア２．プ、４は電流−電圧変換器であシ、ここでは
図示していないがピ、クア、プ３にはディスクへのレー
ザ・ ４ ・ 光が記録面に対して常にジャストフォーカスと。
ものである。同図において１は情報記録ディスク、２は
ディスクモータ、３は信号読み取り装置である光学式ビ
、クア２．プ、４は電流−電圧変換器であシ、ここでは
図示していないがピ、クア、プ３にはディスクへのレー
ザ・ ４ ・ 光が記録面に対して常にジャストフォーカスと。
なるように、又記録トラックを常に正確な位置、でトラ
ッキングするように駆動装置を備えたフ。
ッキングするように駆動装置を備えたフ。
オーカスチーボおよびトラ、キングチーボ機構。
が具備されている。
又、５は電流−電圧変換されたと、クア、プ。
３の再生信号ｅＬの最大値レベルを検出するレベル検出
器１３と最大値レペノνの変化を検出器１４およびこれ
らのレベル比較を行なう比較器１５より成る第１の傷検
出部、６は再生信号ｅｊの最小値レベルを検出するレベ
ル検出器１６とレベル検出器１６の出力を一定電圧だけ
レベルレフトする基準電圧１７およびレベルシフト後の
レベル検出器１６の出力とレベル検出器１４の出力レベ
ルを比較する比較器１８よシ成る第２の傷検出部、７は
第１の傷検出部５の出力の立ち上りおよび立ち下ルに同
期した２つのパルスを発生する第１の制御部、８は第１
および第２の傷検出部出力を入力とし、第１の傷検出部
の出力の立ち上〕から所定時間後に第２の傷検出部の出
力が高出力となった時に零、又、第２の傷検出部出力が
低。
器１３と最大値レペノνの変化を検出器１４およびこれ
らのレベル比較を行なう比較器１５より成る第１の傷検
出部、６は再生信号ｅｊの最小値レベルを検出するレベ
ル検出器１６とレベル検出器１６の出力を一定電圧だけ
レベルレフトする基準電圧１７およびレベルシフト後の
レベル検出器１６の出力とレベル検出器１４の出力レベ
ルを比較する比較器１８よシ成る第２の傷検出部、７は
第１の傷検出部５の出力の立ち上りおよび立ち下ルに同
期した２つのパルスを発生する第１の制御部、８は第１
および第２の傷検出部出力を入力とし、第１の傷検出部
の出力の立ち上〕から所定時間後に第２の傷検出部の出
力が高出力となった時に零、又、第２の傷検出部出力が
低。
出力であった場合に高出力のパルス信号を発生。
するよう構成された第２の制御部、９は第１お。
よび第２の制御部出力によシ制御されるパルス。
発生部（ラッチ回路）、１０は論理和回路、１１は一出
力端子を示す。
力端子を示す。
本実施例は、第１の傷検出部５でディスクの。
傷を検出すると同時に制御部７によ〕傷検出信号６８１
の立ち上りに同期したパルス？１を発生させてう、テ回
路９をセットし、例えば傷が黒点Ｉ（） などのように再生信号ｅｊの最大値が完全忙欠落してし
まうような場合には制御部８からのパルス信号？２を無
くして、制御部７によ勺発生されるｅａｔの立ち下シに
同期したパルス信号町でう、、チ回路９をリセットして
その出力にｅｓｚと等価な傷検出信号？０を得、又傷の
内容がｅｚの最大値レペノνの欠落が少ない指紋などの
ディスクの汚れであった場合にはａｌｌｌの立ち上シ直
後に制御部８によりバノシス信号？２を得てう、ｆ回路
９をリセットシ、傷検出信′号？００時間幅を制限する
ものである。
の立ち上りに同期したパルス？１を発生させてう、テ回
路９をセットし、例えば傷が黒点Ｉ（） などのように再生信号ｅｊの最大値が完全忙欠落してし
まうような場合には制御部８からのパルス信号？２を無
くして、制御部７によ勺発生されるｅａｔの立ち下シに
同期したパルス信号町でう、、チ回路９をリセットして
