JPS61281550A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS61281550A JPS61281550A JP60123180A JP12318085A JPS61281550A JP S61281550 A JPS61281550 A JP S61281550A JP 60123180 A JP60123180 A JP 60123180A JP 12318085 A JP12318085 A JP 12318085A JP S61281550 A JPS61281550 A JP S61281550A
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- Japan
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- image sensor
- insulating film
- electrode
- discrete electrode
- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、ファクシミリ゛の原稿読取装置、ＯＡ機器の
画像入力装置１紙幣鑑別機等に用いられる密着型イメー
ジセンサに関する。
画像入力装置１紙幣鑑別機等に用いられる密着型イメー
ジセンサに関する。
密着型イメージセンサの実用例としてファクシミリ原稿
読取装置用のイメージセンサが知られている゛、゛第２
図はそのような従来の実用例の一つを示す、これは絶縁
性基板１に導電性ペーストをスクリーン印刷し、フォト
エツチングによって配゛線部２を形成し、次いでクロム
を蒸着後フォトエツチングによって個別電極３および配
線と電気的□にコンタクトを持つように引出し部分４を
′−′体に形成した後、シラ、ツガスと水素の混合ガス
を用いたプラズマＣＶＤ法によってｉ質のアモルファス
水素化シリコンＩＩ！（以下ａ−５ｉと記す）からなる
光電変換１１１５を個別電極３上を覆うようにマスク成
膜し、共通電極６としてＩＴＯをａ −３ｌ膜を挟んで
個別電極３に対向するようにマスク蒸着したものである
。第３図は別の実用例としての密着型イメージセンサを
示す、これはガラス基板ｌｌ上にクロム、金を蒸着して
個別電極３および引出し部分４はクロム単層、配線１２
はクロム−金の２層からなるようにフォトエツチングで
加工し、プラズマＣＶＤ法によってＰ形のアモルファス
水素化シリコンカーバイト（以下ａ−５ＩＣと記す）、
■質のａ−５ｉ、 Ｎ形のａ −’；ｉを順次堆積して
充電変換１１１５を設りた後、ＩＴＯを蒸着し、さらに
クロム膜を蒸着してフォトエツチングにより個別電極に
対向する部分に開口部を設け、遮光膜７を有する共通電
極６を形成したものである。 しかし、第２図に示すようなイメージセンサは、共通電
極をマスク蒸着するため、図中のＸの距離にばらつきが
生ずる。この場合個別電極３以外のＣｒ１ｌと共ｉ１電
極６のＩＴＯ膜に挟まれた部分も受光素子の役割を果た
すため、個別電極３の面積が一定であってもＸのばらつ
きが光電変換面積のばらつきとなり、面積に比例する光
電出力にばらつきを生じ、画素読取り出力が素子や基板
ごとに異なり、品質の低下や歩留りの低下を招くという
欠点があった。また、ＩＴＯ膜を蒸着後フォトエツチン
グによって所望の形状の共通電極６に加工すると、この
エツチング液がａ−５ｉ膜５と接触することによってａ
−５ｌ膜質を低下させるため同様に歩留りが低下する
という欠点がある。 第３図に示す実用例はこれらの欠点のない構造であるが
、光電変換Ｗｉ１５におけるＡ部において配線１４と共
通電極６との間で無視出来ない漏れ電流を生じる。この
漏れ電流ば特に保護膜のない状態では大きく、出力のば
らつきや耐湿性、耐熱性などの信転性の低下を招く。こ
れを解決しようとすると高度なパッシベーション技術を
要し、高価な保１膜を使用することになり、結果として
イメージセンサのコストが高くなるという欠点を有して
いた。
読取装置用のイメージセンサが知られている゛、゛第２
図はそのような従来の実用例の一つを示す、これは絶縁
性基板１に導電性ペーストをスクリーン印刷し、フォト
エツチングによって配゛線部２を形成し、次いでクロム
を蒸着後フォトエツチングによって個別電極３および配
線と電気的□にコンタクトを持つように引出し部分４を
′−′体に形成した後、シラ、ツガスと水素の混合ガス
を用いたプラズマＣＶＤ法によってｉ質のアモルファス
水素化シリコンＩＩ！（以下ａ−５ｉと記す）からなる
光電変換１１１５を個別電極３上を覆うようにマスク成
膜し、共通電極６としてＩＴＯをａ −３ｌ膜を挟んで
個別電極３に対向するようにマスク蒸着したものである
。第３図は別の実用例としての密着型イメージセンサを
示す、これはガラス基板ｌｌ上にクロム、金を蒸着して
個別電極３および引出し部分４はクロム単層、配線１２
はクロム−金の２層からなるようにフォトエツチングで
