JPS61284834A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS61284834A JPS61284834A JP12513285A JP12513285A JPS61284834A JP S61284834 A JPS61284834 A JP S61284834A JP 12513285 A JP12513285 A JP 12513285A JP 12513285 A JP12513285 A JP 12513285A JP S61284834 A JPS61284834 A JP S61284834A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- substrate
- magnetic
- layer
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はマグネトプラムバイト型結晶構造を有する強磁
性酸化物からなる磁性層を支持体上に設けた磁気記録媒
体の製造方法に関する。
性酸化物からなる磁性層を支持体上に設けた磁気記録媒
体の製造方法に関する。
従来技術
従来、磁気記録はプラスチックフィルムのような非磁性
支持体上に酸化鉄のような強磁性体微粉末及び樹脂結合
剤を主成分とする磁性層を設は九磁気記録媒体を用い、
これに記録媒体に平行方向に磁化を行なう方法が一般に
用いられて来た。しかしこのような面内磁気記録方法に
おいて記録密度の向上を図ろうとすると、記録媒体内の
減磁界が増加する次め、記録密度の向上には限界があっ
た。
支持体上に酸化鉄のような強磁性体微粉末及び樹脂結合
剤を主成分とする磁性層を設は九磁気記録媒体を用い、
これに記録媒体に平行方向に磁化を行なう方法が一般に
用いられて来た。しかしこのような面内磁気記録方法に
おいて記録密度の向上を図ろうとすると、記録媒体内の
減磁界が増加する次め、記録密度の向上には限界があっ
た。
近年、この面内記録方法の欠点を解決するものとして、
記録媒体面に対し垂直方向に磁化容易軸を持つ磁性層を
有する垂直磁気記録媒体を用い、これに記録媒体に対し
垂直方向に磁化を行なう垂直磁気記録方法が提案された
。この方法は記録密度が高まる程、記録媒体内の減磁界
が減少するので本質的に高密度記録に適しておシ、多く
の研究がなされている。ここで垂直方向にｍ化容易軸を
持つ磁性層としては例えばスバッタリング法や蒸着法で
形成されたＣｏ−０ｒ。
記録媒体面に対し垂直方向に磁化容易軸を持つ磁性層を
有する垂直磁気記録媒体を用い、これに記録媒体に対し
垂直方向に磁化を行なう垂直磁気記録方法が提案された
。この方法は記録密度が高まる程、記録媒体内の減磁界
が減少するので本質的に高密度記録に適しておシ、多く
の研究がなされている。ここで垂直方向にｍ化容易軸を
持つ磁性層としては例えばスバッタリング法や蒸着法で
形成されたＣｏ−０ｒ。
Ｃｏ−０ｌＣｏ−Ｐｔ ＋ ０ｏ−Ｐｖ ＋ Ｆｅ５Ｏ
ａ ＋ ＢａＦｅ５ｚＯｓｓ ＋Ｏａｒ・３０４薄膜が
検討されている。また他には無電解めっき法による０ｏ
−Ｎ１−Ｐｔ（Ｒ・）、さらには塗布方法によってＢａ
Ｆｅ５ｚＯｓｓ ＋ ｒ−Ｆ＠！０１１ＯｒＯ１の強磁
性微粉末を結合剤とともに支持体上に付着せしめ、磁場
配向によって磁化容易軸を垂直方向に揃える方法も検討
されている。
ａ ＋ ＢａＦｅ５ｚＯｓｓ ＋Ｏａｒ・３０４薄膜が
検討されている。また他には無電解めっき法による０ｏ
−Ｎ１−Ｐｔ（Ｒ・）、さらには塗布方法によってＢａ
Ｆｅ５ｚＯｓｓ ＋ ｒ−Ｆ＠！０１１ＯｒＯ１の強磁
性微粉末を結合剤とともに支持体上に付着せしめ、磁場
配向によって磁化容易軸を垂直方向に揃える方法も検討
されている。
しかし、塗布方法によるものは結合剤を用いるため、磁
性層の磁化量が減少するために記録密度を向上させるに
はスパッタリング法や蒸着法等のＰＶＤ法によるものや
、めっき法による方が好ましい。
性層の磁化量が減少するために記録密度を向上させるに
はスパッタリング法や蒸着法等のＰＶＤ法によるものや
、めっき法による方が好ましい。
これらの材料のうち、ｈａｐ ｔｄｌ造のマグネドブラ
ムノ々イト型酸化物磁性体は磁気異方性が大きく、化学
的に高安定であり、さらにコストが安い等の利点がある
ため多くの研究がなされている０ 従来、ｈａｐ構造でマグネドブラムノマイト型結晶構造
を有する一般式ＭＦ・１２０□９で表わされる強磁性酸
化物薄膜はＰＶＤ法による場合シリコンウェーハー等の
耐熱性を有する支持体上に支持体温度５ｏｏｃ以上にし
て成膜する必要があった。５００Ｃよシ低いとアモルフ
ァス膜となフ磁性を示さなくな力、しかもＣ面配向性の
良い、すなわち垂直磁化膜として好ましい膜を得ようと
するとＺｎＯ等の下地層が必要であった。しかし、現在
のところ５ｏｏｃ以上の温度で熱変形の生じないプラス
チックフィルムがないため、上記強磁性酸化物薄膜を用