その出力にｅｓｚと等価な傷検出信号？０を得、又傷の
内容がｅｚの最大値レペノνの欠落が少ない指紋などの
ディスクの汚れであった場合にはａｌｌｌの立ち上シ直
後に制御部８によりバノシス信号？２を得てう、ｆ回路
９をリセットシ、傷検出信′号？００時間幅を制限する
ものである。
以下本発明を更に具体化した第２図の実施例−１につき
、第３因の動作波形図を参照しなからそ。
、第３因の動作波形図を参照しなからそ。
の動作を説明する。
第２図においてレベル検出器１３はトランジスタ２１と
抵抗２３およびコンデンサ２５よ構成る周知。
抵抗２３およびコンデンサ２５よ構成る周知。
のエミッタホロア検波器とトランジスタ２１のペース・
エミ、り間型圧降下を補正するレベルシフト用トランジ
スタ２２で構成されるレベル検出器であ）、抵抗２３と
コンデンサ２５の放電時定数は十分大きく設定され入力
信号ｅ４の最大値を検波しホールドする＃＃をする。又
、１４は１５と同様な構成のレベル検出器であ）入力信
号ｅＬの最大値を検波するものであるが、こちらは抵抗
２８とコンダン？３０の放電時定数がディスクの傷によ
る入力信号ｅ、４の欠落に追随するよう小さく設定され
ておシ、入力信号ｅＬの最大値のエンベロープを得るよ
うに作用する。したがって第３図（ａ）に示したように
ディスクの指紋などの汚れによって入力信号ｅ７の最大
値が欠落するＡ・ ７ ・ の領域では、レベル検出器１３の出力ＶＭおよびし。
エミ、り間型圧降下を補正するレベルシフト用トランジ
スタ２２で構成されるレベル検出器であ）、抵抗２３と
コンデンサ２５の放電時定数は十分大きく設定され入力
信号ｅ４の最大値を検波しホールドする＃＃をする。又
、１４は１５と同様な構成のレベル検出器であ）入力信
号ｅＬの最大値を検波するものであるが、こちらは抵抗
２８とコンダン？３０の放電時定数がディスクの傷によ
る入力信号ｅ、４の欠落に追随するよう小さく設定され
ておシ、入力信号ｅＬの最大値のエンベロープを得るよ
うに作用する。したがって第３図（ａ）に示したように
ディスクの指紋などの汚れによって入力信号ｅ７の最大
値が欠落するＡ・ ７ ・ の領域では、レベル検出器１３の出力ＶＭおよびし。
ベル検出器１４の出力Ｖｍはそれぞれ（ｂ）の様とな。
〕、これらを入力とする比較器１５の出力には（Ｃ）。
の実線で示すｅａｔｔなる一次的な傷検出信号が得。
られる。
又、制御部７は３８乃至４７で構成される比較器出力ｅ
１の立ち上りおよび立ち下シに同期したバノνスを発生
するものである。ＡＮｆ）ゲート４１によシｅｓｕと、
これをインバータ３８乃至４゜を介して遅延させた反転
信号の積をとることによＣ（ｄ） Ｋ示したｅｓｔの立
ち上ＤＫ同期したパルス？１．およびＡＮＤゲート４７
により（４１をインバータ４２を介して遅延させた反転
信号とインバータ４３乃至４６を介したｅａｔの遅延信
号の積をとることＫよｊ）、ｅｍｌの立ち下ルに同期し
たパルスりが得られる。
１の立ち上りおよび立ち下シに同期したバノνスを発生
するものである。ＡＮｆ）ゲート４１によシｅｓｕと、
これをインバータ３８乃至４゜を介して遅延させた反転
信号の積をとることによＣ（ｄ） Ｋ示したｅｓｔの立
ち上ＤＫ同期したパルス？１．およびＡＮＤゲート４７
により（４１をインバータ４２を介して遅延させた反転
信号とインバータ４３乃至４６を介したｅａｔの遅延信
号の積をとることＫよｊ）、ｅｍｌの立ち下ルに同期し
たパルスりが得られる。
又、う、ｆ−回路９は例えばセット・リセット形のフリ
ップフロ、プで構成され、セット端子Ｓ Ｖｃ’Ｈ’信
号が入力されると出力端子Ｉは１Ｈ“となり、リセット