加工し、プラズマＣＶＤ法によってＰ形のアモルファス
水素化シリコンカーバイト（以下ａ−５ＩＣと記す）、
■質のａ−５ｉ、 Ｎ形のａ −’；ｉを順次堆積して
充電変換１１１５を設りた後、ＩＴＯを蒸着し、さらに
クロム膜を蒸着してフォトエツチングにより個別電極に
対向する部分に開口部を設け、遮光膜７を有する共通電
極６を形成したものである。 しかし、第２図に示すようなイメージセンサは、共通電
極をマスク蒸着するため、図中のＸの距離にばらつきが
生ずる。この場合個別電極３以外のＣｒ１ｌと共ｉ１電
極６のＩＴＯ膜に挟まれた部分も受光素子の役割を果た
すため、個別電極３の面積が一定であってもＸのばらつ
きが光電変換面積のばらつきとなり、面積に比例する光
電出力にばらつきを生じ、画素読取り出力が素子や基板
ごとに異なり、品質の低下や歩留りの低下を招くという
欠点があった。また、ＩＴＯ膜を蒸着後フォトエツチン
グによって所望の形状の共通電極６に加工すると、この
エツチング液がａ−５ｉ膜５と接触することによってａ
−５ｌ膜質を低下させるため同様に歩留りが低下する
という欠点がある。 第３図に示す実用例はこれらの欠点のない構造であるが
、光電変換Ｗｉ１５におけるＡ部において配線１４と共
通電極６との間で無視出来ない漏れ電流を生じる。この
漏れ電流ば特に保護膜のない状態では大きく、出力のば
らつきや耐湿性、耐熱性などの信転性の低下を招く。こ
れを解決しようとすると高度なパッシベーション技術を
要し、高価な保１膜を使用することになり、結果として
イメージセンサのコストが高くなるという欠点を有して
いた。
本発明は、上述の欠点を除去して製造歩留りを低下させ
ることなく、各受光素子の光電出力のばらつきが小さく
、漏れ電流の小さい低価格の密着型イメージセンサを提
供することを目的とする。
ることなく、各受光素子の光電出力のばらつきが小さく
、漏れ電流の小さい低価格の密着型イメージセンサを提
供することを目的とする。
本発明は、基板上に配列された複数の個別電極に対向し
て光電変換半導体膜を介して共通電極が設けられる密着
型イメージセンサの個別電極が、絶縁膜の所定の位置に
開けられた窓部において半導体膜と接触していることに
よって上記の目的を達成する。絶縁膜が感光性樹脂より
なり、露光。 現像によって窓部が形成されることは特に有効である。
て光電変換半導体膜を介して共通電極が設けられる密着
型イメージセンサの個別電極が、絶縁膜の所定の位置に
開けられた窓部において半導体膜と接触していることに
よって上記の目的を達成する。絶縁膜が感光性樹脂より
なり、露光。 現像によって窓部が形成されることは特に有効である。
第１図は本発明の一実施例を示し、以下の各図と同様第
２．第３図と共通の部分には同一の符号が付されている
。ガラス基板１１の上にスパンタリング法により■′「
０を７００人の厚さに形成し、フォトエツチングにより
複数の個別電極Ｉ３と引出し部１４を加工し、全面にク
ロムを１０００人、ニッケルを５０００人、金を２００
０人の厚さに順次被着・して配線部１２を・フォトエツ
チングによってパターニングした。この上に高耐熱性感
光性樹脂である日本合成ゴム （株）製商品名ＣＢ Ｒ
−、Ｍ２Ｏ３を１−の厚さに被覆して絶縁膜８を形成し
、露光、現像することにより個別電極１３上に開口部を
設けた後、２２０℃で２時間ポストベークした。 本実施例で試作したイメージセンサの素子の逆バイアス
出力特性を第４図に示した０個別電極の面積は１（１０
μｎ ｘ １００μｍ１１である。 この素子を１７２８個並列に配した密着型イメージセン
サにおいて、各素子の一５Ｖ印加時の照度２５１Ｘの出
力は平均２．１５ Ｘ １０−’°Ａ、その最大値を１
．１、最小値をＩ ＋ａｌｎとしたとき、の偏差〔（（
Ｉａｍｘ、 Ｉ＠ｌ、） ／（Ｉ ａａｘ ＋Ｉｍａ
ｎ’ ） ｌ 、ｘｌｏ、ｏ ：１が５．２％であった
。 第５図は他の実絢例を示すもので、ガラス基板１１上に
東京応化工業（株）製ＴＣ（、−、Ｓコーティング荊を
浸漬被覆し、５００℃で３０分間熱処理することによっ
て５００人の厚さのＩＴＯ被膜を得、フォトエツチング
によって個別電極１３および引出し部１４をバターニン
グした。このＩ 、Ｔ Ｏの個別電極部分をチップピッ
チ等でマスクし、５０００人の厚さのＮｌ、５００人の
厚さのＡｕを無電解めっきして配線１２とそれにつづく
パッド部を形成した。次にロールコータによって感光製
ボリミイド、東し製商品名フォトニースＶ Ｒ−３１０
０を５ ｐｍの厚さに塗布し、開口部を有する所望のパ
ターン形状に露光した後スプレー現像し、３５０℃で１
時間ベーキングして絶縁膜８を形成した。この時膜厚は
２１ｔａに減少する。この−ＦにプラズマＣＶＤ法によ
り■質のａ −５ｉ光電変換膜５を１μｍの厚さに形成
、さらにカーボン系導電ペーストを３０ｐＩ１１の厚さ
にスクリーン印刷して共通電極１６とした。 本実施例も実施例１と同様に面積が精度良く規定でき、
特別なパンシベーシツンを必要としていない。 第６図は本発明のさらに別の実施例を示す図で、これは
