JPS61281669A - Radiant ray picture information processing method and unit - Google Patents
Radiant ray picture information processing method and unitInfo
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- JPS61281669A JPS61281669A JP60117902A JP11790285A JPS61281669A JP S61281669 A JPS61281669 A JP S61281669A JP 60117902 A JP60117902 A JP 60117902A JP 11790285 A JP11790285 A JP 11790285A JP S61281669 A JPS61281669 A JP S61281669A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、放射線画像を記録したフィルム面及び輝尽性
螢光体層を有する放射線像変換パネル面等の放射線画像
情報記録媒体上面をレーザ光で走査して、光検出器によ
り反射光、透過光乃至は輝尽発光を電気信号に変換して
、該記録媒体面に記録されている放射線画像情報を読取
る方法及び装置及び放射線画像情報をレーザ光を用いて
情報記録媒体上に記録させる装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention is directed to a radiation image information recording medium, such as a film surface on which a radiation image has been recorded and a radiation image conversion panel surface having a photostimulable phosphor layer, which is heated by a laser beam. A method and apparatus for reading radiographic image information recorded on the surface of a recording medium by scanning with light and converting reflected light, transmitted light, or stimulated luminescence into electrical signals by a photodetector, and a radiographic image information The present invention relates to an apparatus for recording information on an information recording medium using laser light.
（従来の技術）
Ｘ線画像のような放射線画像は医療用として多く用いら
れている。この放射線画像を得る一方法として、被写体
を透過した放射線を螢光体ＩＩ（ＩＪｉ光スクリーン）
に照射し、これにより可視光を生じさせて、この可視光
を銀塩感光材料を塗布したフィルムに照射して現像する
、所謂、放射線写真法がある。(Prior Art) Radiographic images such as X-ray images are often used for medical purposes. One way to obtain this radiation image is to use a phosphor II (IJi optical screen) to collect the radiation that has passed through the subject.
There is a so-called radiographic method in which a film coated with a silver salt photosensitive material is developed by irradiating it with visible light to generate visible light and developing the film coated with a silver salt photosensitive material.
又、近年、放射線画像診断技術の進歩に伴い、上記放射
線写真を走査してそこに記録された放射線画像情報を読
取り、ディジタル信号化した後にＣＲＴや感光材料上に
再生する方法が工夫されるようになった。それにより、
１回の放射線撮影からより多くの診断情報が得られるよ
うになり、又、放射線画像情報の保存や検索の効率化と
いう点でも期待がもたれている。In addition, in recent years, with the advancement of radiation image diagnosis technology, methods have been devised to scan the radiograph, read the radiation image information recorded therein, convert it into a digital signal, and then reproduce it on a CRT or photosensitive material. Became. Thereby,
It is now possible to obtain more diagnostic information from a single radiography, and there are also expectations for improving the efficiency of storing and retrieving radiographic image information.
このような写真フィルムを用いた放射線画像情報読取装
置においては、放射線画像を記録した写真フィルムを読
取光であるレーザ光で露光走査し、その反射光又は透過
光を光検出器で検出して電気信号に変換することが行わ
れている。In such a radiation image information reading device using photographic film, a photographic film on which a radiation image is recorded is exposed and scanned with laser light as reading light, and a photodetector detects the reflected or transmitted light and generates electricity. It is being converted into a signal.
又、一方では、銀塩感光材料からなる放射線写真フィル
ムを使用しないで放射線画像を得る方法が工夫されるよ
うになった。このような方法としては、被写体を透過し
た放射線をある種の螢光体に吸収せしめ、然る後、この
螢光体を例えば光又は熱エネルギーで励起することによ
り、この螢光体が前記吸収により蓄積している放射線エ
ネルギーを螢光として放射せしめ、この螢光を検出して
画像化する方法がある。On the other hand, methods for obtaining radiographic images without using radiographic films made of silver salt photosensitive materials have been devised. In such a method, the radiation transmitted through the object is absorbed by a certain kind of phosphor, and then this phosphor is excited by, for example, light or thermal energy, so that the phosphor absorbs the radiation transmitted through the object. There is a method in which the accumulated radiation energy is emitted as fluorescence, and this fluorescence is detected and imaged.
例えば、英国特許第１４６２７６９号及び特開昭５１−
２９８８９号には、螢光体として熱輝尽性螢光体を用い
る方法が示されている。この方法は、支持体上に熱輝尽
性螢光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用する
もので、この放射線画像変換パネルの熱輝尽性螢光体層
に被写体を透過した放射線を吸収させて、被写体各部の
放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて
潜像を形成し、然る後、この熱輝尽性螢光体層を加熱す
ることによって輝尽励起し、パネルの各部に蓄積された
放射線エネルギーを光の信号として取出し、この光の強
弱によって放射線画像を得るもの、である。For example, British Patent No. 1462769 and Japanese Patent Application Laid-Open No.
No. 29889 discloses a method using a heat-stimulable phosphor as the phosphor. This method uses a radiation image conversion panel in which a heat-stimulable phosphor layer is formed on a support. It is absorbed and accumulates radiation energy corresponding to the radiation transmittance of each part of the subject to form a latent image.Then, this heat-stimulable phosphor layer is heated to excite it, and the panel It extracts the radiation energy accumulated in each part as a light signal, and obtains a radiation image based on the intensity of this light.
又、例えば、米国特許第３８５９５２７号及び特開昭５
５−１２１４４号には、螢光体として光輝尽性螢光体を
用いる方法が示されている。この方法は支持体上に光輝
逆性螢光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用す
るもので、該パネル上に上述のように人体等の被写体の
Ｘ線画像を形成・記録した後、この光輝逆性螢光体層を
輝尽励月光（例えばレーザ光等）で走査することによっ
て、パネル各部に蓄積された放射線エネルギーを光の信
号（輝尽発光）として取出し、この光信号を光検出器、
例えば光電子増倍管、フォトダイオード等の光電変換素
子等で検出して電気信号に変換する。又、輝尽励起光た
るレーザ光としては、アルゴンイオンレーザ、ヘリウム
ネオンレーザ、半導体レーザ等が発するレーザ光が用い
られている。Also, for example, US Pat. No. 3,859,527 and Japanese Patent Application Laid-open No.