いた連続磁性膜を有するテープ状磁気記録媒体を得るこ
とは困難であった。
ムノ々イト型酸化物磁性体は磁気異方性が大きく、化学
的に高安定であり、さらにコストが安い等の利点がある
ため多くの研究がなされている０ 従来、ｈａｐ構造でマグネドブラムノマイト型結晶構造
を有する一般式ＭＦ・１２０□９で表わされる強磁性酸
化物薄膜はＰＶＤ法による場合シリコンウェーハー等の
耐熱性を有する支持体上に支持体温度５ｏｏｃ以上にし
て成膜する必要があった。５００Ｃよシ低いとアモルフ
ァス膜となフ磁性を示さなくな力、しかもＣ面配向性の
良い、すなわち垂直磁化膜として好ましい膜を得ようと
するとＺｎＯ等の下地層が必要であった。しかし、現在
のところ５ｏｏｃ以上の温度で熱変形の生じないプラス
チックフィルムがないため、上記強磁性酸化物薄膜を用
いた連続磁性膜を有するテープ状磁気記録媒体を得るこ
とは困難であった。
目 的
本発明はシート、カード、デスク、ドラムはもとより長
尺テープ等の任意の形状となし得、しかも広範囲の材質
からなる支持体上にＣ面配向性の良い、換言すれば垂直
磁化膜としたマグネドブラムノマイト型強磁性酸化物磁
性層を有する磁気記録媒体の製造方法を提供することを
目的とする。
尺テープ等の任意の形状となし得、しかも広範囲の材質
からなる支持体上にＣ面配向性の良い、換言すれば垂直
磁化膜としたマグネドブラムノマイト型強磁性酸化物磁
性層を有する磁気記録媒体の製造方法を提供することを
目的とする。
構 成
本発明は、支持体上に、一般式
ＭＦｅ１２Ｏ１９
（式中、ＭはＢ亀＋ Ｐ ｂ ＋ Ｓ ｒおよびＳｃか
らなる群から選ばれた少くとも１種の元素）で表わされ
る強磁性酸化物からなる磁性層を設けた磁気記録媒体を
製造するに際し、支持体温度を２００Ｃ未満とし、ＰＶ
Ｄ法によって前記一般式で表わされるアモルファス状薄
膜層を設け、次にこの簿膜層のみを加熱して結晶状のＣ
面配向性のよい強磁性酸化物からなる磁性層となすこと
を特徴とするものである。
らなる群から選ばれた少くとも１種の元素）で表わされ
る強磁性酸化物からなる磁性層を設けた磁気記録媒体を
製造するに際し、支持体温度を２００Ｃ未満とし、ＰＶ
Ｄ法によって前記一般式で表わされるアモルファス状薄
膜層を設け、次にこの簿膜層のみを加熱して結晶状のＣ
面配向性のよい強磁性酸化物からなる磁性層となすこと
を特徴とするものである。
上記の如き本発明においては、ｈｃｐ構造でマグネトプ
ラムバイト型結晶構造を有する一般式ＭＦｅ１２Ｏ１９ らなる群から選ばれる少くとも１種の元素）で表わされ
る強磁性酸化物磁性体を支持体上に設けるに当シ、ＰＶ
Ｄ法によ多支持体温度を２００Ｃ未満で上記一般式で表
わされる薄膜層を支持体に形成するものであり、９の薄
膜層はアモルファス状となシ磁性を示さないが、このア
モルファス薄膜層のみをさらに加熱することで、この薄
膜層を結晶状の０面配向性のよい強磁性層となし得ると
〜・う知見に基づいて成立したものである。このように
本発明では一旦支持体上に低温で磁性を示さないアモル
ファス状薄膜層を形成し、しかる後支持体に影響を与え
ずにこの薄膜層のみを加熱するという２段階処理するこ
とにその要点があるものである。
ラムバイト型結晶構造を有する一般式ＭＦｅ１２Ｏ１９ らなる群から選ばれる少くとも１種の元素）で表わされ
る強磁性酸化物磁性体を支持体上に設けるに当シ、ＰＶ
Ｄ法によ多支持体温度を２００Ｃ未満で上記一般式で表
わされる薄膜層を支持体に形成するものであり、９の薄
膜層はアモルファス状となシ磁性を示さないが、このア
モルファス薄膜層のみをさらに加熱することで、この薄
膜層を結晶状の０面配向性のよい強磁性層となし得ると
〜・う知見に基づいて成立したものである。このように
本発明では一旦支持体上に低温で磁性を示さないアモル
ファス状薄膜層を形成し、しかる後支持体に影響を与え
ずにこの薄膜層のみを加熱するという２段階処理するこ
とにその要点があるものである。
従って、本発明における支持体は、通常、一般式ＭＦｓ
ｌｘＯｔｓを成膜する際の高温に曝されることがないた
め広範囲の材質、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリ
エーテルサルフオン等の耐熱性フィルムは勿論のこと、
ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、三酢酸
セルロース、ぼりカー２ネート、ポリメチルメタクリレ
ートの如きプラスチックも使用することができる。
ｌｘＯｔｓを成膜する際の高温に曝されることがないた
め広範囲の材質、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリ
エーテルサルフオン等の耐熱性フィルムは勿論のこと、
ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、三酢酸
