JPS61281550A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS61281550A JPS61281550A JP60123180A JP12318085A JPS61281550A JP S61281550 A JPS61281550 A JP S61281550A JP 60123180 A JP60123180 A JP 60123180A JP 12318085 A JP12318085 A JP 12318085A JP S61281550 A JPS61281550 A JP S61281550A
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- JP
- Japan
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- image sensor
- insulating film
- electrode
- discrete electrode
- film
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、ファクシミリ゛の原稿読取装置、OA機器の
画像入力装置1紙幣鑑別機等に用いられる密着型イメー
ジセンサに関する。
画像入力装置1紙幣鑑別機等に用いられる密着型イメー
ジセンサに関する。
密着型イメージセンサの実用例としてファクシミリ原稿
読取装置用のイメージセンサが知られている゛、゛第2
図はそのような従来の実用例の一つを示す、これは絶縁
性基板1に導電性ペーストをスクリーン印刷し、フォト
エツチングによって配゛線部2を形成し、次いでクロム
を蒸着後フォトエツチングによって個別電極3および配
線と電気的□にコンタクトを持つように引出し部分4を
′−′体に形成した後、シラ、ツガスと水素の混合ガス
を用いたプラズマCVD法によってi質のアモルファス
水素化シリコンII!(以下a−5iと記す)からなる
光電変換1115を個別電極3上を覆うようにマスク成
膜し、共通電極6としてITOをa −3l膜を挟んで
個別電極3に対向するようにマスク蒸着したものである
。第3図は別の実用例としての密着型イメージセンサを
示す、これはガラス基板ll上にクロム、金を蒸着して
個別電極3および引出し部分4はクロム単層、配線12
はクロム−金の2層からなるようにフォトエツチングで
加工し、プラズマCVD法によってP形のアモルファス
水素化シリコンカーバイト(以下a−5ICと記す)、
■質のa−5i、 N形のa −’;iを順次堆積して
充電変換1115を設りた後、ITOを蒸着し、さらに
クロム膜を蒸着してフォトエツチングにより個別電極に
対向する部分に開口部を設け、遮光膜7を有する共通電
極6を形成したものである。 しかし、第2図に示すようなイメージセンサは、共通電
極をマスク蒸着するため、図中のXの距離にばらつきが
生ずる。この場合個別電極3以外のCr1lと共i1電
極6のITO膜に挟まれた部分も受光素子の役割を果た
すため、個別電極3の面積が一定であってもXのばらつ
きが光電変換面積のばらつきとなり、面積に比例する光
電出力にばらつきを生じ、画素読取り出力が素子や基板
ごとに異なり、品質の低下や歩留りの低下を招くという
欠点があった。また、ITO膜を蒸着後フォトエツチン
グによって所望の形状の共通電極6に加工すると、この
エツチング液がa−5i膜5と接触することによってa
−5l膜質を低下させるため同様に歩留りが低下する
という欠点がある。 第3図に示す実用例はこれらの欠点のない構造であるが
、光電変換Wi15におけるA部において配線14と共
通電極6との間で無視出来ない漏れ電流を生じる。この
漏れ電流ば特に保護膜のない状態では大きく、出力のば
らつきや耐湿性、耐熱性などの信転性の低下を招く。こ
れを解決しようとすると高度なパッシベーション技術を
要し、高価な保1膜を使用することになり、結果として
イメージセンサのコストが高くなるという欠点を有して
いた。
読取装置用のイメージセンサが知られている゛、゛第2
図はそのような従来の実用例の一つを示す、これは絶縁
性基板1に導電性ペーストをスクリーン印刷し、フォト
エツチングによって配゛線部2を形成し、次いでクロム
を蒸着後フォトエツチングによって個別電極3および配
線と電気的□にコンタクトを持つように引出し部分4を
′−′体に形成した後、シラ、ツガスと水素の混合ガス
を用いたプラズマCVD法によってi質のアモルファス
水素化シリコンII!(以下a−5iと記す)からなる
光電変換1115を個別電極3上を覆うようにマスク成
膜し、共通電極6としてITOをa −3l膜を挟んで
個別電極3に対向するようにマスク蒸着したものである
。第3図は別の実用例としての密着型イメージセンサを
示す、これはガラス基板ll上にクロム、金を蒸着して
個別電極3および引出し部分4はクロム単層、配線12