No. 5-12144 discloses a method using a photostimulable phosphor as the phosphor. This method uses a radiation image conversion panel in which a photoluminescent reverse phosphor layer is formed on a support, and after forming and recording an X-ray image of a subject such as a human body on the panel as described above, By scanning this photoluminescent reverse phosphor layer with stimulated moonlight (for example, laser light), the radiation energy accumulated in each part of the panel is extracted as a light signal (stimulated luminescence), and this optical signal is converted into a light signal. Detector,
For example, it is detected by a photoelectric conversion element such as a photomultiplier tube or a photodiode, and converted into an electrical signal. Further, as the laser light serving as the stimulated excitation light, laser light emitted by an argon ion laser, a helium neon laser, a semiconductor laser, etc. is used.
上述のような放射線写真システムにおいては、輝尽性螢
光体及びＸ線画像情報の記録されたＸ線フィルムの何れ
を用いた方法においても、放射線画像情報を電気信号に
変換した後、該電気信号に対して演算を実行し、空間周
波数処理や階調処理等を行って再生画像の鮮鋭性やコン
トラスト等を改良する放射線画像処理方法を用いること
ができる。この最終的なｉｉ！ｉｉ像はハードコピーと
して再生してもよいし、ＣＲＴ上に再生してもよい。In the above-mentioned radiographic system, regardless of the method using a photostimulable phosphor or an X-ray film on which X-ray image information is recorded, the radiographic image information is converted into an electrical signal, and then the electrical signal is A radiation image processing method can be used that performs calculations on signals and performs spatial frequency processing, gradation processing, etc. to improve the sharpness, contrast, etc. of a reproduced image. This final ii! The ii image may be reproduced as a hard copy or on a CRT.
（発明が解決しようとする問題点）
このような放射線画像読取装置においては、読取光輝尽
励起光として用いる光、例えばレーザ光の変動は、その
まま反射光９透過光又は輝尽発光の変動となり、結局、
得られた放射線画像情報が、放射線画像情報記録媒体（
放射線写真フィルムや放ｍｓ画像変換パネル）上の情報
と異なってしまう。(Problems to be Solved by the Invention) In such a radiation image reading device, fluctuations in the light used as the reading light stimulated excitation light, such as laser light, directly result in fluctuations in reflected light 9 transmitted light or stimulated luminescence. in the end,
The obtained radiation image information is stored in a radiation image information recording medium (
The information may be different from the information on the radiographic film or radioms image conversion panel).
従来知られている放射線画像情報読取装置における励起
光源であるレーザ光源としては、半導体レーザ、ガスレ
ーザ等がある。ガスレーザを使用したのは、レーザ自体
が大型であり、消費電力が大きく、それゆえ、発熱も大
であり、且つ光出力安定化のために外部に回路が必要で
あり、且つ光学系が大規模になるという不具合を有する
。それに比して半導体レーザを用いたものでは、光出力
は大きく消費電力が小さく、光学系もコンパクトになる
という長所がある。しかしながら、唯一欠点は、光出力
の変動が大きいことである。Laser light sources that are excitation light sources in conventionally known radiation image information reading devices include semiconductor lasers, gas lasers, and the like. Gas lasers were used because the laser itself is large, consumes a lot of power, generates a lot of heat, requires an external circuit to stabilize the light output, and has a large optical system. It has the problem of becoming. In comparison, those using semiconductor lasers have the advantage of high optical output, low power consumption, and compact optical system. However, the only drawback is the large variation in light output.
従来では、この変動を除去し、高安定な光出力を得るた
めに、半導体レーザに内蔵されたモニタ用フォトダイオ
ードを用いて、フィードバックを施していた。しかしな
がら、光出力をフィードバックすることにより、安定化
した半導体レーザ装置を画像情報読取装置に実際に供し
てみると、光源として安定であるはずの半導体レーザの
光出力が大きく変動し、使用に耐えないことがわかった
。Conventionally, in order to eliminate this fluctuation and obtain highly stable optical output, feedback was provided using a monitoring photodiode built into the semiconductor laser. However, when a semiconductor laser device stabilized by feedback of optical output is actually used in an image information reading device, the optical output of the semiconductor laser, which is supposed to be stable as a light source, fluctuates greatly, making it unusable. I understand.
そこで、出願人はその原因を追及してみた。この結果、
半導体レーザの自己発熱により、半導体レーザ内部の共
振器長等が変化し、発振波長が変化することに伴い、光
出力が階段状に変化したり（モードホッピング）、光出
力中の光ノイズが大きくなることがわかった。Therefore, the applicant tried to investigate the cause. As a result,
Due to the self-heating of the semiconductor laser, the resonator length inside the semiconductor laser changes, and as the oscillation wavelength changes, the optical output may change stepwise (mode hopping) and the optical noise during the optical output may become large. I found out that it will happen.
第１１図は半導体レーザ装置の出力光とコントロール電
圧（乃至は印加電圧）との関係を示す図である。図にお
いて、縦軸は光出力、横軸はコントロール電圧を示す。FIG. 11 is a diagram showing the relationship between the output light of the semiconductor laser device and the control voltage (or applied voltage). In the figure, the vertical axis shows the optical output, and the horizontal axis shows the control voltage.
図より明らかなように、Ａ点と８点の光出力が階段状に
変化している。このような特性を有する半導体レーザ装
置を光源として用いても、放射線画像情報記録媒体から
正確な画像を再生することはできない。As is clear from the figure, the light outputs at point A and point 8 change stepwise. Even if a semiconductor laser device having such characteristics is used as a light source, an accurate image cannot be reproduced from a radiation image information recording medium.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであって、
その目的は、半導体レーザを用いても正確な画像情報を
再生することができる放射線画像情報読取（処理）方法
及び装置を実現することにあり、併せて、情報記録媒体
に正確な放射線画像情報を記録することができる放射線
画像情報記録（処理）装置を実現することにある。The present invention has been made in view of these points, and
The purpose is to realize a radiation image information reading (processing) method and device that can reproduce accurate image information even using a semiconductor laser, and also to provide accurate radiation image information on an information recording medium. The object of the present invention is to realize a radiation image information recording (processing) device that can record radiation image information.