セルロース、ぼりカー２ネート、ポリメチルメタクリレ
ートの如きプラスチックも使用することができる。
さらにまた従来から用いられているシリコンウェーハー
やガラス等のセラミックスや金属支持体をも使用し得る
ことはいうまでもない。これら支持体の形状はシート、
カード、ディスク、ドラム等の他、長尺テープ状をもと
９得るものである。
やガラス等のセラミックスや金属支持体をも使用し得る
ことはいうまでもない。これら支持体の形状はシート、
カード、ディスク、ドラム等の他、長尺テープ状をもと
９得るものである。
本発明でマグネトプラム・ぐイト型結晶構造を有する磁
性材料を支持体上に被着させる手段としては、支持体の
温度を２００Ｃ未満とし、磁性層構成原子を飛翔させ得
る真空蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタリン
グ法等のＰＶＤ法ならいずれの方法をも採用し得るが、
大面積化が比較的容易な真空蒸着法が望ましい。
性材料を支持体上に被着させる手段としては、支持体の
温度を２００Ｃ未満とし、磁性層構成原子を飛翔させ得
る真空蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタリン
グ法等のＰＶＤ法ならいずれの方法をも採用し得るが、
大面積化が比較的容易な真空蒸着法が望ましい。
かくして支持体上に形成される磁性層構成元素は支持体
温度を２００Ｃ未満で被着させるためアモルファス状薄
膜層となシ、磁性を示さないＯ 本発明では以上のようにして支持体に影響を与えない低
温度で被着させたアモルファス状薄膜層のみを加熱する
。この薄膜層のみの加熱は支持体を２００Ｃ以上に加熱
することなく薄膜層を３００Ｃ以上に加熱し得る方法で
あればいかなるものでもよく、具体的にはレーザーーー
ムの照射や高周波加熱法（誘電加熱法）等が好ましく適
用できる。これらによる薄膜層の加熱時間は３０分以内
でよい。この薄膜層の加熱によシアモルファス状薄膜層
が結晶状のＣ面配向性の良い、すなわち垂直磁化容易軸
を有する強磁性酸化物からなる磁性層となる。磁性層の
厚さは０．０１〜５μｍの範囲でよいが、特に０．２〜
１、０μｍが好ましい。
温度を２００Ｃ未満で被着させるためアモルファス状薄
膜層となシ、磁性を示さないＯ 本発明では以上のようにして支持体に影響を与えない低
温度で被着させたアモルファス状薄膜層のみを加熱する
。この薄膜層のみの加熱は支持体を２００Ｃ以上に加熱
することなく薄膜層を３００Ｃ以上に加熱し得る方法で
あればいかなるものでもよく、具体的にはレーザーーー
ムの照射や高周波加熱法（誘電加熱法）等が好ましく適
用できる。これらによる薄膜層の加熱時間は３０分以内
でよい。この薄膜層の加熱によシアモルファス状薄膜層
が結晶状のＣ面配向性の良い、すなわち垂直磁化容易軸
を有する強磁性酸化物からなる磁性層となる。磁性層の
厚さは０．０１〜５μｍの範囲でよいが、特に０．２〜
１、０μｍが好ましい。
本発明ではＺｎＯ等のエピタキシャル成長を期待するよ
うな下地層が無くとも磁性層は良好な垂直磁化膜となし
得るが、下地層を設けることも可能である。また、支持
体上の下地層として断熱性を示す物質、例えばＺｒＯ雪
、 ＱＩＱ 、 ＭｇＯ等を設けてもよいことは勿論で
ある。また磁性層の上に高級脂肪酸やシリコーンオイル
等の潤滑剤層を設けることもできる。さらに、支持体を
挟んで上記磁気記録媒体を２枚背中合せに接合して設け
ることも可能である。
うな下地層が無くとも磁性層は良好な垂直磁化膜となし
得るが、下地層を設けることも可能である。また、支持
体上の下地層として断熱性を示す物質、例えばＺｒＯ雪
、 ＱＩＱ 、 ＭｇＯ等を設けてもよいことは勿論で
ある。また磁性層の上に高級脂肪酸やシリコーンオイル
等の潤滑剤層を設けることもできる。さらに、支持体を
挟んで上記磁気記録媒体を２枚背中合せに接合して設け
ることも可能である。
なお、本発明で磁性層として用いた一般式ＭＦｅ１２Ｏ
１９ Ｓｎ、Ｏｕ、Ｏｒ、Ｍｇ、Ｏａ、Ｂｉ等の他の元素と置
換した強磁性酸化物であってもかまわない。
１９ Ｓｎ、Ｏｕ、Ｏｒ、Ｍｇ、Ｏａ、Ｂｉ等の他の元素と置
換した強磁性酸化物であってもかまわない。
本発明による垂直磁気記録媒体は記録再生用のトランス
デユーサ−として東北大岩崎教授が提案されているよう
な、補助磁極励磁型垂直ヘッドを用いて直接媒体に記録
再生を行う事もできるし、また光磁気記録と言われてい
るような、磁界と熱を用いて磁気光学効果を利用する記
録・再生方式のどちらにも利用可能である。
デユーサ−として東北大岩崎教授が提案されているよう
な、補助磁極励磁型垂直ヘッドを用いて直接媒体に記録
再生を行う事もできるし、また光磁気記録と言われてい
るような、磁界と熱を用いて磁気光学効果を利用する記
録・再生方式のどちらにも利用可能である。
以下に実施例を示す。
実施例
イオンブレーティング装置を用いて、下記条件によりポ