端子几に１Ｈ″′信号が入力され・ ８ ・ ると出力端子θはｇＩＸとなるよう動作する。
ップフロ、プで構成され、セット端子Ｓ Ｖｃ’Ｈ’信
号が入力されると出力端子Ｉは１Ｈ“となり、リセット
端子几に１Ｈ″′信号が入力され・ ８ ・ ると出力端子θはｇＩＸとなるよう動作する。
一方レベル検出器１６はレベル検出器１３および１４と
同様な回路構成であるが、こちらは初段のエミッタホロ
アトランジスタがＰＮＰ ）ランジスタであシ、シかも
抵抗３３とコンダン９−３５の放電時定数が十分大きく
設定されているため、（ｂ）ＶＣ示したように入力信号
ｅＬの最小値Ｖ’ｐを検波しホールドする動きをする。
同様な回路構成であるが、こちらは初段のエミッタホロ
アトランジスタがＰＮＰ ）ランジスタであシ、シかも
抵抗３３とコンダン９−３５の放電時定数が十分大きく
設定されているため、（ｂ）ＶＣ示したように入力信号
ｅＬの最小値Ｖ’ｐを検波しホールドする動きをする。
そしてこの検出出力Ｖｐはレベルシフト回路１７により
トランジスタ３６のペース・エミッタ間電圧Ｖ１だけレ
ベルアップされた信号■となって比較器１８の非反転入
力端子に供給される。ここで、レペノシ検出器１６０出
力ＶＰをレベルシフトするのは、黒点などのディスクの
傷では入力信号ｅＬのエンベロープ検波出力Ｖｍが最小
値レベルＶＰと等しいレペノνに欠落するのに対し指紋
などの汚れでは（ｂ）のように完全に欠落しないため、
ＶＰを予め所定電圧だけレペノνア、プした基準値を得
ることによシこの基準値に対するＶ１信号の大小関係で
傷の種類を判別するためである。尚第２図＠路ではトラ
ンジスタ３６によってそのベース・。
トランジスタ３６のペース・エミッタ間電圧Ｖ１だけレ
ベルアップされた信号■となって比較器１８の非反転入
力端子に供給される。ここで、レペノシ検出器１６０出
力ＶＰをレベルシフトするのは、黒点などのディスクの
傷では入力信号ｅＬのエンベロープ検波出力Ｖｍが最小
値レベルＶＰと等しいレペノνに欠落するのに対し指紋
などの汚れでは（ｂ）のように完全に欠落しないため、
ＶＰを予め所定電圧だけレペノνア、プした基準値を得
ることによシこの基準値に対するＶ１信号の大小関係で
傷の種類を判別するためである。尚第２図＠路ではトラ
ンジスタ３６によってそのベース・。
エミッタ間電圧ＶＦだけＶｐをレベルアップする。
構成を示しているが、これは特に限定されるものではな
く、例えば入力信号ｅＨ，のレベルの大きさに応じＶν
を分圧した電圧値だけレベルシフト−する構成であって
も良い。要はレベルシフト後のＶ’ｐが（ｂ）に示した
ように指紋などのディスクの汚れに対するＶｘ出力に対
して低レベルの関係になるよう維持され、比較器１Ｂに
よる傷検出が行なわれないように構成されるものである
。
く、例えば入力信号ｅＨ，のレベルの大きさに応じＶν
を分圧した電圧値だけレベルシフト−する構成であって
も良い。要はレベルシフト後のＶ’ｐが（ｂ）に示した
ように指紋などのディスクの汚れに対するＶｘ出力に対
して低レベルの関係になるよう維持され、比較器１Ｂに
よる傷検出が行なわれないように構成されるものである
。
ｌ（）
又、制御部８は、比較器１５の出力ｅａｚの発生後の所
定時間後に比較器１８の出力ｅａ２の状態に応じてパル
ス信号Ｖ２を得るもので、例えば（６）Ｋ示したように
ｅｓ＋に同期した一定幅ＴΩのパルスＴ（ｌを発生して
このパルスの立ち下漫のタイミングｉｏでｅｓｚの状態
を判別し、指紋などのディスクの汚れによｊ） ｅｇｌ
の出力が（ｆ）の実線で示したｅｇｌ−＋ のようにｇ
Ｌ＆１であった場合には（１）に示したバノνス？２を