（問題点を解決するための手段）
前記した問題点を解決する第１の発明は、放射線画像情
報が記録された放射線画像情報記録媒体上をレーザ光で
走査し、放射線画像情報記録媒体からの反射光、透過光
或いは輝尽発光を集光し、電気信号に変換して画像情報
として読取る場合に、前記、レーザ光を半導体レーザの
モードホッピング点を避けて発生させるようにしたこと
を特徴とするものであり、第２の発明は、放射線画像情
報が記録された放射線画像情報記録媒体上をレーザ光で
走査し、放射線画像情報記録媒体からの反射光。(Means for Solving the Problems) A first invention for solving the above-described problems is to scan a radiation image information recording medium on which radiation image information is recorded with a laser beam, and to scan the radiation image information recording medium on which radiation image information is recorded. When reflected light, transmitted light, or stimulated luminescence is collected, converted into an electrical signal, and read as image information, the laser light is generated avoiding the mode hopping point of the semiconductor laser. A second aspect of the present invention is to scan a radiation image information recording medium on which radiation image information is recorded with a laser beam, and to generate reflected light from the radiation image information recording medium.
透過光或いは輝尽発光を集光し、電気信号に変換して画
像情報として読取る放射線画像情報読取装置において、
前記レーザ光をモードホッピング点を避けて発生させる
ように構成したことを特徴とするものであり、第３の発
明は、複数個の半導体レーザと、各半導体レーザ毎に設
けられた複数個の半導体レーザ変調手段と、各放射線画
像信号を受けて対応する半導体レーザのモードホッピン
グ点を避けた範囲で変調を行って対応する半導体レーザ
変調手段に与える複数個の画像変調回路とによりなり、
前記複数個の半導体レーザの画像変調出力光を情報記録
媒体上に照射せしめることにより放ｆＪＪ線画像情報を
記録するように構成したことを特徴とするものである。In a radiation image information reading device that collects transmitted light or stimulated luminescence, converts it into an electrical signal, and reads it as image information,
The third invention is characterized in that the laser beam is generated avoiding a mode hopping point, and a third invention includes a plurality of semiconductor lasers and a plurality of semiconductors provided for each semiconductor laser. It consists of a laser modulation means, and a plurality of image modulation circuits that receive each radiation image signal, perform modulation within a range avoiding the mode hopping point of the corresponding semiconductor laser, and provide the modulation to the corresponding semiconductor laser modulation means,
The present invention is characterized in that it is configured to record radiation JJ ray image information by irradiating image modulated output light from the plurality of semiconductor lasers onto an information recording medium.
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
まず、本発明に係る放射線画像情報読取（処理）方法に
ついて、第１図に示すフローチャートを参照しながら詳
細に説明する。First, the radiation image information reading (processing) method according to the present invention will be explained in detail with reference to the flowchart shown in FIG.
（ステップ１）
使用する半導体レーザのモードホッピング点を予め記憶
しておく。半導体レーザのコントロール電圧と光出力と
の関係は、第１１図に示すようなものとなるが、光出力
特性及びモードホッピング点の数は、使用する半導体レ
ーザの種類によって異なる。そこで、使用する半導体レ
ーザについて予め第１１図に示すような光出力特性を調
べておく必要がある。(Step 1) The mode hopping point of the semiconductor laser to be used is memorized in advance. The relationship between the control voltage and optical output of the semiconductor laser is as shown in FIG. 11, but the optical output characteristics and the number of mode hopping points vary depending on the type of semiconductor laser used. Therefore, it is necessary to investigate the optical output characteristics of the semiconductor laser to be used as shown in FIG. 11 in advance.
（ステップ２）
ステップ１で、使用する半導体レーザの光出力特性を求
めたら、所定のコントロール電圧で半導体レーザを駆動
する。この場合において、光出力がモードホッピング点
に陥らないようにコントロール電圧を制御する必要があ
る。図示されていないが、ステップ２は、以下のス、テ
ップでも常時行う。(Step 2) After determining the optical output characteristics of the semiconductor laser to be used in step 1, the semiconductor laser is driven with a predetermined control voltage. In this case, it is necessary to control the control voltage so that the optical output does not fall into the mode hopping point. Although not shown, step 2 is always performed in the following steps.
（ステップ３）
放射線画像情報記録媒体上をレーザ光で走査する。この
場合の走査としては、放射線画像情報記録媒体の搬送方
向に走査する副走査と、放射線画像情報記録媒体の搬送
方向と直角方向に走査する主走査がある。(Step 3) Scan the radiation image information recording medium with a laser beam. Scanning in this case includes sub-scanning in the direction of conveyance of the radiation image information recording medium and main scanning in a direction perpendicular to the direction of conveyance of the radiation image information recording medium.
（ステップ４）
放射線画像情報記録媒体上をレーザ光で走査することに
より生じる反射光、透過光或いは輝尽発光を集光する。(Step 4) Reflected light, transmitted light, or stimulated luminescence generated by scanning the radiation image information recording medium with laser light is collected.
集光する手段としては、レンズや光フアイバ集合体が用
いられる。次に集光した光学情報を光電子増倍管等の光
電変換手段により電気信号（画像信号）に変換する。A lens or an optical fiber assembly is used as a means for condensing light. Next, the collected optical information is converted into an electrical signal (image signal) by a photoelectric conversion means such as a photomultiplier tube.
（ステップ５）
ステップ４で求めた画像信号に種々の信号処理を行って
画像を再生する。信号処理の方法としては、例えば、画
像信号をＡ／Ｄ変換器でディジタルデータに変換し、変
換されたディジタルデータを２ ＋１１画像化すること
が考えられる。画像の再生手段としては、ＣＲＴに表示
したり、ドツトプリンタや熱転写プリンタを用いて用紙
に記録することが考えられる。(Step 5) Various signal processing is performed on the image signal obtained in step 4 to reproduce the image. As a signal processing method, for example, an image signal may be converted into digital data using an A/D converter, and the converted digital data may be converted into a 2+11 image. Possible image reproduction means include displaying the image on a CRT or recording it on paper using a dot printer or a thermal transfer printer.