セラミック基板１上にＣｒを１０００人、Ａｕを５００
０人の厚さに蒸着し、フォトエツチングによって個別電
極３．引出し部４と配線部１２を形成した。さらに、プ
ラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を１μ形成１２）
）オドエツチングにより層間絶縁膜１８とし、再びプラ
ズマＣＶＤ法によってＰ形ａ−５ｉＣ層を２００人１
■質ａ −３ｌを５０００人１ Ｎ形ａ−Ｓｔを５００
人の厚さに堆積して光電変換膜１５を形成後、ＩＴＯを
スパッタリングにより２０００ Ａの厚さに形成して共
通電極６とした。 本実施例は、光を上方から入射させるタイプのものであ
り、保護膜としては透明のものが必要であるが、高品質
のものに不要である。
２．第３図と共通の部分には同一の符号が付されている
。ガラス基板１１の上にスパンタリング法により■′「
０を７００人の厚さに形成し、フォトエツチングにより
複数の個別電極Ｉ３と引出し部１４を加工し、全面にク
ロムを１０００人、ニッケルを５０００人、金を２００
０人の厚さに順次被着・して配線部１２を・フォトエツ
チングによってパターニングした。この上に高耐熱性感
光性樹脂である日本合成ゴム （株）製商品名ＣＢ Ｒ
−、Ｍ２Ｏ３を１−の厚さに被覆して絶縁膜８を形成し
、露光、現像することにより個別電極１３上に開口部を
設けた後、２２０℃で２時間ポストベークした。 本実施例で試作したイメージセンサの素子の逆バイアス
出力特性を第４図に示した０個別電極の面積は１（１０
μｎ ｘ １００μｍ１１である。 この素子を１７２８個並列に配した密着型イメージセン
サにおいて、各素子の一５Ｖ印加時の照度２５１Ｘの出
力は平均２．１５ Ｘ １０−’°Ａ、その最大値を１
．１、最小値をＩ ＋ａｌｎとしたとき、の偏差〔（（
Ｉａｍｘ、 Ｉ＠ｌ、） ／（Ｉ ａａｘ ＋Ｉｍａ
ｎ’ ） ｌ 、ｘｌｏ、ｏ ：１が５．２％であった
。 第５図は他の実絢例を示すもので、ガラス基板１１上に
東京応化工業（株）製ＴＣ（、−、Ｓコーティング荊を
浸漬被覆し、５００℃で３０分間熱処理することによっ
て５００人の厚さのＩＴＯ被膜を得、フォトエツチング
によって個別電極１３および引出し部１４をバターニン
グした。このＩ 、Ｔ Ｏの個別電極部分をチップピッ
チ等でマスクし、５０００人の厚さのＮｌ、５００人の
厚さのＡｕを無電解めっきして配線１２とそれにつづく
パッド部を形成した。次にロールコータによって感光製
ボリミイド、東し製商品名フォトニースＶ Ｒ−３１０
０を５ ｐｍの厚さに塗布し、開口部を有する所望のパ
ターン形状に露光した後スプレー現像し、３５０℃で１
時間ベーキングして絶縁膜８を形成した。この時膜厚は
２１ｔａに減少する。この−ＦにプラズマＣＶＤ法によ
り■質のａ −５ｉ光電変換膜５を１μｍの厚さに形成
、さらにカーボン系導電ペーストを３０ｐＩ１１の厚さ
にスクリーン印刷して共通電極１６とした。 本実施例も実施例１と同様に面積が精度良く規定でき、
特別なパンシベーシツンを必要としていない。 第６図は本発明のさらに別の実施例を示す図で、これは
セラミック基板１上にＣｒを１０００人、Ａｕを５００
０人の厚さに蒸着し、フォトエツチングによって個別電
極３．引出し部４と配線部１２を形成した。さらに、プ
ラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を１μ形成１２）
）オドエツチングにより層間絶縁膜１８とし、再びプラ
ズマＣＶＤ法によってＰ形ａ−５ｉＣ層を２００人１
■質ａ −３ｌを５０００人１ Ｎ形ａ−Ｓｔを５００
人の厚さに堆積して光電変換膜１５を形成後、ＩＴＯを
スパッタリングにより２０００ Ａの厚さに形成して共
通電極６とした。 本実施例は、光を上方から入射させるタイプのものであ
り、保護膜としては透明のものが必要であるが、高品質
のものに不要である。
本発明は、絶縁性基板上にイメージセンサの個別電極を
形成後、個別電極上に窓を有する絶縁膜を介して光電変
換半導体膜、共通電極を積層したもので、絶縁膜の窓を
フォトプロセスによって加工することにより窓が精度良
く加工でき、半導体膜上の共通電極の位置精度を要しな
い、また絶縁膜の介在で共通電極と個別電極接続配線と
の間の半導体膜表″面を通しての漏れ電流の問題も起こ
らない、この結果、表面のパンシベーシ四ンも高価な保
護膜も不要であり、素子のばらつきが小さく、暗電流の
少ない低価格の密着型イメージセンサが得られる。
形成後、個別電極上に窓を有する絶縁膜を介して光電変
換半導体膜、共通電極を積層したもので、絶縁膜の窓を
フォトプロセスによって加工することにより窓が精度良
く加工でき、半導体膜上の共通電極の位置精度を要しな
い、また絶縁膜の介在で共通電極と個別電極接続配線と
の間の半導体膜表″面を通しての漏れ電流の問題も起こ
らない、この結果、表面のパンシベーシ四ンも高価な保
護膜も不要であり、素子のばらつきが小さく、暗電流の
