JPS61284949A - リ−ドフレ−ム材料 - Google Patents
リ−ドフレ−ム材料Info
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- JPS61284949A JPS61284949A JP12675285A JP12675285A JPS61284949A JP S61284949 A JPS61284949 A JP S61284949A JP 12675285 A JP12675285 A JP 12675285A JP 12675285 A JP12675285 A JP 12675285A JP S61284949 A JPS61284949 A JP S61284949A
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- JP
- Japan
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- less
- lead frame
- base material
- alloy
- cladding
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体チップと外部端子とを接続する電子部品
であるリードフレームの素材として使用されるリードフ
レーム材料に関するものであり、更に詳しくは低クロム
の鉄クロム系合金のＣ，Ｓｉ、Ｍｎ、ＡＩの上限値を規
定すると共に、さらにＮｉ、Ｃｕ、ＭｏあるいはＮｂ、
’Ｔｉ５Ｔａ％Ｚｒを添加したベース材にクラッド材と
してＮｉ又はＮｉ合金をクラッドした耐食性に優れかつ
、メッキ性及びはんだ付は性を改善したリードフレーム
材料に関するものである。
であるリードフレームの素材として使用されるリードフ
レーム材料に関するものであり、更に詳しくは低クロム
の鉄クロム系合金のＣ，Ｓｉ、Ｍｎ、ＡＩの上限値を規
定すると共に、さらにＮｉ、Ｃｕ、ＭｏあるいはＮｂ、
’Ｔｉ５Ｔａ％Ｚｒを添加したベース材にクラッド材と
してＮｉ又はＮｉ合金をクラッドした耐食性に優れかつ
、メッキ性及びはんだ付は性を改善したリードフレーム
材料に関するものである。
従来リードフレーム材としては強度と熱膨張特性の点で
Ｆｅ−Ｎｉ４２合金が主として使用されて米な、二のＦ
ｅ−Ｎｉ４２合金は高価であるためより低廉な材料が要
望され、コストメリットと導電性の点から一方では銅合
金も使用されている。しかしこの銅合金も導電性及び熱
放散の点で優れでいるが、Ｆｅ−Ｎｉ４２合金に比べて
強度が不足し、このことは特にＩＣの自動組立て工程に
おいて７ウターリードを部品に差込む際に折れ曲るとい
うような不都合がある。コストの点からは純鉄や低炭素
鋼は最も安価であるが、錆が発生し易（耐食性に劣るた
め使用出来ない、そこで耐食性及び強度の点からステン
レス鋼を使用することが考えられる。しかし、リードフ
レーム材は、接点部やチップ搭載部の信頼性を高めるた
めに、メッキ下地を施してはんだ付けされる関係から、
はんだ付は性とメッキ性が要求されるが、ステンレス鋼
は、はんだ付は性及びメッキ性に劣る。そのため発明者
はこの点の改善を試み、低Ｃｒで０％Ｓｉ、Ｍｎ。
Ｆｅ−Ｎｉ４２合金が主として使用されて米な、二のＦ
ｅ−Ｎｉ４２合金は高価であるためより低廉な材料が要
望され、コストメリットと導電性の点から一方では銅合
金も使用されている。しかしこの銅合金も導電性及び熱
放散の点で優れでいるが、Ｆｅ−Ｎｉ４２合金に比べて
強度が不足し、このことは特にＩＣの自動組立て工程に
おいて７ウターリードを部品に差込む際に折れ曲るとい
うような不都合がある。コストの点からは純鉄や低炭素
鋼は最も安価であるが、錆が発生し易（耐食性に劣るた
め使用出来ない、そこで耐食性及び強度の点からステン
レス鋼を使用することが考えられる。しかし、リードフ