次に、本発明方法を実施するための放射線画像情報読取
（処理）装置について説明する。第２因は本発明に係る
放射線画像情報読取（処理）装置の一実施例の概略斜視
図であり、第３図はその模弐因である。これらの図にお
いて、輝尽性螢光体層を有する放射線変換パネル１０は
、矢印方向く副走査方向）に°直線運動をするホルダ１
１に載置され、副走査が行われると共に、本発明の特徴
部分である半導体レーザ装ｆｌ１２から出射した輝尽励
起光たるレーザ光りはコリメータレンズ１３゜レーザの
発光波長域のみを透過させるフィルタ１４を透過し、ガ
ルバノミラ−１５で主走査され、「θレンズ１６を透過
して、パネル１０に照射される。レーザ光りが照射され
ることにより、パネル１０から記録されている放射線画
像が輝尽発光となって現われる。この輝尽発光は、光フ
アイバ集合１体１７によって集光され、輝尽発光波長領
域のみ透過させるフィルタ１８を通して、光電子増倍管
１９等の光検出器に導かれ、光電変換されて電気信号と
なり出力される。出力された電気信号は図示しない信号
処理器等を経て、銀塩フィルムに出力され、又はＣＲＴ
等に表示されて記録画像の視覚化が行われる。第４図は
放射線画像情報記録媒体として放射線画像を記録した写
真フィルムを用いた放射線画像情報読取（処理）装置の
概略斜視図を示している。放射線画像情報を記録した写
真フィルム２０は、矢印方向（副走査方向）に図示しな
い搬送手段によって直線運動し、副走査が行われると共
に、本発明の特徴部分である半導体レーザ装Ｗ１２１か
ら出射した読取光たるレーザ光りは、コリメータレンズ
２２．レーザの波長域のみを透過させるフィルタ２３を
透過し、ミラー２４を介して、ガルバノミラ−２５で主
走査され、［θレンズ２６を透過し、写真フィルム２０
に照射される。写真フィルム２０を透過したレーザ光り
は、写真フィルム２０の濃度に応じた光量の光に変換さ
れ、光フアイバ集合体２７に入射・集光され、光電子増
倍管２８等の光検出器に導かれ、光電変換され、電気信
号となり出力される。出力された電気信号は図示しない
信号処理器等を経て、銀塩感光性フィルム等に出力され
、又はＣＲＴに表示されることによって視覚化される。Next, a radiation image information reading (processing) device for carrying out the method of the present invention will be described. The second factor is a schematic perspective view of one embodiment of the radiation image information reading (processing) device according to the present invention, and FIG. 3 is a model thereof. In these figures, a radiation conversion panel 10 having a photostimulable phosphor layer is attached to a holder 1 that moves linearly in the direction of the arrow (sub-scanning direction).
1, sub-scanning is performed, and the laser light, which is the stimulated excitation light emitted from the semiconductor laser device fl12, which is a characteristic part of the present invention, is passed through a collimator lens 13 and a filter 14 that transmits only the emission wavelength range of the laser. It passes through the laser beam, is main-scanned by the galvanometer mirror 15, passes through the θ lens 16, and is irradiated onto the panel 10.By being irradiated with laser light, the radiation image recorded from the panel 10 is stimulated by photoluminescence. This stimulated luminescence is collected by an optical fiber assembly 17, passed through a filter 18 that transmits only the stimulated luminescence wavelength region, and guided to a photodetector such as a photomultiplier tube 19 for photoelectric conversion. The output electric signal is outputted as an electric signal through a signal processor (not shown) and output to a silver halide film or a CRT.
etc., to visualize the recorded image. FIG. 4 shows a schematic perspective view of a radiation image information reading (processing) device using a photographic film on which radiation images are recorded as a radiation image information recording medium. The photographic film 20 on which radiographic image information has been recorded is linearly moved in the direction of the arrow (sub-scanning direction) by a conveying means (not shown), sub-scanning is performed, and reading light emitted from the semiconductor laser device W121, which is a feature of the present invention, is moved linearly in the direction of the arrow (sub-scanning direction). The laser beam is transmitted through the collimator lens 22. It passes through a filter 23 that transmits only the wavelength range of the laser, passes through a mirror 24, is main-scanned by a galvanometer mirror 25, passes through a θ lens 26, and then passes through a photographic film 20.
is irradiated. The laser light transmitted through the photographic film 20 is converted into light with an amount corresponding to the density of the photographic film 20, is incident on and focused on the optical fiber assembly 27, and is guided to a photodetector such as a photomultiplier tube 28. , is photoelectrically converted and output as an electrical signal. The output electric signal passes through a signal processor (not shown), and is output to a silver salt photosensitive film or the like, or visualized by being displayed on a CRT.
次に、本発明の特徴部分である半導体レーザ装置１２．
２１について詳しく説明する。第５図は半導体レーザ装
置の一実施例を示す構成図である。Next, the semiconductor laser device 12 which is a characteristic part of the present invention.
21 will be explained in detail. FIG. 5 is a configuration diagram showing an embodiment of a semiconductor laser device.
図において、３１は半導体レーザ素子、３２は該半導体
レーザ素子３１の出力光を受けるモニタ用のフォトダイ
オード、３３は半導体レーザ素子３１とモニタ用フォト
ダイオード３２よりなる半導体レーザパッケージである
。このように半導体レーザ素子３１とモニタ用フォトダ
イオード３２を同一パッケージ内に収めたものが好適に
用いられるが、以下の説明で理解できるように、別個で
あってもさしつかえない。半導体レーザパッケージ３３
は、ベルチェ素子等の冷却加熱機構を備えた素子を内包
する台座３４に固定されている。勿論、台座３４はベル
チェ素子等の冷却加熱機構を備えた素子そのものでもよ
いし、台座３４とベルチェ素子等の冷却加熱機構を備え
た素子とが良好に熱結合されているものであればよい。In the figure, 31 is a semiconductor laser element, 32 is a monitoring photodiode that receives output light from the semiconductor laser element 31, and 33 is a semiconductor laser package comprising the semiconductor laser element 31 and the monitoring photodiode 32. As described above, it is preferable to use a package in which the semiconductor laser element 31 and the monitoring photodiode 32 are housed in the same package, but as will be understood from the following explanation, they may be separated. Semiconductor laser package 33
is fixed to a pedestal 34 containing an element provided with a cooling/heating mechanism such as a Vertier element. Of course, the pedestal 34 may be an element itself equipped with a cooling/heating mechanism such as a Beltier element, or it may be any element as long as the pedestal 34 and an element equipped with a cooling/heating mechanism such as a Beltier element are well thermally coupled.
当然ながら台座３４と半導体レーザパッケージ３３は良
好に熱結合されている。サーミスタ等の温度検出素子３
５は、レーザパッケージ３３と良好に熱結合されていて
、レーザパッケージ３３ひいては半導体し一ザ素子（レ
ーザ要素）３１の温度を検出し、温度制御装＠３６に温
度検出素子３５の出力が伝送されるようになっている。Naturally, the pedestal 34 and the semiconductor laser package 33 are well thermally coupled. Temperature detection element 3 such as a thermistor
5 is well thermally coupled to the laser package 33, detects the temperature of the laser package 33 and the semiconductor laser element (laser element) 31, and transmits the output of the temperature detection element 35 to the temperature control device @36. It has become so.
