JPS6132219A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6132219A JPS6132219A JP15279284A JP15279284A JPS6132219A JP S6132219 A JPS6132219 A JP S6132219A JP 15279284 A JP15279284 A JP 15279284A JP 15279284 A JP15279284 A JP 15279284A JP S6132219 A JPS6132219 A JP S6132219A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cylindrical
- film
- magnetic recording
- vapor
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は高密度記録特性をもつ垂直磁気記録媒−1=
体の製造方法に関するものである。
(従来例の構成とその問題点)
従来、垂直磁気記録方式は、短波長記録特性の優れた磁
気記録方式である。この方式は磁気記録媒体の膜面に垂
直方向に媒体を磁化させるもので、媒体膜面の垂直方向
に残留磁化が残る垂直磁化膜を用いる必要がある。垂直
磁化膜としてはcoとCrを主成分とするCo−Cr垂
直磁化膜が使用される。
気記録方式である。この方式は磁気記録媒体の膜面に垂
直方向に媒体を磁化させるもので、媒体膜面の垂直方向
に残留磁化が残る垂直磁化膜を用いる必要がある。垂直
磁化膜としてはcoとCrを主成分とするCo−Cr垂
直磁化膜が使用される。
Co−Cr垂直磁化膜は真空蒸着法で形成された場合、
膜堆積速度が非常に早く、量産に適しているが、早い膜
堆積速度で膜を形成する際に、磁気特性の良い、カール
の無いCo−Cr膜をうるには、基板を高温に加熱して
蒸着を行なう必要があるため、しわが多数発生する欠点
があった。
膜堆積速度が非常に早く、量産に適しているが、早い膜
堆積速度で膜を形成する際に、磁気特性の良い、カール
の無いCo−Cr膜をうるには、基板を高温に加熱して
蒸着を行なう必要があるため、しわが多数発生する欠点
があった。
垂直磁気記録媒体の製作方法を第1図に基づいて説明す
る。基板としては、高分子材料よりなる耐熱フィルムと
して一般にポリイミドやポリアミド系のフィルムが用い
られる。膜面に垂直方向の保磁力He1lは蒸着時の基
板温度が高い程大きいことがわかっており、垂直磁化膜
として充分な記録再生特性を得るためには基板温度を1
20℃以」二に保ち、Hcmを300工ルステツド以上
にする必要がある。一方ポリイミドやポリアミド系の耐
熱フィルムは、その耐熱性の問題から300℃以上で使
用することは基板の熱変形や劣化等の問題から、避ける
必要がある。一方パーマロイの蒸着においても、蒸着終
了時の基板のカールを最少限におさえる必要性から基板
温度を120℃以上300℃以下にする必要がある。蒸
着終了時の基板のカールは蒸着膜の熱膨張係数と基板自
体の熱膨張係数の差によって発生する。蒸着膜の熱膨張
係数は金属材料に固有のもので、これを変えることはで
きない。従って、蒸着後の基板のカールを小さくするた
めには、基板の熱膨張係数を変化させる必要がある。し
かし、基板の熱膨張係数の変化にもある範囲があり、そ
れ以上変化させることはできない。この範囲内でカール
を小さくするためには、蒸着時の基板温度を、120℃
から300℃以下にする必要がある。
る。基板としては、高分子材料よりなる耐熱フィルムと
して一般にポリイミドやポリアミド系のフィルムが用い
られる。膜面に垂直方向の保磁力He1lは蒸着時の基
板温度が高い程大きいことがわかっており、垂直磁化膜
として充分な記録再生特性を得るためには基板温度を1
20℃以」二に保ち、Hcmを300工ルステツド以上
にする必要がある。一方ポリイミドやポリアミド系の耐
熱フィルムは、その耐熱性の問題から300℃以上で使
用することは基板の熱変形や劣化等の問題から、避ける
必要がある。一方パーマロイの蒸着においても、蒸着終
了時の基板のカールを最少限におさえる必要性から基板
温度を120℃以上300℃以下にする必要がある。蒸
着終了時の基板のカールは蒸着膜の熱膨張係数と基板自
体の熱膨張係数の差によって発生する。蒸着膜の熱膨張