リイミドフィルム（２５μｍ厚）上に厚さ１μｍのＺｎ
Ｏ薄膜を形成した。
リイミドフィルム（２５μｍ厚）上に厚さ１μｍのＺｎ
Ｏ薄膜を形成した。
蒸発材料 ＺｎＯ
支持体温度 ２００Ｃ
真空槽内の背圧 １０−’ Ｔｏｒｒ蒸発源基板
間隔 ３０ｃｒｎ 酸素圧力 ２Ｘ１０−ｊＴｏｒｒ高周波電
力 １２０Ｗ この時のＺｎＯ薄膜のＸ線回折図形にはＺｎＯの０面の
回折ピークしか見られず、また（００２）面の７０弱は
２．９度であった。
間隔 ３０ｃｒｎ 酸素圧力 ２Ｘ１０−ｊＴｏｒｒ高周波電
力 １２０Ｗ この時のＺｎＯ薄膜のＸ線回折図形にはＺｎＯの０面の
回折ピークしか見られず、また（００２）面の７０弱は
２．９度であった。
次に真空蒸着装置を用いて下記条件によシ、上記ＺｎＯ
薄膜上にＢａ、Ｆ＠、Ｏからなる薄膜を付着せしめた。
薄膜上にＢａ、Ｆ＠、Ｏからなる薄膜を付着せしめた。
蒸発材料 ＢａＯ＊６Ｆｅ２０３支持体
温度 １５０Ｃ 真空槽内の背圧 １０ ’ Ｔｏｒｒ蒸発材
料の加熱 電子銃（６ＫＶ 、 １００ｍＡ）
支持体と蒸発源の距離 ２５の このようにして得られた薄膜をＸ線回折装置で調べたと
ころ、結晶を示す回折ピークは見られずアモルファス状
をなしていることが確認された。
温度 １５０Ｃ 真空槽内の背圧 １０ ’ Ｔｏｒｒ蒸発材
料の加熱 電子銃（６ＫＶ 、 １００ｍＡ）
支持体と蒸発源の距離 ２５の このようにして得られた薄膜をＸ線回折装置で調べたと
ころ、結晶を示す回折ピークは見られずアモルファス状
をなしていることが確認された。
次に、市販の電子レンジにて高周波を用いてフィルム上
の薄膜のみを加熱して磁気記録媒体を得た。この時の膜
の温度は５５０Ｃであった。
の薄膜のみを加熱して磁気記録媒体を得た。この時の膜
の温度は５５０Ｃであった。
またフィルム側で測定し次温度は１８０Ｃであった。こ
の磁気記録媒体にはＢａ０・６Ｆの、０３の（００６）
（００８）およびこれに平行な面のＸ線回折ピークのみ
が見られ、Ｃ面配向した良好な垂直礎気記録媒体となっ
てい九。磁性層の厚さは０，４μｍであった。また、支
持体として用いたポリイミドフィルムに変形は見られな
かった。
の磁気記録媒体にはＢａ０・６Ｆの、０３の（００６）
（００８）およびこれに平行な面のＸ線回折ピークのみ
が見られ、Ｃ面配向した良好な垂直礎気記録媒体となっ
てい九。磁性層の厚さは０，４μｍであった。また、支
持体として用いたポリイミドフィルムに変形は見られな
かった。
効 果
以上のような本発明によれば、シート、カード、デスク
、ドラム、長尺テープ等の任意の形状で、しかも広範囲
の材質から選ばれる支持体上に垂直磁化膜としたマグネ
トプツムノ々イト型強磁性酸化物磁性層を有する磁気記
録媒体が得られる。
、ドラム、長尺テープ等の任意の形状で、しかも広範囲
の材質から選ばれる支持体上に垂直磁化膜としたマグネ
トプツムノ々イト型強磁性酸化物磁性層を有する磁気記
録媒体が得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、支持体上に、一般式 ＭＦｅ＿１＿２Ｏ＿１＿９ （式中、ＭはＢａ、Ｐｂ、ＢｒおよびＳｃからなる群か
ら選ばれた少くとも１種の元素）で表わされる強磁性酸
化物からなる磁性層を設けた磁気記録媒体を製造するに
際し、支持体温度を２００℃未満とし、ＰＶＤ法によっ
て前記一般式で表わされるアモルファス状薄膜層を設け
、次にこの薄膜層のみを加熱して結晶状のＣ面配向性の
よい強磁性酸化物からなる磁性層となすことを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12513285A JPS61284834A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12513285A JPS61284834A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284834A true JPS61284834A (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=14902645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12513285A Pending JPS61284834A (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61284834A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011135018A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Japan Science & Technology Agency | マルチフェロイックス素子 |
-