ここで、温度制御装置３６は、設定温度と半導体レーザ
パッケージ３３ひいては半導体レーザ素子３１の温度が
上昇しすぎてレーザ素子の寿命を縮めたり、低下しすぎ
て結露しないように、ベルチェ素子等の冷却加熱機構を
備えた素子を駆動する。Here, the temperature control device 36 cools the Vertier element, etc., so that the set temperature and the temperature of the semiconductor laser package 33 and the semiconductor laser element 31 will rise too much and shorten the life of the laser element, or fall too much and cause dew condensation. Drive the element with a heating mechanism.
３７は、半導体レーザ素子３１をその光出力が一定にな
るように駆動する光出力安定化装置付レーザ駆動装置で
、その内部構成は、例えば第６図に示すようになってい
る。即ら、モニタ用フォトダイオード３２の出力は、フ
ォトアンプＵ１で増幅された後、差動増幅器Ｕ２に入る
。該差動増幅器Ｕ２は、この入力信号とコントロール電
圧ＶＯとを比較し、入力信号がＶｏと等しくなるような
負帰還制御を行って半導体レーザ素子３１を駆動する。Reference numeral 37 denotes a laser driving device with an optical output stabilizing device for driving the semiconductor laser element 31 so that its optical output becomes constant, and its internal configuration is as shown in FIG. 6, for example. That is, the output of the monitor photodiode 32 is amplified by the photoamplifier U1 and then enters the differential amplifier U2. The differential amplifier U2 compares this input signal with a control voltage VO, performs negative feedback control such that the input signal becomes equal to Vo, and drives the semiconductor laser element 31.
このように構成された半導体レーザ装置の動作を説明す
れば、以下の通りである。The operation of the semiconductor laser device configured as described above will be explained as follows.
半導体レーザ素子３１から出射されるレーザ光は、輝尽
励起光として利用されるレーザ光Ｌ＋とモニタ用フォト
ダイオード３２へ入射されるレーザ光Ｌ２とに分けられ
る。このうち、レーザ光Ｌ２はモニタ用フォトダイオー
ド３２で充電変換され、光出力安定化装置付半導体レー
ザ駆動装置ｉ３７に送られ、光電変換した信号が一定に
なるように、即ち、レーザ光Ｌ２の光強度が一定になる
ように半導体レーザ素子３１の駆動電流が調節される。The laser light emitted from the semiconductor laser element 31 is divided into laser light L+ used as stimulated excitation light and laser light L2 incident on the monitoring photodiode 32. Of these, the laser beam L2 is charged and converted by the monitoring photodiode 32, and sent to the semiconductor laser drive device i37 with an optical output stabilization device, so that the photoelectrically converted signal becomes constant, that is, the light of the laser beam L2 is The drive current of the semiconductor laser element 31 is adjusted so that the intensity is constant.
尚、この光安定化は、従来の技術の項で第１１図につい
て説明した光出力が階段状に変化又は光出力中のノイズ
が大きくなる点では良好に動作しない。Note that this optical stabilization does not work well in the case where the optical output changes stepwise or the noise in the optical output becomes large, as explained with reference to FIG. 11 in the section of the prior art.
即ち、半導体レーザ素子３１の光出力特性は第１１図に
示すように、複数個のモードホッピング点をもつため、
モードホッピング点に対応したコントロール電圧Ｖｏで
半導体レーザ素子３１を駆動することは避けなければな
らない。第７図は半導体レーザ素子駆動回路の具体的構
成を示す図である。半導体レーザ素子ＬＤから出射され
たレーザ光をフォトダイオードＰＤで受光して、電気信
号（Ｎ源信号）に変換する。この電流信号は増幅器Ａ１
で電圧信号変換される。この時、フォトダイオードＰＤ
の出力電流は受けた光量に比例する。That is, since the optical output characteristic of the semiconductor laser element 31 has a plurality of mode hopping points as shown in FIG.
It is necessary to avoid driving the semiconductor laser element 31 with the control voltage Vo corresponding to the mode hopping point. FIG. 7 is a diagram showing a specific configuration of a semiconductor laser element drive circuit. Laser light emitted from the semiconductor laser element LD is received by a photodiode PD and converted into an electric signal (N source signal). This current signal is applied to amplifier A1
The voltage signal is converted by At this time, the photodiode PD
The output current of is proportional to the amount of light received.
増幅器Ａ＋の出力は、差動増幅器Ａ２の一方の入力に入
る。該差動増幅器△２の他方の入力には、ツェナーダイ
オードＺＤよりつくられた基準電圧ＥＳを可変抵抗で分
圧したものが、コントロール電圧Ｖｏとして入っている
。そして、該差動増幅器Ａ２は、増幅器Ａ＋の出力（と
りもなおさず半導体レーザ素子ＬＤの光出力）がコント
ロール電圧Ｖｏに等しくなるように、半導体レーザ素子
ＬＤに流す電流を制御する。尚、図中のＴｒは電流ブー
スト用のトランジスタである。ここで、コントロール電
圧Ｖｏを、モードホッピング点を避けて選択すれば、半
導体レーザ素子ＬＤからは階段状の出力光変化は生じな
いので、安定なレーザ光が得られることになる。The output of amplifier A+ enters one input of differential amplifier A2. The other input of the differential amplifier Δ2 receives a control voltage Vo obtained by dividing the reference voltage ES produced by the Zener diode ZD using a variable resistor. The differential amplifier A2 controls the current flowing through the semiconductor laser device LD so that the output of the amplifier A+ (the optical output of the semiconductor laser device LD) becomes equal to the control voltage Vo. Note that Tr in the figure is a current boost transistor. Here, if the control voltage Vo is selected while avoiding the mode hopping point, a stepwise change in the output light will not occur from the semiconductor laser element LD, and thus stable laser light will be obtained.