係数は金属材料に固有のもので、これを変えることはで
きない。従って、蒸着後の基板のカールを小さくするた
めには、基板の熱膨張係数を変化させる必要がある。し
かし、基板の熱膨張係数の変化にもある範囲があり、そ
れ以上変化させることはできない。この範囲内でカール
を小さくするためには、蒸着時の基板温度を、120℃
から300℃以下にする必要がある。
高分子材料よりなる基板1は、120℃から300℃に
加熱された円筒状キャン2に沿って走行する。
加熱された円筒状キャン2に沿って走行する。
3と4は各々基板入側ローラおよび基板出側ローラで、
基板を安定に案内走行させるものである。
基板を安定に案内走行させるものである。
5は蒸着源、6は遮蔽板である。基板入側ローラ3によ
り案内された高分子材料よりなる基板1は円筒状キャン
2の周面に沿って走行し、7の蒸着膜形成部で蒸着源5
から蒸着され、基板出側ローラ4に案内されて巻き取ら
れる。円筒状キャン2は、300℃付近まで任意の温度
に設定することができ、基板出側ローラ4によって金属
膜の形成された基板1にバイアスを印加することができ
る。
り案内された高分子材料よりなる基板1は円筒状キャン
2の周面に沿って走行し、7の蒸着膜形成部で蒸着源5
から蒸着され、基板出側ローラ4に案内されて巻き取ら
れる。円筒状キャン2は、300℃付近まで任意の温度
に設定することができ、基板出側ローラ4によって金属
膜の形成された基板1にバイアスを印加することができ
る。
バイアスの絶対値は、基板1とローラ4との間の接触が
何かの原因で悪くなったとき発生する放電による基板1
への損傷を少なくするため、250v以下が適している
。このように金属膜のついた基板1と円筒状キャン2と
の間に電位差を設け、金属膜の蒸着された基板1が円筒
状キャン2に貼りつき、蒸着熱による熱負けを防止して
いる。しかし円筒状キャン2は高温に加熱されているた
め、ベースフィルムが円筒状キャン2に接すると、ベー
スフィルムと円筒状キャン2の温度差によって、ベース
フィルムに熱変形を生じる。そして高分子材料よりなる
基板1は、基板入側ローラ3と蒸着部7との間で熱変形
が完了しないため、熱変形によるしわが蒸着部7まで残
り、蒸着された基板1にもしわが残る欠点があった。
何かの原因で悪くなったとき発生する放電による基板1
への損傷を少なくするため、250v以下が適している
。このように金属膜のついた基板1と円筒状キャン2と
の間に電位差を設け、金属膜の蒸着された基板1が円筒
状キャン2に貼りつき、蒸着熱による熱負けを防止して
いる。しかし円筒状キャン2は高温に加熱されているた
め、ベースフィルムが円筒状キャン2に接すると、ベー
スフィルムと円筒状キャン2の温度差によって、ベース
フィルムに熱変形を生じる。そして高分子材料よりなる
基板1は、基板入側ローラ3と蒸着部7との間で熱変形
が完了しないため、熱変形によるしわが蒸着部7まで残
り、蒸着された基板1にもしわが残る欠点があった。
(発明の目的)
本発明の目的は、従来例の欠点を解消し、しわのない良
好な垂直磁気記録媒体を製造するための方法を提供する
ことであ□る。
好な垂直磁気記録媒体を製造するための方法を提供する
ことであ□る。
(発明の構成)
本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法は、120℃以上
に昇温された円筒状キャンの周面に沿って走行しつつあ
る高分子材料よりなる基板上に垂直磁気記録媒体用の一
層目金属膜として、たとえば、パーマロイやCo−Cr
膜を真空蒸着法により形成する際に、未蒸着の前記基板
が、前記円筒状キャンに接している部分において、基板
の円筒状キャンへの接触開始部と蒸着膜形成部との間の
位置で、加熱装置によって基板を加熱するものである。
に昇温された円筒状キャンの周面に沿って走行しつつあ
る高分子材料よりなる基板上に垂直磁気記録媒体用の一
層目金属膜として、たとえば、パーマロイやCo−Cr
膜を真空蒸着法により形成する際に、未蒸着の前記基板
が、前記円筒状キャンに接している部分において、基板
の円筒状キャンへの接触開始部と蒸着膜形成部との間の
位置で、加熱装置によって基板を加熱するものである。
(実施例の説明)
4一
本発明の一実施例を第2図に基づいて説明する同図にお
いて、第1図と同じ部品については同一符号とし、説明
