JPS61291484A - 黒鉛るつぼ - Google Patents

黒鉛るつぼ

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Publication number
JPS61291484A
JPS61291484A JP13255885A JP13255885A JPS61291484A JP S61291484 A JPS61291484 A JP S61291484A JP 13255885 A JP13255885 A JP 13255885A JP 13255885 A JP13255885 A JP 13255885A JP S61291484 A JPS61291484 A JP S61291484A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
graphite
graphite crucible
crucible
gas
pulling
Prior art date
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Pending
Application number
JP13255885A
Other languages
English (en)
Inventor
Kimito Shioiri
塩入 公人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Filing date
Publication date
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は単結晶引上用の黒鉛るつぼに関する。
(従来の技術) 単結晶の製造にはチョクラウスキー法(CZ法)が多用
されている。この方法は石英るつぼ内に例えば多結晶シ
リコンを入れ9周囲よシ加熱して該多結晶シリコンを溶
融させ9種結晶を用い上方に引上げて単結晶とするもの
でアシ、加熱時の石英るつぼの塑性変形を防止するため
に9石英るつぼの外周に黒鉛るつぼを密着して設置する
のが一般である。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、1300℃付近から石英るつぼと黒鉛る
つぼの反応が始まシ9発生したSiOガスが黒鉛るつぼ
と SiO+ 2 C−+SiC+ Co  のように
反応して黒鉛るつぼの表面が珪化されてSiC層が形成
される。このSiC層は黒鉛るつぼの気孔率が大きいほ
ど厚くなシ、このSiC層と黒鉛るつぼの熱膨張差によ
ってSiC層にクラックが入り更に内部までSiC化さ
れて黒鉛るつぼが破損する問題がある。
この対策として気孔率の小さい黒鉛るつぼの表面にあら
かじめSiC被膜を形成させておき、前記反応を抑制す
ることが提案されているが、 SiC被膜形成時の反応
応力によって黒鉛るつぼが変形したシ、黒鉛るつぼ重量
が大きくなる問題がある。
本発明は上記した問題を解消する単結晶引上用の黒鉛る
つぼを提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段) 発明者は、黒鉛るつぼの表面に熱分解黒鉛の被膜を形成
すれば、 8i0ガスの黒鉛るつぼ内への浸入が防止さ
れ、かつ黒鉛るつぼと熱分解黒鉛の熱膨張率がほぼ同一
であることから上記目的を達成し得ることを見出し本発
明に到達した。
本発明は2表面に熱分解黒鉛の被膜を形成した単結晶引
上用の黒鉛るつぼに関する。
本発明に用いる黒鉛るつぼは2人造黒鉛製のものが純度
9機械的強度の点で好ましい。熱分解黒鉛の被膜の形成
手段は公知のCVD法を採用すればよく特に制限はない
尚黒鉛るつぼの内表面にだけ被膜を形成したい場合には
外表面をマスキングしてCVD処理をすればよい。
(実施例) 次に実施例を説明する。
実施例1 人造黒鉛材料(日立化成工業製、PD−320)を加工
して、外径500mm、高さ40〇−及び卑さ30mm
の黒鉛るつぼを作成した。これをCVD炉に入れ高周波
誘導によ、92000℃に加熱し。
窒素ガスをキャリアーガスにしてプロパンガスを炉内に
供給し、黒鉛るつぼの表面に厚さ500μmの熱分解黒
鉛の被膜を形成した。
・′実施例2 実施例1と同様にして被膜の厚さが1000μmの単結
晶引上用の黒鉛るつぼを得た。
実施例で得た黒鉛るつぼ及び比叔例として熱分解黒鉛を
被覆しない黒鉛るつぼを電気抵抗炉内に入れて1500
℃に加熱し、コークスとシリカとを反応させて得たSi
Oガスを供給してSiOガスとの反応性を調査した。こ
の結果、第1表に示すように実施例の黒鉛るつぼは表面
に形成されるSiC層の厚みが小さい。また実施例の黒
鉛るつぼは変形、SiC層のクラック等が見られなかっ
た。
(発明の効果) 本発明になる黒鉛るつほは表面の変質が小さいから単結
晶の引上に使用してその寿命を長くすることが可能とな
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、表面に熱分解黒鉛の被膜を形成した単結晶引上用の
    黒鉛るつぼ。
JP13255885A 1985-06-18 1985-06-18 黒鉛るつぼ Pending JPS61291484A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01145312A (ja) * 1987-11-30 1989-06-07 Toshiro Yamashina アウトガスの少ない炭素材料の製造方法及びその製法で得られた炭素材料を使用した炭素構造材料
US4920067A (en) * 1987-10-07 1990-04-24 Jamie Knapp Process for II-VI compound epitaxy
US5132145A (en) * 1987-04-27 1992-07-21 Societe Anonyme Method of making composite material crucible for use in a device for making single crystals
JP2008222547A (ja) * 2008-05-07 2008-09-25 Toyo Tanso Kk 単結晶引上げ装置用高温部材、その高温部材を配備してなる単結晶引上げ装置及びその高温部材の製造方法

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