第８図及び第９図は、第１１図に示す特性のモードホッ
ピング点Ａ又はＢ点の近くに対応したコントロール電圧
で半導体レーザ素子を駆動した時の光出力の経時変化を
示す図である。何れも縦軸は光出力、横軸は時間である
。第９図では光出力中のノイズが非常に大きくなってお
り、時間と共にノイズ量も変化している。ノイズの大き
くなる点では、光出力とそのノイズ量の比が２０ｄＢ以
下になる点も観測された。8 and 9 are diagrams showing changes over time in optical output when a semiconductor laser element is driven with a control voltage corresponding to the vicinity of the mode hopping point A or B of the characteristics shown in FIG. 11. In both cases, the vertical axis is optical output, and the horizontal axis is time. In FIG. 9, the noise in the optical output has become very large, and the amount of noise changes with time. It was also observed that at points where the noise increased, the ratio of the optical output to the amount of noise became 20 dB or less.
第１０図は半導体レーザの温度を変化させたときのコン
トロール電圧と光出力の関係を示す図である。図におい
て、縦軸は光出力電流、横軸はコントロール電圧を示す
。同図から、温度の変化によってモードホッピング点が
移動しているのがわかる。例えば温度Ｔｉでは、（ｂ
’）に示すように温度Ｔｏで安定した光出力Ｉｏを得た
。コントロール電圧で発光させると、モードホッピング
により光出力が移動するために安定した光出力Ｉｏが得
られない。従って、第８図及び第９図において、光出力
が変動したりしなかったりしているのは、半導体レーザ
自身の発熱によってレーザの温度が変動しているためで
あることがわかる。FIG. 10 is a diagram showing the relationship between control voltage and optical output when the temperature of the semiconductor laser is changed. In the figure, the vertical axis shows the optical output current, and the horizontal axis shows the control voltage. From the figure, it can be seen that the mode hopping point moves as the temperature changes. For example, at temperature Ti, (b
As shown in '), a stable optical output Io was obtained at the temperature To. If light is emitted using a control voltage, a stable optical output Io cannot be obtained because the optical output shifts due to mode hopping. Therefore, it can be seen that the reason why the optical output fluctuates and does not change in FIGS. 8 and 9 is because the temperature of the laser changes due to the heat generated by the semiconductor laser itself.
このようなモードホッピング点の移動の影響を受けない
ために温度下１〜Ｔ２の範囲で、光出力として光出力ｉ
ｓの領域を選択すれば、安定した光出力が得られる。一
方、光出力！Ｓの領域を拡げるためにはモードホッピン
グ点の移動を小さくし、若しくは固定すればよい。In order to be unaffected by such movement of the mode hopping point, the optical output i is reduced within the temperature range 1 to T2.
If the region s is selected, stable light output can be obtained. On the other hand, light output! In order to expand the area of S, the movement of the mode hopping point may be reduced or fixed.
本発明者は、半導体レーザを単に冷却するだけではなく
、例えば２℃〜３℃又は５℃〜６℃内に温度変化を留め
る、或いはある適切な温度で固定すればよいことを見出
した。即ち、利用したい光出力とＡ、Ｂ点のようなモー
ドホッピング点が重ならないように、温度を適切に設定
し、半導体レーザの温度安定化を施すことにより、高安
定なレーザ光が得られた。尚、半導体レーザ発光素子を
構成する基板部のウェハは群格差を有し、半導体レーザ
チップは固体格差を有するため、発光素子の温度特性は
それぞれ異なる。このため、上記温度設定は各レーザ素
子毎に最適値を見出し固定すればよい。The inventors of the present invention have found that it is not only necessary to simply cool the semiconductor laser, but also to keep the temperature change within, for example, 2° C. to 3° C. or 5° C. to 6° C., or to fix it at a certain appropriate temperature. In other words, highly stable laser light can be obtained by appropriately setting the temperature and stabilizing the temperature of the semiconductor laser so that the desired optical output does not overlap with mode hopping points such as points A and B. . Incidentally, since the wafer of the substrate portion constituting the semiconductor laser light emitting element has a group difference, and the semiconductor laser chip has an individual difference, the temperature characteristics of the light emitting elements are different from each other. For this reason, the above-mentioned temperature setting may be determined by finding an optimum value for each laser element and fixing it.
上述の説明においては、半導体レーザに特有のモードホ
ッピング点を避けて放射線画像情報を読取る方法及び装
置について説明した。半導体レーザを、モードホッピン
グ点を常に避けて駆動することができれば、半導体レー
ザ光を放射線画像情報により変調して、その変調光で銀
塩フィルム等の情報記録媒体を露光することにより、放
射線画像情報記録（処理）装置としても利用することが
できる筈である。In the above description, a method and apparatus for reading radiation image information while avoiding mode hopping points specific to semiconductor lasers have been described. If it is possible to drive a semiconductor laser while always avoiding the mode hopping point, it is possible to modulate the semiconductor laser light with radiation image information and expose an information recording medium such as a silver halide film with the modulated light to generate radiation image information. It should also be possible to use it as a recording (processing) device.
第１２図は、このような点に鑑みてなされた放射線画像
情報記録（処理）装置の一実施例を示す構成ブロック図
である。図において、４０は放射線画像が記録される情
報記録媒体で例えば銀塩フィルム、し１〜ＬＮ （Ｎは
整数）は、該情報記録媒体、４０の上部の主走査方向（
Ｘ方向）に１列に配された半導体レーザ、Ｄ１〜ＤＮは
各々対応する半導体レーザを駆動する半導体レーザ変調
手段である。Ｅ１〜ＥＮは、各々放射線画像信号、を受
けて変調処理を行う画像変調回路で、各画像変調回路の
出力は各々対応する半導体レーザ変調手段に与えられる
。ここで、各画像変調回路Ｅ１〜ＥＨに入力される放射
線画像信号は、予めメモリに格納されていたディジタル
データをＤ／Ａ変換器でアナログ画像信号に変換したも
のであってもよいし、或いは、第２図に示す放射線画像
情報読取装置の光電子増倍管の出力を用いるようにして
もよい。このように構成された装置の動作を説明すれば
、以下の通りである。FIG. 12 is a configuration block diagram showing one embodiment of a radiation image information recording (processing) device made in view of the above points. In the figure, 40 is an information recording medium on which a radiation image is recorded, for example a silver halide film, and 1 to LN (N is an integer) are the information recording medium and the upper part of the information recording medium 40 in the main scanning direction (
The semiconductor lasers D1 to DN arranged in a row in the X direction are semiconductor laser modulation means for driving the respective semiconductor lasers. E1 to EN are image modulation circuits that each receive a radiation image signal and perform modulation processing, and the output of each image modulation circuit is given to a corresponding semiconductor laser modulation means. Here, the radiation image signals input to each image modulation circuit E1 to EH may be digital data stored in a memory in advance and converted into an analog image signal by a D/A converter, or , the output of a photomultiplier tube of the radiation image information reading device shown in FIG. 2 may be used. The operation of the device configured as described above will be explained as follows.