レーム材は、接点部やチップ搭載部の信頼性を高めるた
めに、メッキ下地を施してはんだ付けされる関係から、
はんだ付は性とメッキ性が要求されるが、ステンレス鋼
は、はんだ付は性及びメッキ性に劣る。そのため発明者
はこの点の改善を試み、低Ｃｒで０％Ｓｉ、Ｍｎ。
Ａ１の上限値を規定した鉄クロム合金からなるリードフ
レーム材を提案している（特開昭５９−９１４９）。
レーム材を提案している（特開昭５９−９１４９）。
この発明者が提案した低クロム鉄合金では、メッキ性及
びはんだ付は性がなお充分でな（Ａｕ％Ａ。
びはんだ付は性がなお充分でな（Ａｕ％Ａ。
の下地メッキの密着性向上のため、ＡｕＳＡｇのメッキ
をするのに先立ちＣｕやＮ１のストライクメッキを行な
う必要があった。
をするのに先立ちＣｕやＮ１のストライクメッキを行な
う必要があった。
本発明は先に提案された低クロム鉄合金からなるリード
フレーム材の前記したような問題点を解は 決すべくなされたものであって、メッキ性及び禽んだ付
は性に優れたリードフレーム材を提供することを目的と
する。
フレーム材の前記したような問題点を解は 決すべくなされたものであって、メッキ性及び禽んだ付
は性に優れたリードフレーム材を提供することを目的と
する。
そこで発明者は先に提案した低クロム鉄合金をベース材
として、これにクラッド材としてＮｉ又はＮｉ合金をク
ラッドすることによりメッキ性及びはんだ付は性が改善
されることを新たに知見し本発明を完成するに至ったも
のである。
として、これにクラッド材としてＮｉ又はＮｉ合金をク
ラッドすることによりメッキ性及びはんだ付は性が改善
されることを新たに知見し本発明を完成するに至ったも
のである。
本発明の第１発明のリードフレーム材料は重量％で、Ｃ
ｒ；５．０〜１０．５％、Ｃｏｏ、１０％以下、Ｓｉ；
２．０％以下、Ｍｎ；２，０％以下、Ａｌ；０．１０％
以下を含有し、残部実質的にＦｅよりなるベース材に、
クラッド材としてＮｉ又はＮｉ合金をクラッドして成る
ことを要旨とする。
ｒ；５．０〜１０．５％、Ｃｏｏ、１０％以下、Ｓｉ；
２．０％以下、Ｍｎ；２，０％以下、Ａｌ；０．１０％
以下を含有し、残部実質的にＦｅよりなるベース材に、
クラッド材としてＮｉ又はＮｉ合金をクラッドして成る
ことを要旨とする。
＄２発明のリードフレーム材料は、重量％で、Ｃｒ；５
．０〜１０．５％、Ｃ；０．１０％以下、Ｓｉ；２．０
％以下、Ｍｎ：２，０％以下、Ａｌ；０％以下を含有し
、さらにＮｂ％Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒのうち１種または２種
以上を０．６％以下含有し、残部実質的にＦｅよりなる
ベース材に、Ｎｉ又はＮｉ合金Ｎｉ合會をクラッドして
成ることを要旨とする。
．０〜１０．５％、Ｃ；０．１０％以下、Ｓｉ；２．０
％以下、Ｍｎ：２，０％以下、Ａｌ；０％以下を含有し
、さらにＮｂ％Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒのうち１種または２種
以上を０．６％以下含有し、残部実質的にＦｅよりなる
ベース材に、Ｎｉ又はＮｉ合金Ｎｉ合會をクラッドして
成ることを要旨とする。
第３発明のリードフレーム材料は、重量％で、Ｃｒ；５
．０〜１０．５％、Ｃ；０．１０％以下、Ｓｉ；２，０
％以下、Ｍｎ；２．０％以下、Ａｌ；０％以下を含有し
、さらにＮｉ；３，０％以下、Ｃｕ：２．０％以下、Ｍ
ｏ；４．０％以下のうち１種または２！ａ以上を含有し
、残部実質的にＦｅよりなるベース材に、クラッド材と
してＮｉ又はＮｉ合金をクラッドして成ることを要旨と
する。
．０〜１０．５％、Ｃ；０．１０％以下、Ｓｉ；２，０
％以下、Ｍｎ；２．０％以下、Ａｌ；０％以下を含有し
、さらにＮｉ；３，０％以下、Ｃｕ：２．０％以下、Ｍ
ｏ；４．０％以下のうち１種または２！ａ以上を含有し
、残部実質的にＦｅよりなるベース材に、クラッド材と