出力し、又黒点などのディスクの傷により ｅＢＨの出
力が（ｆ）の破線で示したｅ１１１２−２ のように＃
Ｊ（ＩＩであった場合にはパルス？２を発生しないよう
に動作する。パノνスＴｏの生成には例えば周知の単安
定マルチバイブレータなどが用いられ、又パルスＴｏの
立ち下シでｅＢＨの状態を判別して上記した所要の制御
用パルス？！を得る手法は周知の論理回路技術などで容
易であるためここでは詳細については省略する。
定時間後に比較器１８の出力ｅａ２の状態に応じてパル
ス信号Ｖ２を得るもので、例えば（６）Ｋ示したように
ｅｓ＋に同期した一定幅ＴΩのパルスＴ（ｌを発生して
このパルスの立ち下漫のタイミングｉｏでｅｓｚの状態
を判別し、指紋などのディスクの汚れによｊ） ｅｇｌ
の出力が（ｆ）の実線で示したｅｇｌ−＋ のようにｇ
Ｌ＆１であった場合には（１）に示したバノνス？２を
出力し、又黒点などのディスクの傷により ｅＢＨの出
力が（ｆ）の破線で示したｅ１１１２−２ のように＃
Ｊ（ＩＩであった場合にはパルス？２を発生しないよう
に動作する。パノνスＴｏの生成には例えば周知の単安
定マルチバイブレータなどが用いられ、又パルスＴｏの
立ち下シでｅＢＨの状態を判別して上記した所要の制御
用パルス？！を得る手法は周知の論理回路技術などで容
易であるためここでは詳細については省略する。
以上の構成にあって、ディスクに指紋などの汚れがあっ
た場合、第３図（Ｃ）のように比較器１５によって指紋
幅Ａに応じた一次的な傷検出がなされるが、ｅｌ！１の
立ち上シに同期したバノνスＶ１によプラ、チ回路９が
セットされ、且つ制御部８の出力パルスＳ’２によシリ
セットされるため出力端子１１には（ｈ）の実線で示す
ｅｇｌの立ち上シからパノνス？２が発生するまでの時
間Ｔｏで制約された傷検出信号Ｖ（３が得られる。又、
黒点などのディスクの傷では、入力信号ｅＬの最大値レ
ベル。
た場合、第３図（Ｃ）のように比較器１５によって指紋
幅Ａに応じた一次的な傷検出がなされるが、ｅｌ！１の
立ち上シに同期したバノνスＶ１によプラ、チ回路９が
セットされ、且つ制御部８の出力パルスＳ’２によシリ
セットされるため出力端子１１には（ｈ）の実線で示す
ｅｇｌの立ち上シからパノνス？２が発生するまでの時
間Ｔｏで制約された傷検出信号Ｖ（３が得られる。又、
黒点などのディスクの傷では、入力信号ｅＬの最大値レ
ベル。
の低下が大きくてレベル検出器１４の出力変化は。
（ｂ）のＶ−波形に示したように深くなるため制御。
パルス９２の発生はなく、（Ｃ）図の波線で示した゛・
１１ ・ 傷検出信号ｅａ１の立ち上刃に同期したパルスリ。
１１ ・ 傷検出信号ｅａ１の立ち上刃に同期したパルスリ。
によシセットされたう、テ回路９は！８１の立ち。
下シに同期したパルスＶ′５によりリセットされる。
よう動作するため、傷検出信号Ｐｇは（ｈ）の破線。
で示すように実際の傷検出信号ｅバと等しいものとなる
。
。
ところで、本実施例では第３図の動作波形よシ判るよう
に、ビックアップがディスクの傷に。
に、ビックアップがディスクの傷に。
突入した後にリセットパノνス？２を発生させるタイミ
ングが重要であるが、以下この点に関して付言し明確化
しておく。
ングが重要であるが、以下この点に関して付言し明確化
しておく。
第４図は、ディスク１の表面１ｂに付着した黒点５４に
対するピックアップからのレーザ光のディスク表面１ｂ
上での光スポット５５の位置変化を断面状に示したもの
である。実際には光スボ。
対するピックアップからのレーザ光のディスク表面１ｂ
上での光スポット５５の位置変化を断面状に示したもの