各画像変調回路Ｅ１〜ＥＮに入力した放射線画像信号は
、各信号毎に変調された後、対応する半導体レーザ変調
手段に入る。半導体レーザ変調手段ＤＩ−ＤＮは画像変
調回路Ｅ１〜ＥＮからの変調信号に応じて、対応する半
導体レーザし１〜ＬＮ光出力を変調する。この結果、情
報記録媒体４０上には主走査方向に放射線画像情報が記
録される。主走査方向に放射線画像情報が記録されると
、情報記録媒体４０が副走査方向（Ｙ方向）に移動し、
次の放射線画像情報が記録される。このような記録操作
が順次繰返されて情報記録媒体４０上に放射線画像情報
が記録される。The radiation image signals input to each of the image modulation circuits E1 to EN are modulated for each signal and then input to the corresponding semiconductor laser modulation means. The semiconductor laser modulation means DI-DN modulates the optical outputs of the corresponding semiconductor lasers 1 to LN according to the modulation signals from the image modulation circuits E1 to EN. As a result, radiation image information is recorded on the information recording medium 40 in the main scanning direction. When radiation image information is recorded in the main scanning direction, the information recording medium 40 moves in the sub-scanning direction (Y direction),
The following radiation image information is recorded. Such recording operations are sequentially repeated to record radiation image information on the information recording medium 40.
本発明によれば、各画像変調回路Ｅ１〜ＥＮが半導体レ
ーザし！〜ＬＨのモードホッピング点を避けた範囲で変
調を行って、半導体レーザの出力光を変調するので、正
確な放射線画像情報の記録を行うことができる。このよ
うに、本発明によれば、多数個の半導体レーザを使用し
、個々の半導体レーデはモードホッピング点を避けた範
囲で変調し、且つ、得ようとする光出力に応じて点灯す
る半導体レーザの個数を変化させれば、広範囲な光出力
の変調ができる。このようにすれば、多階調記録装置が
得られることになる。According to the present invention, each of the image modulation circuits E1 to EN is a semiconductor laser! Since the output light of the semiconductor laser is modulated by performing modulation in a range that avoids the mode hopping point of ~LH, accurate radiation image information can be recorded. As described above, according to the present invention, a large number of semiconductor lasers are used, each semiconductor laser is modulated within a range that avoids the mode hopping point, and the semiconductor laser is turned on according to the desired optical output. By changing the number of elements, the optical output can be modulated over a wide range. In this way, a multi-gradation recording device can be obtained.
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明によれば、半導体レ
ーザのレーザ光をモードホッピング点を避けて発生させ
ることにより、安定なレーザ光を発生させることができ
る放射ｓ画像情報読取（処理）方法及び装置及び放射線
画像情報記録（処理）装置を実現することができる。本
発明によれば、一般に光出力の不安定な半導体レーザの
光出力を用いても、高安定なレーザ光が要求される放射
線画像情報処理装置を容易に得ることができるので、装
置の設計、製作も容易となり、正確な画像情報を再生す
ることができる。(Effects of the Invention) As described above in detail, according to the present invention, the radiation s image information allows stable laser light to be generated by generating the laser light of a semiconductor laser while avoiding the mode hopping point. A reading (processing) method and apparatus and a radiation image information recording (processing) apparatus can be realized. According to the present invention, even if the optical output of a semiconductor laser, which generally has an unstable optical output, is used, it is possible to easily obtain a radiation image information processing apparatus that requires highly stable laser light. It is also easy to manufacture, and accurate image information can be reproduced.
第１図は本発明方法を示すフローチャート、第２図は本
発明装置の一実施例の概略斜視図、第３図はその模式図
、第４図は本発明装置の他の実施例の概略斜視図、第５
図は半導体レーザ装置の一実施例を示す構成図、第６図
はレーザ駆動装置の内部構成を示す図、第７図は半導体
レーザ素子駆動回路の具体的構成を示す図、第８図及び
第９図は半導体レーザ素子の光出力の経時変化を示す図
、第１０図及び第１１図はコントロール電圧と光出力と
の関係を示す図、第１２図は本発明装置の他の実施例を
示す構成ブロック図である。
１０・・・パネル １１・・・ホルダ１２．２１
・・・半導体レーザ装置
１３．２２・・・コリメータレンズ
１４．１８・・・フィルタ
１５．２５・・・ガルバノミラ−
１６，２６・・・ｆθレンズ
１７．２７・・・光フアイバ集合体
１９．２８・・・光電子増倍管
２０・・・写真フィルム ２４・・・ミラー３１・・・
半導体レーザ素子
３２・・・フォトダイオード
′３３・・・半導体レーザパッケージ
３４・・・台座 ３５・・・温度検出素子３６
・・・温度制御装置ｔ ３７・・・レーザ駆動装置４
０・・・情報記録媒体 Ｕｌ・・・フォトアンプＵ２
、Ａ２差動増幅器
Ａ１・・・増幅器 ＬＤ・・・半導体レーザ素子
ＰＤ・・・フォトダイオード
ＺＤ・・・ツェナーダイオード
Ｔ「・・・トランジスタ
Ｅ１〜ＥＮ・・・画像変調回路
Ｄ１〜ＤＮ・・・半導体レーザ変調手段Ｌ１〜ＬＮ・・
・半導体レーザ
特許出願人 小西六写真工業株式会社
代 理 人 弁理士 井 島 藤 治外
１名
第４図
第５図
第６図
第７図
争智８図
第９図
筒１０図
（ａ） （ｂ） 代）
筒１１図
コントローフ１１田
第１２図
Ｘ
手続補正書
昭和６１年 ６月３０日
昭和６１年７月 １日差出FIG. 1 is a flowchart showing the method of the present invention, FIG. 2 is a schematic perspective view of one embodiment of the device of the present invention, FIG. 3 is a schematic diagram thereof, and FIG. 4 is a schematic perspective view of another embodiment of the device of the present invention. Figure, 5th
6 is a diagram showing the internal configuration of the laser driving device, FIG. 7 is a diagram showing the specific configuration of the semiconductor laser element driving circuit, and FIGS. FIG. 9 is a diagram showing the change over time in the optical output of a semiconductor laser element, FIGS. 10 and 11 are diagrams showing the relationship between the control voltage and the optical output, and FIG. 12 is a diagram showing another embodiment of the device of the present invention. It is a configuration block diagram. 10...Panel 11...Holder 12.21
... Semiconductor laser device 13.22 ... Collimator lens 14.18 ... Filter 15.25 ... Galvano mirror 16, 26 ... fθ lens 17.27 ... Optical fiber assembly 19.28 ...Photomultiplier tube 20...Photographic film 24...Mirror 31...