1985
- 1985-06-11 JP JP12513285A patent/JPS61284834A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011135018A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Japan Science & Technology Agency | マルチフェロイックス素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2173964A (en) | Magneto optical recording medium | |
| KR0144441B1 (ko) | 길이방향 기록용 바륨 페라이트 박막 | |
| US5607781A (en) | Oxide film with preferred crystal orientation, method of manufacturing the same, and magneto-optical recording medium | |
| EP0410627A1 (en) | Oxide film with preferred crystal orientation, method of manufacturing the same, and magneto-optical recording medium | |
| JPS61284834A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH056738B2 (ja) | ||
| Kim et al. | Crystallographic and magnetic properties of CoAl/sub 0.2/Fe/sub 1.8/O/sub 4/thin films prepared by a sol-gel method | |
| JPH0418023B2 (ja) | ||
| JPS60187954A (ja) | 磁性薄膜記録媒体 | |
| Mapps et al. | CoNbFe soft magnetic thin‐film backlayers for glass computer disks | |
| JPS62134817A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS63306515A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6258424A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS62279517A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2553145B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS6224431A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2785272B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2763913B2 (ja) | 磁性膜及びその製造方法 | |
| Carey et al. | Magnetic and magneto-optic properties of ordered barium ferrite films produced by rapid thermal annealing | |
| Tohma et al. | Effect of initial incident angle on magnetic properties of vacuum deposited Co-Cr films | |
| Onishi et al. | Preparation of amorphous magnetic thin film by two source rf magnetron sputtering | |
| JPS59148122A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| RU1793466C (ru) | Магнитооптический носитель информации | |
| Morisako et al. | INFLUENCES OF RF POWER ON THE PROPERTIES OF Ba-FERRITE SPUTTERED FILMS | |
| Arimoto et al. | Effects of Annealing on the Magnetic Properties of High B s CoHfTa Materials |