である。実際には光スボ。
ト５５は５５−１に固定され、ディスク１の矢印方向の
回転によって傷５４が移動するが、ここでは説明の都合
上、相対的にディスクが固定され光スボ、ト５５が５５
−１乃至５５−４の方向に順次移動したものとして考え
る。
回転によって傷５４が移動するが、ここでは説明の都合
上、相対的にディスクが固定され光スボ、ト５５が５５
−１乃至５５−４の方向に順次移動したものとして考え
る。
・１２・
光スポットが傷５４１Ｃ接した５５−１の位Ｕ（時。
割石）では、ディスク１への入射光およびディ。
スフ信号面１ａからの反射光は避けられずど、り。
アップからの再生信号ｅＬの最大値レベルの低下。
はないが、光スボ、トの一端が順次傷５４に進入するｋ
つれてｅＬの最大値レベルが低下し始め、。
つれてｅＬの最大値レベルが低下し始め、。
光スボ、ト径の丁度号だけ傷に入シ込んだ５５−２の位
置（時刻え２）では、ディスク反射面１ａに対する垂線
Ｂを境にして左半分のディスクへ入射された光束５５−
２の反射光は傷５４によって遮断されてビックアップの
受光素子へ戻らなくなり、又右半分の光束５６−２もｓ
５４によってディスクへ入射されなくなるため再生信号
ｅＬは最低レベルとなる。そして同様に、光スボ、トが
丁度スボ、ト径の２だけ傷を抜は出た５５−３の【□− 位置（時刻、１１Ｉ）から順次ディスクへの入射光およ
びディスクからの反射光が増加し始めるため再生信号ｅ
Ｌのレペノνが除々に増加し、光スボ。
置（時刻え２）では、ディスク反射面１ａに対する垂線
Ｂを境にして左半分のディスクへ入射された光束５５−
２の反射光は傷５４によって遮断されてビックアップの
受光素子へ戻らなくなり、又右半分の光束５６−２もｓ
５４によってディスクへ入射されなくなるため再生信号
ｅＬは最低レベルとなる。そして同様に、光スボ、トが
丁度スボ、ト径の２だけ傷を抜は出た５５−３の【□− 位置（時刻、１１Ｉ）から順次ディスクへの入射光およ
びディスクからの反射光が増加し始めるため再生信号ｅ
Ｌのレペノνが除々に増加し、光スボ。
トが完全に傷を抜けた５５−４の位置（時刻２４ ）で
ｅＬの最大値は元のレベルに復帰するものとなる。
ｅＬの最大値は元のレベルに復帰するものとなる。
第５図は、第４図における傷と光スポットの。
位置関係によるピックアップ再生信号ｅ４の時間。
豹変化を示したものである。光スポットが傷に。
進入し始め、丁度光スボ、ト径のＺだけ入り込んでｅＬ
が最低レベルとなるまでの時間Ｔ（＝。
が最低レベルとなるまでの時間Ｔ（＝。
１２−ｉ、 ）は、ＤＡＤの場合、ディスク表面の光。
スボ、ト径が約０．７鵬、ディスクの回転速度が約１．
３ ｍ／ｓｅｃであることから約ａＡｍｓｅｃｉ度であ
る。したがって第２図の制御部８により傷の種ｌり 類に応じてう、テ回路９をリセットするパルスＶ２を発
生させるタイミングは比較器１５による傷検出信号ｅｓ
１の立ち上ｉの０．６・ｓｅｅ程度に設゛定すれば良い
ことになる。第３図で言えば、（ｅ）に示したパルス幅
ＴＯを０．５ｒｎｓｅｃＫ設定すれば良く、ＴＯの立ち
ｌのタイミングにおいてディスクの傷が黒点であった場
合にはレベル比較器１８の出力ｅ８２が（ｆ）の破線で
示したｅＢ２−２のように確実に１Ｈ″となシ、又指紋
などの汚れであった場合には実線で示した６８２−１の
ように１Ｌ１′となるため、既述した動作によｊ） ｅ
ｓｚが１Ｌ″′の場合いつま）指紋などのディスクの汚
れだけに応じて、傷検出信号ｅｓ１の発生後０．３ ｍ
ｓｅｃ経過した時点。
３ ｍ／ｓｅｃであることから約ａＡｍｓｅｃｉ度であ
る。したがって第２図の制御部８により傷の種ｌり 類に応じてう、テ回路９をリセットするパルスＶ２を発
