JPS6132219A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6132219A JPS6132219A JP15279284A JP15279284A JPS6132219A JP S6132219 A JPS6132219 A JP S6132219A JP 15279284 A JP15279284 A JP 15279284A JP 15279284 A JP15279284 A JP 15279284A JP S6132219 A JPS6132219 A JP S6132219A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cylindrical
- film
- magnetic recording
- vapor
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は高密度記録特性をもつ垂直磁気記録媒−１＝
体の製造方法に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
従来、垂直磁気記録方式は、短波長記録特性の優れた磁
気記録方式である。この方式は磁気記録媒体の膜面に垂
直方向に媒体を磁化させるもので、媒体膜面の垂直方向
に残留磁化が残る垂直磁化膜を用いる必要がある。垂直
磁化膜としてはｃｏとＣｒを主成分とするＣｏ−Ｃｒ垂
直磁化膜が使用される。
気記録方式である。この方式は磁気記録媒体の膜面に垂
直方向に媒体を磁化させるもので、媒体膜面の垂直方向
に残留磁化が残る垂直磁化膜を用いる必要がある。垂直
磁化膜としてはｃｏとＣｒを主成分とするＣｏ−Ｃｒ垂
直磁化膜が使用される。
Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜は真空蒸着法で形成された場合、
膜堆積速度が非常に早く、量産に適しているが、早い膜
堆積速度で膜を形成する際に、磁気特性の良い、カール
の無いＣｏ−Ｃｒ膜をうるには、基板を高温に加熱して
蒸着を行なう必要があるため、しわが多数発生する欠点
があった。
膜堆積速度が非常に早く、量産に適しているが、早い膜
堆積速度で膜を形成する際に、磁気特性の良い、カール
の無いＣｏ−Ｃｒ膜をうるには、基板を高温に加熱して
蒸着を行なう必要があるため、しわが多数発生する欠点
があった。
垂直磁気記録媒体の製作方法を第１図に基づいて説明す
る。基板としては、高分子材料よりなる耐熱フィルムと
して一般にポリイミドやポリアミド系のフィルムが用い
られる。膜面に垂直方向の保磁力Ｈｅ１ｌは蒸着時の基
板温度が高い程大きいことがわかっており、垂直磁化膜
として充分な記録再生特性を得るためには基板温度を１
２０℃以」二に保ち、Ｈｃｍを３００工ルステツド以上
にする必要がある。一方ポリイミドやポリアミド系の耐
熱フィルムは、その耐熱性の問題から３００℃以上で使
用することは基板の熱変形や劣化等の問題から、避ける
必要がある。一方パーマロイの蒸着においても、蒸着終
了時の基板のカールを最少限におさえる必要性から基板
温度を１２０℃以上３００℃以下にする必要がある。蒸
着終了時の基板のカールは蒸着膜の熱膨張係数と基板自
体の熱膨張係数の差によって発生する。蒸着膜の熱膨張
係数は金属材料に固有のもので、これを変えることはで
きない。従って、蒸着後の基板のカールを小さくするた
めには、基板の熱膨張係数を変化させる必要がある。し
かし、基板の熱膨張係数の変化にもある範囲があり、そ
れ以上変化させることはできない。この範囲内でカール
を小さくするためには、蒸着時の基板温度を、１２０℃
から３００℃以下にする必要がある。
る。基板としては、高分子材料よりなる耐熱フィルムと
して一般にポリイミドやポリアミド系のフィルムが用い
られる。膜面に垂直方向の保磁力Ｈｅ１ｌは蒸着時の基
板温度が高い程大きいことがわかっており、垂直磁化膜
として充分な記録再生特性を得るためには基板温度を１
２０℃以」二に保ち、Ｈｃｍを３００工ルステツド以上
にする必要がある。一方ポリイミドやポリアミド系の耐
熱フィルムは、その耐熱性の問題から３００℃以上で使
用することは基板の熱変形や劣化等の問題から、避ける
必要がある。一方パーマロイの蒸着においても、蒸着終
了時の基板のカールを最少限におさえる必要性から基板
温度を１２０℃以上３００℃以下にする必要がある。蒸
着終了時の基板のカールは蒸着膜の熱膨張係数と基板自
体の熱膨張係数の差によって発生する。蒸着膜の熱膨張
係数は金属材料に固有のもので、これを変えることはで
きない。従って、蒸着後の基板のカールを小さくするた
めには、基板の熱膨張係数を変化させる必要がある。し
かし、基板の熱膨張係数の変化にもある範囲があり、そ
れ以上変化させることはできない。この範囲内でカール
を小さくするためには、蒸着時の基板温度を、１２０℃