はクロム−金の2層からなるようにフォトエツチングで
加工し、プラズマCVD法によってP形のアモルファス
水素化シリコンカーバイト(以下a−5ICと記す)、
■質のa−5i、 N形のa −’;iを順次堆積して
充電変換1115を設りた後、ITOを蒸着し、さらに
クロム膜を蒸着してフォトエツチングにより個別電極に
対向する部分に開口部を設け、遮光膜7を有する共通電
極6を形成したものである。 しかし、第2図に示すようなイメージセンサは、共通電
極をマスク蒸着するため、図中のXの距離にばらつきが
生ずる。この場合個別電極3以外のCr1lと共i1電
極6のITO膜に挟まれた部分も受光素子の役割を果た
すため、個別電極3の面積が一定であってもXのばらつ
きが光電変換面積のばらつきとなり、面積に比例する光
電出力にばらつきを生じ、画素読取り出力が素子や基板
ごとに異なり、品質の低下や歩留りの低下を招くという
欠点があった。また、ITO膜を蒸着後フォトエツチン
グによって所望の形状の共通電極6に加工すると、この
エツチング液がa−5i膜5と接触することによってa
−5l膜質を低下させるため同様に歩留りが低下する
という欠点がある。 第3図に示す実用例はこれらの欠点のない構造であるが
、光電変換Wi15におけるA部において配線14と共
通電極6との間で無視出来ない漏れ電流を生じる。この
漏れ電流ば特に保護膜のない状態では大きく、出力のば
らつきや耐湿性、耐熱性などの信転性の低下を招く。こ
れを解決しようとすると高度なパッシベーション技術を
要し、高価な保1膜を使用することになり、結果として
イメージセンサのコストが高くなるという欠点を有して
いた。
本発明は、上述の欠点を除去して製造歩留りを低下させ
ることなく、各受光素子の光電出力のばらつきが小さく
、漏れ電流の小さい低価格の密着型イメージセンサを提
供することを目的とする。
ることなく、各受光素子の光電出力のばらつきが小さく
、漏れ電流の小さい低価格の密着型イメージセンサを提
供することを目的とする。
本発明は、基板上に配列された複数の個別電極に対向し
て光電変換半導体膜を介して共通電極が設けられる密着
型イメージセンサの個別電極が、絶縁膜の所定の位置に
開けられた窓部において半導体膜と接触していることに
よって上記の目的を達成する。絶縁膜が感光性樹脂より
なり、露光。 現像によって窓部が形成されることは特に有効である。
て光電変換半導体膜を介して共通電極が設けられる密着
型イメージセンサの個別電極が、絶縁膜の所定の位置に
開けられた窓部において半導体膜と接触していることに
よって上記の目的を達成する。絶縁膜が感光性樹脂より
なり、露光。 現像によって窓部が形成されることは特に有効である。
第1図は本発明の一実施例を示し、以下の各図と同様第
2.第3図と共通の部分には同一の符号が付されている
。ガラス基板11の上にスパンタリング法により■′「
0を700人の厚さに形成し、フォトエツチングにより
複数の個別電極I3と引出し部14を加工し、全面にク
ロムを1000人、ニッケルを5000人、金を200
0人の厚さに順次被着・して配線部12を・フォトエツ
チングによってパターニングした。この上に高耐熱性感
光性樹脂である日本合成ゴム (株)製商品名CB R
−、M2O3を1−の厚さに被覆して絶縁膜8を形成し
、露光、現像することにより個別電極13上に開口部を
設けた後、220℃で2時間ポストベークした。 本実施例で試作したイメージセンサの素子の逆バイアス
出力特性を第4図に示した0個別電極の面積は1(10
μn x 100μm11である。 この素子を1728個並列に配した密着型イメージセン
サにおいて、各素子の一5V印加時の照度251Xの出
力は平均2.15 X 10−’°A、その最大値を1
.1、最小値をI +alnとしたとき、の偏差〔((
Iamx、 I@l、) /(I aax +Ima
n’ ) l 、xlo、o :1が5.2%であった
。 第5図は他の実絢例を示すもので、ガラス基板11上に
東京応化工業(株)製TC(、−、Sコーティング荊を
浸漬被覆し、500℃で30分間熱処理することによっ
て500人の厚さのITO被膜を得、フォトエツチング
によって個別電極13および引出し部14をバターニン
グした。このI 、T Oの個別電極部分をチップピッ
チ等でマスクし、5000人の厚さのNl、500人の
厚さのAuを無電解めっきして配線12とそれにつづく
パッド部を形成した。次にロールコータによって感光製
ボリミイド、東し製商品名フォトニースV R−310
0を5 pmの厚さに塗布し、開口部を有する所望のパ
ターン形状に露光した後スプレー現像し、350℃で1
時間ベーキングして絶縁膜8を形成した。この時膜厚は
21taに減少する。この−FにプラズマCVD法によ
り■質のa −5i光電変換膜5を1μmの厚さに形成
、さらにカーボン系導電ペーストを30pI11の厚さ
にスクリーン印刷して共通電極16とした。 本実施例も実施例1と同様に面積が精度良く規定でき、