生させるタイミングは比較器１５による傷検出信号ｅｓ
１の立ち上ｉの０．６・ｓｅｅ程度に設゛定すれば良い
ことになる。第３図で言えば、（ｅ）に示したパルス幅
ＴＯを０．５ｒｎｓｅｃＫ設定すれば良く、ＴＯの立ち
ｌのタイミングにおいてディスクの傷が黒点であった場
合にはレベル比較器１８の出力ｅ８２が（ｆ）の破線で
示したｅＢ２−２のように確実に１Ｈ″となシ、又指紋
などの汚れであった場合には実線で示した６８２−１の
ように１Ｌ１′となるため、既述した動作によｊ） ｅ
ｓｚが１Ｌ″′の場合いつま）指紋などのディスクの汚
れだけに応じて、傷検出信号ｅｓ１の発生後０．３ ｍ
ｓｅｃ経過した時点。
で制御パルス？２を得ることができる。
以上のように本実施例によれば、−次的なデ、イスクの
傷検出信号を一旦その立ち上）および。
傷検出信号を一旦その立ち上）および。
立ち下）に同期して制御されるう、ｆ回路を介。
して出力すると同時に、傷検出信号の発生後、所定時間
経過後に傷が指紋などの汚れであることを識別する制御
回路を設けこの制御回路出力１Ｉ Ｋよっても上記う、テ回路を制御するようにしたため、
黒点などのディスクの湯に対しては実際の傷時間幅に応
じた傷検出信号が得られ、又指紋などの汚れに対しては
従来第６図（Ｃ）のｅｓｔのようであった傷検出を同図
（ｈ）の？０のようにその検出時間幅に制限を与えるこ
とができ一不要に長い時間傷検出が行なわれるのを防止
することができる。
経過後に傷が指紋などの汚れであることを識別する制御
回路を設けこの制御回路出力１Ｉ Ｋよっても上記う、テ回路を制御するようにしたため、
黒点などのディスクの湯に対しては実際の傷時間幅に応
じた傷検出信号が得られ、又指紋などの汚れに対しては
従来第６図（Ｃ）のｅｓｔのようであった傷検出を同図
（ｈ）の？０のようにその検出時間幅に制限を与えるこ
とができ一不要に長い時間傷検出が行なわれるのを防止
することができる。
第６図は本発明による傷検出装置を用いたディスクの傷
によるトラ、り飛びを補償する装置、１５、 の−例を示したものである。同図において５７は。
によるトラ、り飛びを補償する装置、１５、 の−例を示したものである。同図において５７は。
トラ、キングチーボ用の誤差増幅器、５８は駆動。
用増幅器、５９はピ、クア、プ３のトラッキング。
アクｙ−ユニータコイル、６０はスイッチ、６２およ。
び６３で成る切シ換え装置、６１はチンプツシ・ホール
ド回路を示し、その信号１図および第２図。
ド回路を示し、その信号１図および第２図。
と同一符号を付した部分は同一もしくは同等な部分を指
す。
す。
本例の装置は、ディスクに傷がない場合は切シ換え装置
６０のスイ、テロ２をＯＮ、６５をＯＦＦ’とし１＋。
６０のスイ、テロ２をＯＮ、６５をＯＦＦ’とし１＋。
て通常のトラ、キング誤差信号”によシトラッキング制
御を行ない、ディスクに傷がある場合は傷検出装置の出
力端子１１の制御信号によシサンプル・ホールド回路６
１を動作させると同時に切ル換え装置６０のスイ、 ％
６２をＯＦＦ 、スイッチ１「 ６３をＯＮとしてトラ、キングアクｆ＆エータに加わる
電圧をディスクの傷に突入した瞬間のトラッキング誤差
電圧、すなわちサンプル・ホールド回路６１の出力に前
値ホールドしてトラ、キング制御を行なうもので、しか
も指紋などのデ、１６゜ イスクの汚れに対しては傷検出装置によってその傷検出
時間が極く短時間に制約されるため、不要に長い時間ア
クテ、エータ５９の電圧が前値ホーノνドされることは
なくトラ、り飛びを防止できるものである。