を省略する。
いて、第1図と同じ部品については同一符号とし、説明
を省略する。
高分子材料よりなる基板1は、基板入側ローラ3によっ
て案内され、120℃以上、300℃以下に加熱された
円筒状キャン2の表面にはいる。このとき基板1の円筒
状キャン2への接触開始部と、蒸着膜形成部との間に設
置された加熱装置8によって基板1は円筒状キャン2上
で急速に加熱をうける。通常、加熱装置8がない場合、
基板1の円筒状キャン2への接触開始部から、熱を受け
た基板lはこれによる熱変形を起こし、円筒状キャン2
上で亀の千秋のしわを発生する。そして、この熱変形が
終了して円筒状キャン2に一様にはりついた状態で蒸着
されれば、しわの無い蒸着膜が形成される。しかし通常
は蒸着膜形成部7へ行くまでに変形が終了していないの
で、基板1が円筒状キャン2に一様に張りついていない
状態で蒸着され、基板出側ローラ4によるバイアスによ
って円筒状キャン2に強制的に張りつけられ、基板1上
にし6一 わとして残る。
て案内され、120℃以上、300℃以下に加熱された
円筒状キャン2の表面にはいる。このとき基板1の円筒
状キャン2への接触開始部と、蒸着膜形成部との間に設
置された加熱装置8によって基板1は円筒状キャン2上
で急速に加熱をうける。通常、加熱装置8がない場合、
基板1の円筒状キャン2への接触開始部から、熱を受け
た基板lはこれによる熱変形を起こし、円筒状キャン2
上で亀の千秋のしわを発生する。そして、この熱変形が
終了して円筒状キャン2に一様にはりついた状態で蒸着
されれば、しわの無い蒸着膜が形成される。しかし通常
は蒸着膜形成部7へ行くまでに変形が終了していないの
で、基板1が円筒状キャン2に一様に張りついていない
状態で蒸着され、基板出側ローラ4によるバイアスによ
って円筒状キャン2に強制的に張りつけられ、基板1上
にし6一 わとして残る。
しかし、加熱装置8によって基板を急速に加熱した場合
、基板1の熱変形が加熱装置8の位置を越えたところで
終了しており、加熱装置8と蒸着膜形成部7との間では
、熱変形を終えた基板1が円筒状キャン2上に安定した
しわのない状態で密着するため、蒸着膜形成部7では基
板1にはしわがなく、ここで形成された蒸着膜はしわの
ない状態となり、良好な金属膜を形成することができる
。
、基板1の熱変形が加熱装置8の位置を越えたところで
終了しており、加熱装置8と蒸着膜形成部7との間では
、熱変形を終えた基板1が円筒状キャン2上に安定した
しわのない状態で密着するため、蒸着膜形成部7では基
板1にはしわがなく、ここで形成された蒸着膜はしわの
ない状態となり、良好な金属膜を形成することができる
。
なお加熱装置8としては抵抗体や光を利用したものもあ
るが、安定性、制御のしやすさや応答性のよいことから
、ハロゲンランプによる光放射を利用したものが最も適
している。
るが、安定性、制御のしやすさや応答性のよいことから
、ハロゲンランプによる光放射を利用したものが最も適
している。
つぎに、具体的な実施例を説明する。
(1)第1実施例
Go−Cr/ハーマロイ基板構成のものである。高分子
材料よりなる基板1として膜厚12μlのポリアミド系
のフィルムを用い、このフィルム上に膜厚0.25μm
のパーマロイ膜を形成し、円筒状キャン2の温度は24
0℃とし、基板出側ローラ4によって基板に印加するバ
イアスを一40Vとする。加熱装置8としてiooow
のハロゲンランプ2本を電圧40Vで点灯して良好な結
果を得た。なお加熱装置8の電圧は50vを越すと温度
が高くなりすぎ、基板の熱劣化を発生し30V以下では
温度が低すぎた。
材料よりなる基板1として膜厚12μlのポリアミド系
のフィルムを用い、このフィルム上に膜厚0.25μm
のパーマロイ膜を形成し、円筒状キャン2の温度は24
0℃とし、基板出側ローラ4によって基板に印加するバ
イアスを一40Vとする。加熱装置8としてiooow
のハロゲンランプ2本を電圧40Vで点灯して良好な結
果を得た。なお加熱装置8の電圧は50vを越すと温度
が高くなりすぎ、基板の熱劣化を発生し30V以下では
温度が低すぎた。
(2)第2実施例
Co−Cr/パーマロイ/チタニウム/パーマロイ基板
構成のものである。高分子材料よりなる基板1として、
膜厚45μmのポリイミド系のフィルムを用い、パーマ
ロイ/チタニウム/パーマロイの総膜厚は、およそ0.