特別なパンシベーシツンを必要としていない。 第6図は本発明のさらに別の実施例を示す図で、これは
セラミック基板1上にCrを1000人、Auを500
0人の厚さに蒸着し、フォトエツチングによって個別電
極3.引出し部4と配線部12を形成した。さらに、プ
ラズマCVD法により窒化シリコン膜を1μ形成12)
)オドエツチングにより層間絶縁膜18とし、再びプラ
ズマCVD法によってP形a−5iC層を200人1
■質a −3lを5000人1 N形a−Stを500
人の厚さに堆積して光電変換膜15を形成後、ITOを
スパッタリングにより2000 Aの厚さに形成して共
通電極6とした。 本実施例は、光を上方から入射させるタイプのものであ
り、保護膜としては透明のものが必要であるが、高品質
のものに不要である。
2.第3図と共通の部分には同一の符号が付されている
。ガラス基板11の上にスパンタリング法により■′「
0を700人の厚さに形成し、フォトエツチングにより
複数の個別電極I3と引出し部14を加工し、全面にク
ロムを1000人、ニッケルを5000人、金を200
0人の厚さに順次被着・して配線部12を・フォトエツ
チングによってパターニングした。この上に高耐熱性感
光性樹脂である日本合成ゴム (株)製商品名CB R
−、M2O3を1−の厚さに被覆して絶縁膜8を形成し
、露光、現像することにより個別電極13上に開口部を
設けた後、220℃で2時間ポストベークした。 本実施例で試作したイメージセンサの素子の逆バイアス
出力特性を第4図に示した0個別電極の面積は1(10
μn x 100μm11である。 この素子を1728個並列に配した密着型イメージセン
サにおいて、各素子の一5V印加時の照度251Xの出
力は平均2.15 X 10−’°A、その最大値を1
.1、最小値をI +alnとしたとき、の偏差〔((
Iamx、 I@l、) /(I aax +Ima
n’ ) l 、xlo、o :1が5.2%であった
。 第5図は他の実絢例を示すもので、ガラス基板11上に
東京応化工業(株)製TC(、−、Sコーティング荊を
浸漬被覆し、500℃で30分間熱処理することによっ
て500人の厚さのITO被膜を得、フォトエツチング
によって個別電極13および引出し部14をバターニン
グした。このI 、T Oの個別電極部分をチップピッ
チ等でマスクし、5000人の厚さのNl、500人の
厚さのAuを無電解めっきして配線12とそれにつづく
パッド部を形成した。次にロールコータによって感光製
ボリミイド、東し製商品名フォトニースV R−310
0を5 pmの厚さに塗布し、開口部を有する所望のパ
ターン形状に露光した後スプレー現像し、350℃で1
時間ベーキングして絶縁膜8を形成した。この時膜厚は
21taに減少する。この−FにプラズマCVD法によ
り■質のa −5i光電変換膜5を1μmの厚さに形成
、さらにカーボン系導電ペーストを30pI11の厚さ
にスクリーン印刷して共通電極16とした。 本実施例も実施例1と同様に面積が精度良く規定でき、
特別なパンシベーシツンを必要としていない。 第6図は本発明のさらに別の実施例を示す図で、これは
セラミック基板1上にCrを1000人、Auを500
0人の厚さに蒸着し、フォトエツチングによって個別電
極3.引出し部4と配線部12を形成した。さらに、プ
ラズマCVD法により窒化シリコン膜を1μ形成12)
)オドエツチングにより層間絶縁膜18とし、再びプラ
ズマCVD法によってP形a−5iC層を200人1
■質a −3lを5000人1 N形a−Stを500
人の厚さに堆積して光電変換膜15を形成後、ITOを
スパッタリングにより2000 Aの厚さに形成して共
通電極6とした。 本実施例は、光を上方から入射させるタイプのものであ
り、保護膜としては透明のものが必要であるが、高品質
のものに不要である。
本発明は、絶縁性基板上にイメージセンサの個別電極を
形成後、個別電極上に窓を有する絶縁膜を介して光電変
換半導体膜、共通電極を積層したもので、絶縁膜の窓を
フォトプロセスによって加工することにより窓が精度良
く加工でき、半導体膜上の共通電極の位置精度を要しな
い、また絶縁膜の介在で共通電極と個別電極接続配線と
の間の半導体膜表″面を通しての漏れ電流の問題も起こ
らない、この結果、表面のパンシベーシ四ンも高価な保
護膜も不要であり、素子のばらつきが小さく、暗電流の
少ない低価格の密着型イメージセンサが得られる。
形成後、個別電極上に窓を有する絶縁膜を介して光電変
換半導体膜、共通電極を積層したもので、絶縁膜の窓を
フォトプロセスによって加工することにより窓が精度良
く加工でき、半導体膜上の共通電極の位置精度を要しな
い、また絶縁膜の介在で共通電極と個別電極接続配線と
の間の半導体膜表″面を通しての漏れ電流の問題も起こ
らない、この結果、表面のパンシベーシ四ンも高価な保
護膜も不要であり、素子のばらつきが小さく、暗電流の