御を行ない、ディスクに傷がある場合は傷検出装置の出
力端子１１の制御信号によシサンプル・ホールド回路６
１を動作させると同時に切ル換え装置６０のスイ、 ％
６２をＯＦＦ 、スイッチ１「 ６３をＯＮとしてトラ、キングアクｆ＆エータに加わる
電圧をディスクの傷に突入した瞬間のトラッキング誤差
電圧、すなわちサンプル・ホールド回路６１の出力に前
値ホールドしてトラ、キング制御を行なうもので、しか
も指紋などのデ、１６゜ イスクの汚れに対しては傷検出装置によってその傷検出
時間が極く短時間に制約されるため、不要に長い時間ア
クテ、エータ５９の電圧が前値ホーノνドされることは
なくトラ、り飛びを防止できるものである。
尚、切シ換え装置６０のスイ、チロ２および６３は例え
ば電界効果トランジスタなどが使用されその構成と動作
は前記特開昭５９−４０５２６号公報で詳しく開示され
ている。又、サンプル・ホールド回路６１の構成、動作
についても同様であるためここでの説明は割愛するもの
とする。
ば電界効果トランジスタなどが使用されその構成と動作
は前記特開昭５９−４０５２６号公報で詳しく開示され
ている。又、サンプル・ホールド回路６１の構成、動作
についても同様であるためここでの説明は割愛するもの
とする。
以上述べたように本発明によれば、簡単な方法にて自動
的にディスクの傷の種類に応じて傷検出時間幅を制限す
ることができる。
的にディスクの傷の種類に応じて傷検出時間幅を制限す
ることができる。
これによシ、傷のタイミングでトラ、り繊差信号を前値
ホールドし、と、クア、ブアクチュ゛エータ電圧を一定
値に保持してトラック飛びを゛防止する補償装置などの
傷検出装置として用い。
ホールドし、と、クア、ブアクチュ゛エータ電圧を一定
値に保持してトラック飛びを゛防止する補償装置などの
傷検出装置として用い。
た場合、指紋などのディスクの汚れに対しても。
不要に長い時間傷検出がなされることはなぐト。
ラック飛びを解消することができる。
第１図は本発明によるディスクの傷検出装置。
の実施例を示す図、第２図は本発明によるディースフの
傷検出装置の具体実施例を示す図、第３゜図は第２図回
路の動作説明用波形図、第４図はディスクの傷とレーザ
ー光の光スボ、トとの位置関係を示す断面図、第５図は
ディスク表面の傷に対するピックアップ再生信号の様子
を示す図、第６図は本発明によるディスクの傷検出装置
を用いたディスクの傷によるトラ、り飛び補償装置の例
を示す図である。 １・・・光学式ディスク、３・・・光学式ビックア。 プ、５・・・第１の傷検出部、６・・・第２の傷検出部
、７・・・第１の制御部、８・・・第２の制御部、９・
・・バノシス発生部。 篤Ｉ 父 ・１９・ ミ 第３図 へ ｇ −ｔ 革＝１−図 兄−Ｉ ＪＡ−Ｚ 第ｓ図
傷検出装置の具体実施例を示す図、第３゜図は第２図回
路の動作説明用波形図、第４図はディスクの傷とレーザ
ー光の光スボ、トとの位置関係を示す断面図、第５図は
ディスク表面の傷に対するピックアップ再生信号の様子
を示す図、第６図は本発明によるディスクの傷検出装置
を用いたディスクの傷によるトラ、り飛び補償装置の例
を示す図である。 １・・・光学式ディスク、３・・・光学式ビックア。 プ、５・・・第１の傷検出部、６・・・第２の傷検出部
、７・・・第１の制御部、８・・・第２の制御部、９・
・・バノシス発生部。 篤Ｉ 父 ・１９・ ミ 第３図 へ ｇ −ｔ 革＝１−図 兄−Ｉ ＪＡ−Ｚ 第ｓ図
Claims (1)
- １、光学式などのピックアップを用いたディスクの再生
装置において、該ピックアップ出力の記録情報信号の最
大値レベルの変動を検出し所定の検出信号を発生するよ