から３００℃以下にする必要がある。
高分子材料よりなる基板１は、１２０℃から３００℃に
加熱された円筒状キャン２に沿って走行する。
加熱された円筒状キャン２に沿って走行する。
３と４は各々基板入側ローラおよび基板出側ローラで、
基板を安定に案内走行させるものである。
基板を安定に案内走行させるものである。
５は蒸着源、６は遮蔽板である。基板入側ローラ３によ
り案内された高分子材料よりなる基板１は円筒状キャン
２の周面に沿って走行し、７の蒸着膜形成部で蒸着源５
から蒸着され、基板出側ローラ４に案内されて巻き取ら
れる。円筒状キャン２は、３００℃付近まで任意の温度
に設定することができ、基板出側ローラ４によって金属
膜の形成された基板１にバイアスを印加することができ
る。
り案内された高分子材料よりなる基板１は円筒状キャン
２の周面に沿って走行し、７の蒸着膜形成部で蒸着源５
から蒸着され、基板出側ローラ４に案内されて巻き取ら
れる。円筒状キャン２は、３００℃付近まで任意の温度
に設定することができ、基板出側ローラ４によって金属
膜の形成された基板１にバイアスを印加することができ
る。
バイアスの絶対値は、基板１とローラ４との間の接触が
何かの原因で悪くなったとき発生する放電による基板１
への損傷を少なくするため、２５０ｖ以下が適している
。このように金属膜のついた基板１と円筒状キャン２と
の間に電位差を設け、金属膜の蒸着された基板１が円筒
状キャン２に貼りつき、蒸着熱による熱負けを防止して
いる。しかし円筒状キャン２は高温に加熱されているた
め、ベースフィルムが円筒状キャン２に接すると、ベー
スフィルムと円筒状キャン２の温度差によって、ベース
フィルムに熱変形を生じる。そして高分子材料よりなる
基板１は、基板入側ローラ３と蒸着部７との間で熱変形
が完了しないため、熱変形によるしわが蒸着部７まで残
り、蒸着された基板１にもしわが残る欠点があった。
何かの原因で悪くなったとき発生する放電による基板１
への損傷を少なくするため、２５０ｖ以下が適している
。このように金属膜のついた基板１と円筒状キャン２と
の間に電位差を設け、金属膜の蒸着された基板１が円筒
状キャン２に貼りつき、蒸着熱による熱負けを防止して
いる。しかし円筒状キャン２は高温に加熱されているた
め、ベースフィルムが円筒状キャン２に接すると、ベー
スフィルムと円筒状キャン２の温度差によって、ベース
フィルムに熱変形を生じる。そして高分子材料よりなる
基板１は、基板入側ローラ３と蒸着部７との間で熱変形
が完了しないため、熱変形によるしわが蒸着部７まで残
り、蒸着された基板１にもしわが残る欠点があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、従来例の欠点を解消し、しわのない良
好な垂直磁気記録媒体を製造するための方法を提供する
ことであ□る。
好な垂直磁気記録媒体を製造するための方法を提供する
ことであ□る。
（発明の構成）
本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法は、１２０℃以上
に昇温された円筒状キャンの周面に沿って走行しつつあ
る高分子材料よりなる基板上に垂直磁気記録媒体用の一
層目金属膜として、たとえば、パーマロイやＣｏ−Ｃｒ
膜を真空蒸着法により形成する際に、未蒸着の前記基板
が、前記円筒状キャンに接している部分において、基板
の円筒状キャンへの接触開始部と蒸着膜形成部との間の
位置で、加熱装置によって基板を加熱するものである。
に昇温された円筒状キャンの周面に沿って走行しつつあ
る高分子材料よりなる基板上に垂直磁気記録媒体用の一
層目金属膜として、たとえば、パーマロイやＣｏ−Ｃｒ
膜を真空蒸着法により形成する際に、未蒸着の前記基板
が、前記円筒状キャンに接している部分において、基板
の円筒状キャンへの接触開始部と蒸着膜形成部との間の
位置で、加熱装置によって基板を加熱するものである。
（実施例の説明）
４一
本発明の一実施例を第２図に基づいて説明する同図にお
いて、第１図と同じ部品については同一符号とし、説明
を省略する。
いて、第１図と同じ部品については同一符号とし、説明
を省略する。
高分子材料よりなる基板１は、基板入側ローラ３によっ
て案内され、１２０℃以上、３００℃以下に加熱された
円筒状キャン２の表面にはいる。このとき基板１の円筒
状キャン２への接触開始部と、蒸着膜形成部との間に設
置された加熱装置８によって基板１は円筒状キャン２上
で急速に加熱をうける。通常、加熱装置８がない場合、
基板１の円筒状キャン２への接触開始部から、熱を受け
た基板ｌはこれによる熱変形を起こし、円筒状キャン２
上で亀の千秋のしわを発生する。そして、この熱変形が
終了して円筒状キャン２に一様にはりついた状態で蒸着
されれば、しわの無い蒸着膜が形成される。しかし通常
は蒸着膜形成部７へ行くまでに変形が終了していないの
で、基板１が円筒状キャン２に一様に張りついていない