少ない低価格の密着型イメージセンサが得られる。
第1図は本発明の1実施例の要部断面図、第2図、第3
図は二つの従来例の要部断面図、第4図は第1図に示し
た受光素子の逆バイアス特性図、第5図、第6図はそれ
ぞれ本発明の異なる実施例を示す要部断面図である。 l:セラミック基板、llニガラス基板、12:配線部
、3.ta:個別電極、4.14+引出し部、5゜15
:光電変換膜、6,16i共通電極、8.181絶縁膜
。
図は二つの従来例の要部断面図、第4図は第1図に示し
た受光素子の逆バイアス特性図、第5図、第6図はそれ
ぞれ本発明の異なる実施例を示す要部断面図である。 l:セラミック基板、llニガラス基板、12:配線部
、3.ta:個別電極、4.14+引出し部、5゜15
:光電変換膜、6,16i共通電極、8.181絶縁膜
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)基板上に配列された複数の個別電極に対向して光電
変換半導体膜を介して共通電極が設けられるものにおい
て、個別電極が絶縁膜の所定の位置に開けられた窓部に
おいて半導体膜と接触していることを特徴とする密着型
イメージセンサ。 2)特許請求の範囲第1項記載のセンサにおいて、絶縁
膜が感光性樹脂よりなり、露光、現像によって窓部が開
けられたことを特徴とする密着型イメージセンサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60123180A JPS61281550A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 密着型イメ−ジセンサ |
US06/871,509 US4698494A (en) | 1985-06-06 | 1986-06-06 | Image sensor and method of making |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60123180A JPS61281550A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61281550A true JPS61281550A (ja) | 1986-12-11 |
Family
ID=14854167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60123180A Pending JPS61281550A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61281550A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5038190A (en) * | 1988-10-13 | 1991-08-06 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Photoelectric conversion device with disabled electrode |
US5352921A (en) * | 1991-03-18 | 1994-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and image sensor |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5339095A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Photo detector |
-
1985
- 1985-06-06 JP JP60123180A patent/JPS61281550A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5339095A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Photo detector |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5038190A (en) * | 1988-10-13 | 1991-08-06 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Photoelectric conversion device with disabled electrode |
US5352921A (en) * | 1991-03-18 | 1994-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and image sensor |
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