少ない低価格の密着型イメージセンサが得られる。
第１図は本発明の１実施例の要部断面図、第２図、第３
図は二つの従来例の要部断面図、第４図は第１図に示し
た受光素子の逆バイアス特性図、第５図、第６図はそれ
ぞれ本発明の異なる実施例を示す要部断面図である。 ｌ：セラミック基板、ｌｌニガラス基板、１２：配線部
、３．ｔａ：個別電極、４．１４＋引出し部、５゜１５
：光電変換膜、６，１６ｉ共通電極、８．１８１絶縁膜
。
図は二つの従来例の要部断面図、第４図は第１図に示し
た受光素子の逆バイアス特性図、第５図、第６図はそれ
ぞれ本発明の異なる実施例を示す要部断面図である。 ｌ：セラミック基板、ｌｌニガラス基板、１２：配線部
、３．ｔａ：個別電極、４．１４＋引出し部、５゜１５
：光電変換膜、６，１６ｉ共通電極、８．１８１絶縁膜
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板上に配列された複数の個別電極に対向して光電
変換半導体膜を介して共通電極が設けられるものにおい
て、個別電極が絶縁膜の所定の位置に開けられた窓部に
おいて半導体膜と接触していることを特徴とする密着型
イメージセンサ。 ２）特許請求の範囲第１項記載のセンサにおいて、絶縁
膜が感光性樹脂よりなり、露光、現像によって窓部が開
けられたことを特徴とする密着型イメージセンサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60123180A JPS61281550A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 密着型イメ−ジセンサ |
| US06/871,509 US4698494A (en) | 1985-06-06 | 1986-06-06 | Image sensor and method of making |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60123180A JPS61281550A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61281550A true JPS61281550A (ja) | 1986-12-11 |
Family
ID=14854167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60123180A Pending JPS61281550A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61281550A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5038190A (en) * | 1988-10-13 | 1991-08-06 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Photoelectric conversion device with disabled electrode |
| US5352921A (en) * | 1991-03-18 | 1994-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and image sensor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5339095A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Photo detector |
-
1985
- 1985-06-06 JP JP60123180A patent/JPS61281550A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5339095A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Photo detector |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5038190A (en) * | 1988-10-13 | 1991-08-06 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Photoelectric conversion device with disabled electrode |
| US5352921A (en) * | 1991-03-18 | 1994-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and image sensor |
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