状態で蒸着され、基板出側ローラ４によるバイアスによ
って円筒状キャン２に強制的に張りつけられ、基板１上
にし６一 わとして残る。
て案内され、１２０℃以上、３００℃以下に加熱された
円筒状キャン２の表面にはいる。このとき基板１の円筒
状キャン２への接触開始部と、蒸着膜形成部との間に設
置された加熱装置８によって基板１は円筒状キャン２上
で急速に加熱をうける。通常、加熱装置８がない場合、
基板１の円筒状キャン２への接触開始部から、熱を受け
た基板ｌはこれによる熱変形を起こし、円筒状キャン２
上で亀の千秋のしわを発生する。そして、この熱変形が
終了して円筒状キャン２に一様にはりついた状態で蒸着
されれば、しわの無い蒸着膜が形成される。しかし通常
は蒸着膜形成部７へ行くまでに変形が終了していないの
で、基板１が円筒状キャン２に一様に張りついていない
状態で蒸着され、基板出側ローラ４によるバイアスによ
って円筒状キャン２に強制的に張りつけられ、基板１上
にし６一 わとして残る。
しかし、加熱装置８によって基板を急速に加熱した場合
、基板１の熱変形が加熱装置８の位置を越えたところで
終了しており、加熱装置８と蒸着膜形成部７との間では
、熱変形を終えた基板１が円筒状キャン２上に安定した
しわのない状態で密着するため、蒸着膜形成部７では基
板１にはしわがなく、ここで形成された蒸着膜はしわの
ない状態となり、良好な金属膜を形成することができる
。
、基板１の熱変形が加熱装置８の位置を越えたところで
終了しており、加熱装置８と蒸着膜形成部７との間では
、熱変形を終えた基板１が円筒状キャン２上に安定した
しわのない状態で密着するため、蒸着膜形成部７では基
板１にはしわがなく、ここで形成された蒸着膜はしわの
ない状態となり、良好な金属膜を形成することができる
。
なお加熱装置８としては抵抗体や光を利用したものもあ
るが、安定性、制御のしやすさや応答性のよいことから
、ハロゲンランプによる光放射を利用したものが最も適
している。
るが、安定性、制御のしやすさや応答性のよいことから
、ハロゲンランプによる光放射を利用したものが最も適
している。
つぎに、具体的な実施例を説明する。
（１）第１実施例
Ｇｏ−Ｃｒ／ハーマロイ基板構成のものである。高分子
材料よりなる基板１として膜厚１２μｌのポリアミド系
のフィルムを用い、このフィルム上に膜厚０．２５μｍ
のパーマロイ膜を形成し、円筒状キャン２の温度は２４
０℃とし、基板出側ローラ４によって基板に印加するバ
イアスを一４０Ｖとする。加熱装置８としてｉｏｏｏｗ
のハロゲンランプ２本を電圧４０Ｖで点灯して良好な結
果を得た。なお加熱装置８の電圧は５０ｖを越すと温度
が高くなりすぎ、基板の熱劣化を発生し３０Ｖ以下では
温度が低すぎた。
材料よりなる基板１として膜厚１２μｌのポリアミド系
のフィルムを用い、このフィルム上に膜厚０．２５μｍ
のパーマロイ膜を形成し、円筒状キャン２の温度は２４
０℃とし、基板出側ローラ４によって基板に印加するバ
イアスを一４０Ｖとする。加熱装置８としてｉｏｏｏｗ
のハロゲンランプ２本を電圧４０Ｖで点灯して良好な結
果を得た。なお加熱装置８の電圧は５０ｖを越すと温度
が高くなりすぎ、基板の熱劣化を発生し３０Ｖ以下では
温度が低すぎた。
（２）第２実施例
Ｃｏ−Ｃｒ／パーマロイ／チタニウム／パーマロイ基板
構成のものである。高分子材料よりなる基板１として、
膜厚４５μｍのポリイミド系のフィルムを用い、パーマ
ロイ／チタニウム／パーマロイの総膜厚は、およそ０．
３μｍとしこの上に膜厚０．１５μｍのＣｏ−Ｃｒ膜面
を蒸着する。円筒状キャン２の温度は２５０℃とし、基
板出側ローラ４によって基板１に印加するバイアスを−
２５０Ｖとする。加熱装置８を第１実施例と同じランプ
を用い電圧５０Ｖで点灯して良好な結果となった。なお
電圧４０Ｖ以下では温度が低すぎしわを生じた。
構成のものである。高分子材料よりなる基板１として、
膜厚４５μｍのポリイミド系のフィルムを用い、パーマ
ロイ／チタニウム／パーマロイの総膜厚は、およそ０．
３μｍとしこの上に膜厚０．１５μｍのＣｏ−Ｃｒ膜面
を蒸着する。円筒状キャン２の温度は２５０℃とし、基
板出側ローラ４によって基板１に印加するバイアスを−
２５０Ｖとする。加熱装置８を第１実施例と同じランプ
を用い電圧５０Ｖで点灯して良好な結果となった。なお
電圧４０Ｖ以下では温度が低すぎしわを生じた。
（発明の効果）
本発明によれば、高温に加熱された円筒状キャンの上で
、この円筒状キャンの上を走行する商会子材料よりなる
基板を、ハロゲンランプにより急速に加熱することによ
り、しわのよらいない、良好な垂直磁気記録媒体を製作
することができる効果がある。
、この円筒状キャンの上を走行する商会子材料よりなる
基板を、ハロゲンランプにより急速に加熱することによ
り、しわのよらいない、良好な垂直磁気記録媒体を製作
することができる効果がある。
第１図は従来例の垂直磁気記録媒体製造方法を説明する