う構成された第１の該ディスクの傷検出部と、該記録情
報信号の最大値レベルの変動量を検出し変動量が所定値
以上に達した時に所定の検出信号を発生するよう発成す
るよう構成された第２の該ディスクの傷検出部と、該第
１の傷検出部出力信号の立ち上りおよび立ち下りに同期
した所定の信号を発生する第１の制御部と、該第１およ
び該第２の傷検出部の出力を入力とし、該第１の傷検出
部の出力が得られた後の所定時間内に該第２の傷検出部
の出力に応じて所定の信号を発生するよう構成された第
２の制御部と、該第１および該第２の制御部によって制
御されるパルス発生部とを設け、該パルス発生部出力に
より傷検出信号を得ることを特徴とするディスクの傷検
出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15121384A JPS6132222A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | デイスクの傷検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15121384A JPS6132222A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | デイスクの傷検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6132222A true JPS6132222A (ja) | 1986-02-14 |
Family
ID=15513705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15121384A Pending JPS6132222A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | デイスクの傷検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6132222A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6412242A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-17 | Sony Corp | Inspection of optical disc |
| JPH0380431A (ja) * | 1989-01-30 | 1991-04-05 | Nippon Columbia Co Ltd | ディフェクト検出回路 |
-
1984
- 1984-07-23 JP JP15121384A patent/JPS6132222A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6412242A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-17 | Sony Corp | Inspection of optical disc |
| JP2623576B2 (ja) * | 1987-07-06 | 1997-06-25 | ソニー株式会社 | 光ディスクの検査方法 |
| JPH0380431A (ja) * | 1989-01-30 | 1991-04-05 | Nippon Columbia Co Ltd | ディフェクト検出回路 |
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