してＮｉ又はＮｉ合金をクラッドして成ることを要旨と
する。
第４発明のリードフレーム材料は、重量％で、Ｃｒ；５
，０〜１０．５％、Ｃｏｏ、１０％以下、Ｓｉ；２．０
％以下、Ｍｎ；２，０％以下、Ａｌ；０．１０％以下を
含有し、さらにＮｉ；３，０％以下、Ｃｕ；２，０％以
下、Ｍｏ；４．０％以下のうち１種または２種以上及び
Ｎｂ、Ｔｉ。
，０〜１０．５％、Ｃｏｏ、１０％以下、Ｓｉ；２．０
％以下、Ｍｎ；２，０％以下、Ａｌ；０．１０％以下を
含有し、さらにＮｉ；３，０％以下、Ｃｕ；２，０％以
下、Ｍｏ；４．０％以下のうち１種または２種以上及び
Ｎｂ、Ｔｉ。
Ｔａ、 Ｚｒのうち１種または２種以上を０．６％以下
含有し、残部実質的にＦｅよりなるベース材に、クラッ
ド材としてＮｉ又はＮｉ合金をクラッドして成ることを
要旨とする。
含有し、残部実質的にＦｅよりなるベース材に、クラッ
ド材としてＮｉ又はＮｉ合金をクラッドして成ることを
要旨とする。
本発明によるリードフレーム材料は、低クロム系鉄合金
のＣ，Ｓｉ％Ｍｎ％Ａ１の上限値を規定すると共に必要
に応じでＮｉ、Ｃｕ、ＭｏまたはＮｂ。
のＣ，Ｓｉ％Ｍｎ％Ａ１の上限値を規定すると共に必要
に応じでＮｉ、Ｃｕ、ＭｏまたはＮｂ。
Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒのうち１種または２種以上を含有した
ものをベース材としているが、以下にその成分範囲（重
量％）の限定理由について説明する。
ものをベース材としているが、以下にその成分範囲（重
量％）の限定理由について説明する。
Ｃｒ：５．０〜１０．５％
Ｃｒはベース材のメッキ性、耐熱性および耐食性を向上
させる元素であり、このような効果を得るためには５．
０％以上含有させることが必要である。
させる元素であり、このような効果を得るためには５．
０％以上含有させることが必要である。
しかし、多すぎると、メッキ性、はんだ付は性を阻害す
るので１０．５％以下とする必要がある。
るので１０．５％以下とする必要がある。
ｃ：０．１０％以下
Ｃはベース材としての強度を得るためにある程度含有さ
せることが必要であるが、多すぎると耐食性やはんだ付
は性を劣化するので０．１０％以下に抑制する必要があ
る。
せることが必要であるが、多すぎると耐食性やはんだ付
は性を劣化するので０．１０％以下に抑制する必要があ
る。
Ｓｉ：２．０％以下
Ｓｉ は溶製時に脱酸剤として作用するとともに耐食性
をも若干増大させるのに有効な元素であるが、多すぎる
と、はんだ付は性を害し、ベース材の靭性を害するので
２．０％以下とする必要がある。
をも若干増大させるのに有効な元素であるが、多すぎる
と、はんだ付は性を害し、ベース材の靭性を害するので
２．０％以下とする必要がある。
Ｍｎ：２，０％以下
Ｍｎは溶製時に脱酸および脱硫剤として作用する元素で
あるが、多すぎるとベース材の靭性を劣化させるので２
．０％以下とする必要がある。
あるが、多すぎるとベース材の靭性を劣化させるので２
．０％以下とする必要がある。
ＡＩ：０．１０％以下
ＡＩは脱酸剤として作用するが、多すぎるとはんだ付は
性を阻害するので、０．１０％以下にする必要がある。
性を阻害するので、０．１０％以下にする必要がある。
Ｎｉ：３．０％以下、Ｃｕ：２．０％以下、Ｍｏ：４．
０％以下のうち１種または２種以上 Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏは耐食性の改善に寄与する元素である
ので、これらの１種または２種以上を添加するが、多す
ぎるとベース材の靭性を害するのでＮｉは３．０％以下
、Ｃｕは２．０％以下、Ｍｏは４．０％以下とする必要
がある。
０％以下のうち１種または２種以上 Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏは耐食性の改善に寄与する元素である