Semiconductor laser element 32...Photodiode '33...Semiconductor laser package 34...Plinth 35...Temperature detection element 36
... Temperature control device t 37 ... Laser drive device 4
0... Information recording medium Ul... Photo amplifier U2
, A2 Differential amplifier A1...Amplifier LD...Semiconductor laser element PD...Photodiode ZD...Zener diode T...Transistor E1-EN...Image modulation circuit D1-DN... Semiconductor laser modulation means L1 to LN...
・Semiconductor laser patent applicant Roku Konishi Photo Industry Co., Ltd. Agent Patent attorney Fuji Ijima 1 person Figure 4 Figure 5 Figure 6 Figure 7 Sochi Figure 8 Figure 9 Tube Figure 10 (a) ( b) Substitute) Tube 11 figure Control 11 field 12 figure
Claims (9)
媒体上をレーザ光で走査し、放射線画像情報記録媒体か
らの反射光、透過光或いは輝尽発光を集光し、電気信号
に変換して画像情報として読取る場合に、前記レーザ光
を半導体レーザのモードホッピング点を避けて発生させ
るようにしたことを特徴とする放射線画像情報処理方法
。(1) A radiation image information recording medium on which radiation image information is recorded is scanned with a laser beam, reflected light, transmitted light, or stimulated luminescence from the radiation image information recording medium is collected and converted into an electrical signal. 1. A radiation image information processing method, characterized in that when reading image information, the laser light is generated avoiding a mode hopping point of a semiconductor laser.
媒体上をレーザ光で走査し、放射線画像情報記録媒体か
らの反射光、透過光或いは輝尽発光を集光し、電気信号
に変換して画像情報として読取る放射線画像情報処理装
置において、前記レーザ光をモードホッピング点を避け
て発生させるように構成したことを特徴とする放射線画
像情報処理装置。(2) A radiation image information recording medium on which radiation image information is recorded is scanned with a laser beam, reflected light, transmitted light, or stimulated luminescence from the radiation image information recording medium is collected and converted into an electrical signal. A radiation image information processing device for reading image information, characterized in that the laser beam is generated avoiding mode hopping points.
させる構成としてモードホッピング点を避けるようなレ
ーザ光出力を選択するようにしたことを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の放射線画像情報処理装置。(3) The radiation image information according to claim 2, characterized in that the configuration for generating laser light while avoiding the mode hopping point is such that a laser light output that avoids the mode hopping point is selected. Processing equipment.
させる構成としてレーザ光がモードホッピング点を避け
るようにレーザ駆動装置の印加電圧乃至コントロール電
圧を選択するようにしたことを特徴とする特許請求の範
囲第２項記載の放射線画像情報処理装置。(4) As a configuration for generating laser light while avoiding the mode hopping point, the applied voltage or control voltage of the laser driving device is selected so that the laser light avoids the mode hopping point. The radiation image information processing device according to scope 2.
に構成したことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
の放射線画像情報処理装置。(5) The radiation image information processing apparatus according to claim 2, wherein the radiation image information processing apparatus is configured to reduce movement of the mode hopping point.
て、半導体レーザの温度範囲を制御する温度制御手段を
用いたことを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の放
射線画像情報処理装置。(6) The radiation image information processing apparatus according to claim 5, characterized in that temperature control means for controlling the temperature range of the semiconductor laser is used as means for reducing the movement of the mode hopping point.
ーザ光の光出力を一定にする負帰還制御を行う光出力安
定化装置と、レーザ光を出射する手段の温度を制御する
温度制御装置を具備したことを特徴とする特許請求の範
囲第２項記載の放射線画像情報処理装置。(7) A light output stabilizing device that performs negative feedback control to keep the light output of the laser light constant by comparing the light output of the laser light with a reference value, and controlling the temperature of the means for emitting the laser light. The radiation image information processing apparatus according to claim 2, further comprising a temperature control device.
ッピング点の移動を小さくするようにしたことを特徴と
する特許請求の範囲第７項記載の放射線画像情報処理装
置。(8) The radiation image information processing apparatus according to claim 7, wherein the temperature control device is used to reduce movement of a mode hopping point of the laser beam.
けられた複数個の半導体レーザ変調手段と、各放射線画
像信号を受けて対応する半導体レーザのモードホッピン
グ点を避けた範囲で変調を行つて対応する半導体レーザ
変調手段に与える複数個の画像変調回路とによりなり、
前記複数個の半導体レーザの画像変調出力光を情報記録
媒体上に照射せしめることにより放射線画像情報を記録
するように構成したことを特徴とする放射線画像情報記
録装置。(9) A plurality of semiconductor lasers, a plurality of semiconductor laser modulation means provided for each semiconductor laser, and modulation in a range that avoids the mode hopping point of the corresponding semiconductor laser upon receiving each radiation image signal. and a plurality of image modulation circuits that apply to the corresponding semiconductor laser modulation means,
A radiation image information recording apparatus, characterized in that it is configured to record radiation image information by irradiating an information recording medium with image-modulated output light from the plurality of semiconductor lasers.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117902A JPS61281669A (en) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | Radiant ray picture information processing method and unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117902A JPS61281669A (en) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | Radiant ray picture information processing method and unit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61281669A true JPS61281669A (en) | 1986-12-12 |
Family
ID=14723027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60117902A Pending JPS61281669A (en) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | Radiant ray picture information processing method and unit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61281669A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05292259A (en) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | Image scanner |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5783079A (en) * | 1980-11-12 | 1982-05-24 | Sharp Corp | Driving method of semiconductor laser |
| JPS5915932A (en) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Image formation |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP60117902A patent/JPS61281669A/en active Pending
Patent Citations (2)
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