ための装置の断面図、第２図は本発明の一実施例におけ
る垂直磁気記録媒体製造方法を説明するための装置の断
面図である。 １ ・・・基板、 ２ ・・・円筒状キャン、 ３ ・
・・基板入側ローラ、 ４・・・基板出側ローラ、５
・・・蒸着源、 ６・・・遮蔽板、 ７・・・蒸着部、
８・・・加熱装置。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図
ための装置の断面図、第２図は本発明の一実施例におけ
る垂直磁気記録媒体製造方法を説明するための装置の断
面図である。 １ ・・・基板、 ２ ・・・円筒状キャン、 ３ ・
・・基板入側ローラ、 ４・・・基板出側ローラ、５
・・・蒸着源、 ６・・・遮蔽板、 ７・・・蒸着部、
８・・・加熱装置。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図
Claims (2)
- （１）１２０℃以上に昇温された円筒状キャンの周面に
沿って走行する高分子材料よりなる基板上に垂直磁気記
録媒体用の金属膜としてのパーマロイ、またはＣｏ−Ｃ
ｒを真空蒸着法により形成する際に、パーマロイまたは
Ｃｏ−Ｃｒと円筒状キャンとの間に電位差を設け、かつ
前記円筒状キャンに接している部分において、前記基板
の円筒状キャンへの接触開始部と蒸着膜形成部との間の
位置において、加熱装置により、前記基板を金属膜側か
ら加熱することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方
法。 - （２）前記加熱装置としてハロゲンランプを用いること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の垂直磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15279284A JPS6132219A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15279284A JPS6132219A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6132219A true JPS6132219A (ja) | 1986-02-14 |
Family
ID=15548245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15279284A Pending JPS6132219A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6132219A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993023586A1 (en) * | 1992-05-11 | 1993-11-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Vapor deposition material and production method thereof |
| JP2016204727A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | 東レ株式会社 | 成膜装置 |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP15279284A patent/JPS6132219A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993023586A1 (en) * | 1992-05-11 | 1993-11-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Vapor deposition material and production method thereof |
| US5441010A (en) * | 1992-05-11 | 1995-08-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Evaporation material and method of preparing the same |
| US6126760A (en) * | 1992-05-11 | 2000-10-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Evaporation material |
| JP2016204727A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | 東レ株式会社 | 成膜装置 |
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