ので、これらの１種または２種以上を添加するが、多す
ぎるとベース材の靭性を害するのでＮｉは３．０％以下
、Ｃｕは２．０％以下、Ｍｏは４．０％以下とする必要
がある。
Ｎｂ、 Ｔｉ、 Ｔａ、 Ｚｒのうち１種または２種以
上を０．６％以下 Ｎｂ、 Ｔｉ、 Ｔａ％Ｚｒはいずれもベース材の強度
を高めるのに寄与する元素であるので、これらの１種ま
たは２種以上を添加するが、多すぎるとかえって靭性を
害するのでこれらの合計で０．６％以下とする必要があ
る。
上を０．６％以下 Ｎｂ、 Ｔｉ、 Ｔａ％Ｚｒはいずれもベース材の強度
を高めるのに寄与する元素であるので、これらの１種ま
たは２種以上を添加するが、多すぎるとかえって靭性を
害するのでこれらの合計で０．６％以下とする必要があ
る。
上記した成分からなるベース材にクラッドされるクラッ
ド材のＮｉは、所期の耐食性、はんだ付は性及びメッキ
性を得るため゛には、Ｎｉ４０％以上を含有し、残部鉄
のもので充分であり必ずしも純度の高いＮｉは必要とし
ない。
ド材のＮｉは、所期の耐食性、はんだ付は性及びメッキ
性を得るため゛には、Ｎｉ４０％以上を含有し、残部鉄
のもので充分であり必ずしも純度の高いＮｉは必要とし
ない。
又、場合によっては、Ｎｉ４０％以上のＮｉとＣｕの合
金の他のＮｉ合金を使用しても良い。
金の他のＮｉ合金を使用しても良い。
上記したベース材にＮｉからなるクラッド材をクラッド
する場合に、ベース材の表裏全面にクラッド材をクラフ
トする態様、ベース材の片面側にのみクラッド材をクラ
ッドする態様、あるいはベース材の片面または両面の一
部、（例えば中央部）にのみクラッド材をクラッドする
態様などがある。
する場合に、ベース材の表裏全面にクラッド材をクラフ
トする態様、ベース材の片面側にのみクラッド材をクラ
ッドする態様、あるいはベース材の片面または両面の一
部、（例えば中央部）にのみクラッド材をクラッドする
態様などがある。
また、ベース材とり２ツド材との厚さの比及び部分的に
クラッドする場合の面積比等はリードフレーム材料の要
求仕様などに応じて適宜選択される。
クラッドする場合の面積比等はリードフレーム材料の要
求仕様などに応じて適宜選択される。
さらに、ベース材にクラッド材をクラフトする手段とし
ては、ベース材とクラッド材とを重ね合わせて圧延して
圧着するのが最も量産的であり、また低価格で製造する
ことができる。
ては、ベース材とクラッド材とを重ね合わせて圧延して
圧着するのが最も量産的であり、また低価格で製造する
ことができる。
本発明の実施例について述べ、本発明の効果を明らかに
する。第１ｒｔに本実施例に用いたベース材の化学成分
（重量％）を示す。
する。第１ｒｔに本実施例に用いたベース材の化学成分
（重量％）を示す。
ｍ１表においてＮｏ、１及びＮｏ、２は比較例であって
、Ｎｏ。１はＳ Ｕ Ｓ ３０４相当、Ｎｏ、２はＳ
Ｕ Ｓ ４３０相当である。Ｎｏ、３〜Ｎｏ。１２は発
明例であって、Ｎｏ、３は本発明の組成範囲内のＣｒ、
Ｃ，Ｓｉ、Ｍｎ。
、Ｎｏ。１はＳ Ｕ Ｓ ３０４相当、Ｎｏ、２はＳ
Ｕ Ｓ ４３０相当である。Ｎｏ、３〜Ｎｏ。１２は発
明例であって、Ｎｏ、３は本発明の組成範囲内のＣｒ、
Ｃ，Ｓｉ、Ｍｎ。
ＡＩ を含有するベース材であり、Ｎｏ、４〜Ｎｏ、５
は上記基本組成のものにＮｂ％Ｔｉ、 Ｔａ、 Ｚｒの
１種以上を添加したベース材であり、Ｎｏ、６〜Ｎｏ、
７は上記基本組成にＮｉ、Ｍｏ及びＣｕを添加したもの
である。また、Ｎｏ、８〜１２は上記基本組成のものに
Ｎｉ、 Ｃｕ、 Ｍｏ及びＮｂ、 Ｔｉ％Ｔａ、 Ｚｒ
の１種以上を添加したベース材である。
は上記基本組成のものにＮｂ％Ｔｉ、 Ｔａ、 Ｚｒの
１種以上を添加したベース材であり、Ｎｏ、６〜Ｎｏ、
７は上記基本組成にＮｉ、Ｍｏ及びＣｕを添加したもの
である。また、Ｎｏ、８〜１２は上記基本組成のものに