3μmとしこの上に膜厚0.15μmのCo−Cr膜面
を蒸着する。円筒状キャン2の温度は250℃とし、基
板出側ローラ4によって基板1に印加するバイアスを−
250Vとする。加熱装置8を第1実施例と同じランプ
を用い電圧50Vで点灯して良好な結果となった。なお
電圧40V以下では温度が低すぎしわを生じた。
構成のものである。高分子材料よりなる基板1として、
膜厚45μmのポリイミド系のフィルムを用い、パーマ
ロイ/チタニウム/パーマロイの総膜厚は、およそ0.
3μmとしこの上に膜厚0.15μmのCo−Cr膜面
を蒸着する。円筒状キャン2の温度は250℃とし、基
板出側ローラ4によって基板1に印加するバイアスを−
250Vとする。加熱装置8を第1実施例と同じランプ
を用い電圧50Vで点灯して良好な結果となった。なお
電圧40V以下では温度が低すぎしわを生じた。
(発明の効果)
本発明によれば、高温に加熱された円筒状キャンの上で
、この円筒状キャンの上を走行する商会子材料よりなる
基板を、ハロゲンランプにより急速に加熱することによ
り、しわのよらいない、良好な垂直磁気記録媒体を製作
することができる効果がある。
、この円筒状キャンの上を走行する商会子材料よりなる
基板を、ハロゲンランプにより急速に加熱することによ
り、しわのよらいない、良好な垂直磁気記録媒体を製作
することができる効果がある。
第1図は従来例の垂直磁気記録媒体製造方法を説明する
ための装置の断面図、第2図は本発明の一実施例におけ
る垂直磁気記録媒体製造方法を説明するための装置の断
面図である。 1 ・・・基板、 2 ・・・円筒状キャン、 3 ・
・・基板入側ローラ、 4・・・基板出側ローラ、5
・・・蒸着源、 6・・・遮蔽板、 7・・・蒸着部、
8・・・加熱装置。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第1図
ための装置の断面図、第2図は本発明の一実施例におけ
る垂直磁気記録媒体製造方法を説明するための装置の断
面図である。 1 ・・・基板、 2 ・・・円筒状キャン、 3 ・
・・基板入側ローラ、 4・・・基板出側ローラ、5
・・・蒸着源、 6・・・遮蔽板、 7・・・蒸着部、
8・・・加熱装置。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第1図
Claims (2)
- (1)120℃以上に昇温された円筒状キャンの周面に
沿って走行する高分子材料よりなる基板上に垂直磁気記
録媒体用の金属膜としてのパーマロイ、またはCo−C
rを真空蒸着法により形成する際に、パーマロイまたは
Co−Crと円筒状キャンとの間に電位差を設け、かつ
前記円筒状キャンに接している部分において、前記基板
の円筒状キャンへの接触開始部と蒸着膜形成部との間の
位置において、加熱装置により、前記基板を金属膜側か
ら加熱することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方
法。 - (2)前記加熱装置としてハロゲンランプを用いること
を特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の垂直磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15279284A JPS6132219A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15279284A JPS6132219A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6132219A true JPS6132219A (ja) | 1986-02-14 |
Family
ID=15548245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15279284A Pending JPS6132219A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6132219A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1993023586A1 (en) * | 1992-05-11 | 1993-11-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Vapor deposition material and production method thereof |
JP2016204727A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | 東レ株式会社 | 成膜装置 |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP15279284A patent/JPS6132219A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1993023586A1 (en) * | 1992-05-11 | 1993-11-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Vapor deposition material and production method thereof |
US5441010A (en) * | 1992-05-11 | 1995-08-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Evaporation material and method of preparing the same |
US6126760A (en) * | 1992-05-11 | 2000-10-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Evaporation material |
JP2016204727A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | 東レ株式会社 | 成膜装置 |
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