Ｎｉ、 Ｃｕ、 Ｍｏ及びＮｂ、 Ｔｉ％Ｔａ、 Ｚｒ
の１種以上を添加したベース材である。
ベース材として第１表の成分からなる帯材（厚さ０．３
５ｍ＋ｅ）を用い、クラッド材としてＮｉ７０％以上残
部Ｆｅからなる帯材（厚さ０．０５ｍ＋＋＋）をベース
材の表裏両面に当てた状態で冷間圧延することによって
、第１図に示すように、ベース材１０の表裏全体にクラ
ッド材１２．１２をクラッドしたリードフレーム材料１
４を製作した。ここで得られたリードフレーム材料１４
の最終厚さはＯ、’２５ ｍ ｍであり、最終クラッド
状態で表面のクラッド層の厚さは約２５μ糟程度であっ
た。このようにして得られたリードフレーム材をさらに
アンモニア分解ガス中で６５０℃３分間ひずみ取り焼鈍
し、耐食性、メッキ性及びはんだ付は性の試験を行った
。
５ｍ＋ｅ）を用い、クラッド材としてＮｉ７０％以上残
部Ｆｅからなる帯材（厚さ０．０５ｍ＋＋＋）をベース
材の表裏両面に当てた状態で冷間圧延することによって
、第１図に示すように、ベース材１０の表裏全体にクラ
ッド材１２．１２をクラッドしたリードフレーム材料１
４を製作した。ここで得られたリードフレーム材料１４
の最終厚さはＯ、’２５ ｍ ｍであり、最終クラッド
状態で表面のクラッド層の厚さは約２５μ糟程度であっ
た。このようにして得られたリードフレーム材をさらに
アンモニア分解ガス中で６５０℃３分間ひずみ取り焼鈍
し、耐食性、メッキ性及びはんだ付は性の試験を行った
。
耐食性の評価は、温度４９°、湿度９８％の湿潤雰囲気
中で９６時間放置する湿潤試験を行い、その時点での発
錆の有無を調べた。その結果は第２表に示すが、錆の発
生が無かったものについては○印で示し、発生があった
ものについてはｘ印で示した。
中で９６時間放置する湿潤試験を行い、その時点での発
錆の有無を調べた。その結果は第２表に示すが、錆の発
生が無かったものについては○印で示し、発生があった
ものについてはｘ印で示した。
メッキ性の評価は、Ｎｉ表面に直接にＡ、のスポットメ
ッキ（約５μ、）を施し、その後４５０℃で５分間加熱
した後の表面状況を調べることにより行った。
ッキ（約５μ、）を施し、その後４５０℃で５分間加熱
した後の表面状況を調べることにより行った。
その結果は第２表に示すが、加熱によるふくれがなかっ
たものについでは○印で示し、加熱によるふくれがあっ
たものについては×で示した。
たものについでは○印で示し、加熱によるふくれがあっ
たものについては×で示した。
はんだ付は性の評価は非ハロダンブラックスを用い、温
度２３０℃で６０％Ｓｎ〜４０％ｐｂよりなるはんだ中
に１０秒間浸漬することにより行った。この結果も同じ
く第２表に示すが、はんだの密着性が良好であったもの
については○印で示し、はんだの密着性が良好でなかっ
たもの、すなわち、クラッド材中央部へのねじれ不良が
生じたものについてはＸ印で示した。
度２３０℃で６０％Ｓｎ〜４０％ｐｂよりなるはんだ中
に１０秒間浸漬することにより行った。この結果も同じ
く第２表に示すが、はんだの密着性が良好であったもの
については○印で示し、はんだの密着性が良好でなかっ
たもの、すなわち、クラッド材中央部へのねじれ不良が
生じたものについてはＸ印で示した。
ｔｐＪ２表から明らかなように、比較例であるＮｏ。
１及びＮｏ、２は耐食性については問題ないがメッキ性
及びはんだ付は性において劣るのに対し、本発明の発明
例であるＮｏ、３〜Ｎ ｏ、 １２は耐食性、メッキ性
及びはんだ付は性のいずれにも優れていることが確かめ
られた。なお、ひずみ取り焼鈍を行なったものと行なわ
なかったものにメッキ性及びはんだ付は性に有意な差は
認められなかった。
及びはんだ付は性において劣るのに対し、本発明の発明
例であるＮｏ、３〜Ｎ ｏ、 １２は耐食性、メッキ性
及びはんだ付は性のいずれにも優れていることが確かめ
られた。なお、ひずみ取り焼鈍を行なったものと行なわ
なかったものにメッキ性及びはんだ付は性に有意な差は
認められなかった。
本発明は以上説明したように重量％で、Ｃｒ：５．０〜
１０．５％、Ｃ：０．１０％以下、Ｓ ｉ：２．０％以
下、Ｍｎ：２．０％以下、Ａ Ｉ：０．１０％以下を基
本組成とし、これに必要に応じてＮ ｉ：；３．０％以
下、Ｃｕ；２．０％以下、Ｍｏ；４．０％以下のうち１
種または２種以上あるいはＮｂｌＴｉ％Ｔａ％Ｚ「のう
ち１種または２種以上を０．６％以下添加し、残部実質
的にＦｅよりなるベース材に、クラッド材としてＮｉを
クラッドして成るリードフレーム材料であるので、従来
の発明者が開発した低クロムの鉄合金に比較し、着しく
メッキ性及びはんだ付は性が改善されており、従来のよ
うにＡｕ、Ａｇのメッキに先立ってＮｉストライクメッ
キを打なう必要がなく、この工程を省略して直接にＡｕ
、ＡＨをメッキしても充分なメッキ性及びはんだ付は性
が得られるという優れた効果がある。またフェライト系
あるいはオーステナイト系のステンレス鋼からなるリー
ドフレーム材料よりもメッキ性及びはんだ付は性におい
て優れたリードフレーム材料を提供することができる。
１０．５％、Ｃ：０．１０％以下、Ｓ ｉ：２．０％以
下、Ｍｎ：２．０％以下、Ａ Ｉ：０．１０％以下を基
本組成とし、これに必要に応じてＮ ｉ：；３．０％以
下、Ｃｕ；２．０％以下、Ｍｏ；４．０％以下のうち１
種または２種以上あるいはＮｂｌＴｉ％Ｔａ％Ｚ「のう
ち１種または２種以上を０．６％以下添加し、残部実質
的にＦｅよりなるベース材に、クラッド材としてＮｉを
クラッドして成るリードフレーム材料であるので、従来
の発明者が開発した低クロムの鉄合金に比較し、着しく
メッキ性及びはんだ付は性が改善されており、従来のよ
うにＡｕ、Ａｇのメッキに先立ってＮｉストライクメッ
キを打なう必要がなく、この工程を省略して直接にＡｕ
、ＡＨをメッキしても充分なメッキ性及びはんだ付は性
が得られるという優れた効果がある。またフェライト系
あるいはオーステナイト系のステンレス鋼からなるリー
ドフレーム材料よりもメッキ性及びはんだ付は性におい
て優れたリードフレーム材料を提供することができる。
第１図はこの発明の実施例において製作したリードフレ
ーム材料の部分斜視図である。 １０・・・ベース材、１２・・・クラッド材、１４・・
・リードフレーム材料。 第７目
ーム材料の部分斜視図である。 １０・・・ベース材、１２・・・クラッド材、１４・・
・リードフレーム材料。 第７目
Claims (4)
- （１）重量％で、Ｃｒ；５．０〜１０．５％、Ｃ；０．
１０％以下、Ｓｉ；２．０％以下、Ｍｎ；２．０％以下
、Ａｌ；０．１０％以下を含有し、残部実質的にＦｅよ
りなるベース材に、クラッド材としてＮｉ又はＮｉ合金
をクラッドして成ることを特徴とするリードフレーム材
料。 - （２）重量％で、Ｃｒ；５．０〜１０．５％、Ｃ；０．
１０％以下、Ｓｉ；２．０％以下、Ｍｎ；２．０％以下
、Ａｌ；０．１０％以下を含有し、さらにＮｂ、Ｔｉ、
Ｔａ、Ｚｒのうち１種または２種以上を０．６％以下含
有し、残部実質的にＦｅよりなるベース材に、クラッド
材としてＮｉ又はＮｉ合金をクラッドして成るリードフ
レーム材料。 - （３）重量％で、Ｃｒ；５．０〜１０．５％、Ｃ；０．
１０％以下、Ｓｉ；２．０％以下、Ｍｎ；２．０％以下
、Ａｌ；０．１０％以下を含有し、さらにＮｉ；３．０
％以下、Ｃｕ；２．０％以下、Ｍｏ；４．０％以下のう
ち１種または２種以上を含有し、残部実質的にＦｅより
なるベース材に、クラッド材としてＮｉ又はＮｉ合金を
クラッドして成ることを特徴とするリードフレーム材料
。 - （４）重量％で、Ｃｒ；５．０〜１０．５％、Ｃ；０．
１０％以下、Ｓｉ；２．０％以下、Ｍｎ；２．０％以下
、Ａｌ；０．１０％以下を含有し、さらにＮｉ；３．０
％以下、Ｃｕ；２．０％以下、Ｍｏ；４．０％以下のう
ち１種または２種以上及びＮｂ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒのう
ち１種または２種以上を０．６％以下含有し、残部実質
的にＦｅよりなるベース材に、クラッド材としてＮｉ又
はＮｉ合金をクラッドして成ることを特徴とするリード
フレーム材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12675285A JPS61284949A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | リ−ドフレ−ム材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12675285A JPS61284949A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | リ−ドフレ−ム材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284949A true JPS61284949A (ja) | 1986-12-15 |
| JPH051618B2 JPH051618B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=14943036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12675285A Granted JPS61284949A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | リ−ドフレ−ム材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61284949A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3161864B1 (de) * | 2014-06-25 | 2020-01-22 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Bandförmiges substrat zur herstellung von chipträgern, elektronisches modul mit einem solchen chipträger, elektronische einrichtung mit einem solchen modul und verfahren zur herstellung eines substrates |
-
1985
- 1985-06-11 JP JP12675285A patent/JPS61284949A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3161864B1 (de) * | 2014-06-25 | 2020-01-22 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Bandförmiges substrat zur herstellung von chipträgern, elektronisches modul mit einem solchen chipträger, elektronische einrichtung mit einem solchen modul und verfahren zur herstellung eines substrates |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051618B2 (ja) | 1993-01-08 |
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